LABORATORIUM DASAR TEKNIK ELEKTRO

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS UDAYANA

PERCOBAAN II
Karakteristik dan Rangkaian Prasikap DC Field Effect Transistor

OLEH :

GEDE ESA AGRA SUMERTA

1905541007

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS UDAYANA
2020
 PERCOBAAN II

Karakteristik dan Rangkaian Prasikap DC Bipolar Junction Transistor

2.1 Tujuan Percobaan

1. Memeriksa serta menentukan jenis BJT (NPN dan PNP).
2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT.

2.2 Tinjauan Pustaka

2.2.1 Transistor
Transistor adalah perangkat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi
sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, di
mana berdasarkan arus input-nya (BJT) atau tegangan input-nya (FET), memungkinkan
pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.
Beberapa Transistor juga dibuat dari galium arsenid, terutama untuk penggunaan
kecepatan tinggi. Sedangkan kemasan dari Transistor itu sendiri biasanya terbuat dari
Plastik, Metal, Surface Mount, dan ada juga beberapa transistor yang dikemas dalam satu
wadah yang disebut IC (Integrated Circuit).
Secara umum transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan
Kolektor (C). Terminal Basis ditempatkan dibagian tengah transistor atau diantara kedua
terminal (Emiter dan Kolektor), terminal Emitor biasanya memiliki simbol tanda panah
dan terminal Kolektor ditandai dengan gambar yang serupa dengan Emitor namun tidak
memiliki tanda panah.

2.2.2 Kategori Transistor

Transistor dapat dibedakan menurut berbagai kategori, yaitu sebagai berikut.
1. Berdasarkan tipenya, yaitu UJT, BJT, JFET, IGFET, IGBT, HBT, HEMT,
MESFET, VMOSFET, dan MOSFET.
2. Berdasarkan material semikonduktornya, yaitu germanium, silikon, dan gallium
arsenide.
3. Berdasarkan kemasannya, yaitu IC, through hole metal, surface mount, dan
through hole plastic.
4. Berdasarkan polaritasnya, yaitu tipe PNP (Channel-P) dan tipe NPN (Channel-
N).
 5. Berdasarkan maksimum kapasitas dayanya, yaitu Low Power, Medium Power,
dan High Power.
6. Berdasarkan maksimum frekuensi kerjanya, yaitu Low, medium, dan high
frequency, RF transistor, dan Microwave.
7. Berdasarkan aplikasinya, yaitu Saklar, amplifier, audio, general purpose, dan
tegangan tinggi.

2.2.3 Pengertian BJT

BJT (Bipolar Junction Transistor/Transistor Pertemuan Dwikutub) adalah salah
satu jenis dari Transistor. BJT (Bipolar Junction Transistor) tersusun atas tiga material
semikonduktor ter-doping yang dipisahkan oleh dua sambungan PN (Positif Negatif).
Aliran positif dan negatif tersebut terdapat tegangan 0 V hingga 6 V tergantung dari besar
tegangan sumber yang dipakai. Ketiga material semikonduktor tersebut dikenal dalam
BJT sebagai emitter, base dan collector. Daerah base merupakan semikonduktor dengan
sedikit doping dan sangat tipis bila dibandingkan dengan emitter (doping paling banyak)
maupun collector (semikonduktor doping sedang).

