PRAKTIKUM 3.

Karakteristik COMMON BASIS

Disusun oleh:

BAYU BIMASAKTI 2120600031

1 D4 Elektronika B

PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRONIKA

DEPARTEMEN TEKNIK ELEKTRO
POLITEKNIK ELEKTRONIKA NEGERI SURABAYA
2020
 PRAKTIKUM 3
KARAKTERISTIK COMMON BASIS

1. TUJUAN
1. Mengetahui dan memahami rangkaian common basis pada Bipolar Junction Transistor
(BJT).
2. Mengukur nilai tegangan dan arus input – output pada rangkaian common basis.
3. Memahami dan menganalisa karakteristik input dan karakteristik output pada rangkaian
common basis.

2. TINJAUAN TEORI
2.1 Dasar pengoperasian BJT
Terdapat dua jenis konstruksi dasar BJT, yaitu jenis n-p-n dan jenis p-n-p. Untuk jenis n-p-
n, BJT terbuat dari lapisan tipis semikonduktor tipe p dengan tingkat doping yang relatif
rendah, yang diapit oleh dua lapisan semikonduktor tipe n. Bagian di tengah disebut “basis”
(base), salah satu bagian tipe n (biasanya mempunyai dimensi yang kecil) disebut “emitor”
(emitter) dan yang lainnya sebagai “kolektor” (collector). Secara skematik kedua jenis
transistor diperlihatkan pada Gambar 4.1. Tanda panah menunjukkan kaki emitor.

Gambar 4.1
a. Transistor n-p-n b. Transistor p-n-p

Untuk jenis n-p-n, transistor terdiri dari dua sambungan p-n yang berperilaku seperti diode.
Setiap diode dapat diberi bias maju (forward bias) atau bias mundur (reverse bias),sehingga
transistor dapat memiliki empat mode pengoperasian. Salah satu mode yang banyak
digunakan pada BJT disebut “mode normal”, dimana BJT dioperasikan pada daerah aktif
yaitu sambungan emitor-basis mendapatkan bias maju dan sambungan kolektor-basis
mendapatkan bias mundur. Gerakan pembawa muatan pada transistor n-p-n ditunjukkan
pada Gambar 4.2.

Gambar 4.2
a. Mode Normal Pada BJT N-P-N b. Arah Gerak Pembawa Muatan

Karakteristik DC dari BJT dapat diprediksi dengan melihat aliran pembawa muatannya.
Pada BJT baik pembawa muatanmayoritas maupun pembawa muatan minoritasmempunyai
peranan yang samapentingnya. Pemberian bias maju pada sambungan emitor – basis akan
menurunkan potensial barrier sehingga elektron dapat melakukan injeksi ke daerah basis
dimana pada daerah
ini miskin elektron (minoritas). Pemberian bias mundur pada sambungan kolektor – basis
akan meningkatkan potensial barriernya, namun karena daerah basis sangat tipis, hampir
semua elektron yng terinjeksi ke basis dari emiter akan masuk ke daerah kolektor.
Dengan proses pabrikasi transistor yang benar, sebagian besar elektron dari emitor akan
mencapai kolektor, kurang lebih 99 – 99,9% elektronyang terinjeksi berhasil mencapai
sambungan basis-kolektor (menunjukkan besarnya faktor α, biasanya berharga sekitar 0,9 -
1).

iC = iE 4.1

Sehingga terjadi pergerakan elektron dari rangkaian emitor ke rangkaiankolektor (atau

aliran arus dari kolektor ke emitor, karena arah gerak elektron berkebalikan dengan arah
arus) yang besarnya hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor-basis. Hal ini
memungkinkan pemasangan hambatan beban yangbesar untuk mendapatkan penguatan
tegangan.
Arus emitor sebagai fungsi dari tegangan emitor-basis, harga arus iE sangat tergantung

pada tegangan vBE seperti ditunjukkan dalam persamaan 4.2.

