MAKALAH ELEKTRONIKA DASAR

“Proses Pembuatan Semikonduktor tipe-N”

Disusun Oleh:

Anida Chairatunnisa (06111181823069)

Dosen Pengampu:
Muhammad Muslim, S.Pd., M.Si.

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN

UNIVERSITAS SRIWIJAYA
TAHUN 2021
 PENDAHULUAN

A. Latar Belakang
Semikonduktor merupakan bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara
isolator dan konduktor. Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini
memang bukan konduktor murni. Semikonduktor, umumnya diklasifikasikan
berdasarkan harga resistivitas listriknya pada suhu kamar, yakni dalam rentang 10-2-109
Ωcm. Sebuah semikonduktor akan bersifat sebagai isolator pada temperatur yang sangat
rendah, namun pada temperatur ruang akan bersifat sebagai konduktor. Mengingat
bahwa semi konduktor sudah umum digunakan pada bahan komposisi elektronika dan
pengunaannya yang luas seperti pada IC, Transistor, Dioda, LED dan sebagainya.
Sehingga pada saat ini dibutuhkan tentang pengetahuan komposisi bahan dan akibat dari
komponen saat teraliri arus listrik dan tegangan. Makalah ini membahas tentang proses
pembuatan semikonduktor tipe-N.

B. Tujuan
Setelah membaca makalah ini mahasiswa dapat menjelaskan terjadinya bahan
semikonduktor tipe-N.

C. Manfaat

Manfaat makalah ini agar bahan kaya akan satu jenis pembawa muatan saja (Elektron
bebas saja atau hole saja) dan untuk memperbesar daya hantar listrik.

D. Rumusan Masalah
Bagaimana proses pembuatan semikonduktor tipe-N ?
 PEMBAHASAN

Semikonduktor Tipe-N
Semi konduktor tipe N termasuk dalam semi konduktor ekstrinsik (tak murni). Semi
konduktor ekstrinsik adalah semikonduktor instrinsik yang mendapat pengotoran (doping)
atom- atom asing. Konsentrasi pengotoran ini sangat kecil, dengan perbandingan atom
pengotor (asing) dengan atom asli berkisar antara 1 : 100 juta sampai dengan 1 : 1 juta.
Semikonduktor tipe N ialah semikonduktor eksintrik, yang diperoleh dari semikonduktor
intrinsik yang dikotori dengan atom asing yang bervalensi 5 seperti As, Pb, P. Karena
perbandingan atom pengotor dengan atom asli sangat kecil, maka setiap atom pengotor
(asing) dikelilingi oleh atom-atom asli. Elektron valensi yang ke 5 dari atom pengotor
tidak terikat dalam ikatan kovalen sehingga menjadi elektron bebas. Dengan demikian
pada bahan ini jumlah elektron bebas akan meningkat sesuai jumlah atom pengotornya
sehingga elektron bebas menjadi pembawa muatan mayoritas dan hole (yang terbentuk
akibat suhu) menjadi pembawa muatan minoritas. Karena pembawa muatan mayoritasnya
adalah elektron bebas, sedang elektron bebas bermuatan negatif, maka semikonduktor yang
terbentuk diberi nama semi konduktor tipe N. dalam hal ini N kependekan dari kata
Negatif, yakni jenis muatan mayoritasnya. Jadi tidak berarti bahwa semikonduktor ini
bermuatan negatif. Semikonduktor ini tetap netral. Karena atom pengotor memberikan
kelebihan elektron-elektron dalam ikatan kovalen, maka disebut donor (atom donor).
Setelah donor memberikan kelebihan elektronnya, maka akan menjadi ion positif.

Apabila bahan semikonduktor intrinsik (murni) diberi (didoping) dengan bahan

bervalensi lain maka diperoleh semikonduktor ekstrinsik. Pada bahan semikonduktor
intrinsik, jumlah elektron bebas dan holenya adalah sama. Konduktivitas semikonduktor
intrinsik sangat rendah, karena terbatasnya jumlah pembawa muatan yakni hole maupun
elektron bebas tersebut. Jika bahan silikon didoping dengan bahan ketidak murnian
(impuritas) bervalensi lima (penta-valens), maka diperoleh semikonduktor tipe n. Bahan
dopan yang bervalensi lima ini misalnya antimoni, arsenik, dan pospor. Struktur kisi-kisi
kristal bahan silikon type n dapat dilihat pada gambar berikut.