2.2.4 Jenis-Jenis Bipolar Junction Transistor

(a) ( b)
Gambar 2.1 (a) Struktur BJT NPN dan (b) PNP

Terdapat dua jenis BJT, yang pertama terdiri dari dua daerah N yang dipisahkan
oleh daerah P (NPN) dan tipe lainnya terdiri dari dua daerah P yang dipisahkan oleh
daerah N (PNP). Sambungan PN yang menghubungkan daerah base dan emitter dikenal
sebagai sambungan base-emiter (base-emitter junction), sedangkan sambungan PN yang
menghubungkan daerah basis dan collector dikenal sebagai sambungan base-collector
(base-collector junction). Pada transistor tipe NPN arus mengalir dari collector ke
emitter. Selain itu, untuk mengalirkan arus pada transistor tipe NPN dibutuhkan
sambungan ke sumber positif (+) pada base. Prinsip kerja dari transistor NPN adalah saat
tegangan berada di base hingga di titip saturasi, maka arus akan terinduksi dari collector
ke emitter dan transistor akan aktif. Jika arus yang melalui basis berkurang, maka arus
yang mengalir dari collector ke emitter akan ikut berkurang hingga ke titik cutoff.
Perubahan tersebut akan terjadi sangat cepat, karena perbandingan penguatan yang terjadi
antara base dan collector ±200 kali. Sedangkan pada transistor tipe PNP kebalikan dari
transistor tipe NPN. Ketika arus mengalir pada base, maka transistor off. Arus akan
mengalir apabila base diberi sambungan ke ground (-), hal ini akan menginduksi arus
pada emitter ke collector, yang membedakan antara NPN dengan PNP adalah, pada
transistor tipe PNP ini, arus mengalir pada collector ke emitter.

Gambar 2.2 Simbol BJT NPN (a) dan PNP (b)

Berdasarkan teori, persamaan-persamaan yang digunakan untuk menghitung arus

pada basis dan collector adalah sebagai berikut.

V CC
I B= .........................................................(2.1)
RB
V CC
I C= ........................................................(2.2)
RC
IC
β= .............................................................(2.3)
IB
Pada transistor BJT Voltage Divider Bias mempunyai rambatan basis ganda, baik
seri maupun paralel. Sehingga untuk mencari R B pada Voltage Divider Bias dapat
menggunakan persamaan berikut.
Untuk hambatan yang seri menggunakan persamaan:
RB=Rtotal=R 1+ R 2......................................(2.4)
Untuk hambatan yang paralel menggunakan persamaan:
 1 1 1
RB= = + ..............................................(2.5)
Rtotal R 1 R2
Atau
R1 xR 2
RB=Rtotal= ..............................................(2.6)
R 1+ R 2

2.2.5 Prinsip Kerja Bipolar Junction Transistor

Gambar 2.3 menunjukkan rangkaian kedua jenis transistor npn dan pnp dalam
mode operasi aktif transistor sebagai amplifier. Pada kedua rangkaian, sambungan base-
emiter (BE) dibias maju (forward-biased) sedangkan sambungan base-kolektor (BC)
dibias mundur (reverse-biased).

(a) (b)

Gambar 2.3. Forward-Reverse Bias pada BJT tipe NPN (a) dan PNP (b)

Sebagai gambaran dan ilustrasi kerja transistor BJT, misalkan pada transistor npn
(Gambar 2.3). Ketika base dihubungkan dengan satu tegangan positif dan emiter disatu
dengan tegangan negatif maka daerah depletion BE akan menyempit. Pensatuan ini akan
mengurangi tegangan barrier internal sehingga muatan mayoritas (tipe n) mampu untuk
melewati daerah sambungan pn yang ada. Beberapa hole dan elektron akan mengalami
rekombinasi di daerah sambungan sehingga arus mengalir melalui device dibawa oleh
hole pada base (daerah tipe-p) dan elektron pada emiter (daerah tipe-n ). Karena derajat
doping pada emiter (daerah tipe n) lebih besar daripada base (daerah tipe p), arus maju
akan dibawa lebih banyak oleh elektron. Aliran dari muatan minoritas akan mampu
melewati sambungan pn sebagai kondisi reverse bias tetapi pada skala yang kecil
sehingga arus yang timbul pun sangat kecil dan dapat diabaikan.
2.3 Daftar Komponen dan Alat
1. Modul praktikum elektronika dasar.
2. 2 buah multimeter digital.
3. 2 buah variable Power supply.
4. Datasheet transistor yang digunakan.
5. ESR Meter.
6. Laptop
7. Aplikasi Proteus

2.4 Cara Kerja

2.4.1 Konfigurasi Pembagi Tegangan (Common Emitter)

Dengan menggunakan lembaran data (datasheet) dari transistor atau komponen

lainnya yang bersangkutan [ βmin, βmax, & βrata-rata], simulasikan gambar
rangkaian di bawah ini, sehingga besaran-besaran prasikap DC pada konfigurasi
penguat ini diketahui !

