SEMIKONDUKTOR

DAN
TEKNOLOGINYA
 PENGANTAR ILMU MATERIAL
KELOMPOK 7
SESI 046

18
Wahyu Cahyaningrum Vevi Veronica
19034094 19034042
Dosen Pengampu :
Dra. Yenni Darvina, M.Si
 Pengertian Semikonduktor
01 Apa yang dimaksud dengan semikonduktor ?

Teknologi Proses Pemurnian

02 Semikonduktor

Semikonduktor dan Bagaimanakah teknologi proses pemurnian

semikonduktor ?

Teknologinya Teknologi Proses Pembuatan

03 Wafer Semikonduktor
Bagaimana teknologi porses pembuatan
wafer semikonduktor ?

Teknologi Proses Pembuatan

04 Devais Semikonduktor
Bagaimana teknologi porses pembuatan
devais semikonduktor ?
 01
Pengertian Semikonduktor

 Semikonduktor
Merupakan sebuah material dengan konduktivitas yang berada diantara isolator dan
konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai isolator pada suhu yang sangat rendah,
namun pada suhu ruangan semikonduktor bersifat sebagai konduktor
Dibagi menjadi 2;
Semikonduktor Semikonduktor
Intrinsik Ekstrinsik

Semikonduktor intrinsik merupakan

Bahan semikonduktor ekstrinsik
semikonduktor yang terdiri dari
adalah bahan semikonduktor yang
suatu jenis bahan saja seperi terbuat
telah dicampuri dengan atom lain,
dari silikon murni atau germanium
melalui proses doping.
murni.
 02
Teknologi Proses Pemurnian
Semikonduktor

 Pemurnian merupakan suatu cara yang digunakan untuk menentukan suatu
senyawa atau sekelompok senyawa yang mempunyai susunan kimia yang
berkaitan dari suatu bahan, baik dalam skala laboratorium maupun skala
industri.

Ada beberapa cara untuk memperoleh semikonduktor yang memiliki tingkat

kemurnian tinggi, yaitu :

 Pemurnian secara proses kimia

 Pemurnian secara proses fisika

Beberapa metode untuk memperoleh kristal tunggal
semikonduktor ;

 Metode Pelelehan Daerah (Zone Melting)

Zone melting adalah metoda pemisahan dengan tujuan
untuk memurnikan, yang dilakukan dengan cara meleburkan
suatu zat, pada logam yang tidak murni atau bahan kimia yang
lainnya
  Metoda Czockralski (Metoda Penarikan)
Metoda Czochralski adalah metoda pertumbuhan Kristal
digunakan untuk mendapatkan Kristal tunggal dari semikonduktor
(misalnya silikon, germanium dan gallium arsenide).
 Metoda Epitaksi
Metoda epitaksi adalah proses pertumbuhan lapisan tipis Kristal
tunggal semikonduktor diatas substrat semikonduktor. Salah satu
teknik terkenal adalah epitaksi fase uap (Vapor Phase Epitaxy (VPE)).
VPE yang umum dipakai adalah seposisi uap kimiawi (chemical
vapor deposition (CVD)).

CVD adalah proses dimana lapisan epitaksi

terbentuk karena reaksi kimia diantara gas-
gas pembentuknya.
 03
Teknologi Proses Pembuatan Wafer
Semikonduktor

 Wafer merupakan bahan landasan dari komponen microsystem. Wafer pada
umumnya bermodel lempengan tipis bermodel lingkaran dengan garis disalah satu
sisinya. Pada umumnya wafer terbuat dari kristal silikon

Gambar wafer silikon 8 inci

Beberapa teknologi dalam proses pembuatan wafer
semikonduktor ;

 Teknologi Planar

Teknologi planar merupakan satu-satunya teknologi yang menjadi dasar

utama dalam permulaan pengolahan bahan-bahan semikonduktor. Dengan
adanya teknologi planar ini telah memungkin terciptanya transistor stabil
dan mendorong pesatnya industry semikonduktor pada akhir tahun 1950-an
  Pemurnian Silikon Polikristalin Kelas Elektronik
(Polysilicon)
Silikon kelas elektronik adalah nama yang digunakan untuk silikon
dalam pembuatan perangkat semikonduktor, yang produknya dari
rangkaian proses yang dimulai dengan konverensi pasir kuarsa atau
kuarsit menjadi “silikon kelas metalurgi” (MG-Si)

