Percobaan II

Karakteristik BJT
Anton Nugroho (13117017)
Asisten: Oktario (13116072)
Tanggal Percobaan: 23/09/2019
EL3102 Praktikum Elektronika
Laboratorium Teknik Elektro
Institut Teknologi Sumatera

Abstrak- Dalam pratikum modul kedua ini akan dipelajari

karakteristik dari masing-masing Transistor jenis BJT dari
NPN hingga PNP dan fungsi utama dari mengetahui
keluaran Transistor dari beberapa jenis kurva hingga
Early Effect dalam percobaan kali ini dan melalui laporan
ini diharapkan dapat mengetahui memahami teknik bias
melalui beberapa metode

I. PENDAHULUAN
Transistor merupakan salah satu komponen
elektronika yang berfungsi sebagai sebagai
penguat, switching modulasi sinyal dan berbagai
fungsi lainnya. Pada dasarnya, Transistor sendiri
berfungsi sebagai keran listrik berdasarkan arus
input (BJT) atau tegangan keluarannya (FET),
yang memungkinkan dialirkan listrik yang sangat
tepat dari sumber listrik. Pada umumnya,
transistor memiliki 3 terminal yang tergabung
menjadi 1 komponen, yaitu Basis (B), Emitor (E),
dan Kolektor (C).
Perubahan arus dalam jumlah kurang pada
terminal transistor pada kaki basis dapat
menghasilkan perubahan arus listrik dalam
nilai lebih pada terminal transistor pada kaki
Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh
kolektor. Prinsip inilah yang mendasari
dengan pengukuran arus dan tegangan pada
penggunaan transistor sebagai penguat
rangkaian dengan konfigurasi common emitter
elektronika.
(kaki emitter terhubung dengan ground)
II. DASAR TEORI
A. Transistor BJT
Terdapat dua jenis transistor berdasarkan jenis
muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan
unipolar. Dalam hal ini akan dipelajari transistor
bipolar, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol
hubungan antara arus dan tegangan dalam
transistor ditunjukan oleh gambar berikut ini.
B. Karakteristik kurva Ic-Vbe
Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial
dari tegangan Vbe, sesuai dengan persamaan

𝐼𝑐 = 𝛼𝐼𝐸𝑆 𝑒 𝑉𝐵𝐸/𝑛𝐾𝑇

III. METODOLOGI
Alat dan bahan:
Alat-alat yang digunakan pada percobaan ini
yaitu :
- Sumber tegangan DC
- Kit Percobaan Karakteristik Transisitor dan
Rangkaian Bias
- Sumber arus konstan
C. Kurva Karakteristik Ic-Vce - Multimeter
Dari kurva diatas, diperoleh transkonduktansi - Osiloskop
dari transistor, yang merupakan kemiringan
Prosedur Percobaan
dari kurva diatas kurva karakteristik Ic – Vce
Arus kolektor juga bergantung pada tegangan
kolektor-emitor. Titik kerja (mode kerja) 1. Ubah setting Sinyal Generator sehingga
transistor dibedakan menjadi tiga bagian , mengeluarkan :
yaitu daerah akif, saturasi, dan cut-off. a. Gelombang Segitiga ~1KHz.
b. Amplituda sinyal 0,8V
c. Set Ofsett positif sehingga nilai minimum sinyal
berada di titik nol(ground).

2. Susun Rangkaian

Dalam kurva IC-VCE mode kerja transistor ini

ditunjukkan pada area-area dalam gambar
berikut ini.

