BAB I : PENDAHULUAN

A. Tujuan Instruksional Umum (TIU)

Setelah mengikuti Kuliah topik ini, mahasiswa diharapkan :
Dapat mengetahui dasar-dasar struktur atom bahan semikonduktor, semikonduktor
intrinsik, doping dan level energi berbagai bahan isolator, konduktor dan semionduktor.

B. Tujuan Instruksional Khusus (TIK)

Setelah mengikuti Kuliah topik ini, mahasiswa diharapkan :
 Mampu menggambarkan struktur atom bahan semikonduktor.
 Menjelaskan elektron dan hole dalam semikonduktor intrinsik.
 Menjelaskan doping donor dan akseptor pada bahan semkonduktor
 Mampu menerangkan level energi gap pada bahan semikonduktor, isolator dan
konduktor.

1.1. Bahan Semikonduktor

Memahami elektron dan komponen-komponen lain dalam atom merupakan langkah awal
dalam mempelajari perangkat elektronika yang kemudian dilanjutkan dengan gaya-gaya
yang mengikat suatu atom dan pergerakan elektron dari satu atom ke atom yang lain
dalam benda padat. Atom terdiri dari inti atom yang dikelilingi oleh elektron yang
bergerak dalam masing-masing orbitnya seperti ditunjukkan dalam gambar 1.1. Elektron-
elektron ini bermuatan listrik negatip sebesar 1,602.10-19 Coulomb, dan partikel inti
bermuatan listrik positip dengan besar yang sama. Karena muatan yang berlawanan,
timbullah gaya tarik-menarik antar muatan. Gaya tarik menarik ini diseimbangkan oleh
gaya sentrifugal yang ditimbulkan oleh gerakan elektron.

Gambar 1.1. Struktur atom Gambar 1.2. Struktur atom Germanium

Elektronika Analog 1
 BAB I : PENDAHULUAN

Elektron-elektron yang menempati orbitnya memiliki jumlah yang tertentu. Elektron yang
berada pada orbit terluar menentukan karakteristik kelistrikan (kimia) dari jenis atom itu
sendiri. Elektron pada orbit terluar ini disebut juga elektron valensi.

Atom-atom pada bahan semikonduktor seperti silikon (Si) dan germanium (Ge) memiliki
empat elektron pada orbit terluarnya dari kapasitas delapan partikel seperti ditunjukkan
pada gambar 1.2. Pada orbit terluar terdapat 4 elektron dan 4 hole. Hole didefinisikan
sebagai tempat partikel dimana tidak terdapat elektron. Baik Si dan Ge secara kelistrikan
masih netral, karena jumlah elektron dan proton sama.

1.2. Mobilitas dan Konduktivitas

Gambar berikut ini menunjukkan ilustrasi dua dimensi dari distribusi muatan di dalam
logam. Lingkaran abu-abu menunjukkan muatan positif yang terdiri atas inti atom dan
elektron-elektron dalam. Titik hitam menunjukkan elektron bebas (kadang-kadang
disebut gas elektron).

Di dalam kristal semikonduktor seperti silikon terbentuk ikatan kovalen, yang

menimbulkan proses pemakaian elektron bersama. Dalam keadaan tertentu, elektron
yang digunakan bersama ini bisa hilang dan menimbulkan hole dalam ikatan. Hole ini
akan bergerak dalam ikatan kovalen dan menimbulkan fenomena gerakan muatan positif
seperti ditunjukan pada gambar 1.3.

Energi panas
Covalent Bond menghasilkan electron
bebas
Gambar 1.3: Ikatan Kovalen

Pada bahan metal yang diberikan medan listrik E, elektron akan mendapatkan
percepatan dan kecepatannya akan terus meningkat selama belum bertumbukan
dengan ion. Namun jika elektron menumbuk ion, elektron akan kehilangan energinya,
dan masuk ke dalam kondisi steady state

Elektronika Analog 2
 BAB I : PENDAHULUAN

1.3. Elektron dan Hole dalam Semikonduktor Intrinsik

Semikonduktor intrinsik adalah semikonduktor yang dibuat dengan metode khusus untuk
meningkatkan kemurniannya setinggi mungkin, sehingga hasilnya bisa dianggap sebagai
semikonduktor murni. Pada suhu yang sangat rendah (mis. 0° K) struktur ideal kristal
germanium pada gambar 1.4 berperilaku seperti isolator, karena tidak ada pembawa
muatan (carrier) yang bergerak bebas.

