Percobaan II

Karakteristik BJT
Robert Novianto (13117108)
Asisten : Ismail Hakim (13116016)
Tanggal Percobaan : 28/09/2019
EL3102 Praktikum Elektronika
Laboratorium Teknik Elektro
Institut Teknologi Sumatera

Abstrak—Praktikum kali ini, praktikan dapat memahami

karakteristik transistor BJT, memahami teknik bias dengan
rangkaian diskrit dan juga memahami teknik bias dengan
sumber arus konstan.
Kata Kunci — transistor BJT, teknik bias

I. PENDAHULUAN
ALAM membuat rangkaian, kita harus mengetahui
D karakteristik transistor BJT terlebih dahulu.
Tujuan dalam praktikum kali ini, yaitu :
Transistor BJT PNP
 Memahami karakteristik transistor BJT. Terdapat suatu hubungan matematis antara besarnya arus
 Memahami teknik bias dengan rangkaian diskrit. kolektor (IC), arus basis (IB), dan arus emitor (IE), yaitu beta
 Memahami teknik bias dengan sumber arus
konstan. (β) = penguatan arus DC untuk common emitter, alpha (α) =
penguatan arus untuk common basis, dengan hubungan
II. LANDASAN TEORETIS matematissebagai berikut.
A. Transistor BJT
β = IC / IB dan α = IC / IB, sehingga β = α / (1 - α) dan α= β /
Transistor merupakan salah satu komponen
(β + 1).
elektronika paling penting. Terdapat dua jenis
transistor berdasarkan jenis muatan penghantar
listriknya, yaitu bipolar dan unipolar. Dalam hal ini Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh dengan
akan kita pelajari transistor bipolar. Transistor bipolar pengukuran arus dan tegangan pada rangkaian dengan
terdiri atas dua jenis, bergantung susunan bahan yang konfigurasi common emitter (kaki emitter terhubung dengan
digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol ground), seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.
hubungan antara arus dan tegangan dalam transistor
ditujukkan oleh gambar berikut ini.

Transistor BJT NPN

B. Kurva Karakterisitik IC - VBE

Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial dari
tegangan VBE, sesuai dengan persamaan: IC = α IESevbe/nkT.
Persamaan ini dapat di gambarkan sebagai kurva seperti
 ditunjukkan pada gambar berikut ini.

c. Hubungkan osiloskop :
Dari kurva diatas juga dapat diperoleh  Probe positif (+) Ch-1 (X) ke titik B.
transkonduktansi dari transistor, yang merupakan  Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C.
kemiringan dari kurva di atas, yaitu gm = ∆IC / ∆VBE.  Ground osiloskop ke titik A.
C. Kurva Karaktersitik IC - VCE
Arus kolektor juga bergantung pada tegangan d. Gunakan setting osiloskop :
kolektor-emitor. Titik kerja (mode kerja) transistor  Skala X pada nilai 0,1 V/div dengan kopling
debedakan menjadi tiga bagian, yaitu daerah aktif, AC.
saturasi, dan cut-off.  Skala Y pada nilai 1 V/div dengan kopling
DC, dan tekan tombol invert-nya.
 Osiloskop pada mode X-Y.
e. Tempatkan tegangan X minimum pada garis grid
paling kiri (nilai VBE = 0). Tempatkan tegangan Y
terkecil (minimum) pada garis grid kedua paling
bawah (nilai IC = 0). Apabila kurva tampak
sebagai dua garis, naik atau turunkan frekuensi
generator sinyal hingga diperoleh kurva yang lebih
baik.
f. Gambarkan plot IC (mA) -VBE (Volt) di BCP
anda.
Catatan: Skala Y osiloskop menunjukkan tegangan
pada resistor Rc. Arus kolektor (Ic)
III. METODOLOGI
adalah tegangan tersebut dibagi resistansi itu (VY / RC),
A. Alat dan bahan
dengan nilai Rc sekitar 82 Ω.
 Sumber tegangan DC.
2. Karakteristik Output Transistor IC – VCE
 Kit Percobaan Karakteristik Transistor dan a. Ubah setting Sinyal Generator sehingga
Rangkaian Bias. mengeluarkan : (pastikan dengan
 Sumber arus konstan. menyambungkannya ke osiloskop ber-kopling
 Multimeter (2 buah). DC)
 Osiloskop.  Gelombang segitiga ~1KHz.
B. Langkah Kerja  Amplituda sinyal 12 Vpp.
1. Karakteristik Input Transistor IC – VBE  Set offset positif sehingga nilai minimum
a. Ubah setting Sinyal Generator sehingga sinyal berada di titik nol (ground).
mengeluarkan : b. Susunlah rangkaian berikut ini :
 Gelombang segitiga ~1KHz.
 Amplituda sinyal 0,8 V.
 Set offset positif sehingga nilai
minimum sinyal berada di titik nol
(ground).
b. Susunlah rangkaian berikut ini :

