 Tugas PSE: ANALISIS RANGKAIAN DIODA, TRANSISTOR & OP AMP

DASAR PERANCANGAN SEMICONDUCTOR DIODA DAN

PARAMETER-PARAMETER DASARNYA

2.1 PN – Junction Dioda

Dioda mempunyai 2 buah terminal pn-junction, berikut di bawah ini diberikan

lambang dioda.

VF

IR If
P N
Anoda Katoda Anoda Katoda

a) Pn – junction b) Simbol dioda

Gambar 2.1 Pn – junction dan symbol dioda

Jika potensial anoda (+) terhadap katoda, maka dioda disebut sebagai

forward bias; sehingga dioda akan menyala. Dioda yang melakukan konduksi

mempunyai tegangan jatuh forward yang kecil, magnitude dari tegangan jatuh

tersebut tergantung dari proses manufakuring dan temperature (suhu).

Jika potensial katoda (+) terhadap anoda, maka dioda disebut sebagai reverse

bias; terjadi kebocoran arus (“leakage current”) dalam range mikro atau milli

ampere dan arus bocor ini akan meningkat magnitude-nya dengan reverse

voltage sampai dengan titik jenuhnya. Jika tegangan reverse dinaikkan, maka

akan tercapai tegangan breakdown.

Dioda pn – junction merupakan komponen bipolar (dua polaritas), jika dioda

diberi tegangan bias AC, maka arus dioda: Arus reverse pada phasa (+) dan

arus forward ada pada phasa (-).

IR

R
IF

Gambar 2.2 Dioda diberi tegangan bias AC

2.2 Resistansi Forward Dioda

P N

Rp Rn

Gambar 2.3 Resistansi forward dioda

Penjumlahan Resistansi daerah positif (Rp) dan resistansi daerah negatif

(Rn) disebut Resistansi Bulk (RB)  besarya ( 1 – 25 )

I
V = 0,7 Volt  I = 0
IF max
V = 1 Volt  I = If
IF = Arus forward pada 1 Volt

0 0,7 1 V
 Gambar 2.4 Arus forward dioda

 Contoh 1

Dioda IN 456 (Si)  If = 40 mA pada tegangan 1 Volt maka

0,3
RB = = 7,5 .
40.10 3
If max : Arus forward maksimum yang diijinkan dimana dioda

dianggap aman pemakaiannya.

Dioda IN 456  If max = 135 mA.

2.3 Resistansi Reverse Dioda

Dioda reverse bias  Arus reverse IR kecil sedang resistansi reverse RR

besar.

VR
RR =
IR

di mana: VR = Tegangan Reverse

IR = Arus Reverse pada

Contoh 2

Dioda IN 456 pada suhu 25 0C  IR = 25 nA dan VR= 25 Volt

25
RR = = 1000 M 
25.10 9

2.4 Pendekatan Arus (I) untuk Dioda Ideal

IF
IF
Tegangan + - Saklar On; RF = 0
Forward
nol
IR
Saklar Off; RR = Tak Hingga
Arus VF - +
Reverse
nol
IR
 Gambar 2.5 Arus dioda ideal

 Forward bias  dioda akan berfungsi sebagai konduktor sempurna

(saklar tertutup); RF = 0. VF = 0

 Tegangan jatuh dioda  0

 Modal dioda  saklar tertutup

 Reverse bias  dioda akan berfungsi sebagai isalator sempurna (saklar

terbuka).

Berikut dibawah ini diilustrasikan rangkaian dengan dioda diberi tegangan AC

beserta sinyal keluarannya.

V
+10
+ D
Vs R
- t
-10 VR

Gambar 2.6 Rangkaian dioda diberi tegangan AC dan sinyal keluarannya

 Periode phasa positif  Forward bias  Dioda sebagai saklar tertutup

V
+10 Sakla
+ tertutup
Vs R
t VR = 0

Gambar 2.7 Rangkaian dengan dioda sebagai saklar tertutup

 Periode phasa negatif  Reverse bias  Dioda sebagai saklar terbuka

V
Saklar
terbuka
Vs R
- t
-10 VR = 0

Gambar 2.8 Rangkaian dengan dioda sebagai saklar terbuka

2.5 Karakteristik Dioda

I IF I
"ON"
ID

VD
VR AVF VF 0 V
"Off"

IR

(a) Praktek (b) Ideal

Gambar 2.9 Karakteristik statis arus dan tegangan dioda

 Karakteristik statis dioda ini menggambarkan hubungan antara arus dioda

IR - IF dan VAK dalam kondisi menahan tegangan “OFF” maupun

mengalirkan arus “ON”.

