BAB II

PEMBAHASAN

2.1 Penyiapan Kristal Tunggal

Untuk mendapatkan alat-alat semikonduktor yang bermutu tinggi, soal yang
terpenting adalah mendapatkan “kemurnian” dan kesempurnaan dari Kristal tunggal dari
semikonduktor yang dipergunakan sebagai bahan untuk pembuatan alat-alat tersebut hal ini
disebabkan bahwa secara umum terutama pada Kristal semikonduktor penambahan
sedikit ketidak murnian mempengaruhi pembawa muatan, yang mempunyai pengaruh
besar pada karakteristik komponen yang dibuat. Sebaliknya semakin sempurna kristal nya
yang berarti mempunyai kerusakan lapisan Kristal yang sangat sedikit, kesempurnaan
Kristal ini sangat menetukkan karakteristik dari komponen yang dibuatnya.
Jadi syarat utamanya yaitu bagaimana mendapatkan semikonduktor yang cukup
murni dan bagaimana cara menambahkan sejumlah ketidakmurnian dengan trepat untuk
mendapatkan komponen semikonduktor kualitas tinggi.
2.1.1 Pemurnian Seminkonduktor
Pemurnian secara kimia dan fisika, bahan semikonduktor dapat dimurnikan secara
proses kimia dan secara proses fisika. Proses kimia dilakukan untuk memishakan dari
bahan kompon, kemurnian maksimum yang dapat diperoleh dengan proses kimia dalah :
99,999%.
Proses pemurnian secara fisika yang mempergunakan sifat fisika yang dikenal
sebagai gejala segregasi, dalam sifat tersebut sejumlah besar ketidakmurnian atau kotoran
dari bagian yang padat terserap kebagian yang sedang meleleh dan diperoleh kemurnian
maksimum 99,99999999%.
Ada dua cara pemurnian yang berdasarkan metoda sifat segregasi itu. Yang pertama
bahan semikonduktor dilelehakan keseluruhannya kemudian dibekukan kembali dari salah
satu ujungnya. Yang kedua bagian yang meleleh digeserkan sepanjang batang
semikonduktor yang berbentuk memanjang, sehingga setiap bagian dilelehkan dan
dibekukan kembali secara berurutan. Cara yang pertama disebut pembekuan normal
(dipakai dalam pembuatan Kristal tunggal), cara yang kedua disebut pemurnian wilayah
(Kristal tunggal yang disebut pemerataan wilayah).
Koefisien segregasi, koefisien yang memberikan gambaran tentang kemurnian yang
dapat dihasilkan dari proses pemurnian fisis, Gambar 2.1 menunjukkan diagram fasa yang
menggambarkan berbagai tingkatan bila ketidak murnian ditambahkan ke dalam
semikonduktor.

Gambar 2.1 Diagram Fasa

Dalam batas dimana garis fasa cair dan garis fasa padat hampir merupakan sebuah garis
maka harga :
CS/CL = k (ini adalah konstanta yang disebut koefisien segregasi) (4.1)
Konsentrasi dari ketidakmurinian pada titik x adalah CX dan diberikan oleh persamaan
Pfann sebagai berikut :
𝑋 𝑘−1
𝐶𝑋 = 𝑘𝐶𝑂 (1 − 𝐿 ) (4.2)

Dimana :
𝐶𝑋 = Konsentrasi dari ketidakmurinian pada titik x
𝑘 = konstanta segregasi
𝐶𝑂 = konsentrasi ketidak murnian yang uniform
𝐿 = panjang bahan
𝑥 = panjang pembekuan
Karena k lebih kecil dari 1, pada titik x = L maka persamaan 4.2 menjadi tak terhingga.
Ini berarti bahwa bila kita menginginkan kemurnian yang sangat tinggi, ini hanya mungkin
terjadi pada bagian yang terbatas dekat dari salah satu ujung dan sebagai dasarnya terdapat
pembagian ketidak murnian yang terbatas pada ujung yang lain. Dalam kenyataannya
dengan naiknya konsentrasi ketidak murnian dan bila titik lembek (titik yutektik) terjadi
maka pada titik tersebut seluruh sisa dipadatkan.
Keuntungan dari pada pemurnian daerah dibandingkan dengan metode pembekuan
normal, pada pembekuan normal itu volume dari daerah yang dibekukan makin lama
makin kecil dan sebaliknua konsentrasi ketidak murnian akan bertambah besar, sedangkan
pada pemurnian daerah konsentrasi ketidak murnian tidak begitu banyak bertambah.
2.1.2 Metoda Pelelhan Daerah (Zone Melting)
Dalam metode pembuatan Kristal tunggal ini, menggunakan langsung prinsip
pemurnian Kristal, keuntungannya ialah bahwa ketidak murnian yang ditambahkan terbagi
secara merata dalam seluruh Kristal Untuk semikonduktor yang elementair yang
mempunyai titik leleh relatif rendah (seperti Ge) menggunakan sebuah cara pelelhan
daerah (pemerataan daerah) yang disebut zone melting. Gambar 2.2. menunjukkan prinsip
cara pemerataan daerah.