 VVBE 
iE = I O e T − 1 4.2
 
Dimana Io adalah arus saturasi yang muncul karena adanya efek thermal (fungsi temperatur),
harganya sangat bervariasi dari satu transistor ke transistor yang lainwalaupun tipe dan
pabriknya sama. Sedang VTsebesar25 mV pada temperatur ruang.
Hampir seluruh elektron emitor berdifusi ke daerah basis dan menghasilkan arus
kolektor, dimana harganya lebih besar dari arus basis.

iC = iB 4.3

iE = iC + iB 4.4

Dari penjelasan diatas, beberapa hal yang dapat dicatat tentang BJT adalah sbb :
- Arus emitor ditentukan oleh tegangan emitor – basis dalam bentuk hubungan
eksponensial.
- Arus kolektor besarnya hampir sama dengan arus emitor dan hampir tidak
dipengaruhi oleh tegangan kolektor - basisVCB jika VCB ≥ 0.
- Arus basis iBmerupakan bagian yang sangat kecil dari arus kolektor iCdengan faktor
perbandingan sebesar β.
- Dibandingkan dengan FET, BJT dapat memberikan penguatan yang jauh lebih
besar dan respon frekuensi yang lebih baik.
2.2 Karakteristik input common basis
Rangkaian transistor seperti pada Gambar 4.3 disebut konfigurasi basis bersama
(common base) karena basis digunakan bersama untuk terminal masukan maupun keluaran
(common terminal).
E B C IE IC
IE IC E C
n p n
V EE V CC
V EE V CC B

IB IB

Gambar 4.3 Rangkaian Konfigurasi Common Basis

Sebagai terminal input adalah kaki emitor sedang kaki kolektor berfungsi sebagai terminal
output.
Karakteristik input diperoleh dengan memberikan tegangan konstan pada sambungan
kolektor – basis (VCB konstan), baru dilakukan pengukuran pada arus input (iE) dan tegangan
input (VBE). Karakteristik input ditunjukkan pada Gambar 4.4. Karena sambungan emitor-
basis seperti diode dengan bias maju, makakarakteristik input rangkaian ini (Gambar 4.4)
mirip dengan karakteristik tegangan – arus pada diode. Terlihat bahwa efek dari tegangan
kolektor-basis VCB cukup kecil.

Gambar 4.4 Karakteristik Input Common Basis

2.3 Karakteristik output common basis
Karakteristik output ditunjukkan seperti Gambar 4.5. Untuk mendapatkan karakteristik
output, arus input iE diberikan harga yang konstan dengan mengatur besarnya VEE, baru
dilakukan pengukuran untuk arus output iC dan tegangan output VCB.

Gambar 4.5 Karakteristik Output Common Basis

Ternyata harga arus output iC hampir sama dengan arus input iE, karena faktor α selalu lebih
kecil dari satu (maksimal α = 1). Maka secara praktis konfigurasi common basis tidak baik
digunakan sebagai penguat arus.

3. PERALATAN DAN BAHAN

1. DC Power Supply (2 buah)
2. Mili Amperemeter (2 buah)
3. Voltmeter (2 buah)
4. Transistor 2SC 828 (1 buah)
5. Resistor 1K (2 buah)

4. PROSEDUR
4.1 Pengukuran karakteristik input common basis
 IE
RE RC
E C
mA

V EE V CC

VBE V VCB V
B

Gambar 4.6 Rangkaian Praktikum Pengukuran Karakteristik Input CB

1. Buat rangkaian seperti Gambar 4.6. Gunakan resistor RE= 1K dan RC = 1K.
2. Hubungkan kedua buah power supply ke rangkaian saudara, jangan dihidupkan terlebih
dulu.
3. Periksa rangkaian saudara, apabila sudah benar baru hidupkan power supply.
4. Atur power supply VCC sehingga penunjukan voltmeter VCB sebesar 1 volt.
5. Atur power supply VEE sehingga penunjukan mili ampere meter IE sebesar 1 mA.
6. Baca penunjukan tegangan pada voltmeter VBE dan tulis hasil pembacaan pada tabel 4.1.
7. Ulangi langkah 5 - 6 untuk harga IE seperti Tabel 4.1, baca penunjukan voltmeter VBE dan
lengkapi isian pada tabel (pastikan bahwa tegangan VCB konstan sebesar 1 volt).
8. Ulangi lagi langkah 4 – 7 untuk VCB sebesar 5 volt (pastikan bahwa tegangan VCB konstan
sebesar 5 volt sepanjang pengukuran ini) dan lengkapi isian pada Tabel 4.1.
9. Ulangi lagi langkah 4 – 7 untuk VCB sebesar 10 volt (pastikan bahwa tegangan VCB konstan
sebesar 10 volt sepanjang pengukuran ini) dan lengkapi isian pada Tabel 4.1.
Tabel 4.1 Hasil pengukuran karakteristik input CB
IE (mA) VBE (volt)
VCB = 1 volt VCB = 5 volt VCB = 10 volt
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
4.2 Pengukuran karakteristik output common basis
IE IC
RE RC
E C
mA mA

