Penguat BJT
Wildan Abdullah (13115048)
Asisten : Riyon Sanjaya Irmal (13112008)
Tanggal Percobaan : 22/04/2017
EL2205R Praktikum Elektronika
Laboratorium Teknik Elektro
Institut Teknologi Sumatera
I. PENDAHULUAN
ada praktikum yang ketiga ini praktikan akan melakukan
P percobaan yang bertujuan untuk menelisik karakteristik
penguatan atau amplifier pada sebuah transistor. Transistor
yang digunakan pada modul ketiga ini adalah transistor BJT
tipe 2N3904. Ada beberapa tujuan yang ingin dicapai pada
praktikum ini, berikut tujuan tersebut,
Mengetahui dan mempelajari fungsi transistor sebagai
penguat.
Mengetahui karakteristik penguat berkonfigurasi
Common Emitter.
Mengetahui karakteristik penguat berkonfigurasi
Common Base.
Mengetahui karakteristik penguat berkonfiguarasi
Common Collector.
Mengetahui dan mempelajari resistansi input,
resistansi output dan factor penguatan dari masing-
masing konfigurasi penguat.
= // (1 + )
( // )
+
= //
Gambar 4. Rangkaian Penguat BJT Berkonfigurasi Common Base
Jika RB >> r maka resistansi input akan menjadi :
Resistansi input untuk konfigurasi ini adalah :
Kemudian, untuk menentukan resistansi output konfigurasi
CE, kita buat Vs = 0, sehingga gmv = 0, maka: Resistansi outputnya adalah :
= // =
untuk komponen diskrit yang RC << ro, persamaan tersebut Faktor penguatan keseluruhan adalah :
menjadi
= ( // )
+
dengan, Rs adalah resistansi sumber sinyal input dan gm adalah B. Langkah Percobaan
transkonduktansi.
Lakukan
Pasang Vrset
pengamatan pada
current source
tegangan ouput
sesuai Ic yang
X/Y/Z pada
diinginkan
osiloskop
=
+
III. METODOLOGI
Gambar 12. Output dan input tegangan pada osiloskop setelah rangkaian
Gambar 9. Output dan input tegangan pada Osiloskop diubah.
10
= = 117.64
85
C. Resistansi Output Common Emitter
Rvar Ro = Rvar
Re tidak terhubung 0.96 k 0.96 k
Re terhubung 1 k 1 k
Gambar 14. Rangkaian untuk mencari Rin dengan mengubah Rvar D. Faktor Penguatan Common Base
REFERENSI
[1] Mervin T. Hutabarat, Modul Praktikum Elektronika,Penerbit ITB,
Gambar 22. Rangkaian untuk mencari Rin dengan mengubah Rvar Bandung, 2012.
[2] Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith, Microelectronic Circuits, ed 5, Hal.
139-190, Oxford University Press, USA, 2004.