c. Hubungkan osiloskop :
  Probe positif (+) Ch-1 (X) ke titik E.
 Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik A.
 Ground osiloskop ke titik C.
d. Gunakan setting osiloskop :
 Skala X pada nilai 1 V/div dengan
kopling AC.
 Skala Y pada nilai 0,5 V/div dengan
kopling DC, dan tekan tombol invert-nya.
 Osiloskop pada mode X-Y.
 Titik nol X (VCE = 0) pada di garis grid
ketiga dari kiri, dan titik nol Y (IC = 0)
pada garis grid kedua dari bawah.
e. Apabila kurva tampak sebagai dua garis, naik
atau turunkan frekuensi generator sinyal
hingga diperoleh kurva yang lebih baik.
f. Amati kurva arus IC – VCE yang ditunjukkan
osiloskop. Gambarkan di BCL anda.
g. Ubah-ubah nilai IB untuk semua nilai keluaran
sumber arus yang tersedia. Sesuaikan skala
Ch-2 untuk mendapatkan pembacaan yang
lebih baik. Gambarkan semua kurva itu pada
grafik yang sama.
3. Early Effect
a. Pilihlah nilai arus basis (IB) dari sumber arus
yang kemiringan kurva-nya cukup besar
b. Pada kurva IC-VCE itu, pilihlah dua titik
koordinat yang mudah dibaca, dan masih
dalam garis lurus. Baca dan catat nilai IC dan
VCE pada kedua titik tersebut.
iC
c.Hitunglah nilai tegangan Early dengan
persamaan berikut :
d. 𝑉𝐴 = [ (𝑉𝐶𝐸2𝐼𝐶1) – (𝑉𝐶𝐸1𝐼𝐶2) ] / (𝐼𝐶2 − 𝐼𝐶1)
Dan catat di BCL anda.
e. Pilih nilai arus basis (IB) yang lain, dan
lakukan langkah 1 s/d 3 diatas untuk
mengkonfirmasi nilai tegangan Early yang
sudah didapatkan.
4. Pengaruh Bias pada Penguat Transistor
a. Ubah setting Sinyal Generator sehingga
mengeluarkan: (pastikan dengan
menyambungkannya ke osiloskop)
 Gelombang Sinusoid ~1KHz.
 Amplituda sinyal 50 mVpp (tarik tombol
amplituda agar didapat nilai yang kecil).
 Gunakan T konektor pada terminal
output.
b. Hubungkan Osiloskop ke rangkaian :
 Ch-1 (X) ke Generator Sinyal dengan kabel
koaksial konektor BNC-BNC,
 Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C,
 Ground osiloskop ke titik E.
c. Gunakan setting osiloskop :
 Skala Ch-1 pada nilai 10mV/div dengan
kopling AC,
 Skala Ch-2 pada nilai 1V/div dengan kopling
AC,
 Osiloskop pada mode waktu dengan skala
horizontal 500µS/div.
 Titik nol Ch-1 dan titik nol Ch-2 pada garis
tengah layar.
d. Gunakan multimeter digital pada mode Volt-DC
untuk mengukur tegangan dari VCE.
e. Set IB pada 25µA (minimum sumber arus).
f. Set RC minimum (sekitar 82 Ω).
g. Baca dan catat tegangan VCE kemudian gambarkan
bentuk gelombang tegangan output VCE yang
ditunjukkan osiloskop. Amati adanya distorsi pada
bentuk gelombang output.
h. Dari nilai IB dan VCE yang terbaca, tentukan letak
titik kerja kondisi ini pada plot grafik IC-VCE yang
telah dibuat sebelumnya. Dengan memperhatikan
titik kerja ini, jelaskan mengapa distorsi pada
langkah-8 terjadi.
i. Ulangi langkah 7-10. Untuk nilai-nilai IB : 200µA
dan 400µA.
j. Ubah nilai RC menjadi nilai maksimum-nya
(sekitar 5 KΩ). Ulangi langkah 8-10 untuk nilai
RC ini.
k. Ubah nilai IB menjadi 150µA. Atur nilai RC
sehingga VCE yang terbaca di multimeter sekitar
5V. Amati dan gambar bentuk tegangan yang
terlihat di osiloskop. Dari nilai IB dan VCE yang
terbaca, tentukan letak titik kerja kondisi ini pada
plot grafik IC-VCE yang telah dibuat sebelumnya.
Dengan memperhatikan titik kerja ini, jelaskan
mengapa kondisi ini terjadi.
l. Naikkan amplitude input (dari generator sinyal)
hingga tampak terjadi distorsi pada gelombang
tegangan output (VCE). Catat besar amplituda input
dan gambarkan bentuk gelombang outputnya.
m. Naikkan lagi amplituda input. Amati apakah
amplituda gelombang output masih bisa
membesar, dan catat nilai maksimum amplituda
tersebut.
IV. HASIL DAN PEMBAHASAN
1. Percobaan 1 : Karakteristik Input Transistor IC – VBE
a. Transistor 2N2222A
 IB = 0,2 mA
 IC = 0,16 mA
 VCE = 5V
 VBE = 1,6 V
 Gambar Grafik Input-Output
Gambar Grafik X-Y di Invert