3 Region Karakteristik dioda

1. Forward bias VD > 0

2. Reverse bias VD < 0

3. Breakdown VD < - VR

 Dalam Keadaan “OFF”

VAK = VR = negatif . Maka dioda menahan tegangan tetapi terdapat arus

bocor IR yang kecil.

 Dalam Kedaan “ON”

VAK = VF = positif . Maka dioda menahan tegangan tetapi terdapat arus

tegangan jatuh pada dioda tersebut sebesar ∆VF.

 Karakteristik pada gambar 2.9 (a) dapat diekspresikan dalam suatu

persamaan yang disebut sebagai persamaan "Schockly Dioda" , yaitu:

VD / n. VT
ID = IS (e - 1)

 dimana:

ID = Arus yang melalui dioda (A)

VD = Tegangan dioda dengan Anoda (+) terdapat katoda (V)

IS = Arus bocor, umumnya berada pada Range (10-6 - 10-15 A)

n = Faktor ideal, harganya 1 atau 2 tergantung pada material dan bentuk

phisik dari dioda.

 Untuk praktis biasanya dioda silikon diambil n = 1,1 s/d 1,8

VT = Tegangan Thermal yang diberikan oleh persamaan sebagai berikut :

VT = KT/Q

dimana :

K = Konstanta Boltzman
-23
= 1,3806. 10 J/k

T = Absolute temperatur dalam 0 Kelvin.

 Q = Muatan elektron = 1, 6022 . 10 m-19 Coulomb.

 Maka untuk temperatur junction sebesar 250C diberikan:

KT 1.3806.1023.(273  25)
VT = =
Q 1.6022.1019

= 25,7 mV

 Pada temperatur yang spesifik, arus bocor (IS) diberikan konstan untuk

suatu dioda.

 Contoh Soal 3.

Drop tegangan forward suatu dioda VD = 1,2 Volt pada ID = 300 A Apabila

fakor ideal n = 2 dan VT = 25,8 mV Hitung arus saturasi IS!

Jawab :

ID = IS (e.VD / n. VT -1)
1,2/ (2. 25.8. 10.-3)
300 = IS (e -1)

300 = IS (1,2488. 1010 )

IS = 2,3836. 10-8 Ampera

2.6 Karakteristik Switching

Karakteristik Switching adalah karakteristik yang menggambarkan sifat

kerja dioda dalam operasi perpindahan dari keadaan “ON” ke “OFF” atau

sebaliknya. Waktu yang dibutuhkan untuk menjalankan perpindahan tersebut

dinamai "Reverse Recovery Time"

 IF trr IF trr

0,25 IRR 0,25 IRR

ta ta

0 t 0 t
0,25 IRR 0,25 IRR

IRR tb IRR tb

(a) Recovery lambat (b) Recovery cepat

Gambar 2.10 Karakteristik switching

 Waktu reverse recovery (Reverse Recovery Time)  trr diukur dari

persilangan harga awal dari arus sampai 25 % maximum arus reverse IRR.

trr memiliki 2 buah komponen, yaitu ta dan tb

 ta adalah menyatakan waktu yang dibutuhkan dari persilangan arus

dengan sumbu nol dan IRR maximum

 tb adalah waktu pengisian (Charge Storange)

di
 Sehingga jika waktu recovery dieksperimenkan sebagai , maka:
dt

IRR = ta

 Disebut Peak Reverse Carrent

 Perbandingan antara tb/ta disebut softness faktor

trr = ta + tb
 Reverse Recovery Time (trr) didefenisikan sebagai :

Interval waktu antara arus sesaat melewati sumbu nol pada saat terjadi

perubahan dari forward ke kondisi bloking dengan saat arus reverse 25 %

maximum IRR.

 Dalam hal ini trr tergantung pada temperatur junction dan penurunan

arus forward.

 Reverse Recovery Charge (QRR) adalah jumlah muatan yang mengalir pada

dioda dalam arah reverse selama perpindahan status “ON” ke status

dioda “OFF”.

