Anda di halaman 1dari 14

Bias dalam Transistor BJT

Analisis atau disain terhadap suatu penguat transistor memerlukan


informasi mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC.
Kedua mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah. Dalam tahap
disain maupun sintesis, pilihan parameter untuk level DC yang
dibutuhkan akan mempengaruhi respon AC-nya. Demikian juga
sebaliknya.
Persamaan mendasar dalam transistor yang penting adalah :

VBE = 0,7 Volt


IE= (1 + β) IB ≅ IC
IC = β IB

Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis
IB yang pertama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan
persamaan di atas bisa digunakan untuk mencari besaran yang
diinginkan.

Titik Operasi (Q)

Bias Î pemberiaan tegangan DC untuk membentuk tegangan dan


arus yang tetap.
Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi
(quiescent point) atau titik Q yang menentukan daerah kerja
transistor.
Pada gambar di bawah ditunjukkan 4 buah titik kerja transistor.
Rangkaian bias bisa di-disain untuk memperoleh titik kerja pada titik-
titik tersebut, atau titik lainnya dalam daerah aktif. Rating maksimum
ditentukan oleh Icmax dan VCE max. Daya maksimum dibatasi oleh
kurva Pcmax. BJT bisa di-bias di luar batasan maksimum tersebut, tapi
bisa memperpendek usia piranti atau bahkan merusaknya.

Untuk kondisi tanpa bias, piranti tidak bekerja, hasilnya adalah titik A
dimana arus dan tegangan bernilai nol.
IC (mA)

Derah saturasi

70 µA
IC max 40
60 µA
35
50 µA
30
40 µA
25
VCE (V) PC max
20 B 30 µA

15 20 µA

10 D 10 µA
C
5 IB = 0 µA
A
Fixed Bias 0 10 20 30
VCE (V)

VCE-SAT VCE-max
Derah cut-off

Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif), beberapa
syarat berikut harus dipenuhi:
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)

Daerah kerja transistor (cut-off, aktif atau saturasi) ditentukan oleh


bias yang diberikan pada masing-masing junction :
1. Daerah aktif/daerah linear
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)

2. Daerah saturasi
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)
- Junction base-collector dibias maju (forward bias)

3. daerah cut-off
- Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias)
Fixed Bias

Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut.

VCC

IC
Sinyal
RB RC
output AC

Sinyal C2
input AC IB

+
C1
VBE _

Rangkaian di atas menggunakan transistor npn. Untuk transistor pnp,


persamaan dan perhitungan adalah serupa, tapi dengan arah arus dan
polaritas tegangan berlawanan.
Untuk analisis DC, rangkaian bisa di-isolasi (dipisahkan) dari input AC
dengan mengganti kapasitor dengan rangkaian terbuka (open circuit).
Untuk tujuan analisis, supply tegangan VCC bisa dipisahkan menjadi
dua, masing-masing untuk input dan output. Rangkaian pengganti DC
menjadi :

VCC VCC

IC
RB RC

C +
IB
B
+ VCE

_ E_
VBE
Bias maju basis-emitter

Loop basis-emitter :

+
RB
+ C
_ IB
VCC B
_
+

_ E
VBE

Dengan hukum tegangan Kirchhoff :

-VCC + IBRB + VBE = 0

Perhatikan polaritas tegangan drop di RB.


Arus basis IB menjadi :
V − VBE
I B = CC
RB

Dan
VBE = VB - VE

Loop collector-emitter

VCE = VCC – ICRC


VCE = VC - VE

Saturasi transistor

Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi di bias mundur

VCE = 0 V
ICsat = VCC/RC
Soal :

VCC = +12 V

IC
RC
RB 2,2KΩ Sinyal
240KΩ output AC

+ C2
Sinyal
IB 10µF
input AC
VCE
C1
10µF _
β = 50

Bias Emitter stabil

VCC

IC
Sinyal
RB RC
output AC

Sinyal C2
input AC IB

+
C1
VBE _

RE
Loop Base-Emitter

VCC – IBRB – VBE – IERE = 0

VCC − VBE
IB =
RB + (β + 1) RE

Loop Collector - Emitter

VCC = IERE + VCE + ICRC

Saturasi :
ICsat = VCC/(RC+RE)

Soal :
β = 50

VCC

IC
Sinyal
430K 2K
output AC

Sinyal C2
input AC IB

+
C1
VBE _

1K
Bias Pembagi Tegangan

VCC

IC
Sinyal
R1 RC
output AC

Sinyal C2
input AC IB

+
C1
VBE _

R2 RE

Bias dengan umpan balik

Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan


umpan balik dari collector menuju base.
VCC

I’C
RC

Vo
RB
IC C2
IB
Vi

+
C1
VBE _ IE

RE

Persamaan tegangan untuk loop di sebelah kiri ( loop base-emitter) :


