PERCOBAAN III

KARAKTERISTIK BJT, BJT SEBAGAI SAKLAR DAN PENGUAT

3.1 Tujuan Percobaan
1. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP).
2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT.
3. Mengetahui karakteristik transistor sebagai penguat dan sebagai
saklar

3.2 Tinjauan Pustaka

3.2.1 BJT (Bipolar Junction Transistor)
BJT (Bipolar Junction Transistor) Transistor ini adalah transistor yang
dapat kita umpmakan sebagai dua buah dioda yang terminal positif atau
negatifnya disatukan sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah
basis (B), emitter (E), kolektor (C). BJT ini terdiri dari 2 tipe, yakni NPN dan PNP.
1.

NPN (Negatif Positif Negatif) atau N-Chanel. Transistor tipe NPN ini
dapat kita umpamakan dua buah diode yang terminal positinya bertemu,
kemudian pertemuannya itu dinamakan basis (B) sedangkan yang 2 terminal

lainnya adalah emitter (E) dan colector (C). Lihat gambar dibawah ini:
Gambar 3.1 BJT NPN

2.

PNP (Positif Negatir Positif) atau P-Chanel. Transistor tipe PNP ini
dapat kita umpamakan dua buah diode yang terminal negatifnya bertemu,
kemudian pertemuannya itu dinamakan basis (B) sedangkan yang 2 terminal
lainnya adalah emitter (E) dan colektor (C). Lihat gambar dibawah ini :

Gambar 3.2 BJT PNP

Terdapat suatu hubungan matematis antara besarnya arus kolektor (I C),

arus Basis (IB), dan arus emitter (IE), yaitu beta ( ) = penguatan arus DC
untuk common emitter, alpha () = penguatan arus untuk common basis,
dengan hubungan matematis sebagai berikut :
IE = IC + IB

de = IC
IE

; de = hFE = IC ; de =..(3.1)
de

IB
1 - de
(3.2)

3.2.2 Pengujian dan Penentuan BJT

Menguji karakteristik statis BJT akan digambarkan dengan dua cara yaitu
1. Pengukuran dengan Multimeter.
Karakteristik digambarkan menggunakan kertas milimeter blok dengan
mengukur besar arus dan tegangan.
a. Karakteristik IC terhadap VCE dengan mengukur masing-masing besaran
atau [Ie = f(VCE)].
b. Karakteristik VBE terhadap IB untuk berbagai nilai VBE atau [VBE = f(IB)].
c. Karakteristik hFE terhadap IC atau hFE = f(IC).
2. Pengukuran dengan Osiloskop
Pada pengukuran ini hanya akan mengukur karakteristik IC terhadap VCE
untuk berbagai nilai IB.
Input vertikal (Y) dari osiloskop digunakan untuk mengamati besarnya IC
yaitu dengan cara mengukur tegangan pada R C. Sedangkan Input horisontal (X)
dari osiloskop, digunakan untuk mengamati besarnya V CE. Gambar yang
terbentuk pada layar osiloskop, sumbu horisontal ke kiri adalah tegangan positif,
sedangkan arah kanan adalah negatif.
3.2.3

Konfigurasi Common Basis (CB):

Basis adalah common/bersama antara Input dan output atau Basis paling
dekat atau pada ground.
Panah pada simbol grafis menyatakan arah arus emiter (arus
konvensional) melalui device. Karakteristik/watak Input/titik driving untuk CB Si
ialah :

Gambar 3.3 Grafik Karakteristik CB Silikon

Menghubungkan arus Input IE dengan tegangan Input VBE untuk bermacam level
tegangan output VBC. Karakteristik kolektor atau output untuk CB ialah :

Gambar 3.4 Grafik Karakteristik Kolektor Output CB

Saturasi: JE , JC , di VF.

VBE = 0,7 V

Aktif : JE di VF , JC di VR.

VCE = 0,2 V

Cutoff: JE & JC VR.

VBC = 0,5 V

Karakteristik output menghubungkan arus output IC dengan tegangan

output VBC untuk bermacam level arus Input IE .

