PERCOBAAN III

KARAKTERISTIK BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR

3.1 Tujuan
1. Memeriksa serta menentukan jenis dari BJT (NPN dan PNP).
2. Meneliti dan mempelajari karakteristik BJT.
3.2 Tinjauan Pustaka

3.2.1 Transistor

Transistor adalah piranti atau komponen elektronika aktif yang

mempunyai tiga terminal yang terbuat dari bahan semikonduktor. Transistor
dapat bersifat isolator atau konduktor, kemampuan transistor ini memungkinkan
transistor digunakan untuk "switching" (pada elektronika digital) atau
"amplification (penguatan)" (pada elektronika analog).

Transistor adalah sebuah akronim dari “Transfer Resistor” yang

menggambarkan fungsinya, yaitu suatu komponen yang nilai resistansi antara
terminalnya dapat diatur.

BJT adalah sebuah divais 3 terminal yang dipakai untuk berbagai

pemakaian seperti penguatan sinyal, perancangan rangkaian logika digital dan
rangkaian memori. Prinsip dasarnya adalah penggunaan tegangan antara dua
terminal untuk mengendalikan arus pada terminal ketiga. Jadi BJT dapat
digunakan untuk membuat sebuah sumber terkendali.

BJT banyak dipakai dalam aplikasi rangkaian analog terutama untuk

rangkaian frekuensi tinggi (RF) untuk sistem nirkabel. Untuk rangkaian logika
digital kecepatan tinggi, penggunaan BJT dikenal dengan emitter-couple-logic.

Kombinasi antara MOSFET dan BJT (BiCMOS) mempunyai keunggulan

yaitu: resistansi input dan penggunaan daya rendah dari MOSFET dan
pengoperasian pada frekuensi tinggi dan kemampuan arus ‘driving’ yang tinggi
dari BJT.

3.2.2 Transistor Bipolar

Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia

elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier
(penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil
(stabilisator) dan penguat sinyal radio.

1. Konstruksi Transistor bipolar

Transistor Bipolar - Bipolar Junction Transistor (BJT) memiliki 3 terminal,

yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C).

Bipolar Junction Transistor (BJT) dibentuk dari 2 buah “P-N Junction”,

sehingga transistor ini dapat dianalogikan sebagai penggabungan 2 buah dioda.
“P-N Junction” pertama adalah Emiter-Basis dan “P-N junction” kedua adalah
Basis-Kolektor. Seperti pada dioda, arus hanya akan mengalir hanya jika diberi
bias positif (forward bias). Jadi untuk bekerja transistor juga membutuhkan arus
bias. Jadi prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil
mengatur besar arus kolektor-emiter.

Ada dua jenis konstruksi transistor bipolar yaitu PNP dan NPN, beda
keduanya terletak pada susunan semikonduktor tipe-P dan tipe-N transistor
tersebut. Dengan perbedaan susunan ini maka operasi kedua transistor ini juga
berbeda. Simbol antara BJT jenis PNP dan NPN juga berbeda, PNP mempunyai
symbol dengan tanda panah pada emitter ke arah dalam sedangkan NPN
sebaliknya panah pada emitter berarah keluar.

Gambar 3.1 Struktur sederhana transistor npn

 Gambar 3.2 Struktur sederhana transistor pnp

Transistor terdiri dari 2 pn junction: emitter-base junction (EBJ) dan

collector-base junction (CBJ). Bipolar Junction Transistor (BJT) merupakan
“current-amplifying device”, artinya BJT mengontrol jumlah arus yang mengalir
pada basis dengan cara mengatur arus zyang mengalir pada kolektor.