Skema tungku busur elektroda
teredam yang digunakan dalm
proses MG-Si
Dalam proses ini, MG-Si digiling pertama dalam ball-mill
untuk menghasilkan sangat halus (75% < 40 μM) partikel yang
kemudian diumpankan ke Fluidized Bed Reactor (FBR). Disana
MG-Si bereaksi dengan gas asam klorida anhidrat (HCl), pada
575 K (sekitar 300˚C) menurut rekasi :
Si + 3HCl → SiHCl3 + H2
Reaksi hidroklorinasi di FBR menghasilkan produksi gas
yang sekitar 90% triklorosilan (SiHCl 3). 10 % sisa gas yang
dihasilkan pada tahap ini sebagian besar adalah tetraklorosilan
SiCl4 dengan beberapa diklorosilan SiH2Cl2
 Silikon polikristalin padat yang dimurnikan
dihasilkan dari triklorosilan dengan kemurnian tinggi
menggunakan metode yang dihasilkan sebagai “ Proses
Siemens”. Dalam proses ini, triklorosilan diencerkan
dengan hydrogen dan diumpamakan ke reactor
pengendapan uap kimia. Disana kondisi reaksi diatur
sehingga silikon polikristalin diendapkan pada batang
silikon yang dipanaskan secara elektirk sesuai dengan
kebalikan dari reaksi pembentukan triklorosilan :
Diagram alir untuk produksi silikon
SiHCl3+ H2 → Si + 3HCl
kelas semikonduktor (kelas elektronik)
Produk sampingan dari rekasi deposisi (H 2, HCl,
SiHCl3, SiHCl4, dan SiH2Cl2) ditangkap dan diatur
ulang melalui proses produksi dan pemurnian
triklorosilan
  Fabrikasi Wafer Silikon Kristal Tunggal

Wafer silikon adalah irisan tipis Kristal tunggal silikon besar yang
dikembangkan dari silikon polikristalin kelas elektronik yang meleleh.
Proses yang digunakan dalam menumbuhkan Kristal tunggal ini
dikenal sebagai proses Czochralski

(a)Skema proses Czochralski
(b) Peralatan proses (diproduksi dengan
izin PVA TePla AG 2017)
Proses Czocharalski dilakukan dirungan yang dapat
dievakuasi, biasanya disebut sebagai “penarik Kristal”
yang menampung wadah besar.
Crucible yang bermuatan listrik dipanaskan sampai suhu
yang cukup untuk melelehkan polisilikon (lebih dari 1421˚
C).
Setelah peredaman dan lelehan, Kristal benih perlahan-
lahan (beberapa cm/jam) ditarik dari lelehan saat Kristal
yang lebih besar tumbuh.
Setelah silikon boule dibuat, kemudian dipotong menjadi panjang yang dapat diatur
dan setiap panjang digiling ke diameter yang diinginkan. Flat sekunder (lebih kecil)
menunjukkan apakah wafer tipe-p atau tipe-n.

Setelah boule digerus hingga diameter yang diinginkan dan flat dibuat, boule
dipotong menjadi irisan tipis menggunakan pisau bertatahkan berlian atau kawat baja.
 Tahap terakhir dalam pembuatan wafer silikon melibatkan secara kimiawi
etsa menghilangkan semua lapisan permukaan yang mungkin telah dan diikuti
oleh pemolesan mekanis kimiawi (CMP) untuk menghasilkan pemukaan yang
sangat reflektif. Pengetsaan kimiawi dilakukan dengan menggunakan larutan etsa
asam fluoride (HF) yang dicampurkan dengan asam nitrat dan asam asetat yang
dapat melarutkam silikon.
 04
Teknologi Proses Pembuatan Devais
Semikonduktor

 Tahapan proses dasar untuk pembuatan devais semikonduktor yaitu
dengan fotolitografi yang menggunakan teknologi mikroelektronika.

fotolitografi adalah proses pemindahan pola bentuk geometris pada masker ke lapisan tipis
(beberapa micron) dan bahan yang peka terhadap radiasi (photoresist).
1)Masker untuk fotolitografi

Masker mengandung pola lapisan yang akan

ditransfer ke wafer untuk membentuk
rangkaian.
2)Tahap proses fotolitografi
Proses fotolitografi dilakukan dengan
mengunakan bahan fotoresis. Fotoresis
merupakan jenis senyawa organik yang peka
cahaya (sinar ultraviolet).

Contoh dari fotoresis negatif : Selextiluc N 220, Olint Hunt way Coat Negative, KPR,
KMER, KTFR dan lainya.

Contoh fotoresis positif : AZ 1350-J Shipley, AZ 111, AZ 119, AZ 345 dan lain sebagainya.
Fotoresis umumnya harus memiliki sifat- sifat
yang diperlukan pada proses devais seperti :
-Daya adhesi yang baik
-Tahan terhadap larutan etchant
-Sensitivitas atau kepekan terhadap cahaya
-Resolusi yang baik sehingga pola gambar
dalam bentuk orde micron dapat dicapai
Spinner
dengan tajam
 Hal-hal yang penting dalam etsa foto (fotolitografi)

P L
L
e a
F P P P a
m E p p
M o e e e M
a t i i
n n e
a t l
n s s s
y c m
s o a
g a a a
r p i e n b
& n
k e i
g n t u
a d o
e s s a a
a k
a R
n r k n e
r i a r s
g a a g s
s n i i
a n n i
d
n s
a
Ilustrasi skema urutan proses fotolitografi
TERIMAKASIH 
Any Question ??