1.

PENDAHULUAN
Pada materi mengenai materi Metla-Insulator Semikonduktor dibagi menjadi
beberapa bagian yaitu:
 Bagian 1 pendahuluan
 Bagian 2 tentang ideal metal-insulator-dioda semikonduktor
 Bagian 3 tentang keadaan permukaan, muatan permukaan, dan muatan
ruang
 Bagian 4 tentang pengaruh fungsi kerja logam, orientasi Kristal, suhu,
iluminasi dan radiasi pada karakteristik MIS.
 Bagian 5 tentang varactor permukaan, tunneling dan electrominescent
MIS dioda
 Bagian 6 tentang transportasi pembawa dalam film isolasi
Dioda semikonduktor metal insulator (MIS0 adalah perangkat yang paling
berguna dalam studi permukaan semikonduktor. Karena keandalan dan stabilitas
perangkat semikonduktor terkait erat dengan kondisi permukaannya pemahaman
tentang fisika, permukaan dengan bantuan dari dioda MIS adalah sangat penting untuk
operasi perangkat. Dalam materi ini kita akan berkaitan dengan dengan sistem metal
oxide silicon (MOS). Sistem ini telah dipelajari secara ekstensif karena dirujuk ke
sebagian besar perangkat planar dan sirkuit terintegrasi, struktur SIM pertama kali
disusulkan sebagai variabel tegangan di kapasitor oleh Moll dan Pfan &Garrett.
Bagian pertama dalam materi ini akan mempertimbangkan dioda MIS yang ideal, yang
akan berfungsi sebagai dasar untuk pemahaman karakteristik diode SIM non-aktif.
Bagian 3 akan menyajikan situasi nonideal yang disebabkan oleh kondisi permukaan,
muatan permukaan dan muatan ruang di isolator. Transport ion seperti yang ditemukan
oleh Snow,dkk, waktu yang konstan, disperse dan kebisingan 1/f juga akan
dipertimbangkan dalam bagian 3 ini. Bagian 4 adalah berkaitan dengan efek pada
karakteristik SIM karena fungsi kerja logam orientasi Kristal, suhu kisi, iluminasi dan
radiasi sinar gamma. Bagian 5 menganggap beberapa aplikasi diode MIS sebagai
elektronik dan penyimpangan optic, dan sebagai alat untuk mempelajari kekuatan fisik
yang mendasar. Bagian 6 menyajikan diskusi singkat tentang transportasi pembawa
dan maksimum kekuatan dielektrik film isolasi tipis.
2. Ideal Metal Insulator Semikonduktor (MIS) Dioda
Struktur MIS ditunjukkan pada Gambar.1, dimana d adalah ketebalan isolator dan
tegangan diterapkan pada pelat bidang logam, ini mendefinisikan bahwa tegangan V
positif ketika pelat logam bias positif dengan kontak ohmik dan sebaliknya. Diagram
pita energi dari struktur MIS yang yang ideal untuk V = 0 (ditunjukkan pada gambar
2,dimana gambar 2a dan 2b masing-masing adalah semikonduktor tipe-n dan tipe-p.
dioda MIS yang ideal didefinisikan sebagai berikut:
a. Pada bias nol diterapkan tidak ada perbedaan energi antara fungsi kerja logam 𝜙𝑚

Gambar 1. Struktur Metal Insulator Semikonduktor (MIS)

Pada Gambar 2 adalah diagram band Energi untuk struktur ideal MIS saat V = 0

Gambar 2a. idal MIS dioda semikonduktor tipe-n

 Gambar 2b. ideal MIS semikonduktor tipe-p
Fungsi kerja semikonduktor atau perbedaan fungsi kerja 𝜙𝑚𝑠 adalah nol