Mode kerja BJT

Gambar 3.3 Kurva Hubungan VCE, IC dan IB

Berdasarkan Gambar 3.3 kurva Hubungan VCE, IC dan IB ada beberapa

region yang menunjukkan daerah kerja transistor. Pertama adalah daerah
saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah aktif dan seterusnya daerah
breakdown.
Konfigurasi Bipolar Junction Transistor

Karena Bipolar Transistor merupakan komponen atau piranti yang

mempunyai tiga terminal, maka dimungkinkan memiliki 3 konfigurasi rangkaian
yaitu common base, common collector dan common emitter, ketika merancang
suatu rangkaian transistor tiga konfigurasi inilah yang digunakan. Perancangan
rangkaian transistor mengacu pada sifat dan karakteristik masing-masing
konfigurasi transistor.

Perancangan rangkaian transistor biasanya mengacu pada beberapa

parameter berikut:

 Voltage Gain (Penguatan Tegangan)

 Current Gain (Penguatan Arus)
 Impedansi input
 Impedansi output
 Frekuensi respon

1. Common Base Configuration - Mempunyai “Voltage Gain” tanpa “Current

Gain”. Konfigurasi transistor penguat basis biasanya digunakan pada aplikasi di
mana diperlukan impedansi input yang rendah.

2. Common Emitter Configuration - Mempunyai “Current dan Voltage Gain”.

Konfigurasi transistor penguat emiter merupakan konfigurasi transistor yang
paling banyak digunakan. Konfigurasi ini sering terlihat sebagai format umum
untuk transistor penguat tegangan. Konfigurasi transistor penguat emiter
digunakan untuk penguat dan sebagai output logika.

3. Common Collector Configuration - Mempunyai “Current Gain Tanpa Voltage

Gain”. Konfigurasi transistor penguat collector digunakan pada banyak aplikasi.
konfigurasi CC ini bisa berfungsi sebagai buffer.
 Gambar 3.4 Konfigurasi rangkaian CB, CE dan CC

Karakteristik Arus – Tegangan

Polaritas dari transistor ditunjukkan oleh arah panah pada emitter. Arah
panah ini menunjukkan aliran arus normal pada emitter yang juga menunjukkan
arah maju dari EBJ. Gambar 4 menunjukkan arah arus yang sama dengan arah
arus normal. Dalam hal ini tidak ada harga negatif untuk iE, iB dan iC.

Gambar 3.5 Simbol rangkaian BJT

Sebuah transistor npn yang EBJ nya forward bias akan bekerja pada mode aktif
jika tegangan collector tidak lebih rendah 0,4 V dari tegangan base. Jika lebih
rendah dari 0,4 V, transistor akan bekerja pada mode jenuh. Sebuah transistor
pnp yang EBJ nya forward bias akan bekerja pada mode aktif jika tegangan
collector tidak lebih tinggi 0,4 V dari tegangan base. Jika lebih tinggi dari 0,4 V,
transistor akan bekerja pada mode jenuh.

Karakteristik Arus – Tegangan

Gambar 3.6 Polaritas tegangan dan aliran arus dalam transistor yang di bias dalam
mode aktif

Polaritas dari transistor ditunjukkan oleh arah panah pada emitter. Arah
panah ini menunjukkan aliran arus normal pada emitter yang juga menunjukkan
arah maju dari EBJ. Gambar 3.6 menunjukkan arah arus yang sama dengan
arah arus normal. Dalam hal ini tidak ada harga negatif untuk i E, iB dan iC. Sebuah
transistor npn yang EBJ nya forward bias akan bekerja pada mode aktif jika
tegangan collector tidak lebih rendah 0,4 V dari tegangan base. Jika lebih rendah
dari 0,4 V, transistor akan bekerja pada mode jenuh.

Sebuah transistor pnp yang EBJ nya forward bias akan bekerja pada
mode aktif jika tegangan collector tidak lebih tinggi 0,4 V dari tegangan base. Jika
lebih tinggi dari 0,4 V, transistor akan bekerja pada mode jenuh.

