I.

1
POLITEKNIK NEGERI PONTIANAK
Lab.Teknik Listrik NO. JOB Semester : 3
Jurusan Teknik 10 Waktu : Jam
Elektro
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

1. Tujuan
Setelah melakukan percobaan ini, mahasiswa diharapkan:
1. Dapat mengetahui karakteristik masukan, perpindahan dan keluaran transistor.
2. Dapat menggambarkan kurva basis.
3. Dapat menggambarkan kurva penguatan arus.
4. Dapat menggambarkan kurva kolektor.
2. Teori Dasar
Ada tiga karakteristik transistor :
1. Karakteristik masukan IB = f (VBE) menghasilkan kurva basis.
2. Karakteristik perpindahan IC = f (IB) menghasilkan kurva penguatan arus.
3. Karakteristik keluaran IC = f (VCE) menghasilkan kurva kolektor.
A. Karakteristik Masukan IB = f (VBE)
Tegangan VCE dibuat konstan lebih besar dari 1 Volt dengan mengatur E2. Kita ubah
harga VBE pada harga-harga tertentu (dengan mengatur E1), dan baca arus basis pada
Ammeter. Gambar hubungan IB = f (VBE), hasilnya disebut kurva basis.

IB mA IB mA
VCE > 1V VCE > 1V

A  IB

 VBE
0,2 0,4 0,6 VBE (V) 0,1 0,2 0,3 VBE (V)

(a) (b)

Gambar 1. (a) Kurva basis transistor NPN Silikon

(b) Kurva basis transistor NPN Germanium
 I.2
POLITEKNIK NEGERI PONTIANAK
Lab.Teknik Listrik NO. JOB Semester : 3
Jurusan Teknik 10 Waktu : Jam
Elektro
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Resistansi masukan dengan sinyal kecil pada titk A :

 VBE
Ri = h11e =
 IB

B. Karakteristik Perpindahan IC = f (IB)

Tegangan VCE dibuat konstan > 1V dan arus basis IB diubah-ubah (dengan mengubah
E1) dan baca arus kolektor pada Ammeter. Gambar hubungan IC = f (IB), hasilnya
disebut kurva penguatan arus. Kurva ini relatif linier pada batas-batas tertentu.

IB (mA)

 IC

 IB
IB (mA)

0,1 0,3 0,5

Gambar 2. Kurva penguatan arus (IC = f (IB))

Transfer ratio (perbandingan perpindahan) dapat dihitung dengan cara :
 IC
h21e = hfe = dc =
 IE

C. Karakteristik keluaran IC = f (VCE)

Arus basis dibuat konstan, misal IB = 10 A (dengan mengatur E1). Ubah harga E2
pada harga-harga tertentu. Baca hasil pengukuran IC pada Ammeter dan VCE pada
Voltmeter.
Ulangi prosedur diatas untuk IB = 20 A, 30 A, 40 A dan seterusnya. Gambarkan
hubungan IC = f (VCE), hasilnya disebut kurva kolektor.
 I.3
POLITEKNIK NEGERI PONTIANAK
Lab.Teknik Listrik NO. JOB Semester : 3
Jurusan Teknik 10 Waktu : Jam
Elektro
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

IC (mA)

IB = 70 A
7
IB = 60 A
IB = 50 A
5 IB = 40 A
IB = 30 A
3 IB = 20 A
IB = 10 A
1 IB = 0

VCE
Gambar 3. Kurva kolektor dengan dc kira-kira 100
Konduktansi output dihitung dengan persamaan :
 IC
h22e =
 VCE

Penguatan arus (dc) suatu transistor berubah terhadap arus kolektor (kurva pada
gambar 4) dan suhu. Pada suhu tetap, dc bertambah sampai maksimum jika IC
bertambah. Bila IC terus bertambah, dc akan menurun (lihat gambar 4)
dc

T = 150 0C

T = 150 0C

IC
Gambar 4. Pengaruh IC dan suhu terhadap dc .
Pada saat arus kolektor (IC) tetap, maka kenaikan suhu akan menaikkan dc transistor.
3. Alat dan Bahan Yang Digunakan
1 bh Resistor 100 ohm/1W
2 bh Resistor 1 K/1W
1 bh Resistor 10 K/0,5W
1 bh Potensimeter 1 K/1W
1 bh Potensimeter 10 K/1W
 I.4
POLITEKNIK NEGERI PONTIANAK
Lab.Teknik Listrik NO. JOB Semester : 3
Jurusan Teknik 10 Waktu : Jam
Elektro
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

2 bh Transistor BD 137, npn

3 bh Multimeter
1 bh Oscilloscope
1 unit Power Supply
Papan Percobaan + konektor dan kabel secukupnya.

