0 penilaian0% menganggap dokumen ini bermanfaat (0 suara)
13 tayangan13 halaman
Dokumen tersebut membahas tentang photodioda, yaitu sensor cahaya semikonduktor yang dapat mengubah intensitas cahaya menjadi besaran listrik. Photodioda terdiri dari junction p-n yang dipengaruhi oleh cahaya, dengan karakteristik tanggapan spektral dan arus gelap. Photodioda dapat digunakan untuk memberikan logika tinggi atau rendah berdasarkan kehadiran cahaya.
Dokumen tersebut membahas tentang photodioda, yaitu sensor cahaya semikonduktor yang dapat mengubah intensitas cahaya menjadi besaran listrik. Photodioda terdiri dari junction p-n yang dipengaruhi oleh cahaya, dengan karakteristik tanggapan spektral dan arus gelap. Photodioda dapat digunakan untuk memberikan logika tinggi atau rendah berdasarkan kehadiran cahaya.
Dokumen tersebut membahas tentang photodioda, yaitu sensor cahaya semikonduktor yang dapat mengubah intensitas cahaya menjadi besaran listrik. Photodioda terdiri dari junction p-n yang dipengaruhi oleh cahaya, dengan karakteristik tanggapan spektral dan arus gelap. Photodioda dapat digunakan untuk memberikan logika tinggi atau rendah berdasarkan kehadiran cahaya.
Photodioda adalah dioda yang bekerja berdasarkan intensitas
cahaya, jika photodioda terkena cahaya maka photodioda bekerja seperti dioda pada umumnya, tetapi jika tidak mendapat cahaya maka photodioda akan berperan seperti resistor dengan nilai tahanan yang besar sehingga arus listrik tidak dapat mengalir. Photodioda merupakan sensor cahaya semikonduktor yang dapat mengubah besaran cahaya menjadi besaran listrik. Photodioda merupakan sebuah dioda dengan sambungan p-n yang dipengaruhi cahaya dalam kerjanya. Cahaya yang dapat dideteksi oleh photodioda ini mulai dari cahaya infra merah, cahaya tampak, ultra ungu sampai dengan sinar-X. KARAKTERISTIK
• Tanggapan spektral, (dinyatakan dalam A/lumen atau dalam %), untuk
fotodioda Silikon tanggapan maksimum pada panjang gelombang sekitar 800 nm. • Arus gelap adalah arus mundur fotodioda pada saat tak ada cahaya. Arus gelap ini bergantung pada suhu, biasanya arus gelap ini cukup besar dibandingkan dengan dioda hubungan (arus mundur) dalam orde nA atau μA tergantung pada luas permukaan devais. • Effisiensi kuantum yaitu perbandingan jumlah pasangan holeelektron yang terjadi secara optis dengan jumlah foton datang. Effisiensi ini lebih besar dari 90 % pada panjang gelombang puncak. KARAKTERISTIK
• Tanggapan fotodioda lebih cepat dibandingkan dengan fotoresistor.
Fotodioda dapat mengikuti pulsa cahaya dengan frekuensi tinggi dalam orde MHz, sehingga cocok untuk applikasi transmisi data dengan serat optis. • Photodioda mempunyai respon 100 kali lebih cepat daripada phototransistor • Dikemas dengan plastik transparan yang juga berfungsi sebagai lensa. Lensa tsb lebih dikenal sebagai ‘lensa fresnel’ dan ‘optical filter’ • Penerima infra merah juga dipengaruhi oleh ‘active area’ dan ‘respond time’ SIMBOL KONTRUKSI KONDUKSI
Pada photodioda semikonduktor, jika
junction p-n dengan bias mundur disinari, terjadi perubahan arus yang hampir linier terhadap flux cahaya. Gejala ini dimanfaatkan pada photodioda semikonduktor. Komponen ini terdiri atas junction p-n yang dibuat dalam plastik transparan. Radiasinya bisa diberikan pada satu permukaan junction. Sisi yang lain biasanya dicat hitam atau ditutupi lempengan logam. Komponen ini sangat kecil dengan order ukuran sepersepuluh inci. KONDUKSI
Jika photodioda mendapat tegangan
balik dengan nilai sepersepuluhan volt, akan terjadi arus yang hampir konstan (tidak tergantung pada besarnya bias mundur). Arus "gelap" (dark current, lihat gambar) berhubungan dengan arus saturasi mundur, karena pembentukan carrier minoritas secara termal. Jika cahaya dijatuhkan pada permukaan, terbentuk pasangan carrier, yang kemudian akan berdifusi ke junction dan menyeberangi junction sehingga menimbulkan arus. KONDUKSI
Arus saturasi mundur I0 pada dioda p-n
proporsional terhadap konsentrasi carrier minoritas pno dan nno. Jika junction disinari, muncul sejumlah pasangan hole elektron baru, proporsional terhadap jumlah foton. Dengan demikian dengan bias mundur yang besar akan terbentuk arus I = Io + Is, dengan Is adalah arus short-circuit yang proporsional terhadap intensitas cahaya. KONDUKSI
Dengan demikian, karakteristik volt-
amper photodioda semikonduktor adalah :
I = Is + I0(1 – ev/vt η )
Nilai V positif untuk tegangan maju
dan negatif untuk bias mundur. Parameter η bernilai satu untuk germanium dan 2 untuk silikon. Vt adalah tegangan ekuivalen untuk suhu. APLIKASI
Dioda Photo Didesain Untuk Memberikan
Logika LOW Pada Saat Menerima Cahaya Ketika menerima cahaya, dioda photo menjadi konduk (ON) sehingga basis TR1 mendapat bias tegangan dan transistor ON dimana terminal output diambil pada terminal kolektor transistor TR1 sehingga terminal output dihubungkan ke ground oleh TR1 melalui kolektor dan emitornya. Begitu sebaliknya pada saat dioda photo tidak menerima cahaya maka basis transistor tidak mendapat bias sehingga transistor TR1 OFF dan terminal output mendapat sumber tegangan dari VCC melalui RL sehingga berlogika HIGH. APLIKASI
Dioda Photo Didesain Untuk Memberikan
Logika HIGH Pada Saat Menerima Cahaya Kondisi tersebut disebabkan oleh dioda photo dipasang menghubungkan basis transistor TR1 ke VCC dan output diambil pada titik emitor transistor TR1. Pada saat dioda photo menerima intensitas cahaya maka dioda photo akan menghantar dan basis TR1 mendapat bias basis sehingga titik output yang terhubung ke VCC melalui kolektor dan emiter transistor TR1 sehingga berlogika HIGH. Begitu sebaliknya saat dioda photo tidak menerima cahaya maka basis TR1 tidak mendapat bias sehingga terminal output tidak mendapat sumber tegangan dari VCC dan terhubung ke ground melalui RL sehingga berlogika LOW. TERIMA KASIH:)