Ringkasan hubungan arus – tegangan dari BJT pada mode aktif

v /V
i C =I S e BE T
i
β ( )
I
β
v /V
i B= C = S e BE T

i
α ( )
I
α
v /V
i E= C = S e BE T
Catatan: untuk transistor pnp, gantilah vBE dengan vEB

iE
i C =αi E i B =( 1−α ) i E=
β +1
i C =βi B i E =( β +1 ) i B
α β
β= α=
α−1 β +1

VT = tegangan termal = kT/q ≈ 25 mV pada suhu kamar

Tampilan Grafis dari Karakteristik Transistor

Gambar 3.7 Karakteristik iC – vBE dari sebuah transistor npn

Karakteristik Common-Emitter

Gambar 3.8 Karakteristik common-emitter

Pada kurva ini yang menjadi parameter adalah arus base i B. Setiap kurva iC – vCE
diukur dengan mencatu base dengan arus IB yang konstan. Kurva yang
dihasilkan tampak sama dengan karakteristik pada Gambar 3.8 hanya di sini
terlihat gejala breakdown dan koefisien arah pada kurva berbeda dengan kurva
pada Gambar 3.8 .

Penguatan arus common-emitter β.

β didefinisikan sebagai perbandingan antara total arus pada collector dan

total arus pada base. β mempunyai harga yang konstan untuk sebuah transistor,
tidak tergantung dari kondisi kerja.

Pada Gambar 3.8 sebuah transistor bekerja pada daerah aktif di titik Q yang
mempunyai arus collector ICQ, arus base IBQ dan tegangan collector – emitter
VCEQ. Perbandingan arus collector dan arus base adalah β sinyal besar atau dc.
I CQ
β dc ≡
I BQ
βdc juga dikenal sebagai hFE.

Dengan tegangan vCE tetap perubahan iB dari IBQ menjadi (IBQ + ∆iB)
menghasilkan kenaikan pada iC dari ICQ menjadi (ICQ + ∆iC)
ΔiC
β ac ≡ |v =kons tan
ΔiB CE

βac disebut β ‘incremental’. βac dan βdc biasanya berbeda kira-kira 10% – 20%. βac
disebut juga β sinyal kecil yang dikenal juga dengan hfe. β sinyal kecil
didefinisikan dan diukur pada vCE konstan, artinya tidak ada komponen sinyal
antara collector dan emitter, sehingga dikenal juga sebagai penguatan arus
hubung singkat common-emitter.

3.3 Daftar Komponen dan Alat

1. Modul praktikum elektronika dasar
2. Osiloskop dua channel 1 buah
3. Multimeter analog maupun digital 2 buah
4. Variable Power supply 2 buah
5. Kertas milimeter block Secukupnya
6. Disket 3½ “ 1,44 MB
7. Flash disk
8. Mistar
9. Datasheet transistor yang digunakan
 3.4 Cara Kerja
3.4.1 Pengujian kondisi BJT
1. Untuk BJT periksalah kondisi transistor, dengan cara memeriksa dioda
emitter dan dioda kolektor dari transistor.
2. Isilah tabel 4.1.

Tabel 4.1 Resistansi dioda BJT

N BJT Avo Hambatan Dioda Keadaan Keteran-
o. No Type Me- Ba- Emit- Ba- Kolek- Baik Buruk gan
ter sis ter sis tor
1. BC54 NPN Ana-              
7 log
2. BC55 PNP Ana-              
7 log

4.2 Karakteristik BJT Dengan Multimeter

1. Buat rangkaian seperti pada gambar 4.1.
2. Aturlah tegangan catu basis dan tegangan catu kolektor sehingga
didapatkan harga-harga IB dan VCE sesuai dengan tabel 4.2.
3. Gunakan multimeter digital untuk mengukur IB (Tegangan dari RB), IC
(tegangan dari RC), dan VCE.
4. Catat pengamatan anda pada tabel 4.2.

