BUKU PANDUAN HIBAH MAHASISWA

PROTOTIPE DAN PATEN

SEKOLAH VOKASI, UNDIP

2021

1
A. Pengantar
Perkembangan era digital dan
perdangan bebas memberikan peluang untuk
lebih mudah mendapatkan informasi pun
meniru dan bahkan mencuri ide orang lain.
Dengan adanya ketentuan Hak Kekayaan
Intelektual (HKI) maka perlindungan terhadap
ide dan gagasan kita di lindungi. HKI sebagai
system yang melindungi Kekayaan
Intelektual (KI) akan memberikan dampak
yang positif terhadap pengembangan ilmu
pengetahuan dan temuan baru untuk
kepentingan masyarakat luas.
Sekolah vokasi sebagai institusi Pendidikan yang terus mengembangan inovasi
dan temuan baru sudah selayaknya mengembangkan dan menggalakkan perlindungan
terhadap kekayaan intelektual (KI) tersebut. Kegiatan hibah prototipe dan paten untuk
mahasiswa Sekolah Vokasi dimaksudkan untuk mencatat dan melindungi temuan
mahasiswa. Selain itu kegiatan hibah ini memacu mahasiswa dan dosen untuk
memperkaya temua-temuan mereka yang kemudian di patenkan. Pada tahun 2021
Sekolah Vokasi UNDIP mengadakan untuk pertama kali hibah prototipe dan paten.
Luaran kegiatan hibah ini adalah paten dan prototipe Sekolah Vokasi UNDIP yang
tercatat dalam Direktorat Jenderal Kekayaan Intelektual Kementerian Hukum dan HAM
meningkat dalam sisi kuantitas. Dengan banyaknya paten dan prototipe yang tercatat
tersebut, maka dalam kurun waktu kedepan fungsi Sekolah Vokasi sebagai institusi
Pendidikan professional dapat diakui oleh dunia usaha. Hal ini akan meningkatkan nilai
tawar lulusan Sekolah Vokasi dalam mencari pekerjaan.

B. Target Penerima Hibah Prototipe dan Paten

Program Hibah Perolehan Paten ditujukan kepada seluruh Mahasiswa Aktif
Sekolah Vokasi mulai Angkatan 2018. Pengusul hibah sebaiknya di damping oleh Dosen
Sekolah Vokasi. Pengusul hibah sebaiknya memiliki luaran atau hasil riset yang berupa
invensi yang berpotensi paten, karya mahasiswa yang dibina oleh Laboratorium atau
Program Studia atau Kelompok Kegiatan Mahasiswa atau hasil kolaburasi riset Dosen dan
Mahasiswa Sekolah Vokasi.

2
C. Tujuan Program Hibah Prototipe dan Paten
Tujuan program Hibah Prototipe dan Paten Sekolah Vokasi ini adalah:
1. Meningkatkan perolehan, perlindungan terhadap Kekayaan Intelektual (KI)
khususnya Paten dan Prototipe dengan menggali secara maksimal potensi KI
yang diperoleh dari hasil kegiatan penelitian dan pengembangan inovasi
2. Memberikan pengetahuan tentang paten dan prototipe melaui pembuatan
dokumen spesifik permohonan paten.
3. Meningkatkan jumlah Paten dari Sekolah Vokasi UNDIP yang tercatat dalam
Direktorat Jenderal Kekayaan Intelektual Kementerian Hukum dan HAM dan
dapat dimanfaatkan oleh masyarakay secara luas.
4. Memberikan manfaat dari hasil riset yang dilakukan oleh civitas akademik
Sekolah Vokasi UNDIP yang dapat digunakan secara langsung oleh
masyarakat umum.