Gambar 1.4 : Struktur Kristal Germanium 1.5 : Elektron bebas pada kristal Germanium

Pada suhu kamar (25°C), dengan energi sebesar 0,72 eV untuk germanium dan 1,1 eV
untuk silikon, elektron bisa terlepas dari ikatan kovalen (Gambar 1.5). Elektron tersebut
menjadi elektron bebas dan meninggalkan bekas yang disebut hole. Dalam keadaan
seperti ini, kristal memiliki kemampuan untuk melakukan konduksi. Dalam kondisi ini,
jumlah elektron bebas = jumlah hole.

1.4. Pita Energi

Tiap-tiap orbit memiliki tingkat energi yang menyatakan jumlah energi yang diperlukan
untuk menarik elektron dari orbitnya. Tingkat energi ini diukur dengan satuan elektron
Volt (eV). Bila suatu atom saling berdekatan seperti halnya pada benda padat, elektron-
elektron juga akan dipengaruhi oleh atom-atom yang lainnya. Tingkat eneri yang dimiliki
oleh elektron akan saling bergabung dan membentuk pita energi. Tingkat energi dalam
pita energi dibagi menjadi tiga, yaitu pita konduksi, celah energi dan pita valensi.

Elektron dalam pita konduksi terlepas dari atom dan bergerak dalam material. Elektron
pada pita konduksi dengan mudah digerakkan dengan energi yang sangat kecil. Untuk

Elektronika Analog 3
 BAB I : PENDAHULUAN

menarik elektron dari pita valensinya diperlukan energi yang lebih besar, karena elektron
ini masih dalam orbit normalnya.

1.5. Doping semikonduktor.

Sebelum bahan semikonduktor intrinsik dapat digunakan dalam fabrikasi komponen,

atom impuritas harus ditambahkan pada bahan intrinsik ini. Proses ini disebut doping,
yang memperbaiki konduktivitas material secara signifikan. Bahan semikonduktor yang
telah di doping ini disebut bahan ekstrinsik. Terdapat dua jenis bahan doping, yaitu
donor dan akseptor. Bahan donor membangkitkan elektron bebas pada pita konduksi
dan doping akseptor menghasilkan hole dalam pita valensi.

Doping donor diperoleh dengan menambahkan atom impuritas yang memiliki lima
elektron. Atom impuritas membentuk ikatan kovalen dengan atom-atom silikon atau
germanium sehingga dihasilkan satu elektron bebas pada pita konduksi tiap
penambahan satu atom impuritas seperti ditunjukkan pada gambar 1.6. Karena elektron
bermuatan listrik negatip, bahan dengan doping atom donor disebut bahan
semikonduktor tipe N. Dan pada bahan ini pembawa muatan listrik mayoritasnya adalah
elektron.

Gambar 1.6 : Doping donor Gambar 1.7 : Doping akseptor

Pada doping akseptor, atom impuritas yang ditambahkan memiliki elektron valensi tiga
dan lima hole pada kulit(orbit) terluarnya. Atom jenis ini antara lain adalah Boron,
Aluminum dan Gallium. Atom-atom ini membentuk ikatan dengan atom semikonduktor,
namun ia kekurangan satu elektron untuk memenuhi muatan pada orbit terluarnya,
sehingga pada ikatan terbentuk satu hole, seperti ditunjukkan pada gambar 1.7. Karena
hole bebas bermuatan listrik positip, bahan dengan doping atom akseptor disebut bahan

Elektronika Analog 4
 BAB I : PENDAHULUAN

semikonduktor tipe P. Dan pada bahan ini pembawa muatan listrik mayoritasnya adalah
hole.