3. Hubungkan osiloskop :
a. Probe positif (+) Ch-1 (X) ke titik B,
b. Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C,
c. Ground osiloskop ke titik A.
4. Gunakan setting osiloskop :
- Skala X pada nilai 0,1V/div dengan kopling
AC,
- Skala Y pada nilai 1V/div dengan kopling DC,
dan tekan tombol ‘invert’ nya.
- Osiloskop pada mode X-Y.
Tempatkan tegangan X minimum pada garis
grid paling kiri (nilai VBE = 0). Tempatkan
tegangan Y terkecil (minimum) pada garis grid
kedua paling bawah (nilai IC = 0) . Apabila
kurva tampak sebagai dua garis, naik atau
turunkan frekuensi generator sinyal hingga
diperoleh kurva yang lebih baik
Percobaan 2 Karakter Transistor Ic-Vce
1. Ubah setting Sinyal Generator sehingga
mengeluarkan :
a. Gelombang Segitiga ~1KHz.
b. Amplituda sinyal 12Vpp
c. Set Ofsett positif sehingga nilai minimum
sinyal berada di titik nol(ground).
2. Susunlah Rangakaian
3. Hubungkan osiloskop :
a. Probe positif (+) Ch-1 (X) ke titik B,
b. Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C,
c. Ground osiloskop ke titik A.
Gunakan setting osiloskop :
- Skala X pada nilai 1V/div dengan kopling DC,
- Skala Y pada nilai 0.5V/div dengan kopling AC,
dan tekan tombol ‘invert’ nya.
- Osiloskop pada mode X-Y.
- Titik nol X (VCE = 0) pada di garis grid ketiga
dari kiri, dan titik nol Y (IC = 0) pada garis grid
kedua dari bawah
5. Apabila kurva tampak sebagai dua garis, naik
atau turunkan frekuensi generator sinyal hingga
diperoleh kurva yang lebih baik.
6. Amati kurva arus IC – VCE yang ditunjukkan
osiloskop. Gambarkan di BCL
Percobaan 3 Early Effect
1. Pilihlah nilai arus basis (IB) dari sumber arus
yang kemiringan kurva-nya cukup besar
2. Pada kurva Ic-Vce itu, pilihlah dua titik koordinat
yang mudah dibaca, dan masih dalam garis lurus.
Baca dan catat nilai IC dan VCE pada kedua titik
tersebut.
3.Hitunglah nilai tegangan Early
4. Pilih nilai arus basis (IB) yang lain, dan
lakukan langkah 1 s/d 3 diatas untuk
12. Ubah nilai IB menjadi 150μA. Atur nilai RC
mengkonfirmasi nilai tegangan Early yang
sehingga VCE yang terbaca di multimeter
sudah didapatkan.
sekitar 5V. Amati dan gambar bentuk tegangan
yang terlihat di osiloskop. Dari nilai IB
Percobaan 4 Bias penguat transistor dan VCE yang terbaca, tentukan letak titik kerja
kondisi ini pada plot grafik IC-VCE yang telah
1. Ubah setting Sinyal Generator sehingga dibuat sebelumnya. Dengan memperhatikan titik
mengeluarkan : (pastikan kerja ini, jelaskan mengapa kondisi ini terjadi.
dengan menyambungkannya ke osiloskop) 13. Naikkan amplitude input (dari generator sinyal)
a. Gelombang Sinusoid ~1KHz. hingga tampak terjadi distorsi pada
b. Amplituda sinyal 50 mVpp (tarik tombol gelombang tegangan output (VCE). Catat besar
amplituda agar didapat nilai yang amplituda input dan gambarkan
kecil) bentuk gelombang outputnya.
c. Gunakan T konektor pada terminal output. 14. Naikkan lagi amplituda input. Amati apakah
2. Susunlah rangkaian amplituda gelombang output masih bisa
3. Hubungkan Osiloskop ke rangkaian : membesar, dan catat nilai maksimum amplituda
- Ch-1 (X) ke Generator Sinyal dengan kabel tersebut.
koaksial konektor BNC-BNC,
IV. HASIL DAN ANALISIS
- Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C,
1. PERCOBAAN 1 KARAKTERISTIK INPUT
- Ground osiloskop ke titik E.
TRANSISTOR Ic-Vbe
4. Gunakan setting osiloskop :
- Skala Ch-1 pada nilai 10mV/div dengan kopling
AC,
- Skala Ch-2 pada nilai 1V/div dengan kopling AC,
- Osiloskop pada mode waktu dengan skala
horizontal 500μS/div.
- Titik nol Ch-1 dan titik nol Ch-2 pada garis tengah
layar.
5. Gunakan multimeter digital pada mode Volt-DC
untuk mengukur tegangan dari VCE.
6. Set IB pada 25μA (minimum sumber arus).
7. Set RC minimum (sekitar 82 Ω).
8. Baca dan catat tegangan VCE kemudian
gambarkan bentuk gelombang tegangan
output VCE yang ditunjukkan osiloskop. Amati
adanya distorsi pada bentuk
gelombang output.
9. Dari nilai IB dan VCE yang terbaca, tentukan
letak titik kerja kondisi ini pada plot grafik
IC-VCE yang telah dibuat sebelumnya. Dengan
memperhatikan titik kerja ini, jelaskan
mengapa distorsi pada langkah-8 terjadi.
10. Ulangi langkah 7-10. Untuk nilai-nilai IB : 200μA
dan 400μA.
11. Ubah nilai RC menjadi nilai maksimum-nya
(sekitar 5KΩ). Ulangi langkah 8-10 untuk
nilai RC ini.
Pada saat percobaan dilakukan Dari gambar diatas
terlihat bahwa kurva yang dihasilkan mirip
persamaan eksponensial. sehingga sesuai dengan
rumus yang sudah diketahui sebelumnya. Selain itu
grafik diatas kita juga dapat memperoleh nilai
transkonduktansi dari transistor 2N2222 tetapi
pada simulasi didapatkan hasil yang sedikt berbeda
dikarenakan ada beberapa hal yang
mempengaruhi seperti settingan simulasi yang
belum sesuai atau setiap percobaan mempunyai
nilai yang berbeda sedikit dan setiap transistor
pasti mempunyai beberapa perbedaan yang
mendasar dari secara spesifikasi hingga output
yang dihasilkan seperti pada transistor BD139 yang Percobaan 2. Karakteristik Output Transistor Ic-
kalau dilihat sekilas sama tapi memiliki output Vce
keluaran sinyal yang berbeda Pada percobaan 2 setelah dibuat memang ada
perbedaan sedikit tapi tak menutup kemungkinan
bahwa kembali ada faktor faktor yang telah
disebutkan sehingga sangat berpengaruh pada
percobaan kali ini seperti pada transistor 2N2222
yang telah disimulasikan
 Dan kami belum bias menyelesaikan Percobaan
dikarenakan kami mendapat kesulitan saat kami
mencoba rangkaian karena faktor penggunaan alat
atau kesalahan dari kami saat mencoba rangkaian
sehingga kami hanya sampai data simulasi 3 dan
diharapkan praktikum berikutnya tidak akan terjadi
hal yang tidak diinginkan

