HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

4. PERCOBAAN
4.1 Prosedur Percobaan
4.1.1 Percobaan efek transistor
1. Atur posisi variabel power supply pada posisi 4 volt ( posisi maksimum
pada range 4 volt).
2. Susun rangkaian seperti pada gambar 3.8catat nilai I C dan nilai I E pada
tabel 3.1.

Gambar 3.8 Rangkaian Transistor NPN

3. Ulangi percobaan dengan menggunakan transistor NPN dengan polaritas te

rbalik.

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

4.1.2 Percobaan Karateristik Transfer Arus Maju Transistor NPN

1. Susun rangkaian seperti gambar 3.9.

Gambar 3.9 Rangkaian Karateristik Transfer Arus Maju Transistor

2. Atur posisi variabel power supply pada 4 Volt.

3. Atur potensiometer 10 K, amati bahwa kedua amperemeter menunjukan
adanya aliran arus.
4. Catat harga I B untuk tabel berikut.
5. Bandingkan harga I C dan I B yang diperoleh.
6. Ulangi langkah tadi untuk harga V CC = 2,4 Volt dan V CC = 1,5 Volt.
7. Buatlah grafik I B terhadap I C pada grafik 1 berikut untuk harga V CC = 2,4
Volt dan V CC = 1,5 Volt.

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

4.2. Data Hasil Percobaan

V (Volt) Ic (µA) Ie (µA)

3 -230,68×10-3 231,22×10-3

3,3 -260,32×10-3 260,87×10-3

3,7 -299,90×10-3 300,45×10-3

4 -329,62×10-3 330,17×10-3

4,3 -359,36×10-3 359,91×10-3

Tabel 3.1 Data Transistor NPN

V (Volt) Ic (µA) Ib(µA)

8 7,48 22,67×10-3

7 5,87 17,86×10-3

6 4,26 13,09×10-3

5 2,68 8,42×10-3

4 1,19 3,98×10-3

Tabel 3.2 Data Karakteristik Transfer Arus Maju Transistor NPN

4.3 Pengolahan Data

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

4.3.1 Pengolahan Data Efek Transistor

Ic
Ie = Ib + Ic α=
Ie

Ic
Ib = Ie – Ic β=
Ib

 Pada saat 3 Volt :

Ib =231,22×10-3-(-230,68×10-3)

= 461,9×10-3 mA

−23 0 , 68 ×10−3
α=
2 31 ,22 ×10−3

= -0,997 ;

−23 0 , 68 ×10−3
β=
461 ,9 × 10−3

= -0,499 ;

 Pada saat 3,3 Volt :

Ib =260,87×10-3-(-260,32×10-3)
= 521,19×10-3 mA;
−260 ,32 ×10−3
α=
260 , 87× 10−3
= -0,997 ;
−260 ,32 ×10−3
β=
521,19 ×10−3
= -0,499 ;

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

 Pada saat 3,7 Volt :

Ib =300,45×10-3-(-299,90×10-3)
= 600,35×10-3 mA ;
−299 , 90× 10−3
α=
3 00 , 45× 10−3
= -0,998 ;
−299 , 90× 10−3
β=
600,35× 10−3
= -0,499 ;
 Pada saat 4 Volt :
Ib =330,17×10-3-(-329,62×10-3)
= 659,79×10-3 mA;
−329 ,6 2 ×10−3
α=
330 ,17 ×10−3
= -0,998 ;
−329 ,6 2 ×10−3
β=
659,79× 10−3
= -0,499 ;
Pada saat 4,3 Volt :
Ib =359,91×10-3-(-359,36×10-3)
= 719,27×10-3 mA;
−359,36 ×10−3
α=
359,91× 10−3
= -0,998 ;
−359,36 ×10−3
β=
719,27 ×10−3

= -0,499 ;

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

4.3.2 Pengolahan Data Karakteristik Transfer Arus Maju Transistor NPN

Ic Ib
Ie = Ib + Ic ; α = ; β=
Ie Ie

 Pada saat 8 Volt :

Ie = 0,02267 + 7,48
= 7,50267 mA;
7,48
α=
7,50267
= 0,996;
0,02267
β=
7,50267
= 0,003 ;
 Pada saat 7 Volt :
Ie = 0,01786 + 5,87
= 5,88786 mA
5 ,87
α=
5,88786
= 0,996;
0,0 1786
β=
5,88786
= 0,003;
 Pada saat 5 Volt :
Ie =0,01309 + 4,26
= 4,27309 mA;
4 , 26
α=
4,27309
= 0,996;
0,0 1309
β=
4,27309

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

= 0,003;

 Pada saat 5 Volt :

Ie =0,00842 + 2,68
= 2,68842 mA;
2,68
α=
2,68842
= 0,996;
0,0 0842
β=
2,68842
= 0,003;
 Pada saat 4 Volt :
Ie = 0,00398 + 1,19
= 1,19398 mA;
1,19
α=
1,19398
= 0,9969;
0,0 0398
β=
1,19398
= 0,003;

