BAB II : DIODA SEMIKONDUKTOR

DIODA PENYEARAH DAN DIODA ZENER

A. Tujuan Instruksional Umum (TIU)

Setelah mengikuti Kuliah topik ini, mahasiswa diharapkan :
Dapat mengetahui cara kerja dioda penyearah dan dioda zener, karakteristik dan
pengujianya

B. Tujuan Instruksional Khusus (TIK)

Setelah mengikuti Kuliah topik ini, mahasiswa diharapkan :
 Mampu menjelaskan prinsip kerja dioda penyearah germanium dan silikon serta
karakteristiknya.
 Mampu menerangkan cara pengujian dioda menggunakan multimeter.
 Menyebutkan beberapa paramerter penting dari dioda dengan benar.

2.1 Prinsip Kerja

Dioda semikonduktor dibentuk dengan menyambungkan bahan semi-konduktor tipe p

dan semikonduktor tipe n. Pada saat terjadinya sambungan (junction) antara bahan p
dan n, hole-hole pada bahan p dan elektron-elektron pada bahan n disekitar sambungan
cenderung untuk berkombinasi. Hole dan elektron yang berkombinasi ini mengakibatkan
daerah sekitar sambungan ini kosong dari pembawa muatan dan terbentuk daerah
pengosongan (depletion region) seperti ditunjukan pada gambar 2-1.

Gambar 2-1 : Pembentukan daerah kosong pada sekitar sambungan (junction)

Oleh karena itu pada sisi p tinggal ion-ion akseptor yang bermuatan negatip dan pada
sisi n tinggal ion-ion donor yang bermuatan positip. Namun proses ini tidak berlangsung
terus, karena potensial dari ion-ion positip dan negatip ini akan mengahalanginya.
Tegangan atau potensial ekivalen pada daerah pengosongan ini disebut dengan
tegangan barrier yang selanjutnya akan disebut sebagai tegangan treshold. Besar

Elektronika Analog 8
 BAB II : DIODA SEMIKONDUKTOR
DIODA PENYEARAH DAN DIODA ZENER

tegangan treshold ini adalah 0,2~0,3 volt untuk germanium dan 0,5~0,7 volt untuk
silikon.
Suatu dioda bisa diberi bias mundur (reverse bias) atau diberi bias maju (forward bias)
untuk mendapatkan karakteristik yang diinginkan. Bias mundur adalah pemberian
tegangan negatip baterai ke terminal anoda (A) dan tegangan positip ke terminal katoda
(K) dari suatu dioda. Dengan kata lain, tegangan anoda katoda VA-K adalah negatip
(VA-K < 0). (Lihat gambar 2-2). Dalam kondisi bias mundur dioda akan tetap non aktif
sampai tegangan dioda VD mencapai tegangan breakdown/dadalnya. Disaat kondisi
demikian akan mengalir arus yang besar karena melebanya daerah depletion layer
(daerah perpindahan muatan) sehingga tahanan dioda (RD) menjadi besar, tetapi
tegangan mundur yang besar menyebabkan ketahanan daerah depletion layer tidak lagi
mampu menahannya.

Gambar 2-2 : Kondisi tegangan bias/pra tegangan/pra sikap mundur

Apabila tegangan positip baterai dihubungkan ke terminal Anoda (A) dan negatipnya ke
terminal katoda (K), maka dioda disebut mendapatkan bias maju (foward bias). (Lihat
gambar 2.3). Dalam kondisi bias maju dioda akan mulai aktif setelah tegangan dioda VD
mencapai tegangan barriernya. Disaat kondisi demikian akan mengalir arus yang besar
karena menyempitnya daerah depletion layer (daerah perpindahan muatan) sehingga
resistansi dioda (RD) menjadi kecil. Untuk lebih jelasnya lihat gambar dibawah ini.