V. KESIMPULAN
 karakteristik input transistor
Dan pada Transistor BD139 menunjukan bahwa ada kaitan
ekponen sesuai dengan rumus. Lalu
nilai transkonduktansi transistor dapat
diketahui dengan mengukur
kemiringan kurva Ic-Vbe.
 Efek Early dapat dicari dengan
melakukan metode pendekatan.
dengan menarik garis sepanjang
sumbu x dari kemiringan kurva Ic-Vce.
Namun nilai efek early yang
didapatkan pada percobaan ini kurang
akurat yang diduga disebabkan karena
kesalahan pada praktikan
PERCOBAAN 3 EARLY EFFECT  Pada percobaan kali ini kami sedikit
Pada percobaan ketiga, rangkaian masih terkendala dikarenakan penggunaan
menggunakan rangkaian percobaan dua dan ketika alat yang tidak bias maksimal sehingga
ketika kami sudah selesai merangkai
dicoba pada osiloskop didapatkan bentuk yang
ketika diuji ternyata alatnya belum
sedikit tidak sesuai karena kami terkendala oleh
mampu membaca output dengan baik
beberapa alat yang belum bias dimaksimalkan sehingga beberapa dari percobaan
penggunaan oleh kelompok kami sehingga sangat kami meminta data kelompok lain
berpengaruh sekali terhadap hasil early effect
nantinya
REFERENSI
[1] Mervin T Hutabarat,Praktikum Rangkaian Elektrik,
Laboratorium Dasar Teknik ElektroITB,Bandung, 2014.
[2]Adel S. Sedra and Kennet C. Smith, Microelectronic
Circuits,Oxford University Press,USA, 2004
LAMPIRAN