V EE V CC
VCB V
B

Gambar 4.7 Rangkaian Praktikum Pengukuran Karakteristik Output CB

1. Buat rangkaian seperti Gambar 4.7. Gunakan resistor RE= 1K dan RC = 1K.
2. Hubungkan kedua power supply ke rangkaian saudara, jangan dihidupkan terlebih dulu.
3. Periksa rangkaian saudara, apabila sudah benar baru hidupkan power supply.
4. Atur power supply VEE sehingga penunjukan mili amperemeter IE sebesar 1 mA.
5. Atur power supply VCC sehingga penunjukan voltmeter VCB sebesar 0 volt.
6. Baca penunjukan arus pada mili amperemeter IC dan tulis hasil pembacan pada Tabel 4.2.
7. Ulangi langkah 5 - 6 untuk harga VCB seperti Tabel 4.2 (pastikan bahwa arus IE konstan
sebesar 1 mA), baca penunjukan mili amperemeter IC dan lengkapi isian pada tabel 4.2.
8. Ulangi lagi langkah 4– 7 untuk arus IE sebesar 5 mA (pastikan bahwa arusIE konstan
sebesar 5 mA sepanjang pengukuran ini) dan lengkapi isian pada Tabel 4.2.
9. Ulangilagi langkah 4 – 7 untuk arus IE sebesar 8 mA (pastikan bahwa arusIE konstan
sebesar 8 mA sepanjang pengukuran ini) dan lengkapi isian pada Tabel 4.2.
Tabel 4.2 Hasil Pengukuran Karakteristik Output CB
IC (mA)
VCB (volt)
IE = 1 mA IE = 5 mA IE = 8 mA
0
0.2
0.4
0.5
0.7
0.8
1
5
9
10
5. GAMBAR PROTEUS

Gambar Karaktristik input CB

Gambar Karaktristik input CB

6. HASIL PERCOBAAN

Tabel 4.1 Hasil pengukuran karakteristik input CB

IE (mA) VBE (volt)
VCB = 1 volt VCB = 5 volt VCB = 10 volt
1 0.67 0.67 0.67
2 0.69 0.69 0.69
3 0.70 0.70 0.70
4 0.71 0.71 0.71
5 0.72 0.72 0.71
6 0.72 0.72 0.72
7 0.73 0.73 0.72
8 0.73 0.73 0.73
9 0.74 0.73 0.73
10 0.74 0.74 0.73

