SEMIKONDUKTOR

1. Metode Pelelehan ( Zona Melting )

Metoda ini digunakan untuk memperoleh kristal tunggal yang sengaja diberi
pengotor untuk bahan baku pembuatan devais semikonduktor

Metode pelelehan digunakan untuk “memurnikan” bahan semikonduktor.

Metode pelelehan daerah juuga digunakan untuk membuat Kristal tunggal
(substrat) dengan memberikan ketidakmurnian secara merata. Ringkasnya adalah
membuat substrat yang mempunyai tipe tertentu, misalnya substrat / Kristal
tunggal dengan tipe n atau tipe p, yaitu dengan cara memberikan ketidakmurnian
(dopping) bahan tertentu.
Metode Zona Melting digunakan untuk menyebarkan kemurnian tersebut,
sering dinamakan dengan Metode pemerataan Daerah. Pada metode kali ini,
bahan semikonduktor yang akan disebari ketidakmurnian tersebut terlebih dahulu
harus dalam kondisi murni.
 Pada gambar tersebut terdapat sebuah cawan grafit yang didalamnya (paling
kiri) diletakkan sekeping kecil Kristal tunggal yang disebut dengan benih Kristal.
Didekat benih Kristal tersebut diletakkan bahan ketidakmurnian yang akan
didopkan. (misalnya B = Baron untuk membuat agar menjadi semikonduktor yang
sangat murni (misalnya Ge).
Dalam susunan tersebut benih Kristal, bahan ketidakmurnian, dan balok
ujung kiri dipanaskan terlebih dahulu dan meleleh, kemudian dengan menggeser
daerah meleleh (dipanaskan dulu) sepanjang balok, maka ketidakmurnian
didopkan dengan merata dan tumbuh (terbentuk) Kristal dengan sumbu benih
Kristal, sehingga menghasilkan Kristal tunggal yang telah didopkan.
Metode pembuatan Kristal tunggal (substrat) dengan menggunakan cara ini
akan menghasilkan Kristal yang didopkan secara merata dalam seluruh
semikonduktor sesuaidengan ketidakmurnian yang ditambahkan. Dan metode ini
secara teoristis relative lebih baik dibandingkan dengan cara penarikan. Hanya
saja ketika saat Kristal membeku terdapat perbedaan koefisien pengembangan
dengan dinding cawan, maka terdapat gaya – gaya yang tidak dikehendaki pada
perbatasan antara Kristal yang sedang membeku. Akibatnya lokasi/posisi sumbu
Kristal menjadi berubah atau sering dinamakan sebagai dislokasi Kristal.
2. Metode Penarikan ( Czockralski )
Pada penjelasan sebelumnya telah dibahas bahwa metode penarikan masih
lebih baik dibandingkan dengan metode pemerataan daerah. Penjelasan metode
penarikan secara global seperti berikut, bahwa benih Kristal dan bahan
semikonduktor cair ( misalnya Ge ) dibuat saling menempel, kemudian dengan
menarik benih kristal ke atas, maka Ge cair akan terangkat ke atas juga dan
menghasilkan pertumbuhan kristal tunggal. Ge cair tersebut harus berada dalam
gas mulia dan ukuran benih kristalnya harus memadai. Kemudian jika temperature
dan kecepatan penarikan tidak sesuai, maka Kristal daoat putus pada proses ini.

Beberapa hal penting yang harus di perhatikan dalam prakteknya yaitu :

a. Penumbuhan Kristal tunggal harus dilakukan dalam keadaan kuasi statis.

Berarti sangat dihindari adanya getaran selama proses penumbuhan
dijalankan.
b. Temperature dan gradient temperature harus dengan presisi yang sangat
tinggi. Karena dari setiap posisi penumbuhan otomatis temperaturenya
berbeda, dan ini sangat sulit dilakukan.
c. Harus dapat dihindari adanya kontamidasi atau pengotoran yang tidak
dikehendaki.

Berikut ini adalah gambar dari proses penumbuhan Kristal tunggal menggunakan
metode penarikan.
 Dengan metode penarikan ini, dislokasi Kristal dapat diminimisasi, dan
pengotoran oleh ketidakmurnian juga dapat dihindari. Tetapi bila kecepatan
putaran alat penarikan dan temperature tidak dikendalikan dengan tepat, maka
akan terjadinya dislokasi Kristal.
Pada umumnya kecepatan putaran sekitar ¼ sampai dengan ½ putaran/detik
dan kecepatan penarikan sekitar 10-4 sampai 3.10-2 cm/detik.

