LAPORAN PRAKTIKUM

RANGKAIAN ELEKTRONIKA

“ Resistansi Reverse Bias Dioda ”

OLEH :

NAMA : Filma Manurung

NIM : 1705061022
KELAS : TK-2A

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

POLITEKNIK NEGERI MEDAN

2018
 LEMBAR PENGESAHAN

No.Percobaan : 03/Praktikum Rangkaian Elektronika/LTK II/TK-2A/2018

Judul Percobaan : Resistansi Reverse Bias Dioda

Judul Praktikum : Praktikum Rangkaian Elektronika

Tanggal Percobaan : 6 Juni 2018

Tanggal Pengesahan : 4 Juli 2018

Nama Praktikan : Filma Manurung

Nama Rekan Praktik : Erpita Samosir

Ikoh Amalia Rizki Hasibuan

Reza Pratama

Rifandi Sidabutar

Kelas : TK-2A

Dosen : Junaidi,S.T.M.T

Ir.Regina Sirait,M.T

Nilai :

Keterangan :

Mengetahui

Dosen Dosen

Halaman |2 Politeknik Negeri Medan

 ( Junaidi,S.T.M.T ) ( Ir.Regina Sirait,M.T )

Halaman |3 Politeknik Negeri Medan

I.Tujuan

1. Membandingkan tahanan reverse dari dioda Ge dan dioda Si

2. Memperlihatkan bahwa tahanan reverse dioda Ge dan diode Si berubah dengan
perubahan temperatur

II. Dasar Teori

Dioda adalah komponen semikonduktor yang palimg sederhana yang terdiri atas dua
elektroda yaitu katoda (untuk memancarkan elektron dengan cara pemancaran elektronik) dan
anoda (untuk mengumpulkan elektron yang dipancarkan dari katoda).Ujung badan dioda
biasanya diberi tanda berupa gelang atau berupa titik,yang menandakan letak katoda.Dioda
hanya bisa dialiri arus DC searah saja.Apabila dioda silikon dialiri arus AC (dari PLN),maka
yang mengalir hanya satu arah saja.Sehingga arus output dioda berupa arus DC.Adanya sifat
ini,dioda jenis tersebut digunakan untuk switch

Resistansi Bias Mundur Dioda / Resistansi Reverse Bias Dioda (Reverse Bias V D< 0)

Pada saat bias mundur,elektron akan bergerak dari terminal negatif batere menuju anoda dari
diode (sisi P).Pada kondisi ini potensial positif yang terhubung dengan katoda akan membuat
elektron pada katoda tertarik menjauhi depletion layer,sehingga akan terjadi pengosongan
pada layer dan membuat kedua sisi terpisah.Pada bias mundur ini dioda bekerja bagaikan
kawat yang terputus dan membuat tegangan yang jatuh pada dioda akan sama dengan
tegangan supply.

Karakteristik dioda pada keadaan reverse bias dapat diperoleh dengan memberikan tegangan
(+) pada katoda dan tegangan (-) pada anoda.Suatu dioda ideal seharusnya mempunyai
tahanan reverse ( Rr ) tidak terhingga besarnya,karena dalam keadaan reverse bias dioda

Halaman |4 Politeknik Negeri Medan

dianggap terbuka (open circuit),tetapi pada kenyataannya tidaklah demikian.Harga tahanan
reverse ( Rr ) selalu terbatas

III. Peralatan dan Bahan yang Digunakan

1. Sumber daya searah ( 1-15 ) V : 1 Buah

2. Multimeter analog(0-50) mA : 1 Buah
3. Voltmeter digital : 1 Buah
4. Dioda Silikon : 1 Buah
5. Dioda germanium : 1 Buah
6. Resistor : 100 K Ω
7. Kabel penghubung : Secukupnya

IV.Prosedur Percobaan

X
+

DC Supply V0
R=100 KΩ

-
Gambar 1.Rangkaian Dioda Reverse Bias

1. Membuat rangkaian seperti gambar 1 dengan menggunakan diode Ge.

2. Dengan menggunakan voltmeter elektronik pada terminal x-y,mengatur tegangan
input = 15 volt
3. Mengukur tegangan V 0 pada R. V 0=….
Tegangan pada dioda adalah hampir sama dengan tegangan input,karena tegangan
pada R kecil.

Halaman |5 Politeknik Negeri Medan

 4. Menghitung arus melalui R (juga arus reverse dioda) menggunakan tegangan pada R.
I R =…

5. Menentukan tahanan reverse bias dari dioda Ge dengan hukum Ohm. R R =…

6. Kemudian memegang ujung katoda dengan ibu jari dan jari telunjuk untuk
memanaskan dioda sedikit demi sedikit.Hati-hati jangan sampai dioda terhubung oleh
jari saudara atau memparalel dioda dengan tahanan kulit.
7. Memperhatikan tegangan pada R selama diode dipegang.
8. Kemudian,melepas diode dan mengamati sekali lagi tegangan pada R.Silahkan
saudara menjelaskan apa yang terjadi.
9. Mengganti dioda Ge dengan dioda Si dan mengulangi langkah-langkah yang telah
dilakukan.