QRR = ½ IRR ta + ½ IRR tb = ½ IRR . trr

Atau

IRR =
di
Dimana : IRR = ta . maka:
dt

trr . ta =

 Apabila tb dapat diabaikan dan trr ≈ ta, persamaan diatas menjadi:

trr =

2QRR
IRR = dimana :
di / dt
 di dt
IRR = ta. dan trr = IRR
dt di
2QRR 2QRR
IRR =  IRR2 =
I RR dt / di dt / di

IRR =

 Contoh Soal 4

Reverse recovery time suatu dioda adalah trr = 3 sec; dengan rate of fail

di
= 30 A/sec. Hitunglah (a) Starage Charge QRR ; (b) arus balik max IRR
dt
Jawab

2QRR
(a) trr =
di / dt
trr =
2QRR
di / dt
di
QRR = 1/2 . trr2 . = 0.5. (3. 10-6)2 . 30 = 135. 10-12 c
dt

2QRR 2.13510.12
(b) IRR = = = 90  A
IRR 3.10  6

2.7 Dioda Terhubung Seri

Dioda dihubungkan seri adalah untuk meningkatkan kemampuan blocking

dioda. Di bawah ini diberikan gambar rangkaian dioda terhubung seri dengan

karakteristik tegangan dan arusnya.

 I = - Is

VD1 D1

Vs V
VD1 VD2
0 V
VD2
D2
- Is

(a) Sirkuit diagram (b) Karakteristik VD1 – VD2 dan I

Gambar 2.11 Dioda terhubung seri dengan Reverse bias

 Pada prakteknya karakteristik V- 1 dari dioda yang mempunyai tipe yang

sama, memiliki karakteristik yang berbeda dikarenakan toleransi dalam

proses produksi yang tidak sama.

 Gambar karaktetistik V- 1 diatas memperlihatkan karakteristik dioda

dengan kondisi reverse, dimana setiap dioda membawa arus kebocoran,

sehingga tegangan blocking mempunyai harga yang berbeda

I = - Is

IR1 +

I
R1
VD1 D1

Vs V
-VD1 = -VD2
0 V
VD2 - Is1
R2 D2

- - Is2
- Is
IR2 Is

(a) Sirkuit diagram (b) Karakteristik VD1 – VD2 dan I

Gambar 2.11 Dioda terhubung seri dengan Reverse bias

 Pada gambar rangkaian diagram, arus kebocoran total dioda akan

mengalir pada dioda dan resistor.

IS = IS1 + IR1 = IS2 + IR2

VD1 V V
tetapi IR1 = , dan IR2 = D 2 = D1
R1 R2 R2

Sehingga :

IS1 + = IS2 +

Apabila tahanan sama, R = R1 = R2 dan kedua tegangan dioda

kemungkinan akan berbeda tergantung pada karaktetistik V-1- nya,

harga VD1 dan VD2 dapat dicari sebagai berikut :

IS1 + = IS2 +

VD1 + VD2 = V5

 Contoh soal 5

Dua buah dioda terhubung seri seperti gambar di halaman 16, memiliki

tegangan bersamaVD = 5 Kv. Reverse Leakage Current ( arus bocor balik )

dari dioda adalah IS1 = 35 mA.

(a) Hitung tegangan dioda apabila tegangan bersama R1 = R2 = 100 K 

VD
(b) Pada tegangan bersama -sama R1 dan R2 apabila VD1 = VD2 =
2
  Solusi

(a) VD = 5 KV; IS1 = 30 mA; IS2 = 35 mA

R1 = R2 = 100 K 

VD = VD1 + VD2  VD2 = VD - VD1

VD1 V
IS1 + = IS2 + D 2
2 2
dengan subtitusi VD2 = VD - VD1, didapat

VD R
VD1 = + (IS2 - IS1)
2 2
5K 100K
= + (35. 10 -3 - 30.10-3) = 2750 Volt
2 2
VD2 = VD - VD1 = 5 KV - 2750 V = 2250 Volt

(b) IS1 = 30 mA , IS2 = 35 mA , VD1 = VD2 = VD2 = 2.5 KV

VD1 VD 2
R1 = 100 K  dari persamaan IS1 + = IS2 +
R1 R2
VD1.R1
Maka R2 =
VD1  R1( IS 2  IS1)

2.5K .100 K
= = 125 K 
2.5K  100(35.103  30.103 )

DAFTAR PUSTAKA

1. M. H. Rashid, Electronics, Circuit, Device and Application”, Prentice Hall

International, 1989.

2. Mohan, Undeland, Robbins, “Electronics Converters, Applications and

Design”, Prentice Hall International, 1989.

3. Adel S Sedra dan Kenneth C Smith, Microelectronic Circuits 3rd Ed,

Saunders College Publishing, 1991.

4. Robert Boylestad dan Louis Nashelsky, Electronic Devices and Circuit

Theory, Prentice Hall, 1996.

5. Jacob Millman, Microelectronics: Digital and and Analog Circuits and

Systems, McGraw Hill, 1979.

6. Messner, William and Dawn Tilbury. Control Tutorials for MatLab

and Simulink. A Web Based Approach. Addisson Wesley, Inc. 1999.