Gambar 2.2 Prinsip cara pemerataan daerah

Dalam sebuah cawan grafit murni ditaruh sekeping kecil Kristal tunggal (Kristal benih),
didekat benih diletakkan bahan ketidak murnian yang akan didopkan dan dekat bahan
tersebut ditatuhkan bahan semikonduktor Ge (yang sangat murni), antara Kristal benih dan
balok dipanaskan terlebih dahulu dan meleleh , selanjutnya dengan menggeserkan daerah
meleleh sepanjang balok maka ketidak murnian didopkan secara merata dan tumbuh
Kristal dengan sumbu mengikuti sumbu Kristal benih (menghasilkan Kristal tunggal
yang telah didopkan). Metoda pembuatan Kristal tunggal dengan cara ini menghasilkan
Kristal yang didopkan secara merata dalam seluruh semikonduktor sesuai dengan ketidak
murnian yang ditambahkan.
Untuk bahan semikonduktor yang mempunyai tiitk leleh tinggi (Si) dan keaktifan
kimia pada suhu tinggi penggunaan cawan grafit atau kwarsa tidak dimungkinkan karena
memungkinkan terjadinya pelembekan cawan atau terjadinya kontaminasi bahan dari
cawan.
Untuk menghindarkan kesukaran ini ada metoda lain seperti metoda pemurnian
daerah terapung, seperti yang diperlihatkan pada Gambar 2.3 cara ini menggunakan batang
Kristal yang ditempatkan vertikal dan menempatkan kumparan pemanas pada bagian dari
batang untuk membentuk daerah pelelehan, sebagai hasilnya tidak dibutuhkan cawan atau
alat lain utnuk membantu proses sehingga tidak terjadi kontaminsai, tetapi cara ini
mempunyai kerugian bila dipandang dari sudut ekonomi.

Gambar 2.3 Prinsip cara pemurnian daerah terapung

2.1.3 Metoda Czockralski (Metoda Penarikan)

Metoda ini merupakan cara standard yang lazim dipergunakan untuk membuat
Kristal Ge atau Si. Seperti yang ditunjukkan pada gambar 2.4 berikut

Gambar 2.4 Prinsip metoda penarikan

Kristal benih dan Ge cair saling menempel, dalam keadaan ini dengan menarik
Kristal benih ke atas bagian yang cair terangkat ke atas, dan menghasilkan pertumbuhan
Kristal tunggal (disebut metode penarikan). Bahan yang yang mencair harus berada dalam
gas mulia dan ukuran benih Kristal yang cukup, bila temperature dan kecepatan penarikan
tidak sesuai maka Kristal dapat putus dalam proses ini. Beberap hal harus diuraikan
sebagai berikut :
1. Penumbuha Kristal tunggal harus dilakukan dalam keadaan kuasi statis, berarti
sangat dihindarkan adanya getaran selama proses penumbuhan dijalankan
2. Temperature dan gradient temperature harus dengan presisi yang sangat tinggi.
Dari tiap penmumbuhan mungin agak berbeda, dan ini membutuhkan keahlian
tinggi
3. Kristal tunggal yang dihasilkan dipergunakan untuk membuat berbagai sifat
elektronika, dan adanya kontaminasi atau pengotoran sangat tidak dikehendaki.
Gambar 2.5 memperlihatkan alat penarik, dan disini kristal yang ditumbuhkan membeku
tanpa menyinggung tempat peleburan. Sebagai hasil pengotoran oleh ketidak murnian dari
tempat pelebur dapat dihindarkan dan terdapat dislokasi kristal yang lebih sedikit
dibanding dengan metoda pelelehan daerah. Tetapi bila kecepatan putar dari alat penarik
dan temperature tidak dikontrol dengan cermat maka disklokasi Kristal timbul.
Ini disebabkan oleh perputaran oleh : perputaran dari Kristal benih memberi sifat
pengadukan dari bahan yang cair untuk mendapatkan distribusi yang unform dari
ketidakmurnian yang ditambahkan dan untuk mencegah terjadinya gradient temperature;
dan pengaturan kecepatan penarikan serta temperature untuk mengurangi ketidak
unifroman dari ketidak murnian di alam dan di luar Kristal yang ditumbuhkan.