RC

BC 547
Q1
RB

VCC
NPN
IB VCE

VBB BE

Gambar 4.1 Rangkaian karakteristik BJT dengan Multimeter

Tabel 4.2 Hasil pengamatan karakteristik BJT dengan Multimeter
IB VCE
Ie VBE IE βdc αdc Keterangan
mA V
0.0
0.1
0.2
0.5
1.0

PERCOBAAN III
TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT DAN SEBAGAI SAKLAR

3.1 Tujuan
1. Mengetahui karakteristik transistor sebagai penguat dan sebagai saklar
3.2 Tinjauan Pustaka
3.1 Bias dalam Transistor BJT
Analisis atau desain terhadap suatu penguat transistor memerlukan informasi men-
genai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua mode tersebut bisa dianal-
isa secara terpisah. Dalam tahap desain maupun sintesis, pilihan parameter untuk level
DC yang dibutuhkan akan mempengaruhi respon AC-nya. Demikian juga sebaliknya.
Persamaan mendasar dalam transistor yang penting adalah :

Gambar 3.1 Persamaan dasar transistor

Dalam mencari solusi dari suatu rangkaian, umumnya nilai arus basis IB yang per-
tama dihitung. Ketika IB sudah diperoleh, hubungan persamaan di atas bisa digunakan
untuk mencari besaran yang diinginkan. Titik Operasi (Q) Bias pemberiaan tegangan DC
untuk membentuk tegangan dan arus yang tetap. Tegangan dan arus yang dihasilkan
menyatakan titik operasi (quiescent point) atau titik Q yang menentukan daerah kerja
transistor.
 Pada gambar di bawah di tunjukkan 4 buah titik kerja transistor. Rangkaian bias
bisa di-disain untuk memperoleh titik kerja pada titik-titik tersebut, atau titik lainnya dalam
daerah aktif. Rating maksimum ditentukan oleh I c max dan VCE max. Daya maksimum di-
batasi oleh kurva Pc max. BJT bisa di-bias di luar batasan maksimum tersebut, tapi bisa
memperpendek usia piranti atau bahkan merusaknya. Untuk kondisi tanpa bias, piranti
tidak bekerja, hasilnya adalah titik A dimana arus dan tegangan bernilai nol.

Gambar 3.2 Grafik Bias

Supaya BJT bisa di-bias dalam daerah linear (daerah aktif), beberapa syarat
berikut harus dipenuhi :
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias).
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias).
Daerah kerja transistor (cut-off, aktif atau saturasi) ditentukan oleh bias yang
diberikan pada masing-masing junction :
1. Daerah aktif/daerah linear
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias)-
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias).
2. Daerah saturasi
- Junction base-emitter dibias maju (forward bias).
- Junction base-collector dibias maju (forward bias)
3. Daerah cut-off.
- Junction base-emitter dibias mundur (reverse bias)
- Junction base-collector dibias mundur (reverse bias).
3.2 Fixed Bias
Bias model ini ditunjukkan pada gambar berikut.

Gambar 4.2 Bias Model

Rangkaian di atas menggunakan transistor npn. Untuk transistor pnp, persamaan

dan perhitungan adalah serupa, tapi dengan arah arus dan polaritas tegangan
berlawanan. Untuk analisis DC, rangkaian bisa di-isolasi (dipisahkan) dari input AC den-
gan mengganti kapasitor dengan rangkaian terbuka (open circuit). Untuk tujuan analisis,
supply tegangan VCC bisa dipisahkan menjadi dua, masing-masing untuk input dan out-
put. Rangkaian pengganti DC menjadi :
 Gambar 4.3 Bias Model npn

3.3 Bias Maju Basis-Emitter

a. Loop basis-emitter :

Gambar 4.4 Loop Basis Emitter

Dengan hukum tegangan Kirchhoff :
VCC + IBRB + VBE = 0

Perhatikan polaritas tegangan drop di RB. Arus basis IB menjadi :

Dan, VBE = VB - VE

b. Loop collector-emitter
VCE = VCC – ICRC
VCE = VC - VE

Saturasi transistor Transistor saturasi jika juction base collector tidak lagi dibias
mundur
VCE = 0 V ICsat
= VCC/RC

3.4 Bias Emitter stabil

 Gambar 4.5 Bias Emitter Stabil
a. Loop Base-Emitter

VCC – IBRB – VBE – IERE = 0

b. Loop Collector - Emitter

VCC = IERE + VCE + ICRC

Saturasi :
V CC
I c sat=
(RC + R E )

3.5 Bias Pembagi Tegangan

Gambar 4.6 Bias Pembagi Tegangan

3.6 Bias dengan umpan balik
Untuk meningkatkan stabilitas bisa dilakukan dengan memberikan umpan balik
dari collector menuju base.