1.6. Donor dan Akseptor

Jika germanium atau silikon intrinsik diberi tambahan sejumlah kecil atom trivalen atau
pentavalen, maka akan terbentuk semikonduktor ekstrinsik (ter-doping, tidak murni).

1.6.1. Donor
Zat pendoping dengan lima elektron valensi (pentavalen), seperti antimon, fosfor, dan
arsen disebut donor atau pendoping tipe-n. Atom-atom pendoping ini akan
menggantikan posisi sejumlah atom asli germanium atau silikon. Elektron ke lima dari
donor tidak terikat kemanapun dan dapat mengantarkan arus atau melakukan
rekombinasi dengan hole semikonduktor intrinsik. Energi yang diperlukan untuk
membebaskan elektron ke lima ini dari atom hanya sebesar 0,01 eV untuk Ge dan 0,05
untuk Si. Penambahan donor akan menambah satu tingkat energi baru di bawah pita
konduksi, dengan jarak 0,01 eV untuk germanium dan 0,05 eV untuk silikon.

Gambar 1.8 : Diagram pita energi semikonduktor tipe n

1.6.2. Akseptor

Jika semikonduktor intrinsik di-doping dengan sejumlah kecil atom trivalen, maka setiap
atom doping akan mengkontribusikan tiga elektron dan menyisakan satu hole pada
ikatan kovalen.
Zat pen-doping seperti ini disebut akseptor atau ketidakmurnian tipe-p.
Jumlah ketidakmurnian yang harus diberikan, untuk menimbulkan efek konduktivitas,
8
relatif sangat kecil. Contoh : ketidakmurnian sebanyak 1 untuk 10 germanium pada suhu
30° akan meningkatkan konduktivitas sebesar 12 kali lipat.

Elektronika Analog 5
 BAB I : PENDAHULUAN

Penambahan akseptor (ketidakmurnian tipe-p) pada semikonduktor intrinsik akan

menimbulkan tambahan tingkat energi sedikit di atas pita valensi, seperti pada gambar
1.9.

Gambar 1.9 : Diagram pita energi semikonduktor tipe p

Kecilnya selisih tingkat energi pita valensi dan pita akseptor menyebabkan banyak
elektron naik ke pita akseptor, meninggalkan hole pada pita valensi, yang menjadi carrier
terbesar pada semikonduktor.

1.7. Konduktor, Isolator dan Semikionduktor

Seperti ditunjukkan pada gambar 1.9, Isolator memiliki celah energi yang besar,
semikonduktor relatip kecil dan konduktor tidak memiliki celah energi. Pada isolator, tidak
terdapat elektron samasekali pada pita konduksi, sedang pita valensi terisi elektron, dan
diperlukan energi yang besar (6 eV) untuk membawa elektron dari pita valensi ke pita
konduksinya.

Untuk semikonduktor pada tenmperatur absolut 0 (-273C) pita valensi biasanya penuh,
dan tak ada elektron pada pita konduksi, seperti ditunjukkan pada gambar 1.3.b, celah
energi lebih kecil dibanding isolator (1,2 eV untuk silikon dan 0,785 eV untuk
Germanium) dapat menaikkan elektron dari pita valensi ke pita konduksi.

Pada Konduktor tak terdapat celah energi, juga pita konduksi dan pita valensi saling
tumpang tindih seperti gambar 1.9,c. Oleh karena itu pada pita konduksi terdapat banyak
elektron sekalipun pada temperatur sangat rendah.

Elektronika Analog 6
 BAB I : PENDAHULUAN

P i ta ko n du ksi
P i ta K on d uksi
P i ta K on d uksi

P i ta V al en si
P i ta V al en si
P i ta V al en si

(a) (b) (c)

Gambar 1.9. Diagram pita energi untuk

a. Isolator.
b. Semikonduktor
c. Konduktor

Elektronika Analog 7