Tabel 4.2 Hasil Pengukuran Karakteristik Output CB

IC (mA)
VCB (volt)
IE = 1 mA IE = 5 mA IE = 8 mA

0 0.99 4.98 7,96

0.2 0.99 4.98 7,96
0.4 0.99 4.98 7,96
0.5 0.99 4.98 7,96
0.7 0.99 4.98 7,96
0.8 0.99 4.98 7,96
1 0.99 4.98 7,96
5 1 4.98 7,97
9 1 4.98 7,97
10 1 4.99 7,97
7. ANALISA
Berdasarkan percobaan yang saya lakukan pada karakteristik input dari common base,
besarnya tegangan yang di tampilkan pada voltmeter VBE di pengaruhi oleh 2 buah power
supply yakni power supply VCC dan power supply VEE. Pada pengukuran VBE dengan
ketentuan voltmeter VCB sebesar 1Volt dan ammeter IF sebesar 1 mA, voltmeter VBE
menunjukkan kenaikan nilai tegangan sebesar 0,67 volt dan terus mengalami kenaikan
tegangan jika besar arus pada ammeter dinaikkan bertahap mulai dari 1mA-10mA dengan
ketentuan voltmeter VCB konstant 1 volt dan ammeter IF sebesar 1mA, voltmeter VBE
menunjukkan kenaikan nilai tegangan sebesar 0,67 volt dan terus mengalami kenaikan
tegangan jika besar arus pada ammeter di naikkan mulai dari 1mA-10mA dengan ketentuan
voltmeter VCB kontsant 1 volt. Begitupula jika voltmeter VCB dengan ketentuan 5 volt dan
ammeter If dinaikkan secara bertahap mulai dari 1mA-10mA akan menampilkan besar
tegangan pada voltmeter VBE mulai dari 0,67-0,74 volt. Pada pengukuran dengan ketentuan
voltmeter VCB 10 volt dan ammeter IF dinaikan bertahap mulai dari 1mA-10mA juga
menyebapkan kenaikan tegangan pada voltmeter VBE mulai dari 0,67-0,73 volt
Pada percoban pengukuran karakteristik output dari common base, besarnya arus yang
ditampilkan pada ammeter IC dipengaruhi oleh 2 buah power supply yakni power supply VCC
dan power supply VEE. Pada pengukuran ammeter IC dengan ketentuan IE sebesar 1mA
menunjukkan nilai ammeter IC yang konstant yakni sebesar 0,99mA mulai dari tegangan
voltmeter VCB sebesar 0 volt-1 volt dan pada voltmeter VCB sebesar 1,5,9 dan 10 volt
menunjukkan nilai arus pada ammeter IC sebesar 1,0 A. pada pengukuran voltmeter IC
dengan nilai IE sebesar 5mA dan besar tegangan pada voltmeter VCB sebesar 0 volt- 9 volt
menunjukan nilai arus yang constant sebesar 4,98 mA dan baru mengalami kenaikan pada
tegangan voltmeter VCB dari 0-1 volt sebesar 9,95 dan mengalami kenaikan pada tegangan
5 Dn 9 volt sebesar 9,96 dan 9,97 volt untuk VCB 10 volt
8. KESIMPULAN
Berdasarkan percobaan karakteristik input common base yang saya lakukan besarnya
hasil pengukuran voltmeter VBE dipengaruhi oleh besarnya sumber arus yang di berikan oleh
VEE dan VCC, dalam melakukan pengukuran voltmeter VBE dijadikan patokan untuk
mengukur VBE, begitupula pada ammeter IE sumber arus VEE harus di atur terlebih dahulu,
sehingga dapat digunakan mengukur VBE. Jadi semakin besar arus IE maka semakin besar
tegangan pada VBE yang di hasilkan sehingga karakteristik input dari common base
menghasilkan nilai tegangan yang selalu naik tergantung dari arus pada IE dan sumber
tegangan VEE dan VCC.
Pada karakteristik output common base besarnya hasil pengukuran ammeter di
pengaruhi oleh besarnya sumber arus VEE dan VCC. Dalam melakukan pengukuran ammeter
IC sumber arus VBE harus di atur terlebih dahulu begitu pula pada sumber arus VEE sehingga
mudah untuk mengatur voltmeter VCB. Pada pengukuran karakteristik output common base
besarnya arus pada IC relative konstant maupun tegangan pada VCB dinaikkan.
Berdasarkan pada percobaan di atas kita dapat mengetahui dan memahami rangkaian
common base pada BJT (Bipolar Junction Transistor), dapat mengetahui cara mengukur nilai
tegangan dan arus input-output pada rangkaian base, serta mampu dan dapat memahami
karakteristik input dan karakteristik output pada rangkaian common base

9. PERTANYAAN
1. Tunjukkan hubungan antara α dan β pada transistor BJT.
Jawab:
Dengan menggabungkan ekspresi untuk kedua Alpha, α dan Beta, β hubungan matematis
antara parameter ini dan oleh karena itu arus gain dari transistor dapat diberikan sebagai:
 Di mana: " Ic " adalah arus yang mengalir ke terminal Collector, " Ib " adalah arus yang mengalir
ke terminal Base dan " Ie " adalah arus yang mengalir keluar dari terminal Emitter.