2.4.1.1 Simulasi Rangkaian

 Gambar 2.4 Konfigurasi Pembagi Tegangan (Common Emitter)
2.4.1.2 Besar Prasikap DC Pada Konfigurasi

Berdasarkan rangkaian konfigurasi pembagi tegangan (common emitter) diatas

maka didapatkan data-data sebagai berikut.
Menetukan besaran-besaran prasikap dc, diketahui data-data berdasarkan hasil simulasi;
Tabel 2.1 Hasil Simulasi Rangkaian
Vcc VCE VE VBE IC RC RE R1 R2

12 V 4,9 V 7, 09 0,75 0,001 4k7 470 470kΩ 47kΩ

V V A Ω, Ω ,

 Menentukan RB dan Vth

R 1 x R 2 470 kΩ x 47 kΩ
RB = = = 42,72kΩ
R 1+ R 2 470 kΩ+47 kΩ
R 1 x VCC 470 kΩ x 12 V
Vth = = = 10.9 V
R1+ R 2 470 kΩ+ 47 kΩ

 Menentukan IC, IB dan VCE saat β min = 110

Vth−VBE 10.9V – 0.75V

IC = RB 1 = 42.72 1 = 11.7 mA
β ( )
+ 1+ ℜ
β 110
kΩ+ 1+
110 (
470 Ω )
Vth−VBE 10.9V – 0.75V
IB = = = 0.11 mA
RB+ ( β +1 ) ℜ 42.72 kΩ+ ( 110+ 1 ) 470Ω
 1
VCE = VCC – (IC.RC) – ( +1) IC.RE
β
1
VCE = 12V – (11.7 mA)(4700Ω) – ( +1)(11.7 mA)(470Ω)
110
VCE=12V – (54.99V) – (5.49V)
VCE= -48.48V

 Menentukan IC, IB dan VCE saat β rata-rata = 180

Vth−VBE 10.9 V – 0.75 V

IC = RB 1 = 42.72 1 = 14.2 mA
β ( )
+ 1+ ℜ
β 180
kΩ+ 1+
180 ( 470 Ω )
Vvth−VBE 10.9 V – 0.75 V
IB = = = 0.08 mA
RB+ ( β +1 ) ℜ 42.72 kΩ+ ( 180+1 ) 470 Ω
1
VCE = VCC – (IC.RC) – ( +1) IC.RE
β
1
VCE = 12V – (14.2 mA)(4700Ω) – ( +1)(14.2 mA)(470Ω)
180
VCE=12V – (66.74V) – (6.71V)
VCE= -61.45V
 Menentukan IC, IB dan VCE saat β rata-rata = 220

Vth−VBE 10.9 V – 0.75 V

IC = RB 1 = 42.72 1 = 15.2 mA
β ( )
+ 1+ ℜ
β 220
kΩ+ 1+
220 ( 470 Ω )
Vvth−VBE 10.9 V – 0.75 V
IB = = = 0.07 mA
RB+ ( β +1 ) ℜ 42.72 kΩ+ ( 220+1 ) 470 Ω
1
VCE = VCC – (IC.RC) – ( +1) IC.RE
β
1
VCE = 12V – (15.2 mA)(4700Ω) – ( +1)(15.2 mA)(470Ω)
220
VCE=12V – (71.44V) – (7.17V)
VCE= -66.61V
VCC 12V
ICmaks = = = 2.68 Ma
RC + ℜ 4007 Ω+ 470Ω
 Tabel 2.2 Perbandingan β Mempengaruhi Besarnya nilai ICQ dan VCE
β IB IC VCE