Halaman |6 Politeknik Negeri Medan

 V.Data Hasil Percobaan
No. Percobaan : 03 Tanggal Percobaan : 6 Juni 2018
Judul : Resistansi Reverse Bias Dioda Penyerahan Laporan : Juni 2018
Mata Kuliah :Praktikum Rangkaian Elektronika Nama Praktikan : Filma Manurung
Kelas/Kelompok : TK-2A/05 : Erpita Samosir
Tahun Akademik : 2018 : Ikoh Amalia Rizki

: Reza Pratama

: Rifandi Sidabutar

1.Dioda Germanium

Hasil pengukuran tahap prosedur ke 3 :

Dik :V D = 12.5 volt

V ¿= 15 volt

V 0 = 2.91 volt
R

Hasil perhitungan dan pengukuran tahap prosedur ke 4 :

Dik : V ¿= 15 volt

Dihitung secara teori

V
I R=
R

2.91 V
=
100 K Ω

= 0.0000291 A

= 2.91 x 10−5 A

I R diukur:

Halaman |7 Politeknik Negeri Medan

I R = 27 μA atau 27 x 10−3 mA

Hasil Perhitungan tahanan reverse diode Ge dengan Hukum Ohm pada tahap prosedur
ke 5:
V
R R=
I

12.5V
=
27 μ A

= 0 .46 MΩ

Hasil Pengukuran V R pada tahap prosedur ke 7 :

 Sebenarnya V R = 2.91 V.Setelah dioda dipegang ujung katoda dengan ibu jari dan
jari telunjuk untuk memanaskan dioda sedikit demi sedikit maka V R nya menjadi
3.01 V.

Hasil pengamatan V R pada tahap prosedur ke 8 :

 Kondisinya akan naik,ketika praktikan memegang dengan jari,tegangan akan
semakin naik karena tubuh memiliki temperatur

Hasil pengamatan V Rpada tahap prosedur ke 9 :

 Kondisinya akan turun,ketika dilepaskan dioda dengan jari,tegangan turun

2. Dioda Silikon
Hasil pengukuran tahap prosedur ke 3 :

Dik : V D= 14.5 volt

V ¿= 15 volt

V 0 = 0.003 volt
R

Hasil perhitungan dan pengukuran tahap prosedur ke 4 :

Dik : V ¿= 15 volt
Dihitung secara teori

V
I R=
R

Halaman |8 Politeknik Negeri Medan

 0.003 V
=
100 K Ω

3 x 10−3 V
=
100 KΩ

= 3. 10−8A

I R diukur:

Hasil Perhitungan tahanan reverse diode Si dengan Hukum Ohm pada tahap prosedur
ke 5:
V
R R=
I

3 x 10−3
=
3 x 10−8

= 105 Ω

= 100 KΩ

Hasil Pengukuran V R pada tahap prosedur ke 7 :

 Sebelumnya V R=0.003 V,setelah dioda dipegang ujung katoda dengan ibu jari dan
jari telunjuk untuk memanaskan dioda sedikit demi sedikit,maka V R =0.004 V

Hasil pengamatan V R pada tahap prosedur ke 8 :

 Tegangannya akan naik ketika praktikan memegang dioda dengan jari karena
dipengaruhi oleh suhu tubuh.

Hasil pengamatan V Rpada tahap prosedur ke 9 :

 Tegangannya akan turun ketika praktikan melepas dioda dari jarinya.Hal ini
disebabkan karena dioda tidak dipengaruhi oleh suhu tubuh kembali.

Halaman |9 Politeknik Negeri Medan

VI.Analisa Data

1. Perbandingan Arus (I) dan resistansi (R) pada dioda germanium

Tegangan V 0 yang diukur dan I hitung masih dapat terlihat (tidak bernilai 0) yakni
pada saat bias balik (reverse) dan pada saat kondisi dioda dipegang. Hal ini karena V 0
ukur masih dapat terbaca di multimeter pada kondisi tersebut.Walaupun pada bias
balik ini hanya mendapatkan nilai V 0 ukur yang kecil.Sehingga R hitung dapat
dihitung dan didapatkan.
2. Perbandingan arus (I) dan resistansi (R) pada diode silicon
Tegangan V 0 yang diukur dan I hitung hanya dapat terlihat (tidak 0) jelas yaitu pada
saat kondisi bias maju dan bias mundur saat dipegang.Hal ini disebabkan karena V 0
ukur dapat terbaca pada multimeter pada kondisi tersebut.Dan karena itu R hitung
dapat dihitung dan didapatkan.

H a l a m a n | 10 Politeknik Negeri Medan

H a l a m a n | 11 Politeknik Negeri Medan