Gambar 4.7 Bias Dengan Umpan Balik

Persamaan tegangan untuk loop di sebelah kiri (loop base-emitter) :

'
V CC −I C RC −I B R B−V BE−I E R E=0
'
Perhatikan bahwa arus IC yang masuk ke kaki collector berbeda dengan I C ,
dimana :
I ' C =I B + I C
Tapi nilai I+ yang jauh lebih kecil bisa diabaikan untuk memperoleh persamaan
'
yang lebih sederhana (asumsi I C ≅ IC ≅ βIB dan IC ≅ IE) :

V CC −β I B RC −I B R B−V BE−β I B R E =0
V CC −V BE −β I B ( R C + R E )−β I B R B =0

Sehingga :
a. Loop collector-emitter

Gambar 4.8 Loop collector-emitter

IERE + VCE + I’CRC = VCC

Dengan I’C ≅ IC dan IC ≅ IE maka
VCC = IC (RC + RE) + VCE
VCE = VCC - IC (RC + RE)

3.7 Transistor Sebagai Saklar

Jika sebuah transistor digunakan sebagai saklar, maka transistor tersebut hanya
dioperasikan pada salah satu dari dua kondisi (mode), yaitu kondisi saturasi (jenuh) di-
mana transistor seperti saklar tertutup atau kondisi cut off (tersumbat) dimana transistor
sebagai yang terbuka. Sedangkan jika transistor bekerja pada on atau off, maka transis-
tor akan bekerja sebagai penguat yaitu jika V BE transistor lebih besar 0,5 volt dan lebih
kecil dari 0,8 volt.
Ketika transistor berada dalam kondisi saturasi, maka :
1. Arus pada kolektor maksimum, Ic = Ic (sat).
2. Tegangan pada terminal kolektor emitter, Vce = 0 volt
3. Tegangan pada beban yang dihubungkan seri dengan terminal kolektor = Vce.

Sedangkan transistor dalam keadaan cut off, maka :

1. Tidak ada arus yang mengalir dikolektor IC = 0 volt.
2. Tegangan pada terminal kolektor emitter dengan VCE, yaitu VCE = VCE.
 3. Tegan- gan pada beban
dihubungkan seri pada kaki kolek-
tor adalah nol.
Dalam merancang
rangkaian tran- sistor sebagai
saklar maka agar saklar dapat
menutup, harga IB > I B (sat) untuk
menjamin dapat mencapai sat-
urasi penuh. Se- buah saklar ideal
harus mempun- yai karakteristik
pada keadaan “off” ia tidak dapat dilalui arus sama sekali dan pada keadaan “on” ia tidak
mempunyai tegangan drop. Komponen transistor dapat berfungsi sebagai saklar,
walaupun bukan sebagai saklar ideal. Untuk dapat berfungsi sebagai switch, maka titik
kerja transistor harus dapat berpindah-pindah dari daerah saturasi (saklar dalam keadaan
“on”) ke daerah cut-off (saklar dalam keadaan “off”). Untuk jelasnya lihat gambar di
bawah ini.

Gambar 4.9 Kurva Daerah Kerja Transistor

3.3 Daftar Komponen dan Alat

1. Modul praktikum elektronika dasar.
2. Multimeter digital 2 buah
3. Variable Power supply 2 buah
4. Kertas milimeter block Secukupnya
5. Multimeter
6. Oscilloscope
7. Kabel penghubung
8. Disket 3½ “ 1,44 MB
 9. Flash disk
10. Mistar
11. Datasheet transistor yang digunakan

3.4 Langkah Percobaan

3.4.1 Fixed Bias Confoguration
1. Sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya h FE atau βde transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 4.10
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor
dingin).
4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE.
5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 4.1