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

5. TUGAS DAN JAWABAN

1. Review ulang materi

2. Jelaskan perbedaan BJT dan UJT

3. Jelaskan penegetian transistor menurut kalian!

4. Edit Foto kalian dengan foto anime

Jawaban :
1. Transistor merupakan komponen elektronika yang memiliki tiga kaki
elektroda yaitu Basis (B),Colector (C),dan Emitor (E).Transistor sendiri
memiliki beberapa fungsi diantaranya sebagai penguat,pemutus,penyambung
(switching),stabilisasi tegangan,penyearah,dan modulasi sinyal.
Semikonduktor sendiri memiliki sifat konduktor dan isolator ,yaitu daya
hantar baik walaupun tidak sebaik konduktor dan daya tahan yang baik
walaupun tidak sebaik isolator.Selain itu,transistor juga dapat digunakan
sebagai kran listrik sehingga dapat mengalirkan listrik dengan sangat akurat
dan sumber listriknya.Transistor pada umumnya terbagi menjadi dua
macam,yaitu transistor unipolar dan transistor bipolar.Transistor uni polar
adalah transistor uni(satu) polar(kutub). Transistor bipolar adalah transistor
yang bekerja dengan bi(dua) polar(kutub). Dikatakan bipolar karena terdapat
dua kaki sedangkan unipolar terdapat satu kaki. Transistor unipolar terbagi
menjadi dua yaitu FJFET dan MOSFET. Transistor unipolar hanya
mempunyai satu kutub yaitu P atau N, atau sering disebut kanal P ataupun
kanal N. Transistor bipolar terbagi menjadi dua,yaitu transistor NPN dan

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

transistor PNP.Transistor bipolar NPN itu merupakan transistor positif. Hal ini
dikarenakan akan bekerja jika basisnya dialiri arus positif. Dan transistor
bipolar PNP itu merupakan transistor negatif. Hal ini dikarenakan akan
bekerja jika basisnya dialiri arus negatif.Pada transistor NPN ini tipe transistor
yang bekerja akan mengalirkan arus negatif dan juga positifnya sebagai bias.
Pada transistor bipolar NPN ini akan mengalirkan arus negatif dari emitornya
menuju ke bagian kolektor dari pada transistor NPN nya tersebut. Emitor nya
akan berperan sebagai input dan pada kolektornya akan berperan sebagai
output dari arusnya yang mengalir tersebut apabila pada arus yang diberikan
bersifat positif pada basisnya.
2. BJT ( Bipolar Junction Transisitor ) Bi artinya duadan polar artinya polaritas,
dengan kata lain bipolar junction transistor ( BJT ) adalah jenis transisitor
yang memiliki dua polaritas yaitu hole ( lubang) atau elektron sebagai carier
( pembawa) untuk menghantarkan arus listrik. Prinsip dasar kontruksinya
disusun seperti dua buah dioda yang disambungkan pada kutub yang sama
yaitu anoda dengan anoda sehingga menghasilkan transistor jenis NPN atau
katoda dengan katoda yang menjadi transistor jenis PNP. UJT (Uni polar
Junction Transistor) Uni artinya satu polar artiny polaritas. Pada transisitor
UJT hanya satu polaritas saja yang dijadikan carier/pembawa muatan arus
listrik, yaitu elektron saja atau hole/lubangnya saja, tergantung jenis transistor
UJT tersebut. Berbeda dengan BJT, arus output pada kaki drain ini dikontrol
oleh besar tegangan pada kaki gate, perubahan besar tegangan pada gate akan
merubah besar arus pada kaki drain, efek membesar atau mengecilnya arus
pada kaki drain ini ditemukan oleh kontriksi FET nya.
3. Transisitor merupakan komponen semikonduktor yang memiliki berbagai
macam fungsi seperti sebagai penguat, pengendali, penyearah, osilator,
modulator, dan lain sebagainya. Transistor merupakan salah satu komponen
semikonduktor yang paling banyak ditemukan dalam rangkaian-rangkaian
elektronika.

