ELEKTRONIKA DASAR I

TRANSISTOR
PERSAMBUNGAN BIPOLAR

BIPOLAR JUNCTION
TRANSISTOR (BJT)

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

Tujuan:
• Dapat memahami struktur dari BJT (npn dan pnp)
dan mekanismenya.
• Dapat merancang dan menganalisis bias tegangan
pada BJT
• Dapat memahami karakteristik BJT

Materi:
• Struktur Dasar BJT: npn, pnp
• Bias Tegangan pada BJT
• Karakteristik BJT

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

Transistor merupakan suatu komponen aktif yang

dibuat dari bahan semikonduktor yang berfungsi
sebagai:
• Penguat arus ataupun tegangan,
• Sebagai saklar elektronika (switching), stabilisator
tegangan (regulator), modulasi sinyal dan berbagai
fungsi lainnya.

Transistor berasal dari kata “transfer resistor”, artinya

sebagai pemindahan atau peralihan bahan non
penghantar menjadi penghantar.

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

STRUKTUR DASAR BJT

Transistor adalah piranti elektronika yang mempunyai
tiga elektroda (triode).
Nama ketiga elektroda tersebut adalah
• Basis, Base (disingkat B, Dasar),
• Kolektor, Collector (disingkat C, Pengumpul),
• Emitor, Emitter (disingkat E, Pemancar).

• Terdapat dua jenis (tipe) kontruksi dasar BJT, yaitu

tipe “npn” dan tipe “pnp”.
• Terdapat dua pembawa muatan: elektron & hole

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

• Emitor , mengandung takmurnian yang berkadar

paling tinggi, fungsinya adalah menginjeksikan
elektron / hole ke Basis.
• Basis, mengandung takmurnian yang berkadar
paling rendah, fungsinya adalah meneruskan
sebagian besar injeksi oleh Emitor ke Collector.
• Collector, mempunyai kadar ketakmurnian antara
Basis dan Emitor, dan secara fisik merupakan
daerah yang paling besar, untuk disipasi panas

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

BJT Tipe npn

• BJT tipe npn terbuat dari lapisan tipis semikonduktor tipe-p,
yang diapit oleh dua lapisan semikonduktor tipe-n.
• Elektron merupakan pembawa mayoritas, dan hole
merupakan pembawa minoritas.

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

BJT Tipe pnp

• BJT tipe pnp terbuat dari lapisan tipis semikonduktor tipe-n,
yang diapit oleh dua lapisan semikonduktor tipe-p.
• Hole merupakan pembawa mayoritas, dan elektron
merupakan pembawa minoritas.

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

PRATEGANGAN PADA BJT

Kasus (1): Dioda BE dibias balik & Dioda BC dibias balik
 Lapisan deplesi yang terbentuk akan semakin lebar
 Dioda tidak menghantar

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

Kasus (2): Dioda BE dibias maju & Dioda BC dibias maju

 Elektron mengalir dari E ke B dan dari C ke B (arus
konvensional sebaliknya)
 Transistor berperilaku seperti konduktor biasa

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

Kasus (3): Dioda BE dibias maju & Dioda BC dibias balik

 Elektron mengalir dari E ke B, sebagian kecil masuk ke catu
daya lewat kaki B, dan sebagian besar menerobos masuk ke
daerah C.
 Transistor berperilaku sangat menarik

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

Dari kondisi (3), dapat dirangkum beberapa poin berikut:

• Pada “operasi normal” (yang dinyatakan pada gambar

kondisi (3), besarnya arus collector (IC) adalah sama
dengan besarnya arus emitor (IE) + arus Basis (IB)

I E  IC  I B
• Nilai IB sangat kecil jika dibandingkan dengan nilai IE
maupun IC, sehingga dalam analisis sebuah rangkaian
pada kasus-kasus tertentu, IB sering dianggap nol.
I E  IC
DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.
 ELEKTRONIKA DASAR I

Beberapa parameter penting lainnya sering dinyatakan

dalam:
IC IC I B  dc  dc
 dc   dc   dc  
IE IB I B  dc  I B  dc  1

• Akibat dari penetrasi lapisan pengosongan ke daerah B, maka

hole di daerah B akan terbatas pada saluran yang tipis. Hole ini
akan menghambat aliran elektron bebas dari E ke C.
• Hambatan ini disebut hambatan penyeberangan basis,
disimbolkan dengan rb. Besarnya rb berkisar 50Ω s/d 150Ω.
• Arus IB akan mengalir ke pin-out B melalui rb. Sebagai
akibatnya pada saluran ini akan terjadi selisih tegangan
sebesar (IBrb).