D. Ruang Lingkup Program Hibah Prototipe dan Paten

Menurut Kamus Besar Bahasa Indonesia (KBBI) Prototipe adalah model asli yang
menjadi contoh. Prototipe juga dapat diartikan sebagai model awal atau contoh yang dibuat
untuk melakukan uji coba terhadap konsep yang sudah diperkenalkan. Prototipe biasanya
dibuat untuk melakukan beberapa uji coba, seperti untuk mengetahui apakah konsep yang
sudah dipaparkan bisa diimplementasikan ataupun untuk menguji selera pasar. Dari hasil
riset yang dilakukan oleh dosen-dosen Sekolah Vokasi UNDIP banyak sekali menghasilkan
prototipe, namun hasil tersebut masih belum tercatat atau bahkan sedikit sekali yang di
ajukan sebagai paten.
Tujuan prototipe adalah supaya produk yang akan diproduksi sesuai dengan
kebutuhan pasar/masyarakat luas. Prototipe bisa menjadi jembatan antara produsen dan
konsumen untuk mewujudkan produk yang sesuai. Dengan begitu, produk yang
diluncurkan diminati oleh
konsumen/masyarakat luas/dunia
industry. Produk prototipe dari hasil
penelitian/riset dosen Sekolah Vokasi
belum banyak yang di produksi atau di
terapkan dalam dunia usaha. Hal ini
karena publikasi hasil riset yang berupa
prototipe tersebut belum di upayakan
secara maksimal dan di perkenalkan
dengan dunia industry.

3
 Paten menurut Direktorat Jenderal Kekayaan Intelektual Kementerian Hukum dan
HAM merupakan hak eksklusif inventor atas invensi di bidang teknologi untuk selama waktu
tertentu melaksanakan sendiri atau memberikan persetujuan kepada pihak lain untuk
melaksanakan invensinya. Sedangkan yang dimaksud invensi adalah ide inventor yang
dituangkan ke dalam suatu kegiatan pemecahan masalah yang spesifik di bidang teknologi,
dapat berupa produk atau proses atau penyempurnaan dan pengembangan produk atau
proses. Inventor adalah seseorang yang secara sendiri atau beberapa orang, yang secara
bersama-sama melakukan ide yang dituangkan ke dalam kegiatan yang menghasilkan
invensi. Berdasarkan substansi dan beberapa ketentuan paten di bedakan menjadi paten
dan paten sederhana. Kedua jenis paten tersebut dapat digunakan untuk melindungi hasil
karya (kekayaan intelektrual) dari pengguna yang tidak bertanggung jawab.
Program Hibah Prototipe dan Paten ini diselenggarakan oleh Sekolah Vokasi
UNDIP yang bertujuan untuk meningkatkan jumlah paten dan prototipe. Program ini di
peruntukkan kepada mahasiswa dan dosen di lingkungan Sekolah Vokasi. Luaran dari
program ini adalah sertifikat paten yang di keluarkan oleh Direktorat Jenderal Kekayaan
Intelektual Kementerian Hukum dan HAM sebagai Kekayaan Intelektual civitas akademik
Sekolah Vokasi UNDIP.

E. Bentuk Bantuan Hibah Prototipe dan Paten

Skema perolehan bantuan Hibah Prototipe dan Paten ini berupa:
 Hibah pendanaan Pembuatan Paten atau prototipe dengan jumlah Rp
3.000.000 s/d Rp 5.000.000
 Sosialisasi, Pelatihan dan Pendampingan Pendaftaran Paten
 Permohonan Pemeriksaan Substantif paten ke Direktorat Jenderal
Kekayaan Intelektual (DJKI)

F. Syarat dan Ketentuan Hibah Prototipe dan Paten

Kreteria dan ketentuan pengajuan hibah Prototipe dan Paten Sekolah Vokasi
UNDIP tahun 2021 adalah sebagai berikut:
1. Mahasiswa Aktif Sekolah Vokasi UNDIP mulai Angkatan 2018
2. Usulan hibah prototipe dan paten merupakan kelompok
3. Satu kelompok maksimal berjumlah 5 orang (1 ketua dan 4 anggota)
4. Kelompok pengusul boleh satu program studi atau lintas program studi di
lingkungan Sekolah Vokasi
5. Setiap kelompok pengusul wajib menyertakan minimal 1 dosen pembimbing
dari dosen tetap sekolah vokasi

4
 6. Setiap mahasiswa sekolah vokasi maksimal boleh mengikuti/terbagung dalam
2 judul hibah (sebagai ketua dan anggota atau angota dan anggota, tidak boleh
sebagai ketua dab ketua)
7. Proposal hibah di setujui oleh Ketua Departemen atau Ketua Program Studi
dan submit (unggah) ke email UPPM (uppm.sv.undip@gmail.com dengan
Subject Email: Judul_Paten atau Judul_Prototipe)
8. Kelompok Hibah yang dinyatakan lolos wajib mengikuti sosialisasi dan
coaching prototipe dan paten.
9. Setiap kelompok wajib membuat laporan pertanggungjawaban penggunaan
keuangan Negara sesuai dengan ketentuan yang ada di Sekolah Vokasi.