Dimana 𝜙𝑚 adalah fungsi kerja logam 𝜒 adalah afinitas elektron semikonduktor, 𝜒𝑖

adalah afinitas elektron insulator Eg adalah celah pita (band gap) dan 𝜙𝑏 adalah
potensial barrier antara metal dan insulator dan 𝜓𝑏 adalah perbedaan potensial antara
fermi level Ef dan fermi level intrinsik Ei dengan kata lain disebut (kondisi lat-band)
ketika ada tegangan listrik yang lebih rendah,. Teori dioda SIM yang ideal adalah
untuk dipertimbangkan dalam hal ini. Bagian berfungsi sebagai dasar untuk
memahami struktur MIS praktis dan untuk mengeksplorasi fisika permukaan
semikonduktor ketika dioda MIS ideal bias tegangan positif atau negatif, disana pada
dasarnya tiga kasus yang mungkin ada dipermukaan semikonduktor. Ini dapat
diilustrasikan pada Gambar 3. Pertimbangkan semikonduktor tipe p terlebih dahulu.
 Gambar 3. Diagram pita energi untuk struktur MIS ideal ketika V tidak sama dengan
nol untuk kedua tipe semikonduktor tipe-p dan tipe-n

b. satu-satunya biaya yang dapat ada dalam kondisi bias adalah yang ada di
semikonduktor dan yang memiliki tanda sama tetapi berlawanan pada permukaan
logam berdekatan dengan isolator
c. dan tidak ada tranportasi pembawah melalui isolator dalam kondisi bias dc atau
resistivitas dari isolator adalah tak terhingga

saat tegangan negatif (v < 0) diterapkan pada pelat logam, Gambar 3a bagian atas
menunjukkan band bends mebungkuk ketatas dan lebih dekat dengan fermi. Untuk sebuah
dioda MIS ideal tidak ada aliran arus dalam struktur jadi level fermi tetap konstan di
semikonduktor, karena pembawa kepadatan tergantung secara eksponensial pada
perbedaan energi (Ef – Ev) band bending ini menyebabkan akumulasi carrier mayoritas
(lubang) didekat permukaan semikondukto, ini adalah kasus akumulasi dimana tegangan
postif yang kecil (V > 0) diaplikasikan pada Gambar 3b band membungkuk kebawah dan
operator mayoritas habis, ini adalah kasus penipisan ketika lebih besar tegangan positif
yang diterapkan. Gambar 3c band bends menekuk lebih kebawah sedemikian rupa
sehingga level intrinsik permukaan melintang di atas level fermi Ep pada titik ini jumlah
elektron (minor carrier) pada permukaan adalah lebih besar dari lubang dengan demikian
permukaan terbalik dan ini adalah kasus inversion, hasil serupa dapat diperoleh untuk
semikonduktor tipe-n. polarisasi tegang, namun harus diubah untuk semikonduktor tipe-n.

2.1 Wilayah muatan ruang permukaan

Akan diturunkan hubungan antara potensi permukaan, muatan ruang dan medan
listrik dalam bagian ini. Hubungan ini kemudian akan digunakan untuk
menurunkan karakteristik tegangan kapasitansi dari struktur SIM yang ideal di
Indonesia, pada Gambar 4 menunjukkan diagram band yang lebih rinci pada
permukaan tipe-p semikonduktor. potensial 𝜓 didefinisikan sebagai nol di
sebagian besar semikonduktor dan diukur sehubungan dengan tingkat fermi
intrinsik seperti yang ditunjukkan, pada permukaan semikonduktor 𝜓 = 𝜓𝑠 dan 𝜓𝑠
disebut permukaan potensial, konsentrasi elektron dan lubang sebagai fungsi 𝜓
diberikan oleh hubungan berikut :

Dimana nilai 𝜓 bernilai positif ketika band ditekuk ke bawah seperti yang
ditunjukkan pada Gambar 4 𝑛𝑝𝑜 𝑑𝑎𝑛 𝜌𝑝𝑜 adalah kepadatan kesetimbangan elektron
𝑞
dan lubang masing-masing dalam sebagian besar semikonduktor dimana 𝛽 = ⁄𝑘𝑇
, di permukaan kepadatan berlaku :

Ini jelas dari diskusi sebelumnya dan dengan bantuan persamaan 4 itu wilayah
potensial permukaan berikut dapat dibedakan:
 Gambar 4. Diagram pita energi pada permukaan semikonduktor tipe-P.
Potensi didefiniskan sebagai nol dalam jumlah besar dan diukur
sehubungan dengan fermi level E intrinsik

𝜓𝑆 > 0 (Akumulasi lubang)