110 0.11 mA 11.7 mA -48.48V

180 0.08 mA 14.2 mA -61.45V

220 0.07 mA 15.2 mA -66.61V

2.4.2 Transistor sebagai Switch

Dengan menggunakan lembaran data (datasheet) dari transistor atau komponen

lainnya yang bersangkutan [ βmin, βmax, & βrata-rata, R Coil relay rata-rata 400 Ω],
simulasikan gambar rangkaian di bawah ini, sehingga besaran-besaran prasikap
DC pada rangkaian Transistor sebagai Switch ini diketahui [nilai besar R
Potensiometer] !

2.4.2.1 Simulasi Rangkaian

Gambar 2.5 Transistor sebagai Switch

2.4.2.2 Hasil Data
Berdasarkan hasil simulasi diketahui V CE = 0.02 V maka transistor BJT ada pada daerah
Saturasi. Karena berada di daerah kerja saturasi maka transistor BJT sama seperti saklar
tertutup. Potensiometer (RV 1) / variable resistor digunakan untuk mengatur besar
kecilnya arus yang mengalir pada I B. Dari hasil simulasi diketahui bahwa RCOIL atau
resistansi kumparan relay adalah 400Ω.
Perhitungan
a. Mencari RC
VCE = VCC – ICRC
0.02V = 12V – 0.03A(RC)
0.03 RC = 11.98V
11,98 V
RC =
0.03 A
RC = 399,4Ω
b. Mencari Arus yang ditarik oleh Relay
V CC
I=
RCOIL
12 V
I=
400 Ω

I = 0.03 A

2.4.3 Transistor sebagai Phase Splitter

Dengan menggunakan lembaran data (datasheet) dari transistor atau komponen

lainnya yang bersangkutan [ βmin, βmax, & βrata-rata], simulasikan gambar
rangkaian di bawah ini, dengan mengubah-ubah amplitudo sinyal masukan AF
sinusoidal (20 KHz, mulai dari 100 mV, 200 mV, ... 1 V) sehingga besaran-besaran
prasikap DC pada rangkaian Transistor sebagai Phase Splitter ini diketahui &
bentuk gelombang keluaran terlihat jelas fasenya !

2.4.3.1 Gambar Simulasi

 Gambar 2.6 Rangkaian Transistor sebagai Phase Splitter

Saat melakukan simualsi dengan mengubah-ubah amplitudo sinyal masukan AF

sinusoidal (20 KHz, mulai dari 100 mV, 200 mV, ... 1 V) maka dapat diketahui bahwa
tidak terjadi perubahan pada besaran-besaran yang dicari dengan sangat signifikan
sehingga, maka sumber arus yang dipakai acuan dalam perhitungan adalah sumber AC
dengan amplitudo 1V dan frequensi 20kHz.

2.4.3.2 Perhitungan Nilai

Perhitungan Nilai:
1. VE = 0.15 V, VE(Q) = 0.15V

2. RL= RE = 2.2kΩ

3. VC = IC x RC

VC = 0.06mA x 2.2kΩ
VC = 0.132 Volt

4. VC(Q) = VCC - VC 

VC(Q) = 12V – 0.132V
VC(Q) = 11.87V

5. VCE(Q) = VC(Q) -VE(Q) 
VCE(Q) = 11.87V – 0.15V
VCE(Q) = 11.72V

Tegangan bias DC untuk output non-inverting (terminal emitter) adalah 0.15V

dan tegangan bias DC untuk output inverting (terminal collector) adalah 0.132V.
 Dengan kata lain, tegangan output diam DC dari dua output berada pada nilai yang
berbeda.