4. Gambar Rangkaian Percobaan

A. Karakteristik masukan IB = f (VBE)

0 - 10V

R1

10K
DC A

BD137
R2
10K DC V

Gambar 5. Rangkaian percobaan karakteristik masukan IB = f (VBE)

B. Karakteristik perpindahan IC = f (IB)

10V

R2
R1 1K DC A
10K

DC A

R3
10K BD 137

Gambar 6. Rangkaian percobaan Karakteristik keluaran IC = f (IB)

 I.5
POLITEKNIK NEGERI PONTIANAK
Lab.Teknik Listrik NO. JOB Semester : 3
Jurusan Teknik 10 Waktu : Jam
Elektro
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

C. Karakteristik keluaran IC = f (VCE)

10V

R1
100
R2
10K R4
10K DC A

DC A

R3 BD137 DC V
10K

Gambar 7. Rangkaian percobaan Karakteristik keluaran IC = f (VCE)

5. Langkah Kerja
A. Langkah Kerja Percobaan Karakteristik masukan IB = f (VBE)
1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 5.
2. Atur besar tegangan VBE melalui tegangan catu pada harga seperti pada table 1.
3. Catat setiap perubahan arus basis IB sesuai dengan perubahan VBE. Isikan pada
table 1.

B. Langkah Kerja Percobaan Karakteristik perpindahan I C = f (IB)

1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 6.
2. Atur besar arus basis IB melalui potensio sesuai dengan harga seperti pada table 2.
3. Catat setiap perubahan arus kolektor IC sesuai dengan perubahan IB. Isikan pada
table 2.
C. Langkah Kerja Percobaan Karakteristik keluaran IC = f (VCE)
1. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 7.
2. Atur arus basis IB pada harga 100 µA dengan potensio 10 K (R3).
3. Atur tegangan VCE melalui potensio 10 K (R4) sesuai harga pada table 3.
 I.6
POLITEKNIK NEGERI PONTIANAK
Lab.Teknik Listrik NO. JOB Semester : 3
Jurusan Teknik 10 Waktu : Jam
Elektro
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

4. Catat hasil perubahan IC pada setiap perubahan tegangan VCE.

5. Setiap perubahan VCE yang dilakukan, ukur resistansi RC dengan terlebih dahulu
mematikan power supply.
6. Ulangi langkah kerja 2 sampai 5 untuk harga IB = 200 µA, 300 µA dan 400 µA.

6. Tabulasi Data
Tabel 1. Data Percobaan Karakteristik Masukan IB = f(VBE).
Tegangan Basis-Emiter (VBE) Arus Basis ( IB )
( Volt ) ( mA )
0,10
0,30
0,50
0,60
0,65
0,70
0,75

Tabel 2. Data Percobaan Karakteristik Perpindahan IC = f(IB).

Arus Basis ( IB ) Arus Kolektor ( IC )
µA mA
50
100
150
200
250
 I.7
POLITEKNIK NEGERI PONTIANAK
Lab.Teknik Listrik NO. JOB Semester : 3
Jurusan Teknik 10 Waktu : Jam
Elektro
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Tabel 3. Data Percobaan Karakteristik Keluaran IC = f(VCE).

IB = 100 µA.
VCE ( Volt ) IC ( mA ) RC (ohm)
0,1
0,5
1,0
2,0
4,0
6.0

IB = 200 µA.
VCE ( Volt ) IC ( mA ) RC (ohm)
0,1
0,5
1,0
2,0
4,0
6.0

IB = 300 µA.
VCE ( Volt ) IC ( mA ) RC (ohm)
0,1
0,5
1,0
2,0
4,0
6.0
 I.8
POLITEKNIK NEGERI PONTIANAK
Lab.Teknik Listrik NO. JOB Semester : 3
Jurusan Teknik 10 Waktu : Jam
Elektro
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

IB = 400 µA.
VCE ( Volt ) IC ( mA ) RC (ohm)
0,1
0,5
1,0
2,0
4,0
6.0

7. Tugas
Buat Grafik dari hasil percobaan-percobaan karakteristik transistor diatas.

- selamat bekerja -