Jika vDS

vGS, saluran menjadi berkurang, seperti yang diilustrasikan pada Gambar 6.7-4(c).

Setelah vDS = vGS vGD, kondisinya ekuivalen dengan vGD

VD yang menyatakan bahwa gerbang

aliran tegangan tidak cukup untuk meneruskan ke saluran (pada aliran akhir). Dalam praktiknya,
tingkatan vDS diatas vGS Vt tidak akan mengubah bentuk saluran dan iD menjadi kurang lebih
konstan.
Pada daerah ohmik dimana
vGS

Vt

(6.7-5)

vDS

vGS - Vt

(6.7-6)

Aliran listrik dihasilkan dari

iD = k[2(vGS Vt ) vDS v2DS]

(6.7-7)

Dimana K adalah konstan yang dimiliki oleh unit ampere per volt.
Batas antara ohmik dan daerah aktif, dari (6.7-6) saat vDS = vGS - Vt. Untuk vDS yang besar, aliran
listriknya konstan secara sempurna pada saat nilai K(vGS Vt)2 dari (6.7-7). Walaupun demikian,
jika suatu faktor ditambahkan pada angsuran untuk efek dari vDS pada iD, kita mempunyai
iD = k(vGS Vt )2(1 +

(6.7-8)

ketika
vGS

Vt

(6.7-9)

vDS

vGS - Vt

(6.7-10)

yang menggambarkan daerah aktif. Disini VA adalah konstan, biasanya pada batas antara 30
hingga 200 V.
Lintasan Ekuivalen Sinyal Kecil
Lintasan ekuivalen sinyal kecil untuk pengurangan dan peningkatan MOSFET serupa bentuknya
dengan Gambar 6.6-5(a) dan (b) untuk JFET. Faktanya, karena ungkapan aliran listrik, (6.6-10),
untuk JFET dan untuk pengurangan MOSFET, (6.7-4), serupa bentuknya,persamaan pengurangan
gm dan ro untuk JFET berlaku pada pengurangan MOSFET. Persamaan ini telah diberikan pada
(6.6-12) dan (6.6-13).
Untuk persamaan peningkatan MOSFET (6.7-8) digunakan untuk mencari gm dan ro :

gm =

ro =

= 2k(vGS Vt ) (1 +

|]

-1

(6.7-11)

(6.7-12)

Semua definisi ini sama dengan yang digunakan sebelumnya untuk JFET.

6-1.

pengukuran data yang diberikan dari Sze untuk lubang dan pergerakan electron
dan , secara
berurutan, dalam silikon pada 300 K dapat merekam secara sempurna dengan mengikuti fungsi:
(1630 x 10-4)
(460 x 10-4)

)-1/2
)-1/3

m2/V.s
m2/V.s

dimana Nn dan Np merupakan elektron dan lubang pendonor konsentrasi, secara berurutan, dalam
atom per meter kubik. Dua fungsi yang berlaku untuk Nn dan Np

5 x 1024 atom per meter kubik.

Jika semua impurity atom berperan dalam konduksi, carilah konduksivitas dan resistivitas dari
n-type silicon pada 300 K ketika Nn = 2 x 1024 atom per meter kubik. Bandingkan hasil dengan
Contoh 6.1-2.
6-2.

Untuk p-type kondukivitas silicon

dan resistivitas

saling berhubungan pada massa jenis dari

lubang bebas p (lubang per meter kubik) dan pergerakan lubang

= = qp

(lihat Masalah 6-1) dengan