Gambar 2-3 : Kondisi bias maju

Elektronika Analog 9
 BAB II : DIODA SEMIKONDUKTOR
DIODA PENYEARAH DAN DIODA ZENER

2.2. Kurva Karakteristik Dioda

Hubungan antara arus yang mengalir melalui dioda dengan tegangan VA-K dapat dilihat
pada kurva karakteristik dioda (Lihat gambar 2.4). Gambar 2.4 menunjukan dua macam
kurva, yakni dioda germanium (Ge) dan dioda silikon (Si). Pada saat dioda diberi bias
maju, yakni bila VA-K positip, maka arus ID akan naik dengan cepat setelah VA-K mencapai
tegangan treshold atau cut-in (VT). Seperti telah disebut tegangan ini berkisar antara 0.2
Volt untuk dioda germanium dan 0.6 Volt untuk dioda silikon. Dengan tegangan baterai
sebesar ini, maka potensial barrier akan teratasi, sehingga arus dioda mulai mengalir
dengan cepat. Bagian kiri bawah dari grafik merupakan kurva karakteristik dioda saat
mendapatkan bias mundur.

Gambar 2-4 : Karakteristik Dioda Germanium dan Silikon

Besarnya arus jenuh mundur (reverse saturation current) Is untuk dioda germanium
adalah dalam orde mikro amper dalam, sedangkan untuk dioda silikon Is adalah dalam
orde nano amper.

Apabila tegangan VA-K yang berpolaritas negatip tersebut dinaikkan terus, maka suatu
saat akan mencapai tegangan dadal (break-down) dimana arus Is akan naik dengan
tiba-tiba. Pada saat mencapai tegangan dadal ini, pembawa minoritas dipercepat hingga
mencapai kecepatan yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari atom.
Kemudian elektron ini juga dipercepat untuk membebaskan yang lainnya sehingga

Elektronika Analog 10
 BAB II : DIODA SEMIKONDUKTOR
DIODA PENYEARAH DAN DIODA ZENER

arusnya semakin besar. Pada dioda biasa pencapaian tegangan break-down ini selalu
dihindari karena dioda akan rusak.
Dari konstruksi dan karakteristik dioda seperti diterangkan diatas dalam banyak aplikasi
diantaranya digunakan sebagai dioda penyearah sehingga dioda tipe ini disebut sebagai
Dioda Penyearah.
Secara fisik, hubungan arus dioda (ID) dengan tegangan dioda (VD) dapat dinyatakan
dalam persamaan matematis yang dikembangkan oleh W. Shockley, yaitu:

I D  I S [e(VD / nV
. T ) - 1] (2.1)

Dimana :
ID = arus dioda (amper)
Is = arus jenuh mundur (amper)
e = bilangan natural, 2.71828...
VD = beda tegangan pada dioda (volt)
n = konstanta, 1 untuk Ge; dan 2 untuk Si
VT = tegangan ekivalen temperatur (volt)
Harga Is suatu dioda dipengaruhi oleh temperatur, tingkat doping dan konstruksi dioda.
Dan konstanta n tergantung pada sifat konstruksi dan parameter fisik Dioda. Sedangkan
harga VT ditentukan dengan persamaan:

kT
VT  (2.2)
q
Dimana :
k = konstanta Boltzmann, 1.381 x 10-23 J/K
(J/K artinya joule per derajat kelvin)
T = temperatur mutlak (kelvin)
q = muatan sebuah elektron, 1.602 x 10-19 C
Pada temperatur ruang, 250C atau 273 + 25 = 2980 K, dapat dihitung besarnya VT
yaitu:26 mV, harga VT ini perlu diingat untuk pembicaraan selanjutnya.

2.3. Beberapa Parameter Penting Dioda

Arus maju efektip maksimum, IF (rms).

Menyatakan nilai efektip maksimum yang diijinkan dari arus maju. Nilai ini berkaitan
dengan efek panas yang ditimbulkan karena disipasi daya sebesar I2.R.
Elektronika Analog 11
 BAB II : DIODA SEMIKONDUKTOR
DIODA PENYEARAH DAN DIODA ZENER

Arus maju puncak berulang maksimum, IFRM.