3.2.4

Bias dalam Transistor BJT

Analisis atau desain terhadap suatu penguat transistor memerlukan

informasi mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua
mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah. Dalam tahap desain maupun
sintesis, pilihan parameter untuk level DC yang dibutuhkan akan mempengaruhi
respon AC-nya. Demikian juga sebaliknya.
Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis IB
yang pertama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan persamaan di atas
bisa digunakan untuk mencari besaran yang diinginkan. Titik Operasi (Q) Bias
pemberiaan tegangan DC untuk membentuk tegangan dan arus yang tetap.
Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi (quiescent point)
atau titik Q yang menentukan daerah kerja transistor.
Pada gambar di bawah di tunjukkan 4 buah titik kerja transistor.
Rangkaian bias bisa di-disain untuk memperoleh titik kerja pada titik-titik
tersebut, atau titik lainnya dalam daerah aktif. Rating maksimum ditentukan oleh
Ic max dan VCE max. Daya maksimum dibatasi oleh kurva Pc max. BJT bisa dibias di luar batasan maksimum tersebut, tapi bisa memperpendek usia piranti
atau bahkan merusaknya. Untuk kondisi tanpa bias, piranti tidak bekerja,
hasilnya adalah titik A dimana arus dan tegangan bernilai nol.

Gambar 3.1 Grafik Bias

Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif), beberapa
syarat berikut harus dipenuhi :
-

Junction base-emitter dibias maju (forward bias).

Junction base-collector dibias mundur (reverse bias).

Daerah kerja transistor (cut-off, aktif atau saturasi) ditentukan oleh bias
yang diberikan pada masing-masing junction :
1. Daerah aktif/daerah linear
-

Junction base-emitter dibias maju (forward bias)-

Junction base-collector dibias mundur (reverse bias).

2. Daerah saturasi
-

Junction base-emitter dibias maju (forward bias).

Junction base-collector dibias maju (forward bias)

3. Daerah cut-off.
-

Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias)

Junction base-collector dibias mundur (reverse bias).

3.2.3.1 Fixed Bias

Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut.

Gambar 4.2 Bias Model

Rangkaian di atas menggunakan transistor npn. Untuk transistor pnp,

persamaan dan perhitungan adalah serupa, tapi dengan arah arus dan polaritas
tegangan berlawanan. Untuk analisis DC, rangkaian bisa di-isolasi (dipisahkan)
dari Input AC dengan mengganti kapasitor dengan rangkaian terbuka (open
circuit). Untuk tujuan analisis, supply tegangan VCC bisa dipisahkan menjadi dua,
masing-masing untuk Input dan output. Rangkaian pengganti DC menjadi :

Gambar 4.3 Bias Model npn

3.2.3

Bias Maju Basis-Emitter

a. Loop basis-emitter :

Gambar 4.4 Loop Basis Emitter

Dengan hukum tegangan Kirchhoff :

VCC + IBRB + VBE = 0........................................(3.3)
Perhatikan polaritas tegangan drop di RB. Arus basis IB menjadi :

..(3.4)
Dan, VBE = VB - VE
b. Loop collector-emitter
VCE = VCC ICRC
VCE = VC - VE

.
..(3.5)

....(3.6)

....(3.7)

Saturasi transistor Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi
dibias mundur
VCE = 0 V ICsat = VCC/RC

..(3.8)

3.2.4

Bias Emitter stabil

Gambar 4.5 Bias Emitter Stabil

a. Loop Base-emitter
VCC IBRB VBE IERE = 0 .....
..(3.9)
....
..(3.10)

b. Loop collector - Emitter

VCC = IERE + VCE + ICRC ..
..
Saturasi :

I c sat =

3.2.5

Bias Pembagi Tegangan

V CC
( RC + R E) ..(3.12)

Gambar 4.6 Bias Pembagi Tegangan

3.2.6

Bias dengan umpan balik

Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan

balik dari collector menuju base.

Gambar 4.7 Bias Dengan Umpan Balik

Persamaan tegangan untuk Loop di sebelah kiri (Loop base-emitter) :

'

V CC I C R C I B RB V BE I E R E =0 ..(3.13)
Perhatikan bahwa arus IC yang masuk ke kaki collector berbeda dengan

I ' C , dimana :
I ' C =I B + I C ....(3.14)
Tapi nilai I+ yang jauh lebih kecil bisa diabaikan untuk memperoleh
persamaan yang lebih sederhana (asumsi

I'C

IC IB dan IC IE) :

V CC I B RC I B R BV BE I B R E=0 ....(3.15)

V CC V BE I B ( RC + R E ) I B R B=0 .(3.16)
Sehingga :

...
..(3.17)
a. Loop collector-emitter

Gambar 4.8 Loop collector-emitter

IERE + VCE + ICRC = VCC(3.18)