G. Jadwal Pelaksanaan Hibah Prototipe dan Paten

Usulan Pelaksanaan
Sosialisasi Penandatanganan
Proposal Kegiatan (16
Paten (10 Apr Kontrak Hibah (16
(Maks. 8 April April 2021) Apr - 30 Sept
2021)
2021) 2021)

Coaching 1 (2 Monitoring 3 Monitoring 2 Monitoring 1

Agst 2021) (1 Juli 2021) (1 Juni 2021) (3 Mei 2021)

Pendaftaran
Finish
Evaluasi
Coaching 2 (1 Produk Paten
Hibah (1 Okt
Sept 2021) (Maks 30
2021)
Sept. 2021)

H. Sistematika Penulisan Usulan Proposal

1) HALAMAN SAMPUL/JUDUL (Lampiran 1).
2) HALAMAN PENGESAHAN (Lampiran 2).
3) Deskripsi (Isi Proposal)
a) Judul

5
 b) Bidang Teknik Invensi
c) Latar Belakang
d) Uraian Singkat Invensi
e) Target Paten/Prototipe
4) Rencana Anggaran
5) Rencana Penjadwalan
6) Lampiran Curriculum vitae Pengusul

I. Lampiran
1. Halaman Sampul/Judul (Warna Biru Muda)

PROPOSAL HIBAH PROTOTIPE/PATEN *)

DANA DPA SEKOLAH VOKASI UNDIP
TAHUN ANGGARAN 2021

JUDUL PROTOTIPE/PATEN

TIM PENGUSUL
Ketua (Nama Lengkap dan NIM)
Anggota Tim
(Nama Lengkap dan NIM)
Dosen Pembimbing
(Nama Lengkap dan NIP/NIDN)

DEPARTEMEN / PROGRAM STUDI…………………

SEKOLAH VOKASI UNIVERSITAS DIPONEGORO
TAHUN 2021

*) Coret yang tidak perlu

6
 2. Halaman Pengesahan

HALAMAN PENGESAHAN
PROPOSAL HIBAH PROTOTIPE/PATEN*)

Judul Hibah : …………………………………………………………

Luaran Hibah : Paten / Prototipe *)
Ketua Hibah :
a. Nama Lengkap : …………………………………………………………
b. NIM : …………………………………………………………
c. Asal Prodi : …………………………………………………………
d. Nomor HP/WA : …………………………………………………………
e. Alamat email : …………………………………………………………

Anggota (1) :
a. Nama Lengkap : …………………………………………………………
b. NIM : …………………………………………………………
c. Asal Prodi : …………………………………………………………
d. Nomor HP/WA : …………………………………………………………

Anggota (n) :
a. Nama Lengkap : …………………………………………………………
b. NIM : …………………………………………………………
c. Asal Prodi : …………………………………………………………
d. Nomor HP/WA : …………………………………………………………

Dosen Pembimbing :
a. Nama :
b. NIP/NIDN :
c. Asal Prodi :
d. Nomor HP/WA :
Lama Hibah : 6 (enam) bulan
Biaya Penelitian : …………………
Sumber Dana : DPA SEKOLAH VOKASI Undip Tahun 2021

Semarang, Maret 2021

Ketua Departemen/Program Studi Ketua Hibah,
………………..

(Nama Lengkap) (Nama Lengkap)

NIP. NIP.

7
3. Contoh Draft Paten

8
 1

Deskripsi

METODE UNTUK PENUMBUHAN

MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT)
5
Bidang Teknik Invensi
Invensi ini berhubungan dengan metode untuk penumbuhan
material carbon nanotubes (CNT) di atas substrat silikon (Si) dengan
proses pyrolysis untuk mendapatkan struktur tabung berukuran
10 nanometer secara berdiri dan berlapis.