2.5 Analisa Data dan Hasil Percobaan

2.5.1 Konfigurasi Pembagi Tegangan (Common Emitter)

Voltage divider bias atau bias pembagi tegangan merupakan rangkaian dengan
pembagi tegangan (R1 dan R2) yang terhubung di kaki basis. Rangkaian ini umumnya
digunakan untuk membuat tegangan referensi dari sumber tegangan yang lebih besar, titik
tegangan referensi pada sensor, untuk memberikan bias pada rangkaian penguat atau
untuk memberi bias pada komponen aktif. Pada transistor jenis NPN tegangan basis dan
collectornya positif terhadap emitter, sedangkan pada transistor PNP tegangan basis dan
collectornya negatif terhadap tegangan emitter.
1. BJT NPN (BC547)
Perhitungan pada BC547 dengan menentukan V B dan RB dengan rumus
(2.5), (2.6). [4,Boyelsted-Electronic-Devices (Seven Edition)]
R B 2 ×V
VB = CC
……………………………..(2.7)
R B 1+ R B2

RB1×R
RB = ……………………………(2.8)
B2

R B 1+ R B2

Untuk mencari arus base ( I B) dapat ditulis dengan rumus sebagai berikut.
 VB
IB = ……………………………..(2.9)
RB

 Menentukan RB dan Vth

R 1 x R 2 470 kΩ x 47 kΩ
RB = = = 42,72kΩ
R 1+ R 2 470 kΩ+47 kΩ
R 1 x VCC 470 kΩ x 12 V
Vth = = = 10.9 V
R1+ R 2 470 kΩ+ 47 kΩ

 Menentukan IC, IB dan VCE saat β min = 110

Vth−VBE 10.9V – 0.75V

IC = RB 1 = 42.72 1 = 11.7 mA
β ( )
+ 1+ ℜ
β 110
kΩ+ 1+
110 (
470 Ω )
Vth−VBE 10.9V – 0.75V
IB = = = 0.11 mA
RB+ ( β +1 ) ℜ 42.72 kΩ+ ( 110+ 1 ) 470Ω
1
VCE = VCC – (IC.RC) – ( +1) IC.RE
β
1
VCE = 12V – (11.7 mA)(4700Ω) – ( +1)(11.7 mA)(470Ω)
110
VCE=12V – (54.99V) – (5.49V)
VCE= -48.48V

 Menentukan IC, IB dan VCE saat β rata-rata = 180

Vth−VBE 10.9 V – 0.75 V

IC = RB 1 = 42.72 1 = 14.2 mA
β ( )
+ 1+ ℜ
β 180
kΩ+ 1+
180 ( 470 Ω )
Vvth−VBE 10.9 V – 0.75 V
IB = = = 0.08 mA
RB+ ( β +1 ) ℜ 42.72 kΩ+ ( 180+1 ) 470 Ω
1
VCE = VCC – (IC.RC) – ( +1) IC.RE
β
1
VCE = 12V – (14.2 mA)(4700Ω) – ( +1)(14.2 mA)(470Ω)
180
VCE=12V – (66.74V) – (6.71V)
VCE= -61.45V
  Menentukan IC, IB dan VCE saat β rata-rata = 220

Vth−VBE 10.9 V – 0.75 V

IC = RB 1 = 42.72 1 = 15.2 mA
β β( )
+ 1+ ℜ
220
kΩ+ 1+
220 (
470 Ω )
Vvth−VBE 10.9 V – 0.75 V
IB = = = 0.07 mA
RB+ ( β +1 ) ℜ 42.72 kΩ+ ( 220+1 ) 470 Ω
1
VCE = VCC – (IC.RC) – ( +1) IC.RE
β
1
VCE = 12V – (15.2 mA)(4700Ω) – ( +1)(15.2 mA)(470Ω)
220
VCE=12V – (71.44V) – (7.17V)
VCE= -66.61V
VCC 12V
ICmaks = = = 2.68 Ma
RC + ℜ 4007 Ω+ 470Ω