RC
72K Ω
RB RESISTOR 120K Ω
RESISTOR

C2

V0
CAPACITOR
Q1 VCC
C1
4.7 µF BC 547
12 V
BATTERY
NPN
V1 CAPACITOR
βde

Gambar 4.10 Konfigurasi Fixed Bias

Tabel 4.1 Hasil Pengamatan hFE Fixed bias

 Waktu βd
IB IC VCE VBE Keterangan
(menit) e
0
2
5

3.4.2 Emitter Stabilized Bias

1. Sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya h FE atau βde transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 4.11
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor
dingin).
4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari I B, IC, VCE, dan VBE.
5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 4.2

RB 15K Ω 100 Ω
RC
RESISTOR RESISTOR

C2
4.7 µF

CAPACITOR
Q1
C1
BC 547
4.7 µF 12 V
BATTERY
V1 NPN
CAPACITOR
βde

33 Ω
RE
RESISTOR

Gambar 4.11 Konfigurasi Emitter stabilized bias

Tabel 4.2 Hasil Pengamatan hFE Emitter Stabilized Bias

 Waktu
IB IC VCE VBE βde Keterangan
(menit)
0
2
5

3.4.3 Voltage Divider Bias

1. Sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya h FE atau βde transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 4.12

3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor
dingin).
4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari I B, IC, VCE, dan VBE.

5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 4.3

15K Ω 100 Ω
R1 RC RESISTOR
RESISTOR

C2
4.7 µF

CAPACITOR
Q1
C1 BC 547
4.7 µF
12 V
NPN BATTERY
V1
CAPACITOR

βde

R2 2.2K Ω 33 Ω
RE RESISTOR
RESISTOR

Gambar 4.12 Konfigurasi Voltage Divider Bias

Tabel 4.3 Hasil Pengamatan hFE Voltage Divider Bias

 Waktu Βd
IB IC VCE VBE Keterangan
(menit) e
0
2
5
3.4.4 Voltage Collector Feedback Bias
1. Sebelum transistor dirangkai, ukurlah dahulu besarnya h FE atau βde transistor
dengan multimeter digital.
2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar 4.13
3. Setiap mulai mengukur, matikanlah dulu catu daya selama 5 menit (agar transistor
dingin).
4. Kemudian on-kan catu daya dan segera ukur dan catat nilai dari I B, IC, VCE, dan VBE.
5. Setiap 5 menit catatlah nilai dari IB, IC, VCE, dan VBE. Isi tabel 4.4

RC 100 Ω
RESISTOR

RF 28K Ω C2
4.7 µF

RESISTOR V0 CAPACITOR
C1
4.7 µF BC 547

V1 NPN
CAPACITOR 12 V
Q1 BATTERY

RE 33 Ω
RESISTOR

Gambar 4.13 Konfigurasi Voltage Collector Feedback Bias

Tabel 4.4 Hasil Pengamatan hFE Voltage Collector Feedback Bias

Waktu βd
IB IC VCE VBE Keterangan
(menit) e
0
2
5

4.5 Emitter Follower

1. Hubungkan kabel AC ke sumber AC.
2. Gunakan gambar 4.14 untuk memandu percobaan.
3. Gunakan kabel penghubung untuk membuat rangkaian seperti pada gambar di
bawah.
 12 V
R1 470K

Q2
B A C1
+ - 2N 21
22 F
1K C2
+ -
100 F

VS V in R2 S1
3K3 O UT
1000 Hz C RL
500 O hm
Gambar 4.14 Emitter - Follower

4. Buka saklar S2 dan S3, tutup saklar S1

5. Hidupkan power supply
6. Atur function generator pada output nol. Hubungkan oscilloscope pada titik DF dan
atur penunjukan yang paling tepat.
7. Tutup S1, perlahan-lahan naikkan penguatan pada function generator sampai 150
MV, perhatikan pada oscilloscope.
8. Catat hasilnya pada tabel 4.5