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

DAERAH KERJA TRANSISTOR

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

Konstruksi dasar rangkaian transistor BJT

VCE  VCB  VBE

I E  IC  I B
I E  IC

I C  I B  dc
VBE  0,7V ( Si ); 0,3V (Ge)

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

Daerah operasi transistor BJT (dalam konfigurasi CE)

IC
I E  IC  I B
Daerah Jenuh

Daerah Aktif IB = 60 mA

6 mA
I E  IC
IB = 50 mA

I C  I B  dc

Daerah Dadal
5 mA
IB = 40 mA
4 mA
IB = 30 mA
3 mA
IB = 20 mA
2 mA
IB = 10 mA
1 mA
IB = 0 mA

Daerah Cut-Off VCE

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

MODEL DC DARI TRANSISTOR

• Model dc sebuah transistor atau disebut juga rangkaian
ekivalen dc sebuah transistor sangat berguna dalam analisis
rangkaian-rangkaian transistor ketika dialiri arus dc.
• Bila transistor dialiri arus ac, model yang digunakan adalah
rangkaian ekivalen ac.

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

Model dc transistor BJT (konfigurasi CE)

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

Besarnya arus basis IB (harga pndekatan):

VBB  VBE
IB 
RB

Arus IB ini akan memberikan nilai arus IC sebesar

IC  dc I B  hFE I B

IC akan menyebabkan penurunan tegangan pada RC sebesar

VRC  I C RC
Sehingga
VCE  VCC  IC RC
DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.
 ELEKTRONIKA DASAR I

GARIS BEBAN DC
• Garis beban dc sebuah transistor merupakan gambaran
hubungan tegangan VCE dan arus IC yang dinyatakan dalam
kumpulan titik-titik yang membentuk garis kerja.
• Dalam suatu rangkaian transistor, nilai VCC dan harga
hambatan RC biasanya sudah ditentukan. Oleh karenanya,
persamaan

VCE  VCC  IC RC
sebenarnya merupakan persamaan linear dalam dua
variable, yaitu VCE dan IC.

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

VCE  VCC  IC RC

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

• Titik kerja transistor adalah titik-titik yang terletak pada

daerah aktif, yaitu antara titik putus dan titik jenuh.
• Titik kerja ini biasanya disimbolkan dengan huruf Q (titik
tenang, dari kata Quiescent). Dan dalam desain rangkaian
biasanya ditempatkan di tengah-tengah garis beban dc.
• Untuk maksud itu, transistor perlu diberi prategangan
basis

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

PRATEGANGAN BASIS

R2
VB  V2  VCC
R1  R2

VE  VB  VBE  VB  0,7volt

VB  VBE
IE 
RE IC = IE (nilai pendekatan)

VC  VCE  VE  VCC

VCE  VCC  (VC  VE ) I C ( sat) 

VCC
RC  RE

VCE  VCC  IC ( RC  RE )
VCE( cutoff )  VCC

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

Rangkaian Ekivalen DC  Garis Bebas DC

VCC
+ Vcc I C ( sat) 
R1 Rc RC  RE

VCE( cutoff )  VCC

VB  VBE
I CQ 
RE
R2 Re
VCEQ  VCC  I C ( RC  RE )

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

+12 V

39 kW 1 kW

hFE=200
1 kW
1 mV Vout

7,5 kW
240 W

Gambarlah garis beban DC, dan letak titik Q-nya.

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

PENEMPATAN Q DITENGAH GARIS BEBAN DC

PENGUAT CE
• Kepatuhan DC maksimum akan didapatkan apabila titik Q
ditempatkan ditengah-tengah garis beban DC.
• Ini berarti VCE = ½ VCC

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

IC
IC (Sat)
V CC
RC

VB  VBE Q
I CQ  ICQ DC load line
RE
VCE(cutoff)

VCEQ VCC VCE

VCEQ  VCC  I C ( RC  RE )
VCEQ  1 2 VCC

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

IC
+ Vcc VCEQ  VCC  (VRC  VRE )
R1 Rc

VRC  VRE  0,5VCC

VCEQ  0,5VCC VE VB  VBE

I CQ  
RE RE
R2 Re
• Memilih VB yang terlalu besar, VE memenjadi
sangat besar  TR cepat jenuh
• Memilih VB yang terlalu kecil, TR rentan thp cut-
off karena VBE dipengaruhi suhu
• Umumnya dipilih VE = 0,1 VCC

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

LANGKAH2 MENEMPATKAN TITIK Q DI TENGAH-TENGAH

DC LOAD LINE:

1. Buat VE kira-kira 0,1 VCC

2. Hitung nilai RE
3. Pilih RC sama dengan 4 kali RE (agar VRE + VRC = 0,5VCC)
4. Tambahkan 0,7 volt pada VE untuk mendapatkan VB
5. Tentukan R1 dan R2 untuk mendapatkan VB yang telah
ditentukan. Arus pembagi tegangan sekurang-kurangnya
10 kali lebih besar dari arus basis.

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.

 ELEKTRONIKA DASAR I

+ Vcc

R1 Rc C2
C1

hFE=200
RL
Vout

R2 Re
Vin C3

Tentukan nilai-nilai R1, R2, RC, dan RE agar titik Q berada di

tegah-tengah garis beban DC untuk kondisi sbb:
• VCC = 12 V dan ICQ = 5 mA

DIDIKRS @ Instrumentation For Measurement Lab.