𝜓𝑆 = 0 (kondisi pita datar)
𝜓𝐵 >𝜓𝑆 > 0 (penipisan lubang)
𝜓𝑆 = 𝜓𝐵 (midgap dengan ns = ps = ni)
𝜓𝑆 > 𝜓𝐵 (kondisi inversion/ peningkatan elektron)
Fungsi potensial 𝜓 sebagai fungsi jarak dapat diperoleh dengan menggunakan
persamaan poisson satu dimensi
𝜕2 𝜓 𝜌(𝑥)
=− (5)
𝜕𝑥 2 𝜀𝑠

Dimana 𝜀𝑠 adalah permitivitas semikonduktor dan 𝜌(𝑥) adalah kepadatan total

muatan ruang yang diberikan oleh:

𝜌(𝑥) = 𝑞(𝑁𝐷+ − 𝑁𝐴− + 𝑃𝑝 − 𝑛𝑝 ) (6)

Dimana 𝑁𝐷+ dan 𝑁𝐴− adalah kepadatan dari ion masing-masing donor dan akseptor
sekarang di sebagian besar semikonduktor jauh dari permukaan muatan netralitas
harus ada karena itu 𝜌(𝑥) dan 𝜓 = 0 dan kita mempunyai:

𝑁𝐷+ − 𝑁𝐴− = 𝑛𝑝𝑜 − 𝑝𝑝𝑜 (7)

Secara umum untuk nilai 𝜓 didapatkan dari persamaan 2 dan 3

𝑝𝑝 − 𝑛𝑝 = 𝑝𝑝𝑜 𝑒𝑥𝑝(−𝛽𝜓) − 𝑛𝑝𝑜 𝑒𝑥𝑝(𝛽𝜓) (8)

Persamaan hasil poisson yang harus dipecahkan karenanya

𝜕2 𝜓 𝑞
= − 𝜀 [𝑃𝑝𝑜 (𝑒 −𝛽𝜓 − 1) − 𝑛𝑝𝑜 (𝑒 𝛽𝜓 − 1)] (9)
𝜕𝑥 2 𝑠

Integrasi persamaan 9 dari bulk menuju permukaan maka diperoleh:

𝜕𝜓⁄
𝜕𝑥 (𝜕𝜓) 𝑑 (𝜕𝜓) 𝑞 𝜓
∫0 = − 𝜀 ∫0 [𝑃𝑝𝑜 (𝑒 −𝛽𝜓 − 1) − 𝑛𝑝𝑜 (𝑒 𝛽𝜓 − 1)] 𝑑𝜓 (10)
𝜕𝑥 𝜕𝑥 𝑠

Dengan memberikan hubungan antara medan listrik

𝜕𝜓
(ℇ = − )
𝜕𝑥

dan potensial 𝜓 maka diperoleh:

2𝑘𝑇 2 𝑞𝑝𝑝𝑜 𝛽 𝑛𝑝𝑜

ℇ2 = ( ) ( ) [(𝑒 −𝛽𝜓 + 𝛽𝜓 − 1) + 𝑝 (𝑒 𝛽𝜓 − 𝛽𝜓 − 1)] (11)
𝑞 2𝜀𝑠 𝑝𝑜

Akan diperkenalkan singkatan berikut:

2𝑘𝑇𝜀𝑠 2𝜀𝑠
𝐿𝐷 = √𝑝 2
= √4𝑝 (12)
𝑝𝑜 𝑞 𝑝𝑜 𝛽

Dan

1/2
𝑛𝑝𝑜 𝑛𝑝𝑜
𝐹 (𝛽𝜓, 𝑝 ) = [(𝑒 −𝛽𝜓 + 𝛽𝜓 − 1) + 𝑝 (𝑒 𝛽𝜓 − 𝛽𝜓 − 1)] ≥0 (13)
𝑝𝑜 𝑝𝑜

Dimana 𝐿𝐷 merupakan panjang debye ekstrinsik untuk hole, dengan demikian medan
listrik akan menjadi:

