MODUL II

KARAKTERISTIK BJT
AgungPrastyo (13116052)
Asisten : M. Daniel Firdaus (13115003)
TanggalPercobaan: 25/09/2018
EL3102 - Praktikum Elektronika
LaboratoriumDasarTeknikElektro
InstitutTeknologi Sumatera

Abstrak-Transistor merupakan komponen yang jenis muatan penghantar listriknya, yaitu

paling penting dalam dunia elektronika, yang
kita ketahui umumnya, transistor adlah
komponen utama dalam pembentukan memori
perangkat keras. Transistor terdapat dua jenis,
yakni transistor NPN dan transistor PNP.
Katakunci: BJT, NPN, PNP, Karakteristik,
dan transistor.
`
bipolar dan unipolar. Dalam hal ini akan
kita pelajari transistor bipolar. Transistor
bipolar terdiri atas dua jenis, bergantung
susunan bahan yang digunakan, yaitu
jenis NPN dan PNP. Simbol hubungan
antara arus dan tegangan dalam
transistor ditujukkan oleh gambar berikut
ini.

I. PENDAHULUAN
Transistor, tentu kita sudah tahu dengan
komponen ini, komponen yang sangat penting
karena sering digunakan sebagai penguat,
switching, modulasi sinyal dan berbagai fungsi
lainnya.Transistor sendiri berfungsi sebagai
keran listrik berdasarkan arus inputnya (BJT)
atau tegangan outputnya (FET), yang
memungkinkan pegaliran listrik yang sangat Gambar 1. Transistor BJT NPN
akuran dari sumber listriknya. Pada umumnya
transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B),
Emitor (E), dan Kolektor (C).
Transistor berdasarkan jenis muatan
pengahntar listriknya yakni ada transistor
bipolar dan transistor unipolar.
Yang akan kita pelajari pada modul ini
adalah transistor bipolar. Transistor bipolar
terdiri dari dua jenis, yakni transistor NPN dan
ransistor PNP.
Gambar 2. Transistor BJT PNP

II. LANDASAN TEORI

Terdapat suatu hubungan matematis antara
Transistor BJT besarnya arus kolektor (IC), arus Basis (IB),
Transistor merupakan salah satu dan arus emitor (IE), yaitu beta () =
komponen elektronika paling penting. penguatan arus DC untuk common emitter,
Terdapat dua jenis transistor berdasarkan alpha ()= penguatan arus untuk common
basis, dengan hubungan matematis sebagai
berikut.

Karakteristik sebuah transistor biasanya

diperoleh dengan pengukuran arus dan
tegangan pada rangkaian dengan
konfigurasi common emitter (kaki emitter
terhubung dengan ground), seperti
Gambar 4. Grafik karakteristik transistor Ic-Vbe
ditunjukkan pada gambar berikut ini.

Dari kurva di atas juga dapat diperoleh

transkonduktansi dari transistor, yang
merupakan kemiringan dari kurva di atas,
yaitu :

Kurva Karakteristik IC – VCE

Arus kolektor juga bergantung pada
tegangan kolektor-emitor. Titik kerja (mode
kerja) transistor dibedakan menjadi tiga
Gambar 3. Contoh rangkaian percobaan
karakteristik transistor bagian, yaitu daerah aktif, saturasi, dan cut-
off. Persyaratan kondisi ketiga mode kerja
Bias B-
Dari Terdapat dua buah kurva karakteristik Mode IC VCE VBE VCB C Bias B-E
yang dapat diukur dari rangkaian diatas,
kerja
yaitu:
 Karakteristik IC - VBE =VBE+VC
Aktif =.IB B ~0.7V 0 Reverse Forward
 Karakterinstik IC – VCE
Saturasi Max ~ 0V ~0.7V - Forward Forward
0.7V<VCE
Kurva Karakteristik IC – VBE <0

Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial =VBE+VC

dari tegangan , sesuai dengan persamaan : Cut-Off ~ 0 B 0 0 - -
/
= . Persamaan ini dapat ini dapat dirangkum dalam tabel berikut ini.
digambarkan sebagai kurva sperti ditunjukkan
pada gambar berikut :
Dalam kurva IC-VCE mode kerja transistor
ini ditunjukkan pada area-area dalam
gambar berikut ini.
Gambar 6. Rangkaian percobaan Karakteristik
Input Transistor IC-VBE
Gambar 5. Grafik karakteristik transistor Ic-Vce
III. METODOLOGI
1.1. ALAT DAN BAHAN
• Sumber tegangan DC
• Kit Percobaan Karakteristik
Transisitor dan Rangkaian Bias
• Sumber arus konstan
• Multimeter (2 buah)
• Osiloskop
1.2. LANGKAH PERCOBAAN
Percobaan 1. Karakteristik Input
Transistor IC-VBE
1. Ubah setting Sinyal Generator sehingga
mengeluarkan : (pastikan dengan
menyambungkannya ke osiloskop ber-
kopling DC)
a. Gelombang Segitiga ~1KHz.
b. Amplituda sinyal 0,8V
c. Set Ofsett positif sehingga nilai
minimum sinyal berada di titik
nol (ground).
2. Susunlah rangkaian berikut ini :
Percobaan
Transistor IC-VCE
3. Hubungkan osiloskop :
a. Probe positif (+) Ch-1 (X) ke titik B,
b. Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C,
c. Ground osiloskop ke titik A.
4. Gunakan setting osiloskop :
- Skala X pada nilai 0,1V/div dengan
kopling AC,
- Skala Y pada nilai 1V/div dengan
kopling DC, dan tekan tombol ‘invert’
nya.
- Osiloskop pada mode X-Y.
5. Tempatkan tegangan X minimum
pada garis grid paling kiri (nilai VBE
= 0). Tempatkan tegangan Y terkecil
(minimum) pada garis grid kedua
paling bawah (nilai IC = 0) . Apabila
kurva tampak sebagai dua garis, naik
atau turunkan frekuensi generator
sinyal hingga diperoleh kurva yang
lebih baik.
6. Gambarkan plot IC (mA) - VBE (Volt) di
BCL anda
Catatan : Skala Y osiloskop menunjukkan
tegangan pada resistor Rc. Arus kolektor
(Ic) adalah tegangan tersebut dibagi
resistansi itu (VY / RC), dengan nilai Rc
sekitar 82 Ω.
2. Karakteristik Output
 1. Ubah setting Sinyal
Generator sehingga
mengeluarkan : (pastikan
dengan menyambungkannya
ke osiloskop ber-kopling DC)
a. Gelombang Segitiga ~1KHz.
b. Amplituda sinyal 12Vpp
c. Set Ofsett positif sehingga
nilai minimum sinyal berada
di titik nol (ground).
2. Susunlah rangkaian seperti pada
gambar dibawah ini.
Gambar 7. Rangkaian percobaan Karakteristik
Input Transistor IC-VCE
3. Hubungkan Osiloskop ke rangkaian :
- Probe positif (+) Ch-1 (X) ke titik E,
- Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik A,
- Ground osiloskop ke titik C.
4. Gunakan setting osiloskop :
- Skala X pada nilai 1V/div dengan
kopling DC,
- Skala Y pada nilai 0,5V/div dengan
kopling DC, dan tekan tombol ‘invert’
nya.
- Osiloskop pada mode X-Y.
- Titik nol X (VCE = 0) pada di garis grid
ketiga dari kiri, dan titik nol Y (IC = 0)
pada garis grid kedua dari bawah.
5. Apabila kurva tampak sebagai dua garis,
naik atau turunkan frekuensi generator
sinyal hingga diperoleh kurva yang lebih
baik.
6. Amati kurva arus IC – VCE yang
ditunjukkan osiloskop. Gambarkan di
BCL anda.
7. Ubah-ubah nilai IB untuk semua nilai
keluaran sumber arus yang tersedia.
Sesuaikan skala Ch-2 untuk
mendapatkan pembacaan yang lebih
baik. Gambarkan semua kurva itu pada
grafik yang sama.
Percobaan 3. Early Effect
Dengan menggunakan rangkaian dan
setting pada percobaan karakteristik IC - VCE
sebelumnya :
1. Pilihlah nilai arus basis (IB) dari
sumber arus yang kemiringan
kurva-nya cukup besar
2. Pada kurva IC-VCE itu, pilihlah dua
titik koordinat yang mudah dibaca,
dan masih dalam garis lurus. Baca
dan catat nilai IC dan VCE pada
kedua titik tersebut.
Gambar 8. Grafik karakteristik transistor (early
effect)
3. Hitunglah nilai tegangan Early dengan
persamaan berikut :
− !
=
−
Dan catat pada BCP anda.
4. Pilih nilai arus basis (IB) yang lain,
dan lakukan langkah 1 s/d 3 diatas
untuk mengkonfirmasi nilai tegangan
Early yang sudah didapatkan.
Percobaan 4. Pengaruh bias pada
Penguat Transistor
1. Ubah setting Sinyal Generator sehingga
mengeluarkan : (pastikan dengan
menyambungkannya ke osiloskop)
a. Gelombang Sinusoid ~1KHz.
 b. Amplituda sinyal 50 mVpp (tarik
tombol amplituda agar didapat nilai
yang kecil)
c. Gunakan T konektor pada terminal
output.
2. Susunlah rangkaian seperti pada
gambar dibawah ini.
Gambar 9. Rangkaian percobaan Pengaruh bias
pada Penguat Transistor
3. Hubungkan Osiloskop ke rangkaian :
- Ch-1 (X) ke Generator Sinyal
dengan kabel koaksial konektor
BNC-BNC,
- Probe positif (+) Ch-2 (Y) ke titik C,
- Ground osiloskop ke titik E.
4. Gunakan setting osiloskop :
- Skala Ch-1 pada nilai 10mV/div
dengan kopling AC,
- Skala Ch-2 pada nilai 1V/div
dengan kopling AC,
- Osiloskop pada mode waktu
dengan skala horizontal 500µS/div.
- Titik nol Ch-1 dan titik nol Ch-2
pada garis tengah layar.
5. Gunakan multimeter digital pada
mode Volt-DC untuk mengukur
tegangan dari VCE.
6. Set IB pada 25µA (minimum sumber
arus).
7. Set RC minimum (sekitar 82 Ω).
8. Baca dan catat tegangan VCE
kemudian gambarkan bentuk
gelombang tegangan output VCE yang
ditunjukkan osiloskop. Amati adanya
distorsi pada bentuk gelombang
output.
9. Dari nilai IB dan VCE yang terbaca,
tentukan letak titik kerja kondisi ini
pada plot grafik IC-VCE yang telah
dibuat sebelumnya. Dengan
memperhatikan titik kerja ini, jelaskan
mengapa distorsi pada langkah-8 .
10. Ulangi langkah 7-10. Untuk nilai-nilai
IB : 200µA dan 400µA.
11. Ubah nilai RC menjadi nilai
maksimum-nya (sekitar 5KΩ). Ulangi
langkah 8-10 untuk nilai RC ini.
12. Ubah nilai IB menjadi 150µA. Atur
nilai RC sehingga VCE yang terbaca di
multimeter sekitar 5V. Amati dan
gambar bentuk tegangan yang terlihat
di osiloskop. Dari nilai IB dan VCE
yang terbaca, tentukan letak titik kerja
kondisi ini pada plot grafik IC-VCE
yang telah dibuat sebelumnya. Dengan
memperhatikan titik kerja ini, jelaskan
mengapa kondisi ini terjadi.
13. Naikkan amplitude input (dari
generator sinyal) hingga tampak
terjadi distorsi pada gelombang
tegangan output (VCE). Catat besar
amplituda input dan gambarkan
bentuk gelombang outputnya.
14. Naikkan lagi amplituda input. Amati
apakah amplituda gelombang output
masih bisa membesar, dan catat nilai
maksimum amplituda tersebut.
IV. HASIL DAN ANALISIS
Percobaan 1. Karakteristik Input
Transistor IC-VBE
Pada percobaan ini kita merangkai rangkaian
percobaan pada breadboard seperti pada gambar
di modul, ikuti setiap langkah langkah
percobaan. Lalu mengamati bentuk sinyal yang
ditampilkan oleh osiloskop.
Setting output dalammode X-Y. Dan grafik
sinyal yang didapat sebagai berikut :
Gambar 10. Garfik mode X-Y percobaan
Karakteristik Input Transistor IC-VBE
Hasil grafik dengan sinyal 1 = 100mV dan sinyal
2 = 1 V.