3. Metode Epitaksi

Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyususn dengan
kata lain epitaksi didefinisikan sebagai proses penyusunan atom-atom bahan
kristal di atas substrat kristal tunggal dengan susunan lapisan yang dihasilkan
merupakan sambungan dari garis struktr kristal tunggal.

Pembuatan Kristal semikonduktor berbentuk pellet :

a. Bahan baku semikonduktor yang digunakan adalah berupa serbuk dengan

tingkat kemurniaan yang tinggi
b. kristal yang diperoleh berbentuk polikristal

Proses pembuatan pellet semikonduktor dilakukan dengan reaksi padatan :

a. Serbuk tersebut harus memiliki tingkat kemurnian yang tinggi

b. Untuk memperoleh pellet semikonduktor paduan maka harus dilakukan proses
pencampuran (mixing) dari beberapa bahan semikonduktor

Contoh AlGaN merupakan pencampuran dari AlN dan GaN.

a. Dilakukan untuk memperoleh ukuran butir yang kecil karena akan
mempengaruhi tingkat kerapatan pellet
b. Dilakukan untuk memperoleh pellet dengan tingkat kerapatan yang tinggi.
c. Dilakukan untuk memperkuat ikatan antar partikel dan memperkecil ukuran
batas kristal (grain boundaries). Sintering dilakukan pada temperature dibawah
titik leleh bahan (melting point).

4. Metode Bridgman

Teknik Bridgman merupakan suatu teknik penumbuhan kristal tunggal.

Teknik ini pada prinsipnya adalah melelehkan bahan-bahan yang telah dimurnikan
dalam tabung pyrex atau kuarsa berbentuk kapsul yang divakumkan. (Anonim,
2007). Pemurnian bahan ini sangat penting dalam penumbuhan kristal, karena
penambahan sedikit ketidakmurnian akan mempengaruhi pembawa muatan yang
selanjutnya akan memiliki pengaruh besar pada karakteristik kristal yang
terbentuk. Sebaliknya, jika semakin sempurna suatu kristal berarti kerusakan
kristal yang terjadi semakin sedikit
Bahan-bahan yang telah dimasukkan dalam tabung pyrex atau kuarsa
dilelehkan dalam furnace atau oven yang temperaturnya sangat tinggi, secara
perlahan-lahan kemudian dimasukkan ke dalam daerah suhu rendah sampai bahan
mengeras dan selanjutnya terbentuk kristal yang diinginkan. Berdasarkan
peletakkan kapsul tabung dalam furnace, teknik Bridgman ada dua macam, yakni:
teknik Bridgman vertikal dan horizontal
Ada beberapa alat yang digunakan dalam teknik Bridgman ini, namun yang
pokok adalah: neraca, las kaca, sistem vakum dan furnace (oven). Langkah-
langkah teknik Bridgman yang utama terdiri atas dua tahap, yakni: tahap
persiapan preparasi dan tahap penumbuhan kristal. Tahap pertama adalah
persiapan yang meliputi: penimbangan bahan dasar, pengepresan (fakultatif),
pembersihan tabung pyrex atau kuarsa, pemvakuman, dan pengelasan. Tahap
kedua adalah penumbuhan kristal yang meliputi: pemasukan kapsul dalam
furnace, perlakuan panas dengan alur pemanasan tertentu, dan pengambilan hasil
setelah dingin. Perlakuan panas dalam teknik Bridgman yang selanjutnya disebut
alur pemanasan tidak hanya dibuat sembarangan, namun harus berdasarkan pada
diagram fasa kristal yang diinginkan dan juga titik leleh bahan dasarnya. Gambar
1 menyatakan contoh diagram fasa untuk kristal CuInSe2.