𝜕𝜓 2𝑘𝑇 𝑛𝑝𝑜
ℇ = − 𝜕𝑥 = ± 𝑞𝐿 𝐹 (𝛽𝜓, 𝑝 ) (14)
𝐷 𝑝𝑜
 Dengan tanda positif untuk 𝜓 > 0 dan tanda negatif untuk 𝜓 < 0 untuk menetukkan
medan listrik pada permukaan kami membiarkan 𝜓 = 𝜓𝑠

2𝑘𝑇 𝑛𝑝𝑜
ℇ𝑆 = ± 𝑞𝐿 𝐹 (𝛽𝜓, 𝑝 ) (15)
𝐷 𝑝𝑜

Sama halnya dengan hukum Gauss biaya ruang per unit area yang diperlukan untuk
menghasilkan medan ini:

2𝑘𝜀𝑠 𝑇 𝑛𝑝𝑜
𝑄𝑠 = 𝜀𝑠 ℇ𝑆 = ∓ 𝐹 (𝛽𝜓, 𝑝 ) (16)
𝑞𝐿𝐷 𝑝𝑜

Untuk mendapatkan perubahan dalam kepadatan lubang Δp dan kepadatan elektron Δn per
satuan luas ketika 𝜓 pada permukaan digeser dari nol ke nilai akhir 𝜓𝑠

(17)

(18)

Variasi khas dari kepadatan ruang biaya Qs sebagai fungsi dari permukaan potensial 𝜓𝑠 ,
ditunjukkan pada gambar 5 untuk silicon dengan tipe p dengan Na = 4 x 1015 cm-3 pada
suhu ruang, kami mencatat nahwa untuk negatif 𝜓𝑠 Qs positif sesuai dengan wilayah
akumulasi. Fungsi F didominasi istilah pertama 13 yaitu Qs sebanding exp (q𝜓𝑠 /2kT),
untuk 𝜓𝑠 = 0 diperoleh Qs = 0, untuk 𝜓𝑏 > 𝜓𝑠 > 0 Qs adalah negatif dan ini merupakan
kasus penipisan, kami juga mencatat bahwa inversi yang kuat dimulai pada potensi
permukaan

(19)
Kapasitansi diferensial dari wilayah muatan ruang semikonduktor diberikan oleh :

(20)

Pada kondisi pita datar 𝜓𝑠 = 0 maka nilai Cd dapat diperoleh:

(21)

Gambar 5. Variasi kepadatan ruang muatan dalam semikonduktor sebagai fungsi

permukaan potensial 𝜓𝑠 untuk semikonduktor tipe p dengan Na = 4 x
1015 cm-3 pada temperature kamar dan 𝜓𝐵 adalah potensial perbedaan
antara level Fermi dan level intrinsic dari Bulk.

2.2 Kurva MIS (Metal Insulator Semikonduktor) yang ideal

 Gambar 6a menunjukkan diagram pita struktur MIS yang ideal dengan ban bending
semikonduktor yang ditunjukkan pada Gambar 4, sedangkan distribusi muatan
ditunjukkan pada Gambar 6b

Gambar 6. a diagram pita untuk struktur MIS yang ideal

b distribusi biaya dalam kondisi inversi
c distribusi medan listrik
d distribusi potensial
3. Kondisi permukaan, Biaya Permukaan dan biaya ruang
Dalam dioda MIS praktis ada banyak keadaan dan biaya yang akan mempengaruhi
karakteristik MIS yang ideal. Dasar klasifikasi keadaan-keadaan ini dan charges
(biaya) ditunjukkan pada Gambar 7, ada keadaan permukaan atau keadaan antar
permukaan yang didefinisikan sebagai tingkat energi dalam celah pita terlarang antar
muka pada semikonduktor insulator yang dapat bertukar biaya dengan semikonduktor
dalam waktu singkat, permukaan tetap muatan yang terletak dekat atau di permukaan
semikonduktor (mendekati 200 A) dan tidak bergerak pada medan listrik yang terapan.
Ion bergerak seperti natrium yang mobile dalam isolator dalam kondisi suhu bias dan
perangkap terionisasi yang dapat dibuat misalnya dengan radiasi sinar-x

Kondisi permukaan (antarmuka permukaan)

Biaya permukaan tetap
Mobile ion
Perangkap terionisasi
Gambar 7.Klasifikasi dasar keadaan bagian dan biaya dalam dioda MIS nonideal