Percobaan 2. Karakteristik Output

Transistor IC-VCE

Percobaan 4. Pengaruh bias pada

Penguat Transistor
Kami terkendala dalam percobaan ketiga kami
tidak mendapatkan hasil dari percobaan secara
Gambar 11. Garfik mode X-Y percobaan fisik, dan kami melakukan percobaan pada
Karakteristik Input Transistor IC-VCE aplikasi multisim sebagai simulasi, dan kami
mendapat bentuk sinyal sinusoidal seperti
Hasil grafik dengan sinyal 1 = 5 V dan sinyal 2 berikut:
= 20 mV
Terdapat noise(kekeliruan) pada percobaan ini,
salah satunya karena kabel penghubung yang
sudah tidak bagus dan peralatan praktikum yang
mengalami perubahan suhu, sehingga membuat
keakuratan tampilan dan proses terganggu.
Hasil pada percobaan kedua ini berpengaruh
pada percobaan ketiga, yang merupakan
penghitungan dari beberapa koefisien dari hasil
percobaan 2.

Percobaan 3. Early Effect

Pada percobaan ketiga ini, kita melakukan
penghitungan dari nilai koefisien yang didapat
dari percobaan kedua menggunakan rumus
berikut,
− !
=
−
V.
namun pada percobaan kedua kami mengalami
banya kesalahan, sehingga kami bingun dan
tidak dapat mengerjakan percobaan ketiga, dan
saya meminta data kepada kelompok lain, dan
beikut data yang kami dapatkan :
Gambar 11. referensi hasil yang
seharunya di dapatkan
KESIMPULAN
• Karakteristik input transistor menunjukan
hubungan ekponensial sesuai dengan
rumus Ic = Is.eVbe/VT. Lalu nilai
transkonduktansi (gm) transistor dapat
diketahui dengan mengukur kemiringan
kurva Ic-Vbe.
• Efek Early dapat dicari denganpendekatan
linear. Yaitu dengan menarikgaris
sepanjang sumbu x dari kemiringankurva.
Namun nilai efek early yangdidapatkan
pada percobaan ini kurangakurat yang
 diduga disebabkan karenaperubahan suhu
yang dialami transistor.
• Distorsi terjadi saat Vce mulai dari 6.3
Vhingga tegangan mencapai 9 V

VI. REFERENSI
[1] ModulpraktikumPengolahanSinyal Digital
InstitutTeknologi Sumatra 2018

[2] SetiadiRosanaDewiAmelinda 2015.

LaporanPraktikumRangkaianLogikaSekuensial ITB.
Bandung. [online]: tersediadi : http://scribd.com

Lampiran