Tabel 2.3 Perbandingan β Mempengaruhi Besarnya nilai ICQ dan VCE

β IB IC VCE

110 0.11 mA 11.7 mA -48.48V

180 0.08 mA 14.2 mA -61.45V

220 0.07 mA 15.2 mA -66.61V

Berdasarkan tabel diatas dapat disimpulkan bahwa perubahan besarnya

nilai β sangat mempengaruhi besarnya nilai dari IB, IC dan VCE. Karakteristik
dari rangkaian pembagi tegangan memiliki kenaikan nilai yang stabil pada IC dan
VCE
2.5.2 Transistor sebagai Phase Splitter

Dengan menggabungkan konfigurasi penguat common emitter dengan

penguat common collector dan mengambil output dari collector dan terminal
emitter secara bersamaan, maka akan menghasilkan rangkaian transistor yang
menghasilkan dua sinyal output yang besarnya sama dengan besarnya tetapi
terbalik sehubungan dengan satu sama lain yang disebut dengan rangkaian phase
splitter atau pemisah fase. Tahap pemisah menggunakan satu transistor untuk
menghasilkan penguat pembalik (inverting) dan output penguat non-
pembalik (non-inverting)
Perhitungan Nilai:

 VE = 0.15 V, VE(Q) = 0.15V

 RL= RE = 2.2kΩ
 VC = IC x RC

 VC = 0.06mA x 2.2kΩ
 VC = 0.132 Volt

 VC(Q) = VCC - VC 

 VC(Q) = 12V – 0.132V
 VC(Q) = 11.87V

 VCE(Q) = VC(Q) -VE(Q) 
 VCE(Q) = 11.87V – 0.15V
VCE(Q) = 11.72V

Tegangan bias DC untuk output non-inverting (terminal emitter) adalah 0.15V

dan tegangan bias DC untuk output inverting (terminal collector) adalah 0.132V.
Dengan kata lain, tegangan output diam DC dari dua output berada pada nilai yang
berbeda.

Dan berdasarkan gelombang output yang didapat melalui simulasi rangkaian

diketahui bahwa gelombang berwarna kuning merupakan V output 1 dan gelombang
berwarna biru merupakan V output 2. Gelombang V output 1 merupakan
penguat pembalik (inverting) dan gelombang Voutput2 merupakan penguat non-
pembalik (non-inverting).
2.6 KESIMPULAN

1. BJT adalah salah satu transistor yang memiliki 2 tipe yaitu tipe NPN dan PNP. BJT
tersusun atas tiga material semikonduktor ter-doping yang dipisahkan oeh
sambungan PN ( Positif Negatif) Ketiga daerah tersebut adalah daerah emitor,
daerah basis, dan daerah kolektor.
2. Setelah dilakukan perhitungan pada BJT Fixed Bias untuk mencarip IB, IC, dan β,
ternyata hasil yang didapatkan antara BJT tipe PNP dan NPN adalah sama.
Sedangkan saat melakukan pengukuran untuk mencari VBE dan VCE, ternyata
hasilnya menunjukkan bahwa nilai dari BJT tipe PNP memiliki V BE dan VCE yang
lebih besar dibandingkan dengan VBE dan VCE pada tipe NPN.

3. Pada BJT Voltage Divider Bias, setelah dilakukan percobaan didapatkan nilai I B, IC,
dan β antara BJT tipe PNP dan NPN adalah sama. Namun, nilai dari VBE pada BJT
tipe PNP lebih besar dibandingkan dengan VBE pada BJT tipe NPN, sedangkan
untuk VCE pada BJT tipe PNP lebih kecil dibandingkan dengan VCE pada BJT tipe
NPN.

DAFTAR PUSTAKA

Tanoto, Eko. 2010. Bipolar Junction Transistor

https://tanotocentre.wordpress.com/2010/10/26/bipolar-junction-transistor-bjt/

Sari, Novita. 2013. BJT

http://tiyaranofitasari.blogspot.co.id/2013/05/bjt-dan-fet.html

Fairchild. Datasheet BC547.

htpps://www.sparkfun.com/datasheet/Components/BC547.pdf

Multicomp. Datasheet BC557.

http://www.farnell.com/datasheets/296678.pdf
LAMPIRAN