Latar Belakang Invensi

Pada saat ini pengembangan nanoteknologi terus dilakukan oleh
para peneliti baik di kalangan akademisi maupun industri. Nanoteknologi
15 merupakan ilmu dan rekayasa dalam penciptaan material, struktur
fungsional maupun piranti dalam skala nanometer.
Salah satu bagian yang menarik banyak peneliti di bidang
nanoteknologi adalah pengembangan metode penumbuhan atau
pembuatan nanomaterial. Penumbuhan nanomaterial ini berarti
20 pembuatan material dalam ukuran kurang dari 100 nm dengan
konsekuensi kemungkinan adanya perubahan sifat maupun fungsinya.
Orang semakin berkeyakinan bahwa material berukuran nanometer
mempunyai sejumlah sifat kimia dan fisika yang lebih unggul dari
material berukuran besar (bulk). Material ukuran nanometer memiliki
25 sifat-sifat yang lebih kaya karena menghasilkan beberapa sifat yang tidak
dimiliki oleh material bulk. Lebih menarik lagi bahwa sifat-sifat tersebut
dapat diubah-ubah dengan pengontrolan ukuran dan bentuk geometri
material, komposisi kimiawi, modifikasi permukaan maupun
pengontrolan interaksi antar partikel.
30 Karakteristik unik yang membuat nanomaterial berbeda dengan
material dalam ukuran besar adalah ukuran yang kecil menyebabkan
nilai perbandingan antara luas permukaan dan volume menjadi lebih
 2

besar dibandingkan dengan partikel sejenis dalam ukuran besar. Hal ini
membuat nanomaterial bersifat lebih reaktif. Reaktivitas material
ditentukan oleh atom-atom di permukaan, karena hanya atom-atom
tersebut yang bersentuhan langsung dengan material lain.
5 Penelitian material skala nanometer mengalami peningkatan yang
cukup signifikan dengan ditandai oleh berbagai penemuan baru untuk
berbagai aplikasi diantaranya carbon nanotubes (CNT). Material carbon
nanotubes (CNT) pertama kali ditemukan oleh Iijima pada tahun 1991
telah membuka paradigma baru dalam dunia sains material. Material
10 carbon nanotubes (CNT) ini memiliki susunan yang luar biasa dalam hal
sifat elektronik, magnetik maupun mekaniknya. Material carbon
nanotubes (CNT) juga dapat meningkatkan kemampuan penyimpanan
ion-ion sehingga akan meningkatkan rapat energi maupun rapat daya
jika diaplikasikan sebagai superkapasitor.
15 Beberapa metode untuk penumbuhan material carbon nanotubes
(CNT) telah dilakukan untuk memproduksi dalam skala besar. Ada
beberapa metode yang digunakan, antara lain arc discharge, laser
ablation, chemical vapor deposition (CVD) maupun pyrolysis. Pada metode
yang berbasis arc discharge, laser ablation maupun CVD, biasanya
20 dibutuhkan sistem vakum di dalam pengoperasiannya. Pada metode
pyrolysis tidak membutuhkan vakum dengan bahan dasar yang
digunakan berupa benzena sebagai sumber karbon dan metallocenes
atau metal chloride sebagai sumber katalis yang tidak bersifat toksik.
Material carbon nanotubes (CNT) yang dihasilkan dengan struktur MWNT
25 (multiwalled nanotubes) berupa material karbon berbentuk tabung
ukuran nano dengan banyaknya dinding tabung lebih dari 1 (satu).
Metode ini lebih sederhana dibandingkan dengan metode lainnya dan
dapat digunakan untuk memproduksi material carbon nanotubes (CNT)
dalam skala yang besar.
30 Penemuan ini berhubungan dengan penumbuhan material carbon
nanotubes (CNT) dengan struktur tabung berdiri dan berlapis di atas
substrat silikon menggunakan metode pyrolysis dan dapat dimanfaatkan
untuk aplikasi superkapasitor. Material carbon nanotubes (CNT) memiliki
 3

banyak aplikasi, misalnya untuk membuat divais-divais elektronik seperti

transistor CNT-FET, biosensor, superkapasitor, baterai atau penyimpan
energi maupun sebagai elektroda pada sistem elektrokimia untuk
desalinasi. Material carbon nanotubes (CNT) juga memiliki kekuatan
5 sebesar 100 kali lebih kuat dengan hanya 1/6 beratnya dibandingkan
baja, sehingga material ini dapat diaplikasikan untuk memperkuat
material apapun. Beberapa metode yang digunakan untuk menghasilkan
material carbon nanotubes (CNT) berbentuk silinder telah dipatenkan
untuk aplikasi filter oil maupun bakteri (US20060027499A1) dan untuk
10 filter udara (US007074206B2).