Struktur Kristal Semikonduktor (Silikon) Tipe N

 Karena atom antimoni (Sb) bervalensi lima, maka empat elektron valensi mendapatkan
pasangan ikatan kovalen dengan atom silikon sedangkan elektron valensi yang kelima
tidak mendapatkan pasangan. Oleh karena itu ikatan elektron kelima ini dengan inti
menjadi lemah dan mudah menjadi elektron bebas. Karena setiap atom depan ini
menyumbang sebuah elektron, maka atom yang bervalensi lima disebut dengan atom
donor. Dan elektron “bebas” sumbangan dari atom dopan inipun dapat dikontrol jumlahnya
atau konsentrasinya.
Meskipun bahan silikon type n ini mengandung elektron bebas (pembawa mayoritas)
cukup banyak, namun secara keseluruhan kristal ini tetap netral karena jumlah muatan
positip pada inti atom masih sama dengan jumlah keseluruhan elektronnya. Pada bahan
type n disamping jumlah elektron bebasnya (pembawa mayoritas) meningkat, ternyata
jumlah holenya (pembawa minoritas) menurun. Hal ini disebabkan karena dengan
bertambahnya jumlah elektron bebas, maka kecepatan hole dan elektron ber-rekombinasi
(bergabungnya kembali elektron dengan hole) semakin meningkat. Sehingga jumlah
holenya menurun.
Level energi dari elektron bebas sumbangan atom donor dapat digambarkan seperti
pada gambar dibawah. Jarak antara pita konduksi dengan level energi donor sangat kecil
yaitu 0.05 eV untuk silikon dan 0.01 eV untuk germanium. Oleh karena itu pada suhu
ruang saja, maka semua elektron donor sudah bisa mencapai pita konduksi dan menjadi
elektron bebas.

Diagram Pita Energi Semikonduktor Tipe N

Bahan semikonduktor tipe n dapat dilukiskan seperti pada gambar dibawah. Karena
atom-atom donor telah ditinggalkan oleh elektron valensinya (yakni menjadi elektron
bebas), maka menjadi ion yang bermuatan positip. Sehingga digambarkan dengan tanda
positip. Sedangkan elektron bebasnya menjadi pembawa mayoritas. Dan pembawa
minoritasnya berupa hole.
 Bahan Semikonduktor Tipe N

Misalnya pada bahan silikon diberi doping phosphorus atau arsenic yang pentavalen
yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron valensi. Dengan doping, Silikon
yang tidak lagi murni ini (impurity semiconductor) akan memiliki kelebihan elektron.
Kelebihan elektron membentuk semikonduktor tipe-n. Semikonduktor tipe-n disebut juga
donor yang siap melepaskan elektron.

struktur stom semikonduktor type – n.

Semikonduktor dengan konsentrasi elektron lebih besar dibandingkan

konsentrasi hole disebut semikonduktor ekstrinsik tipe-n. Semikonduktor tipe-n
menggunakan semikoduktor intrinsik dengan menambahkan atom donor yang berasal
dari kelompok V pada susunan berkala, misalnya Ar (arsenic), Sb (Antimony),
phosphorus (P). Atom campuran ini akan menempati lokasi atom intrinsik didalam
kisi kristal semikonduktor. Konsentrasi elektron pada Si dan Ge dapat dinaikkan
dengan proses doping unsur valensi 5. Sisa satu elektron akan menjadi elektron
bebas, jika mendapatkan energi yang relatif kecil saja (disebut sebagai energi
ionisasi). Elektron ini akan menambah konsentrasi elektron pada pita konduksi.
Elektron yang meninggalkan atom pengotor yang menjadi ion disebut dengan
elektron ekstrinsik. Keberadan impuriti donor digambarkan dengan keadaan diskrit
pada energi gap pada posisi didekat pita konduksi.
 a) Kristal semikonduktor ekstrinsik tipe-n dua dimensi
b) Pita energi semikonduktor ekatrinsik tipe-n

Penambahan atom donor telah menambah level energi pada pita konduksi yang
berada diatas energi gap sehingga mempermudah elektron untuk menyebrang ke pita
konduksi. Pada suhu kamar sebagian besar atom donor terionisasi dan elektronnya
tereksitasi ke dalam pita konduksi. Sehingga jumlah elektron bebas (elektron intrinsik
dan elektron ekstrinsik) pada semikonduktor tipe- n jauh lebih besar dari pada jumlah
hole (hole intrinsik). Oleh sebab itu, elektron di dalam semikonduktor tipe-n disebut
pembawa muatan mayoritas, dan hole disebut sebagai pembawa muatan minoritas.
 PENUTUP

Kesimpulan:

1. Semikonduktor adalah sebuah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di

antara insulator dan konduktor. Sebuah semikonduktor bersifat sebagai insulator pada
temperatur yang sangat rendah, namun pada temperatur ruangan besifat sebagai
konduktor susunan atom.
2. Bahan semikonduktor dikelompokan menjadi 2 yaitu bahan semikonduktor intrinsik
dan ekstrinsik. Bahan semikonduktor adalah semikonduktor yang belum diisi dengan
atom lain, sedangkan semikonduktor ekstrinsik adalah semikonduktor yang telah
ditambahkan dengan atom lain. Semikonduktor ekstrinsik dibagi menjadi 2 yaitu tipe
N dan tipe P.

DAFTAR PUSTAKA

Bima, E. 2013. “Bahan Semikonduktor”, http://bimaelektro.blogspot.com/2013/05/bahan-

semikonduktor-semikonduktor.html diakses pada 9 September 2021 pukul 8.55 WIB.

Kittel, C.1976. Introduction to Solid State Physics.USA.John wiley & Sons.

Millman, J., Halkias, C. C. 1979. Integrated Electronics. Tokyo : Mc Graw

kogakusha, Ltd.

Sutrisno. 1986. Elektronika Teori Dan Penerapannya. Bandung: ITB.

Yohanes, H. C. 1979. Dasar-Dasar Elektronika. Jakarta : Ghalia Indonesia.