2. Terangkan mengapa harga α ≤ 1.

Jawab:
proses pabrikasi transistor yang benar, sebagian besar elektron dari emitor akan
mencapai kolektor, kurang lebih 99 – 99,9% elektronyang terinjeksi berhasil mencapai
sambungan basis-kolektor (menunjukkan besarnya faktor α, biasanya berharga sekitar 0,9
- 1).

3. Terangkan mengapa pada karakteristik input common base, semakin besar tegangan VCB
arus input iE semakin besar pada tegangan input VBE yang sama.
Jawab:
Semakin besar tegangan VCB arus input IE semakin besar pada tenganan input VBE yang
sama, hal ini terjadi karena pengaruh dari sumber tenganan VCC yang mengatur besarnya
tegangan pada voltmeter VCB, dan pada IE besarnya arus yang mengalir di pengaruhi oleh
besarnya sumber arus pada VCC, selain dari itu hal lain yang menyebapkan semakin besar
tegangan VCB arus input IE semakin besar pada tegangan VBE yang sama adalah besarnya
tegangan dari VCB di pengaruhi oleh besarnya IE, sehngga jika arus pada IE kecil maka tegangan
pada VBE juga mengecil.

10. TUGAS
1. Hitunglah harga α berdasar hasil percobaan saudara. Dari hasil perhitungan α tersebut,
hitunglah harga β – nya. Bandingkan harga α dan β perhitungan dengan data sheet
transistor. Berikan analisanya.
JAWAB

Alpha ( α )
• Dalam analisa DC, besarnya arus 𝐼𝐶 berkaitan dengan besarnya arus 𝐼𝐸 yang
diakibatkan adanya pembawa mayoritas
 • Hubungan ini disebut dengan alpha ( α )
𝑰𝒄
α= 𝑰𝑬
Beta ( β )
• Dalam analisa DC, besarnya arus 𝐼𝐶 dan 𝐼𝐵 direlasikan dengan sebutan beta ( β )
• Dalam datasheet, β𝑑𝑐 biasa dituliskan sebagai ℎ𝐹𝐸.
𝑰𝒄
β= 𝑰𝑩
Hubungan antara α dan β
𝛃 𝛂
𝛼= 𝛽= 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼B
𝛃+𝟏 𝛂 −𝟏

IC (mA)
VCB
𝑰𝒄 𝜶 𝑰𝒄 𝜶 𝑰𝒄 𝜶
IE = 1 α= 𝑰𝑬 β=𝟏−𝜶 IE = 5 α=𝑰𝑬 β=𝟏−𝜶 IE = 8 α= 𝑰𝑬 β=𝟏−𝜶
(volt)
mA mA mA

0 0,99 0,99 99 4,98 0,996 249 7,96 0,995 199

0,2 0,99 0,99 99 4,98 0,996 249 7,96 0,995 199
0,4 0,99 0,99 99 4,98 0,996 249 7,96 0,995 199
0,5 0,99 0,99 99 4,98 0,996 249 7,96 0,995 199
0,7 0,99 0,99 99 4,98 0,996 249 7,96 0,995 199
0,8 0,99 0,99 99 4,98 0,996 249 7,96 0,995 199
1 0,99 0,99 99 4,98 0,996 249 7,96 0,995 199
5 1 1 1 4,98 0,996 249 7,97 0,996 249
9 1 1 1 4,98 0,996 249 7,97 0,996 249
10 1 1 1 4,98 0,996 249 7,97 0,996 249
DATA SHEET TRANSISTOR 2N2926
 2. Gambarkan karakteristik input dan karakteristik output rangkaian common base
berdasarkan hasil percobaan saudara. Berikan analisanya.
KARAKTERISTIK INPUT COMMON BASIS

IE(mA) Karakteristik input Common Base

0.76

0.74

0.72

0.7

0.68

0.66

0.64

0.62
VCB(Volt)
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Vcb=1 Vcb=5 Vcb=10

KARAKTERISTIK OUTPUT COMMON BASIS

Karakteristik output Common Base

18

16

14

12

10

0
0 0.2 0.4 0.5 0.7 0.8 1 5 9 10

IE=1 IE=5 Vcb=10

IE(mA)