IFRM menyatakan arus puncak maksimum yang diijinkan yang diaplikasikan secara
berulang. Nilai ini biasanya dinyatakan untuk bentuk setengah gelombang sinusuidal.
Arus maju puncak tak berulang maksimum, IFSM .
IFSM Adalah arus maju puncak maksimum yang diijinkan dari setengah gelombang sinus
selama 10mdet.
Tegangan mundur puncak berulang maksimum, VRRM.
Nilai maksimum yang diijinkan dari tegangan mundur yang diaplikasikan secara berulang
termasuk tegangan transient.
Tegangan mundur puncak tak berulang maksimum, VRSM.
Adalah nilai puncak maksimum tegangan mundur yang diaplikasikan pada kondisi
transient, tipikalnya 125% VRRM.
Tegangan jatuh maju, VF.
Adalah nilai tegangan jatuh pada terminal A-K ketika dioda beroperasi
dan nilainya tergantung dari temperatur sambungan, TJ.

2.4. Karakteristik Yang Didekati

Dari karakteristik dioda gambar 2-4 didapatkan parameter dioda yaitu tegangan treshold
(VT) dan resistansi dioda (RD). (Lihat gambar 2-5). Untuk keperluan praktis karakteristik
dioda didekati sebagai kurva yang linear dengan memperhitungankan pentingnya peran
RD seperti diperlihatkan pada gambar 2-6.

IA
VF
Resistansi Statis =
IF
V
Resistansi Dinamis =
IF I I


PIV V
VT VF VAK

Gambar 2-5 : Karakterisik Resistansi Dioda

Elektronika Analog 12
 BAB II : DIODA SEMIKONDUKTOR
DIODA PENYEARAH DAN DIODA ZENER

Gambar 2-6 a, dan c masing-masing dapat digunakan pada kasus-kasus dimana

pengaruh tegangan threshold dapat diabaikan, seperti pada penyearahan tegangan
besar atau rangkaian lain yang keluarannya tidak terpengaruh secara signifikan karena
pengabaiannya
ID ID

b.
a.

VT = 0 VT > 0
RD = 0 RD = 0

VD VD

ID ID

c. d.

VT = 0 VT > 0
RD > 0 RD > 0

VD VD

Gambar 2-6 : Karakteristik pendekatan praktis

Gambar 2-6 b dan d masing-masing dapat digunakan pada kasus-kasus dimana

pengaruh resistansi dioda dapat diabaikan, seperti pada penyearahan arus dan
tegangan besar atau rangkaian lain yang keluarannya tidak terpengaruh secara
signifikan karena pengabaiannya.
Contoh fisik dioda yang umum beredar di pasaran dengan berbagai bentuk adn
kapasitas diperlihatkan pada gambar 2-7.

Gambar 2-7 : Contoh dioda

Elektronika Analog 13
 BAB II : DIODA SEMIKONDUKTOR
DIODA PENYEARAH DAN DIODA ZENER

2.5. Pengujian Dioda

Dengan memahami karakteritik dioda penyearah, dapatkah saudara penguji apakah suatu dioda
dalam keadaan baik atau buruk ?
Untuk penguji baik buruknya dioda dapat dilakukan menggunakan sebuah Ohmmer (Lihat gambar
2-8) dimana colok Ohmmetar merah (polaritas negatif) dihubungkan ke kaki dioda bertanda strip
perak (katoda) dan colok hitam (polaritas positif) pada kaki dioda lainnya. Ohm meter akan
menunjukan nilai yang kecil. Dan sebaliknya jika colok Ohmmetar hitam dihubungkan ke kaki
dioda bertanda strip perak dan colok merah pada kaki dioda lainnya. Ohm meter akan
menunjukan nilai yang besar. Hal demikian berarti dioda dalam keadaan baik. Bagaimana jika
dioda dalam keadaan buruk / rusak ?

 0  0

` x1 + x1
-
+ - - +
- +

Gambar 2-8 : Pengujian Dioda

2.6. Dioda Zener

Dioda zener dirancang untuk beroperasi pada tegangan tembus/konduksi bias mundur
(reverse bias), dan biasa disebut “break down diode”. Karakteristik dioda Zener
diperlihatkan pada gambar 2-9.
Dalam kondisi bias maju dioda zener akan dibias dengan kaki katoda diberi tegangan
lebih negatif terhadap anoda atau anoda diberi tegangan lebih positif terhadap katoda.
Dalam kondisi demikian dioda zener akan berfungsi sama halnya dioda penyearah dan
mulai aktif setelah mencapai tegangan bariernya.
Dalam kondisi reverse bias dioda zener kaki katoda selalu diberi tegangan yang lebih
positif terhadap anoda. Jika tegangan yang dikenakan mencapai nilai breakdown,
pembawa minoritas lapisan pengosongan dipercepat sehingga mencapai kecepatan
yang cukup tinggi untuk mengeluarkan elektron valensi dari orbit terluar. Dan dalam

Elektronika Analog 14
 BAB II : DIODA SEMIKONDUKTOR
DIODA PENYEARAH DAN DIODA ZENER

kondisi ini dioda akan mempertahankan nilai tegangan zener pada nilai arus yang
bervariasi.