Uraian Singkat Invensi

Satu tujuan spesifik dari invensi ini adalah untuk mengungkapkan
jenis baru dari metode dan produk yang memungkinkan penumbuhan
15 material carbon nanotubes (CNT). Tujuan lebih lanjut dari invensi ini
adalah untuk mengungkapkan suatu material carbon nanotubes (CNT).
Penggunaannya sebagai material elektroda untuk aplikasi superkapasitor
dapat dipadukan dengan material material oksida logam seperti TiO2,
MnO2 maupun RuO2.
20 Bahan dasar yang digunakan berupa ferrocene sebagai sumber
katalis dan benzene sebagai sumber karbon. Adapun silikon (Si)
digunakan sebagai substrat untuk tempat tumbuh material carbon
nanotubes (CNT). Metode untuk penumbuhan material carbon nanotubes
(CNT) di atas substrat silikon (Si) berlangsung dengan proses pyrolysis
25 dan untuk mendapatkan struktur tabung berukuran nanometer secara
berdiri dan berlapis dilakukan pengulangan penginjeksian dengan
diberikan waktu jeda diantaranya selama 30 menit untuk setiap lapisan.

Uraian Lengkap Invensi

30 Invensi ini akan diuraikan secara rinci dengan mengacu pada
gambar-gambar yang menyertai, dimana:
 4

Gambar 1 merepresentasikan rangkaian peralatan proses yang

digunakan dalam metode untuk menumbuhkan material carbon
nanotubes (CNT).
Gambar 2 merepresentasikan lapisan material carbon nanotubes
5 (CNT),
Gambar 3 merepresentasikan ukuran material carbon nanotubes
(CNT).
Ada beberapa metode untuk penumbuhan carbon nanotubes (CNT),
salah satunya metode menggunakan proses pyrolysis (gambar 1).
10 Pyrolysis merupakan salah satu metode sederhana untuk penumbuhan
material carbon nanotubes (CNT) tanpa sistem vakum. Sistem pemanas
atau furnace (2) untuk penumbuhan material carbon nanotubes (CNT)
dirancang dengan memanfaatkan tabung quartz (1) sebagai tempat
penumbuhan yang berdiameter 3,5 cm dan panjang 100 cm, serta
15 dipasang secara tidak permanen di dalam pemanas atau furnace (2)
dengan tujuan untuk mempermudah di dalam pengambilan hasil
material carbon nanotubes (CNT) yang terdapat di dalamnya.
Telah dilakukan studi terhadap temperatur penumbuhan material
carbon nanotubes (CNT) dengan variasi temperatur proses pyrolysis.
20 Gambar 3 menunjukkan citra scanning electron microscope (SEM) dari
material carbon nanotubes (CNT) dengan temperatur masing-masing
700C (3.a), 800C (3.b), 900C (3.c) dan 1000C (3.d).
Pada temperatur 800 dan 900 C terlihat bahwa ukuran tabung dari
material carbon nanotubes (CNT) adalah di bawah 100 nm (sekitar 20–50
25 nm), sedangkan pada temperatur 700 dan 1000 C menghasilkan ukuran
tabung di atas 100 nm. Khusus untuk temperatur sintesis 1000 C
muncul ketidakseragaman ukuran tabung yang dihasilkan.
Perwujudan lain dari invensi ini dapat dilihat dari tabel 1 yang
menunjukkan hasil EDS dari masing-masing material carbon nanotubes
30 (CNT) yang dihasilkan pada berbagai temperatur penumbuhan, dimana
terdapat perbedaan. Semakin tinggi temperatur proses pyrolysis maka
kandungan karbon juga meningkat dan kandungan Fe sebagai katalis
menjadi berkurang.
 5

Tabel 1

Temperatur Penumbuhan Kandungan unsur (%)

No.
(C) C Fe
1. 700 87,93 12,07
2. 800 89,60 10,40
3. 900 89,67 10,33
4. 1000 90,58 9,42