Gambar Grafik X-Y di Invert

Gambar Grafik pada Simulasi

Pada percobaan pertama ini kita menggunakan transistor
2N2222A dan BD139, kemudian mencari nilai IB, IC, VBE, dan VCE.
Dari data diatas dapat dilihat bahwa nilai I B dan IC pada kedua
transistor berbeda, tetapi nilai VCE dan VBE kedua transistor adalah
sama. Hal ini dapat terjadi karena kurang kencang pemasangan
kabel terhadap rangkaian.
Dalam percobaan ini menunjukkan bahwa transistor
2N2222A lebih kuat di bandingkan dengan transistor BD139. Dari
gambar diatas dapat dilihat bahwa grafik X-Y yang telah di invert
pada kedua transistor memiliki gambar grafik yang sama meskipun
hanya berbeda sedikit.
2. Percobaan 2 : Karakteristik Output Transistor IC – VCE
a. Transistor 2N2222A
Gambar Grafik pada Simulasi
b. Transistor BD139  IB = 13,5 x 10-6 A
 IB = 0,30 mA  IC = 220 x 10-6 A
 IC = 102 mA  VCE =5V
 VCE =5V  VBE = 12 V
 VBE = 1,6 V

Gambar Grafik Input-Output

Gambar Grafik Input-Output

 Grafik X-Y di Invert

Grafik pada Simulasi

Pada percobaan kedua ini kita mencari nilai IB, IC, VBE, dan
VCE dari kedua transistor. Dari data diatas dapat di lihat bahwa nilai
yang didapatkan berbeda meskipun tidak terlalu besar perbandingan.
Kemudian dari gambar diatas dapat dilihat bahwa terjadi perbedaan
gambar baik pada grafik input-output maupun pada grafik x-y di
invert dari kedua reistor tersebut.
3. Percobaan 3 : Early Effect
 IC1 = -0,4
Grafik pada Simulasi  IC2 = 4,4
b. Transistor BD139  VCE1 =0
 IB = 37,5 x 10-6 A  VCE2 =6
 IC = 199,6 x 10-6 A
 VCE =6V
 VBE = 12 V

Gambar Grafik X-Y di Invert

(𝑉𝐶𝐸2 𝑥 𝐼𝐶1)−(𝑉𝐶𝐸1 𝑥 𝐼𝐶2) (6 𝑥 (−0,4))−(0 𝑥 4,4)
-Va = =
𝐼𝐶2−𝐼𝐶1 4,4−0,4
−2,4
-Va =
4
Va = 1,6
Grafik Input-Output Pada percobaan ketiga ini kita mencari nilai IC1,
IC2, VCE1, VCE2. Nilai-nilai tersebut di dapatkan dengan
membaca grafik di atas. Dari data di atas kita mencari nilai
tegangan early effect. Dengan menggunkan rumus yang
telah ada di dapatkan tegangan early effect sebesar 1,6.

V. KESIMPULAN DAN SARAN

Dari praktikum yang telah kami lakukan, dapat diambil
kesimpulan:
1. Transistor 2N2222A lebih kuat dibandingkan dengan transistor
BD139.
2. Dipercobaan ini mencari nilai IC, IB, VBE, VCE, IC1, IC2, VCE1,
Grafik X-Y di Invert VCE2, Va.
3. Grafik input-output yang didapat harus di ubah dalam bentuk
grafik x-y dan di invert.
4. Dalam transistor terdapat Emitter, Base, Collector.

VI. REFERENSI
Modul Praktikum Elektronika (Institut Teknologi Sumatera)
https://krishnabayu20.wordpress.com/2015/05/06/apa-itu-
transistor/
https://djukarna.wordpress.com/tag/bd139/
https://mikroavr.com/fungsi-transistor/
LAMPIRAN