Gambar 2-9 : Karakteristik Dioda Zener

Dalam aplikasinya dioda zener mempunyai data-data spesifikasi yang harus di penuhi
dan tidak boleh dilampaui batas maximumnya dan tidak boleh lebih kecil batas
minimumnya. Adapun harga batas tersebut memuat antara lain keterangan tentang
tegangan break down ( Vz ), arus maximumnya dioda zener ( Iz ), dan tahanan dalam
dioda zener ( Rd ) serta daya dioda zener ( Pz ).
Contoh fisik dioda yang umum beredar di pasaran dengan berbagai ukuran dan
kapasitas daya diantaranya diperlihatkan pada gambar 2-10 (kiri) dan gambar 2-10
(kanan) menunjukan suatu nilai tegangan Vz 18 volt.

Gambar 2-10 : Bentuk Fisik Dioda Zener

Elektronika Analog 15
 BAB II : DIODA SEMIKONDUKTOR
DIODA PENYEARAH DAN DIODA ZENER

2.6.1 Tegangan Breakdown dan Rating Daya

Gambar 2-11 menunjukkan kurva arus-tegangan dioda zener dan dengan mengabaikan
arus yang mengalir hingga kita mencapai tegangan breakdown Vz. Pada dioda zener,
breakdown berada pada daerah lekukan yang sangat tajam, diikuti dengan kenaikan
arus yang cepat (kurva hampir vertikal). Perhatikanlah bahwa tegangan kira-kira konstan
sama dengan Vz pada arus test Izt tertentu di atas lekukan.

Gambar 2-11 : Daya Maksimum Dioda Zener

Dissipasi daya dioda zener sama dengan perkalian tegangan dan arusnya , yaitu: Pz =
Vz Iz. Misalkan, jika Vz = 12 dan Iz = 10 mA, maka Pz = 1,2 . 0,01 = 0,12 W. Selama
daya Pz kurang daripada rating daya Pz(max), dioda zener tidak akan rusak. Dioda
zener yang ada di pasaran mempunyai rating daya dari 1/4W sampai lebih dari 50 W.

2.6.2 Impendansi Dioda Zener

Saat dioda zener bekerja dalam daerah breakdown, dengan tambahan tegangan sedikit
akan menghasilkan pertambahan arus yang besar. Ini menandakan bahwa dioda zener
mempunyai impedansi yang kecil. Kita dapat menghitung impedansi dengan cara :

VZ
Resistansi Statis = (2.3)
IZ
VZ (2.4)
Resistansi Dinamis =
I Z

Elektronika Analog 16
 BAB II : DIODA SEMIKONDUKTOR
DIODA PENYEARAH DAN DIODA ZENER

Resistansi dinamis dioda zener umumnya bernilai kecil yang mengakibatkan

ketidakstabilan tegangan Vz yang kecil pula, sehingga besaran ini dalam beberapa
kasus dapat diabaikan.
Beberapa tipe dioda lain seperti dioda Schottky, dioda varactor, dioda avalanche (Diac),
LED (light Emitting Diode), LDR (Light Dependent Resistor) tidak dibahas dalam buku ini.
Bahasan

Soal-soal Latihan
1. Terangkan prinsip kerja dioda PN juntion !
2. Gambar karakteristik V – I dioda germanium dan silikon, terangkan perbedaan
dan maknanya !
3. Terangkan cara pengujian baik buruknya dioda menggunakan multimeter dan
bagaimana menentukan terminal Anoda dan Katodanya ?
4. Gambar simbol dan karakteristik dioda zener, terangkan cara kerjanya !
5. Terangkan bahwa dioda Zener dapat digunakan untuk penstabil tegangan !

Elektronika Analog 17