A. Kelebihan Teknik Bridgman

Kelebihan teknik Bridgman ditinjau dari: alat yang digunakan, langkah kerja, dan
kualitas kristal yang terbentuk :

a. Alat yang digunakan cukup sederhana

Ada beberapa alat yang digunakan dalam teknik Bridgman ini, namun yang
pokok adalah: neraca, las kaca, sistem vakum dan furnace (oven). Berbeda
dengan peralatan yang digunakan pada teknik penumbuhan kristal yang lain
yakni Czochralski, terdiri atas tiga perangkat: tungku, mekanik penarik kristal,
dan pengontrol ruang. Perangkat pertama, tungku yang di dalamnya terdapat:
bahan dasar, suseptor grafit, menaik putar (searah jarum jam), elemen
pemanas, dan catu daya. Perangkat kedua, mekanik penarik kristal yang di
dalamnya terdapat: pemegang benih kristal dan mekanik putar (berlawanan
arah jarum jam). Perangkat ketiga, pengontrol ruang yang di dalamnya
terdapat: sumber gas (umumnya digunakan gas argon), pengontrol aliran,
 sistem keluaran (Reka Rio, 1980). Berdasarkan uraian di atas, jelas bahwa
peralatan yang digunakan pada teknik Bridgman lebih sederhana.
b. Langkah kerja cukup sederhana
Prosedur atau langkah pada teknik Bridgman yang utama adalah: tahap
persiapan preparasi dan tahap penumbuhan kristal. Tahap pertama adalah
persiapan yang meliputi: penimbangan bahan dasar, pengepresan (fakultatif),
pembersihan tabung kuarsa, pemvakuman, dan pengelasan. Tahap kedua
adalah penumbuhan kristal yang meliputi: pemasukan kapsul dalam furnace,
perlakuan panas dengan alur pemanasan tertentu, dan pengambilan hasil
setelah dingin.
c. Kristal yang dihasilkan kualitas cukup tinggi
Kualitas kristal yang dimaksud adalah ditinjau dari ketepatan perbandingan
mol dan juga parameter kisi kristal yang terbentuk.

B. Kekurangan Teknik Bridgman

Berdasarkan uraian di depan, kekurangan teknik Bridgman dapat diamati dari
langkah-langkahnya, antara lain: ketelitian dalam penentuan perbandingan massa
bahan dasar, kevakuman yang cukup tinggi dalam kapsul, dan ketelitan yang
tinggi saat pengelasan kapsul. Hal tersebut dapat dijelaskan sebagai berikut:
a. Memerlukan ketelitian dalam menentukan perbandingan massa bahan dasar
kristal.
Di atas telah disebutkan, untuk mendapatkan kristal yang diinginkan dengan
perbandingan mol yang tepat tentu memerlukan perbandingan mol unsur dasar
yang tepat pula. Karena massa yang diperlukan cukup kecil, tentu dituntut
ketelitian dalam penimbangan. Langkah ini cukup sulit bagi orang yang kurang
teliti atau sedikit ceroboh. Oleh karena itu, ini merupakan kekurangan dalam
teknik Bridgman.
b. Memerlukan kevakuman yang cukup tinggi dalam kapsul pyrex atau kuarsa.
Yang ikut menetukan kualitas kristal yang terbentuk ada tidaknya fasa lain
karena munculnya unsur lain yang tidak diinginkan. Agar kristal yang terbentuk
sesuai yang diinginkan tidak muncul fasa lain, dituntut tingkat kevakuman yang
tinggi. Untuk membuat tabung yang benar-benar vakum tidaklah mudah, karena
itu diupayakan mencapai tingkat kevakuman yang tinggi dalam orde mikro torr.
Langkah ini cukup sulit dilakukan, karena itu kevakuman yang cukup tinggi
dimasukkan sebagai kelemahan teknik Bridgman.
c. Memerlukan ketelitan yang tinggi saat pengelasan kapsul pyrex atau kuarsa.
Pengelasan merupakan kunci dari pembuatan kapsul, artinya walaupun proses
pembuatan kapsul sudah cukup hati-hati, bahkan tingkat kevakuman tinggi namun
pengelasan gagal kapsul tidak dapat digunakan. Karena itulah dalam langkah ini
dituntut kehati-hatian dan ketelitian yang tinggi. Untuk itu diperlukan
keterampilan tersendiri dalam pengelasan ini. Dengan dasar itu, maka ketelitian
yang tinggi merupakan salah satu kelemahan teknik Bridgman.