Rangkaian

Transistor Bipolar
Junction Transistor
(BJT)
 Konfigurasi Transistor
BJT memiliki tiga kaki terminal. Untuk mengaplikasikan dua buah alat, salah satu kaki dari terminal BJT
harus dari common input maupun output. Terdapat tiga konfigurasi pada transistor BJT
Konfigurasi Common Base (CB)
Konfigurasi Common Emitter (CE)
Konfigurasi Common Collector (CC)
Konfigurasi Transistor
Common Emitter yaitu memakai bersama kaki emitter untuk input dan output
Common Collector (Emitter follower) yaitu memakai bersama kaki collector untuk input dan
output
Common Base yaitu memakai bersama kaki base untuk input dan output
Konfigurasi Transistor
Ketiga konfigurasi tersebut dapat dioperasikan pada semua frekuensi tetapi dalam prakteknya
akan mengalami perubahan respon output sehingga dalam penjelasan berikut dibahas pengaruh
frekuensi pada rangkaian transistor yang dikelompokkan dalam tiga kelompok yaitu:
1. Pada frekuensi rendah, menghasilkan reaktansi kapasitor menjadi cukup besar sesuai rumus
sehingga ada tegangan yang cukup berarti pada C.
2. Pada frekuensi menengah, menghasilkan reaktansi kapasitor menjadi cukup kecil atau
dianggap short circuit.
3. Pada frekuensi tinggi, sama seperti pada frekuensi menengah yang menghasilkan reaktansi
kapasitor menjadi kecil atau dianggap short circuit.
 Konfigurasi Common Emitter
Emitter adalah common antara input dan output
IB = Arus input
IC = Arus output
VBE = Tegangan input
VCE = Tegangan output
Karakteristik masukan CE
Karakteristik masukan dari CE :
VCE bertambah (naik), maka IB
hanya berkurang (turun) beberapa
nilai. Hal ini dikarenakan lebar
modulasi dari basis.
 Karakteristik keluaran CE
Karakteristik keluaran dari CE :
Grafik merupakan antara IC dengan VCE untuk
beberapa nilai IB. Terdapat tiga buah daerah
yaitu Active, Cut-off, Saturation.
Untuk daerah active, daerah linear dalam
karakteristik output. Hubungan E-B forward bias.
Hubungan C-B reverse bias. Nilai arus IC naik
ketika arus IB naik. Ketika memberikan nilai IB,
arus IC naik perlahan dengan naiknya VCE; Hal ini
dikarenakan lebar modulasi dari basis (Early
effect).
Rangkaian Common Emitter Amp
Untuk menganalisa rangkaian CE Amp.
dapat dilakukan dengan rangkaian
ekivalen yang mana salah satunya
memakai metoda rangkaian ekivalen
hybrid л (phi). Rangkaian ekivalen
hybrid л untuk rangkaian transistor yang
dioperasikan pada frekuensi menengah
dapat dibuat dengan men-short circuit
suplai dan semua kapasitor.
 Rangkaian ekivalen hybrid л untuk
rangkaian CE Amp.

rangkaian ekivalen hybrid л untuk CE Amplifier adalah seperti diatas. Dari rangkaian ekivalen diatas
dapat diturunkan rumus-rumus sebagai berikut. dimana Vi =V
C-E Amplifier Input Resistance
input resistance adalah resistansi total dilihat dari
penguatan pada kapasitor kopling C1, menunjukkan
resistansi total yang muncul dalam AC source.

v x  ix ( R r )
B
vx
R   R r  R R r
in i B 1 2
x
C-E Amplifier Output Resistance
Output resistance adalah resistansi total
yang sama yang dilihat pada outputan
penguat pada kapasitor C3. Source
inputan diset pada 0dan pengetesan
source pada outputan.

vx vx
ix    gm v
R ro be
C
v
Rout  x  R ro  R
ix C C
 Konfigurasi CE
Resistansi input

VBE VCE
ri  with VCE  const AV  with I B  const
I B VBE

Resistansi output
V I C
ro  CE with I B  const  ac  with VCE  const
I C I B