Gambar 2.5 Alat penarik

2.1.4 Metoda Lain, Metoda Epitaksi dan Metoda Bridgeman Horizontal
Masih ada metoda-metoda lain untuk menghasilkan Kristal tunggal seperti metoda
epitaksi dan Bridgeman Horizontal. Metoda epitaksi akan dibicarakan secara mendalam
kemudian. Metoda Bridgeman Horizontalterutama dipergunakan untuk menghasilkan
semikonduktor dari paduan grup II-VI atau III-V, Gambar 2.6 menunjukkan metoda
pembuatan GaAs .

Gambar 2.6 Alat untuk metoda horizontal Bridgman. Tungku dan distribusi temperatur
Disini Ga bereaksi dengan As; tungku mempunyai tida daerah masing-masing
dengan diset pada temperatur 610oC, 1250oC dan 620oC. tabung kwarsa yang tertutup yang
berisi As dimasukkan ke dalam tungku kemudian ujungnya dipecah dan As bereaksi
dengan Ga

2.2 Teknik Pembuatan

Kristal tunggal itu sendiri tidak bekerja sebagai komponen atau alat, dalam subbab
ini akan dibicarakan teknologi pembuatan komponen semikonduktor (khusunya pembuatan
hubungan p-n)
2.2.1 Pengolahan Permukaan Semikonduktor
Sifat yang sangat penting dari semikonduktor Kristal adalah “peka terhadap
struktur”. Karena sifat yang sangat penting itu ketika membuat komponen semikonduktor,
permukaan Kristal harus dijaga dengan tetap kesempurnaannya terhadap sifat kimia dan
fisikanya, yang akan dibahas selanjutnya adalah prosedur pengolahan permukaan pada
tingkat fabrikasi hubungan p-n sesuai dengan pesanan yang diproses.
Pada permulaan dari fabrikasi diode p-n atau transistor dimulai dengan memotong
balok bahan semikonduktor (Kristal tunggal bentuk batang), menjadi kepingan-kepingan
yang selanjutnya dipotong menjadi bentuk pellet, pemotongan dilakukan dengan sebuah
piringan yang mengandung serbuk intan yang berputar dengan kecepatan tinggi (pemotong
intan).
 Permukaan yang dipotong sering mendapat kerusakan karena adanya gosokan dari
intan atau serbuk gosok dari pemotong. Untuk memperbaiki ini dipergunakan gerinda
permukaan untuk membuang lapisan yang rusak (serbuk SiC). Proses ini disebut
penggerindaan, penggosokan dan menggosok mengkilat yaitu dilakukan secara bertingkat
mulai dari bahan dasar. Serbuk SiC dicampur dengan air di atas pelat gelas yang agak tebal
(sedatar mungkin) dan kepingan dan/atau pelet digosok dengan menggerakkan berputar-
putar di atas pelat gelas tadi. Air yang dipergunakan untuk melarutkan SiC harus sangat
murni, bila dikehendaki ketebalan keeping yang uniform dipergunakan jig gosok seperti
terlihat pada Gambar 2.7

Gambar 2.7 Bagian jig penggosok

Untuk menghindarkan pengaruh dari besarnya butiran SiC yang dipergunakan dalam
proses finishing kasar sebelumnya yang berpengaruh pada finishinghalus maka dibutuhkan
pencucian yang cermat, untuk menyempurnakan pencucian dipergunakan alat ultrasonik.
Untuk mendapatkan finishing yang sangat mengkilat/halus dengan cara menggosok,
dipergunakan kain gosok yang diletakkan di atas plat kaca dan keeping digosok dengan
kain gosok. Maka didapatkan permukaan yang harus mengkilat tetapi ujung dari keing
menjadi tumpul. Dalam tabel 2.1 menyatakan besarnya kekerasan dari permukaan setelah
mengalami beberapa macam pengolahan permukaan.

