Bipolar Junction Transistor / BJT

( Transistor )
BJT (Bipolar junction Transistor) dikonstruksikan oleh 3 terminal bahan semi
konduktor yang mengandung 2 pertemuan ( junction ) bahan semikonduktor type P
dan tipe N. Terdapat 2 kemungkinan, yaitu transistor NPN dan transistor PNP.
Transistor PNP, dalam transistor ini disisipkan suatu lapisan bahan tipe N yg tipis
antara 2 lapisan bahan tipe P. sedangkan transistor NPN, disisipkan suatu lapisan
bahan tipe P yg tipis antara 2 lapisan bahan tipe N.
E=
Emiter

B = Basis

Pemberian Polaritas

Pada keadaan kerja normal, transistor harus diberi polaritas sbb :

1 Pertemuan basis Emiter diberi polaritas dalam arah maju

2 Pertemuan basis Collector diberi polaritas dalam arah mundur

IE = I C +

Nilai Maksimum

Pabrik transistor memberikan nilai maksimum yang tidak dapat di lampaui tanpa
merusak transistor tsb. nilai nilai tsb adalah :
 VCE max = tegangan collector Emitter max

VCEO max = tegangan collector Emitter max pd saat basis terbuka

IB max = Arus basis max

IC max = Arus collector max

PC max = Daya max pd collector

PC = VCE x IC

PT = PC + PB, krn PB sangat kecil dimana PB = VBE x IB maka PT = PC

Tidak akan bisa menetapkan batas IC max dan VCE max pada saat yang sama, karena
akan melebihi PC max.

Contoh : VCE max = 20 V

IC max = 100mA

PC max = 300 mW

Supaya bisa menetapkan batas IC dan VCE dengan tidak melebihi PC max, maka harus
dibuat tabel atau kurva PC max pada karakteristik output:

Rangkaian transisitor terdapat 3 konfigurasi yaitu :

- Common Emiter

- Common Basis

- Common Collector

Common Emiter
Common Collector

Common Basis

Karakteristik Transistor :

- Karakteristik output, Io = ( Vo )

- Karakteristik transfer, Io = ( Ii )

- Karakteristik Input, Ii = ( Vi )

Common Emitter
 A

A
V
V

Karakteristik output Ic = f (Vce)

Karakteristik input Ib = ( VBE ) Karakteristik Transfer Ic= f(Ib)

Parameter Transistor :

1 Resistansi input, h11e atau hie = Vbe

Ib
2 Transfer Ratio, h21e atau he = Ic , untuk dc: = Ic/Ib
Ib

3 Konduktansi output, h22e atau hoe = Ic

Vce

Rangkaian Bias :

Bias adalah untuk menspesifikasikan polaritas tegangan yang di terapkan pada masing
masing pertemuan ( junction ) dengan basis emitter junction berada pada bias maju
dan basis collector junction berada pada bias mundur, untuk mencapai kerja transistor
secara normal. Dengan mengatur bias, bisa didapatkan harga spesifik arus input, arus
output begitu juga tegangannya. Jadi kedua junction harus dibias dengan arah yang
benar sesuai dengan output yang di inginkan.

Common Basis

IE = VeeVbe

Ic IE ; VCB = Vcc

Common Emitter
 IB = VccVbe
Rb
Ic = .Ib ; Vce = Vcc
Ic.Rc

Biasnya Ic dan Vce.

Common Collector

Ic = IB dan IE = IC + IB

Vcc = IBRB + VBE + IERE

Vcc = IBRB + VBE + ( IB + Ic ) RE

Vcc = IBRB + VBE + ( IB + IB ) RE

Vcc VBE = IBRB + IB ( + 1 ) RE

IB = VccV BE
Rb+ ( +1 )
IE = ( + 1 ) I B

VCE = Vcc - IERE

Biasnya adalah IE dan VCE

Garis Beban DC & AC

Pada rangkaian di bawah dengan karakteristik output seperti tertera dlm grafik, Gambarkan
garis beban DC dan garis beban AC. Tentu titik bias dan di tentukan penguatannya.
Jawab

IB = 180,7 = 30 A IC = IB = 100 x 30A = 3mA

576 K
VCE = 18 3mA x 3K = 9 V

Io = Vq + IQ ; dan Vo = VQ + IQrL ;
rL
dimana rL = tahanan beban ac = Rc //RL =3K//6K= 2K

Jadi Io = (9V/ 2K) + 3 mA = 7,5 mA, dan Vo = 9V + ( 3mA x 2K) = 15V

IT = IB Ib = 30A (0,06/3K) = 30A20A

ITmax = 30+20 = 50A

ITmin = 30 20 = 10A.

Jadi dari grafik terlihat bhw pada saat 50A dihasilkan tegangan VCE = 5V, dan pada
saat 10A dihasilkan tegangan VCE = 13V. Dengan demikian penguatan tegangannya
adalah ( 5-13)V/(0,12V) = -66.67