TUGAS

LAPORAN PRAKTIKUM MEKATRONIKA

NAMA : AHMAD ROSIBI HARTO

NPM : 1715021054

JURUSAN TEKNIK MESIN

FAKULTAS TEKNIK

UNIVERSITAS LAMPUNG

2020
 BAB I

PENDAHULUAN

A. Latar Belakang
Pada era globalisasi sekarang ini perkembangan teknologi dapat kita rasakan dalam
kehidupan sehari-hari sangat pesat. Hal ini dapat dilihat dari alat-alat elektronika yang
sering digunakan seperti hand phone, computer, kamera dan produk elektronik
lainnya. Hal tersebut dibuat untuk mempermudah kehidupan manusia dengan
kecanggihan alat elektronika sekarang ini. Tetapi dibalik semuanya itu, terdapat
beragam rangkaian elektronika didalam suatu alat elektronik tersebut yang dirangkai
menjadi satu komponen untuk menghasilkan alat yang siap di gunakan dengan
mudah. Oleh karena itu, perlu dilakukan pembelajaran praktikum mekatronika ini
dengan menggunakan aplikasi tinkercad untuk lebih memahami dan mengerti apa saja
komponen-komponen elektronika serta pengaplikasiannya dan penggunaanya.

B. Rumusan Masalah
1. Apa itu Field-Effect Transistor (FET)
2. Apa itu Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)
3. Berapa tegangan dari gerbang ke sumber Vgs ( Voltage Gate to Source)
4. Apa kegunaan dari rangkaian yang dibuat

C. Tujuan Praktikum
1. Mengetahui ap aitu Field-Effect Transistor (FET)
2. Mengetahui apa fungsi dari Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor
(MOSFET)
3. Mengetahui Berapa tegangan dari gerbang ke sumber Vgs ( Voltage Gate to
Source).
4. Mengetahui kegunaan dari rangkaian yang dibuat.
 BAB II

TINJAUAN PUSTAKA

A. Field-Effect Transistor (FET)

Field-Effect Transistor (FET) atau dalam bahasa indonesia dapat diartikan sebagai
transistor efek medan mempunyai fungsi yang hampir sama dengan transistor bipolar.
Perbedaan utamanya adalah pada transistor bipolar arus keluat (output, IC)
dikendalikan oleh arus masuh (input, IB), sedangkan pada FET arus keluar (output,
ID) dikendalikan oleh tegangan input (Vgs) karena arus masuknya nol. Oleh karena
itu, resistansi input-nya sangat besar, FET juga lebih stabil terhadap temperatur dan
konstruksinya lebih kecil. Karena bekerja pada aliran pembawa mayoritas, noise yang
dihasilkan FET lebih kecil daripada transistor bipolar.

FET terbagi menjadi beberapa jenis yaitu JFET (Junction FET) dan MOSFET (Metal-
Oxide Semiconductor FET). JFET terdiri dari kanal-P dan Kanal-N, sedangkan
MOSFET terdiri atas D-Mosfet ( Depletion-Mode MOSFET) atau tipe pengosongan
dan E-MOSFET (Enchancement-Mode MOSFET) atau tipe peningkatan. Tipe
MOSFET masing-masing terbagi juga kedalam kanal-P dan kanal-N.

B. Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)

MOSFET adalah sebuah perangkat semikonduktor, yang menjadi sebuah komponen
inti pada IC (Integrated Circuit). MOSFET dibuat dengan bahan dasar silikon tipe P
yang biasanya disebut dengan substrat (SS). Pada dasarnya, MOSFET memiliki empat
gerbang terminal yang diantaranya: Source (S), Gate (G), Drain (D), Dan Body (B).
MOSFET bekerja apabila muatan listrik masuk melalui saluran Source (S) dan akan
dikeluar melalui Drain (D). Sehingga lebar salurannya akan dikendalikan oleh
tegangan pada elektroda yang biasa disebut dengan Gate (G). Terminal Gate (G) ini
umumnya terletak diantara Source (S) dan Drain (D).

Tujuan dari MOSFET adalah mengontrol Tegangan dan Arus melalui antara Source
dan Drain. Komponen ini hampir seluruh nya sebagai switch. Kerja MOSFET
bergantung pada kapasitas MOS. Kapasitas MOS adalah bagian utama dari MOSFET.
Permukaan semikonduktor pada lapisan oksida di bawah yang terletak di antara
terminal sumber dan saluran pembuangan. Hal ini dapat dibalik dari tipe-p ke n-type
dengan menerapkan tegangan gerbang positif atau negatif masing-masing. Ketika kita
menerapkan tegangan gerbang positif, lubang yang ada di bawah lapisan oksida
dengan gaya dan beban yang menjijikkan didorong ke bawah dengan substrat.
 BAB III. PEMBAHASAN

1. N-Channel MOSFET
Rangkaian ini dibuat dengan menggunakan alat dan bahan yaitu 2 buah resistor,
Arduino UNO, MOSFET, power supply, multimeter, breadboard dan kabel
jumper.

Gambar. Rangkaian dengan MNOS

Rangkaian tersebut dibuat menggunakan Resistor di Gate sebesar 5 KΩ dan

Resistor di Load pada Source sebesar 7 KΩ. Diketahui Vin yang masuk adalah 5
Volt, maka diperoleh Kuat Arus sebesar 91,4 mA. Dan hasil di multimeter sebesar
4.60 Volt.

2. P-Channel MOSFET
Rangkaian ini juga dibuat dengan menggunakan alat dan bahan yaitu 2 buah
resistor, Arduino UNO, MOSFET, power supply, multimeter, breadboard dan
kabel jumper.

Gambar. Rangkaian dengan PMOS

Rangkaian tersebut dibuat menggunakan Resistor di Gate sebesar 5 KΩ dan
Resistor di Load pada Source sebesar 7 KΩ. Diketahui Vin yang masuk adalah 5
Volt, maka diperoleh Kuat Arus sebesar 4.60 mA. Dan hasil di multimeter sebesar
179 Volt