Dengan IC IC dan IC IE maka
VCC = IC (RC + RE) + VCE..(3.19)

VCE = VCC - IC (RC + RE)...(3.20)

3.2.7

Transistor Sebagai Saklar

Jika sebuah transistor digunakan sebagai saklar, maka transistor tersebut

hanya dioperasikan pada salah satu dari dua kondisi (mode), yaitu kondisi
saturasi (jenuh) dimana transistor seperti saklar tertutup atau kondisi cut off
(tersumbat) dimana transistor sebagai yang terbuka. Sedangkan jika transistor

bekerja pada on atau off, maka transistor akan bekerja sebagai penguat yaitu jika
VBE transistor lebih besar 0,5 volt dan lebih kecil dari 0,8 volt.
Ketika transistor berada dalam kondisi saturasi, maka :
1. Arus pada kolektor maksimum, Ic = Ic (sat).
2. Tegangan pada terminal kolektor emitter, Vce = 0 volt
3. Tegangan pada beban yang dihubungkan seri dengan terminal kolektor
= Vce.

Sedangkan transistor dalam keadaan cut off, maka :

1. Tidak ada arus yang mengalir dikolektor IC = 0 volt.
2. Tegangan pada terminal kolektor emitter dengan VCE, yaitu VCE = VCE.
3. Tegangan pada beban dihubungkan seri pada kaki kolektor adalah nol.
Dalam merancang rangkaian transistor sebagai saklar maka agar saklar
dapat menutup, harga IB > IB (sat) untuk menjamin dapat mencapai saturasi penuh.
Sebuah saklar ideal harus mempunyai karakteristik pada keadaan off ia tidak
dapat dilalui arus sama sekali dan pada keadaan on ia tidak mempunyai
tegangan drop. Komponen transistor dapat berfungsi sebagai saklar, walaupun
bukan sebagai saklar ideal. Untuk dapat berfungsi sebagai switch, maka titik
kerja transistor harus dapat berpindah-pindah dari daerah saturasi (saklar dalam
keadaan on) ke daerah cut-off (saklar dalam keadaan off). Untuk jelasnya lihat
gambar di bawah ini.

Gambar 4.9 Kurva Daerah Kerja Transistor

3.3 Daftar Komponen dan Alat

1.

Modul praktikum elektronika dasar

2.

Osiloskop dua channel

1 buah

3.

Multimeter analog maupun digital

2 buah

4.

Variable Power supply

2 buah

5.

Kertas milimeter block

Secukupnya

6.

Disket 3 1,44 MB

7.

Flash disk

8.

Mistar

9.

Datasheet transistor yang digunakan

3.4 Cara Kerja

3.4.1

Pengujian kondisi BJT

1. Untuk BJT periksalah kondisi transistor, dengan cara memeriksa

dioda emitter dan dioda kolektor dari transistor.

2. Isilah tabel 3.1.

Tabel 3.1 Resistansi dioda BJT
No
.

1.

BJT
No

BC54

Avo
Type

NPN

7
2.

BC55
7

3.4.2

Meter

Hambatan Dioda

Keadaan

Basi

Emitte

Basi

Kolekto

Baik

Buruk

Keteranga
n

Analo
g

PNP

Analo
g

Karakteristik BJT Dengan Multimeter

1. Buat rangkaian seperti pada gambar 3.1.
2. Aturlah tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga

didapatkan harga-harga IB dan VCE sesuai dengan tabel 3.2.

3. Gunakan multimeter digital untuk mengukur I B (Tegangan dari RB),
IC (tegangan dari RC), dan VCE.
4. Catat pengamatan anda pada tabel 3.2.
RC

Q1

RB

BC 547

NPN

IB

VCC
VCE

BE

VBB

Gambar 3.5 Rangkaian karakteristik BJT dengan Multimeter

Tabel 3.2 Hasil pengamatan karakteristik BJT dengan Multimeter

IB

VCE
Ie

mA
0.0
0.1
0.2
0.5
1.0

VBE

IE

dc

dc

Keteranga
n

3.3

Daftar Komponen dan Alat

1. Modul praktikum elektronika dasar.
2. Multimeter digital

2 buah

3. Variable Power supply

2 buah

4. Kertas milimeter block

Secukupnya

5. Multimeter
6. Oscilloscope
7. Kabel penghubung
8. Disket 3 1,44 MB
9. Flash disk
10. Mistar
11. Datasheet transistor yang digunakan

3.4

Cara Kerja

3.4.1

Fixed Bias Confoguration

1. Sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hFE atau de

transistor dengan multimeter digital.