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

4. Foto dengan anime

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

6. ANALISA HASIL PERCOBAAN

Pada praktikum ini, kami melakukan percobaan mengenai transistor

bipolar NPN dan juga menyelidiki parameter pada transistornya. Kami telah
melakukan dua percobaan yang mana bisa dilihat di table yaitu transistor
NPN dan karakteristik transfer arus maju transistor NPN. Akan tetapi, kami
melakukan percobaan ini dengan menggunakan aplikasi yang bernama
livewire/eagle. Pada data teori percobaan transistor NPN awal mulai tegangan
dimulai dengan 3 volt, keemudian arus kolektornya(Ic)adalah-230,68×10-3mA
dan arus emitornya(Ie) adalah 231,22×10-3mA. Lalu ketika tegangan dinaikan
menajadi 3,3 volt arus kolektornya(Ic) adalah -260,32×10-3 mA dan arus
emitornya(Ie) adalah 260,87×10-3 mA. Ketika tegangan dinaikan lagi ke 3,7
volt arus kolektornya(Ic) adalah -299,90×10-3 mA dan arus emitornya(Ie)
adalah 300,45×10-3 mA selanjutnya tegangan di naikan ke angak 4 volt arus
kolektornya(Ic) adalah -329,62×10-3mA dan arus emitornya 330,17×10-3mA.
Terakhir tegangan dinaikan di angka 4,3 volt arus kolektornya(Ic) adalah
-359,36×10-3 mA dan arus emitornya (Ie) adalah 359,91×10-3 mA. Kemudian
pada percobaan ke dua yang mana kami dapatkan di data karakteristik transfer
arus maju transistor, lalu tegangan diberi 8 volt , arus kolektornya(Ic) adalah
7,48 mA dan di arus basisnya adalah 22,67×10-3mA. Lalu ketika arus dinaikan
ke 7 volt, arus kolektronya(Ic) adalah 5,87 mA dan arus basisnya(Ib) adalah
17,86×10-3mA. Selanjutnya tegangan dinaikan kembali diangka 6 volt , arus
kolektornya(Ic) adalah 4,26 mA dan arus basisnya(Ib) adalah 13,09×10-3mA.

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

Dan lalu tegangan dinaikan ke 5 volt, arus kolektornya(Ic) adalah 2,68 mA

dan arus basisnya(Ib) adalah 8,42×10-3mA. Terakhir tegangan dinaikan sampai
ke nilai 4 volt, dan didapatkan nilai akhir arus kolektornya(Ic) adalah 1,19 mA
dan arus basisnya(Ib) di angka 3,98×10-3 mA. Dalam percobaan ini kita
mendapatkan kesimpulan ya itu, pada percobaan pertama ketika tegangan
sumber diperbesar maka arus kolektor dan arus pada emitter cenderung
meningkat. Jadi nilai tegangan sumber sebanding lurus dengan arus emitter.
Yang mempengaruhi nilai yang ada pada arus kolektor dan juga arus basisnya
yang akan meningkat arus basisnya yang akan meningkat. bekerja yang terjadi
pada praktikum ini adalah pada saat membaca skala yang kurang tepat,
terdapat juga kesalahan Dari kedua tabel terrsebut yaitu padadata transistor
NPN dan data karakteristik transfer arus maju transistor NPN juga dapat
dianalisa bahwa semakin besar tegangan sumber maka arus Ic yang didapat
juga semakin besar. Kesalahan yang terjadi pada praktikum ini adalah dari
pembacaan skala yang kurang tepat, terdapat juga kesalahan lain yang bersifat
subjektif, seperti pemasangan rangkaian yang kurang tepat, adanya alat yang
sering error, seperti pada Jumper yang banyak kendur yang akibatnya
memakan waktu saat pengambilan data, tidak hanya jumper, ada juga
multimeter yang tidak bekerja, baik karena baterainya habis atau juga memang
rusak Lalu saat pengambilan nilai akan didapatkan nilai yang berbeda-beda
apabila jumpernya tersentuh oleh tangan kita, Sehingga apabila terjadi
perbedaan antara praktikum dan pada dasar teori yang telah dipelajari karena
kesalahan alat yang kurang akurat juga kesalahan pada praktikan yang kurang
teliti. . Apabila terjadi perbedaan hasil praktikum dan gambar grafik yang
telah dilakukan, itu adalah wajar dikarenakan peralatan yang digunakan tidak
mendukung.

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

7. KESIMPULAN
1) Nilai α dan β akan konstan tanpa kenaikan yang signifikan bila nilai
tegangan terus dinaikkan.
2) Apabila arus yang mengalir pada kaki basis ke emitor semakin kecil maka
arus yang besar bisa mengalir dari emitor ke kolektor.
3) Jumlah arus Ie merupakan penjumlahan aljabar dari Ib dan Ic sesuai
dengan Hukum 1 Kirchoff.
4) Pada rangkaian pengujian Transistor NPN, nilai Ie lebih besar daripada
nilai Ic.
5) Tegangan yang diberikan pada kaki emitter bisa digunakan untuk
mengatur arus yang lewat pada rangkaian.

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

3.1 Lampiran Alat

3.1.1 Modul BEE 422B

3.1.2 Power Supply

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

3.1.3 Multimeter

3.1.4 Jumper

3.1.5 Osiloskop

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

3.2 Lampiran Grafik

3.2.1 Grafik Data Transistor NPN

JAVEN JONATHAN
0304138124102
 HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

Chart Title

1500

1000

500

0
Category 1 none
Category 2
-500 Category 3
Category 4 Ic
-1000 Category 5

-1500

Ic none

3.2.2 Grafik Data Karakteristik Transfer Arus Maju Transistor NPN

Chart Title

50000
40000
30000
20000
10000
0
Category 1 none
Category 2
Category 3 Ic(µA)
Category 4
Category 5

Ic(µA) none

JAVEN JONATHAN
0304138124102
HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

JAVEN JONATHAN
0304138124102
HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

JAVEN JONATHAN
0304138124102
HIMPUNAN MAHASISWA ELEKTRO (HME)
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
NAMA : YUDISTIRA DWI ANANDA
NIM : 03041182025008

JAVEN JONATHAN
0304138124102