Tabel 2.1 Kedalaman dari lapisan permukaan yang dikasarkan

Pengerjaan Ukuran Butir Tebal dari lapisan yang
dikasarkan
Semprotan pasir 180 mesh 125 𝜇𝑚 32-34 𝜇𝑚
Penggosokan SiC 600 mesh 25 𝜇𝑚 17-18 𝜇𝑚
Pemotongan dengan intan - 12-13 𝜇𝑚
 Digosok mengkilat dengan 0,5 𝜇𝑚 1-2 𝜇𝑚
intan
Ultrasonik SiC 600 mesh 25 𝜇𝑚 1-2 𝜇𝑚

data-data tersebut berguna dalam saat etsa. Pengolahan permukaan yang telah
diuraikan merupakan langkah mekanis dan langkah-langkah berikut ini dengan bahan
bakar kimia (disebut etsa), maksud dari etsa adalah untuk menghilangkan permukaan yang
rusak yang tidak dapat dibuang dengan cara mekanis.
Pada dasarnya proses etsa dimulai dengan oksidasi. Sebagai contoh pada bahan Ge
biarpun Ge dicelupkan dalam larutan HNO3, tidak akan terjadi proses etsa. Dalam hal ini
HNO3 hanya mengoksidasi permukaan. Tetapi bila ditambah HF dengan jumlah yang
cukup pada larutan itu, kecepatan proses etsa tiba-tiba meningkat. Hal ini disebabkan
karena HF melarutkan oksida . maka etsa merupakan dua langkah proses dimana mula-
mula permukaan dioksidasi dan lapisan oksida dilarutkan.
Bila melakukan etsa, bahan kimia yang beracun dan sangat berbahaya yang
dipergunakan, membutuhkan perlakuan yang hati-hati. Pertama, dibutuhkan instalasi
lemari asam yang cukup, tempat pencelup yang dipergunakan harus tahan asam, ventilator
dan air yang baik (dengan keran terbuat dari bahan khlorida vinyl) dan jendela pengamat
dengan kaca dari bahan resin (plastik)
Selanjutnya karena instrument-instrumen yang digunakan dalam etsa akan terkena
asam, maka instrument dari metal tidak tepat dipakai, maka gelas dan botol bahan gelas
ukur, pinset dan isntrumen yang lain juga harus dibuat dari khlorida vinyl, akan diuraikan
cara hati-hati dalam menggunakan etsa :
1. Jauhkan logam-logam, kaca mata dari gelas dari lemari asam
2. Jangan menggunakan bahan kimia yang sudah lama
3. Pergunakan larutan etsa dalam jumlah besar supaya menghindarkan terjadinya
panas pada waktu reaksi berlangsung.
4. Jangan lupa mengaduk larutan
5. Keeping yang dietsa jangan sampai terkena udara. Bila reaksi berjalan sangat
cepat keeping yang dietsa jangan diangkat, encerkan larutan dengan
menambahkan air murni dalam larutan itu.
6. Cuci dengan sempurna dalam air setelah etsa.
7. Bila kulit operator terkena larutan etsa cepat cuci dengan air dan berikan asam
yang pertama, bila lukanya parah pergilah ke dokter.
Seperti yang sudah dijelaskan secara umum ada dua macam pengolahan permukaan yaitu
dengan gerinda mekanis dan dengan etsa kimia. Setelah pengolahan permukaan selesai
maka pembuatan hubungan dimulai.
Etsa mempunyai 2 atau 3 maksud di samping pembersihan permukaan, maksud-
maksud itu adalah untuk mengamati dislokasi dari Kristal dan menetukkan sumbu Kristal.
Pada permukaan Kristal yang telah dietsa dapat dilihat adanya lubang-lubang. Lubang-
lubang ini ada hubungannya dengan dislokasi Kristal, dan bila terjadi dislokasi Kristal,
terjadinya dislokasi dapat dilihat dari adanya lubang-lubang yaitu bila dislokasi-dislokasi
memotong permukaan. Gejala-gejala ini disebabkan oleh berbagai alasan satu diantaranya
disebabkan oleh tegangan dekat pada dislokasi mempunyai konfigurasi yang agak berbeda
pada permukaan, menghasilkan gangguan pada bekerjanya bahan kimia yang
menyebabkan reaksi. Selanjutnya distribusi elektron dan hole dekat pada dislokasi
mempunyai pola yang berbeda menghasilkan perbedaan-perbedaan pada berbagai reaksi
kimia atau ada alasan yang disebabkan oleh medan gaya mikroskopis yang terdapat di
dalam Kristal mengakibatkan pergeseran dari atom-atom.