2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 3.10

3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit
(agar transistor dingin).
4.

Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari I B, IC,
VCE, dan VBE.

5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 3.1

RC

72K
RESISTOR

RB

120K
RESISTOR

C2

C1 4.7 F
V1

CAPACITOR

Q1

V0
VCC

BC 547

12 V
BATTERY

NPN

CAPACITOR

de

Gambar 3.10 Konfigurasi Fixed Bias

Tabel 3.1 Hasil Pengamatan hFE Fixed bias

Waktu
(menit)

IB

IC

VCE

VBE

0
2
5

3.4.2

Emitter Stabilized Bias

d
e

Keterangan

1.

Sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hFE atau de

transistor dengan multimeter digital.

2.

Buatlah rangkaian seperti pada gambar 3.11

3.

Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit

(agar transistor dingin).
Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari I B, IC,

4.

VCE, dan VBE.

5.

Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 3.2

15K
RESISTOR

RB

RC

100
RESISTOR
C2

C1
V1

Q1
4.7 F

CAPACITOR

4.7 F

CAPACITOR
BC 547

12 V
BATTERY

NPN

de
RE

33
RESISTOR

Gambar 3.11 Konfigurasi Emitter stabilized bias

Tabel 3.2 Hasil Pengamatan hFE Emitter Stabilized Bias

Waktu
(menit)

IB

IC

VCE

VBE

de

Keterangan

0
2
5

3.4.3

Voltage Divider Bias

1. Sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hFE atau de

transistor dengan multimeter digital.

2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 3.12

3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit
(agar transistor dingin).

4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari I B, IC,
VCE, dan VBE.

5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 3.3

R1

15K
RESISTOR

RC

100
RESISTOR

C2
C1
V1

Q1
4.7 F

CAPACITOR

4.7 F

CAPACITOR
BC 547
12 V
BATTERY
NPN

de
R2

2.2K
RESISTOR

RE

33
RESISTOR

Gambar 3.12 Konfigurasi Voltage Divider Bias

Tabel 3.3 Hasil Pengamatan hFE Voltage Divider Bias

Waktu
(menit)

IB

IC

VCE

VBE

d
e

Keterangan

0
2
5

3.4.4

Voltage Collector Feedback Bias

1.

Sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya hFE atau de

transistor dengan multimeter digital.

2.

Buatlah rangkaian seperti pada gambar 3.13

3.

Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit

(agar transistor dingin).

4.

Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari I B, IC,
VCE, dan VBE.

5.

Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 3.4

RC

100
RESISTOR

RF 28K

V0

RESISTOR

C1
V1

C2

CAPACITOR

BC 547

4.7 F
CAPACITOR

4.7 F

NPN

Q1

RE

12 V
BATTERY

33
RESISTOR

Gambar 3.13 Konfigurasi Voltage Collector Feedback Bias

Tabel 3.4 Hasil Pengamatan hFE Voltage Collector Feedback Bias

Waktu
(menit)

IB

IC

VCE

VBE

d
e

Keterangan

0
2
5

3.4.5

Emitter Follower
1. Hubungkan kabel AC ke sumber AC.
2. Gunakan gambar 3.14 untuk memandu percobaan.
3. Gunakan kabel penghubung untuk membuat rangkaian seperti pada
gambar di bawah.

12 V

R1
B

470K

Q 2
2N21

C1

C2

1 K

in

1000 Hz

R2
3K3

22 F

S1

100 F

RL

O UT

500 O hm
Gambar 3.14 Emitter - Follower

4. Buka saklar S2 dan S3, tutup saklar S1

5. Hidupkan power supply
6. Atur function generator pada output nol. Hubungkan oscilloscope
pada titik DF dan atur penunjukan yang paling tepat.
7. Tutup S1, perlahan-lahan naikkan penguatan pada function generator
sampai 150 MV, perhatikan pada oscilloscope.
8. Catat hasilnya pada tabel 3.5

Tabel 3.5 Hasil Pengamatan hFE Emitter Follower

Vout

Vin

Gain

VAB

Iin

Rin

(V)

(V)

Vout/Vin

(V)

(A)

(Ohm)

(Watt)

9. Ukur dan catat tegangan Input pada titik AC.

10.

Hitung dan catat penguatan tegangan Vout / Vin