Perwujudan lain dari invensi ini lebih lanjut dapat diketahui bahwa
parameter optimum penumbuhan material carbon nanotubes (CNT)
5 adalah pada temperatur 900C dengan ukuran diameter tabung material
carbon nanotubes (CNT) antara 20-50 nm.
Metode penumbuhan material carbon nanotubes (CNT) dicirikan
dimana struktur tabung carbon nanotubes (CNT) yang berdiri dan
berlapis yang meliputi langkah-langkah: menyiapkan prekursor untuk
10 proses penumbuhan carbon nanotubes (CNT) dengan mencampurkan 0,6
gram ferrocene (98%) ke dalam 10 ml benzene (99,7%) pada temperatur
kamar, tekanan 1 atm sambil diaduk selama 15 menit; menyimpan
prekursor ke dalam tabung injeksi (5); menempatkan substrat silikon (Si)
(3) dalam tabung quartz (1); melakukan termal cleaning dengan
15 mengalirkan gas inert, Nitrogen (N2) atau Argon (Ar) (4) ke dalam tabung
quartz (1) sambil menaikkan temperatur furnace (2) dari temperatur
kamar ke temperatur penumbuhan 700 - 1000C; menginjeksi precursor;
dan mengambil produk material carbon nanotubes (CNT).
Dalam perwujudan dari invensi ini menginjeksi prekursor ke dalam
20 tabung quartz (1) dengan kecepatan injeksi 20-40 ml/jam untuk
menghasilkan 1 (satu) lapisan carbon nanotubes (CNT) berdiri di atas
substrat silikon (Si).
Dalam perwujudan lebih lanjut dari invensi ini menginjeksi selama
15–45 menit pada temperature 900C akan menghasilkan ketebalan
25 lapisan carbon nanotubes (CNT) sebesar 10–30 m dengan ukuran
diameter tabung CNT antara 20-50 nm.
Dalam perwujudan lebih lanjut dari invensi ini penambahan lapisan
kedua carbon nanotubes (CNT) dapat dilakukan dengan cara yang sama
 6

dengan jeda waktu 30 menit, demikian juga seterusnya untuk lapisan

ketiga atau keempat.
Dalam perwujudan lebih lanjut dari invensi ini proses penumbuhan
carbon nanotubes (CNT) merupakan proses pyrolysis.
5
Klaim
1. Metode penumbuhan material carbon nanotubes (CNT) dicirikan
dimana struktur tabung carbon nanotubes (CNT) yang berdiri dan
berlapis yang meliputi langkah-langkah:
10 menyiapkan prekursor untuk proses penumbuhan carbon
nanotubes (CNT) dengan mencampurkan 0,6 gram ferrocene (98%)
ke dalam 10 ml benzene (99,7%) pada temperatur kamar, tekanan 1
atm sambil diaduk selama 15 menit;
menyimpan prekursor ke dalam tabung injeksi (5);
15 menempatkan substrat silikon (Si) (3) dalam tabung quartz (1);
melakukan termal cleaning dengan mengalirkan gas inert,
Nitrogen (N2) atau Argon (Ar) (4) ke dalam tabung quartz (1) sambil
menaikkan temperatur furnace (2) dari temperatur kamar ke
temperatur penumbuhan 700 - 1000C;
20 menginjeksi precursor; dan
mengambil produk material carbon nanotubes (CNT).

2. Metode menurut klaim 1, dicirikan dimana menginjeksi prekursor

ke dalam tabung quartz (1) dengan kecepatan injeksi 20-40 ml/jam
25 untuk menghasilkan 1 (satu) lapisan carbon nanotubes (CNT)
berdiri di atas substrat silikon (Si).
3. Metode menurut klaim 1, dicirikan dimana menginjeksi selama 15–
45 menit akan menghasilkan ketebalan lapisan carbon nanotubes
(CNT) sebesar 10–30 m dengan ukuran diameter tabung CNT
30 antara 20-50 nm.
4. Metode menurut klaim 1, dicirikan dimana penambahan lapisan
kedua carbon nanotubes (CNT) dapat dilakukan dengan cara yang
 7

sama dengan jeda waktu 30 menit, demikian juga seterusnya

untuk lapisan ketiga atau keempat.
5. Metode menurut klaim 1, dicirikan dimana proses penumbuhan
carbon nanotubes (CNT) merupakan proses pyrolysis.
5

10

15

20

25

30
 8

Abstrak

METODE UNTUK PENUMBUHAN

MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT)
5
Invensi ini berhubungan dengan metode untuk penumbuhan
material carbon nanotubes (CNT) di atas substrat silikon (Si) dengan
proses pyrolysis untuk mendapatkan struktur tabung berukuran
nanometer secara berdiri dan berlapis. Dengan metode tersebut
10 penumbuhan material carbon nanotubes (CNT) dilakukan selama 15–45
menit akan menghasilkan ketebalan lapisan carbon nanotubes (CNT)
sebesar 10–30 m dengan ukuran diameter tabung CNT antara 20-50
nm. Penambahan lapisan kedua carbon nanotubes (CNT) dapat dilakukan
dengan cara yang sama dengan jeda waktu 30 menit, demikian juga
15 seterusnya untuk lapisan ketiga atau keempat.

20

25

30
 9

10

Gambar 1

15

20

25
(a) (b)
Gambar 2

30
 10

(a) ( (b)

)
(c) (d)

Gambar 3

10