VCC – I’CRC – IBRB –VBE-IERE = 0

Perhatikan bahwa arus IC yang masuk ke kaki collector berbeda


dengan I’C, dimana :
I’C = IB + IC
Tapi nilai IB yang jauh lebih kecil bisa diabaikan untuk memperoleh
persamaan yang lebih sederhana (asumsi I’C ≅ IC ≅ βIB dan IC ≅ IE):

VCC – βIBRC – IBRB – VBE - βIBRE = 0

VCC – VBE – βIB(RC +RE)– IBRB = 0


Sehingga :

VCC − VBE
IB =
RB + β( RC + RE )

Loop collector-emitter

I’C
RC

IC C2
+

VCC
_ IE

RE

IERE + VCE + I’CRC = VCC

Dengan I’C ≅ IC dan IC ≅ IE maka


VCC = IC(RC + RE) + VCE
VCE = VCC - IC(RC + RE)

Soal-soal :

VCC = 20 V

RC 4,7 KΩ
680 KΩ
Vo
RB
C2
IB
Vi β = 120
+
C1
_

Untuk rangkaian di atas


a. Hitung ICQ dan VCEQ
b. Cari VB, VC, VE dan VBC

Solusi :

VCC − VBE
IB =
RB + βRC

19,3V
IB = = 15,51µA
1,244 MΩ
ICQ = βIB = 120 x 15,51µA
= 1,86 mA

VCEQ = VCC – ICRC


= 20 V – 1,86 mA x 4,7 KΩ
= 11,26 V

VE = 0 V
VB =VBE = 0,7 V
VC = VCE = 11,26 V
VBC = VB - VC
= 0,7 V – 11,26 V
= - 10,56 V

Soal :

RC 1,2 KΩ

IB Vo
C2

Vi
+ β = 45
C1

100 KΩ RB

VEE = -9 V

Hitung VC dan VB dari gambar di atas

Solusi :

Dengan hukum tegangan kirchhoff di loop base-emitter :

IB

+
_ VBE _
RB 100 KΩ +
+ _ VEE = -9 V
+IBRB + VBE + VEE = 0

− VEE − VBE − (−9) − 0,7


IB = =
RB 100 KΩ

IB = 83 µA

IC = βIB = 45 x 83 µA = 3,735 mA

VC = - ICRC
= - 3,735 mA x 1,3 KΩ = -4,48 V

VB = - IBRB = - 83 µA x 100 KΩ
= -8,3 V

Soal :
Tentukan VCB dan IB untuk konfigurasi common base berikut :

β = 60
Vi
E C
Vo

B RC 2,4 KΩ
1,2 KΩ RE

VEE =4 V VCC =10 V

Hukum kirchhoff pada bagian input :

VEE - IERE - VBE = 0

VEE − VBE
IE =
RE
4V − 0,7V
IE =
1,2 KΩ
IE = 2,75 mA
Hukum kirchhoff pada bagian output :

-VCB - ICRC + VCC = 0


VCB = VCC –ICRC

Dengan asumsi IC ≅ IE
Maka :
VCB = 10 – 2,75 mA x 2,4 KΩ
= 3,4 V

IB = IC/β = 45,8 µA

Disain.

Proses disain adalah proses sintesis dimana diberikan nilai tegangan


atau arus, dan berdasar itu dihitung elemen yang diperlukan untuk
bisa memenuhi syarat yang diberikan.

Contoh : VCC

IC (mA)

8 IC

Q IB = 40µA
RB RC

VCE (V) IBQ


20
+

VBE _

Solusi :

Dari garis beban diperoleh :


VCC = 20 V
VCC
IC = ⎮VCE = 0 V
RC
Dan
RC = VCC / IC = 20 V / 8 mA
RC = 2,5 KΩ

VCC − VBE VCC − VBE


IB = Î RB =
RB IB

20 − 0,7
RB =
40µA
= 482,5 KΩ

Dengan nilai standar :


RC = 2,4 KΩ
RB = 470 KΩ
Diperoleh :
IB = 41,1 µA

Soal :
1. Diberikan ICQ = 4 mA dan VCEQ = 10 V, tentukan nilai R1 dan RC
untuk rangkaian di bawah.

18 V

IC

R1 RC
Vo

C2
IB
Vi

C1
_

R2 18 KΩ RE 1,2 KΩ
2. Jika β = 100, hitung RC
VCC = 20 V

RC
680 KΩ
Vo = 10 V
RB
C2
IB
Vi
+
C1
_

3.

RC 1KΩ

IB Vo
C2

Vi
+ β = 45
C1

150 KΩ RB

VEE

Untuk Vo = - 6 Volt, tentukan VEE !