Tabel 4.5 Hasil Pengamatan hFE Emitter Follower

Vout Vin Gain VAB Iin Rin P
(V) (V) Vout/Vin (V) (A) (Ohm) (Watt)

9. Ukur dan catat tegangan input pada titik AC.

10. Hitung dan catat penguatan tegangan Vout / Vin

3.5 Data Hasil Percobaan

Tabel 3.8 Resistansi Dioda BJT
BJT Hambatan Dioda Keadaan
AVO
No Basis
No Type meter Basis Kolektor Baik Buruk
Emiter
1 BC547 NPN Analog - - √
2 BC557 PNP Analog 90 Ω 90 Ω √

Tabel 3.9 Hasil Pengamatan hFE Fixed Bias

βde
Waktu IB IC VCE VBE
(menit) (mA) (mA) (mV) (V) ( )
IC
IB

0 0,10 0,8 5,5 0,616 8

2 0,11 0,10 4,8 0,621 0,9
5 0,10 0,8 5,5 0,616 8

Tabel 3.10 Hasil Pengamatan hFE Emitter Stabilized Bias

βde
Waktu IB IC VCE VBE
(menit) (mA) (mA) (V) (Volt) ( )
IC
IB

0 0,51 73,0 3,690 3,12 143,13

2 0,61 89,5 4,12 3,16 146,72
5 0,51 73,0 3,690 3,12 143,13

Tabel 3.11 Hasil Pengamatan hFE Voltage Divider Bias

Waktu IB IC VCE VBE Βde
 (menit) (mA) (mA) (V) (Volt) ( )
IC
IB

0 0,07 21,41 9,75 1,363 305,85

2 0,08 24,89 10,15 1,472 311,12
5 0,07 21,41 9,75 1,363 305,85

Tabel 3.12 Hasil Pengamatan hFE Voltage Collector Feedback Bias

βde
Waktu IB IC VCE VBE
(menit) (mA) (mA) (V) (Volt) ( )
IC
IB

0 0,14 50,6 6,8 0,712 361,42

2 0,18 54,9 7,33 2,464 305
5 0,14 50,6 6,8 0,712 361,42

Tabel 3.13 Hasil Pengamatan hFE Emitter Follower

Kondisi Vout Vin Gain VAB Iin Rin P
Saklar (V) (V) Vout/Vin (V) (µA) (kΩ) (W)
Terbuka 6,60 8 0,825 0,006 5,6 1 44,8
Tertutu
4,60 8 0,515 0,012 15,2 1 121,6
p

1.6 Analisa Data Hasil Percobaan

3.6.1 Testing Kondisi Dioda BJT
Sebuah transistor berada dalam kondisi baik apabila mempunyai
suatu nilai hambatan dan berada dalam kondisi buruk apabila nilai
hambatannya nol atau tidak bisa di hitung nilainya.
Pemeriksaan BJT dilakukan dengan cara memeriksa hambatan
dioda emiter dan dioda kolektornya. Antara basis dan emitor terdapat satu
sambungan PN. Maka jelas,sifat pada sambungan ini sama dengan sifat
diode. Biasanya dalam rangkaian transistor dipakai sambungan PN dalam
keadaan bias maju sehingga antara arus dan voltase basis-emitor
terdapat hubungan seperti pada diode.
Berdasarkan percobaan yang telah dilakukan, dapat diperoleh data
pemeriksaan kondisi transistor jenis NPN (BC547) dan jenis PNP (BC557)
sebagai berikut.

Tabel 3.14 Testing Kondisi Dioda BJT

BJT Hambatan Dioda Keadaan
AVO
No Basis
No Type meter Basis Kolektor Baik Buruk
Emiter
1 BC547 NPN Analog - - √
2 BC557 PNP Analog 100Ω 85 Ω √

Dari tabel 3.14 dapat dilihat bahwa pada pengujian transistor BJT
type NPN ketika Basis-Emiter dikenakan arus maju artinya pada Basis
dikenakan kutub positif sumber listrik dan Emiter dikenakan kutub negatif
sumber listrik pada Avometer tidak terlihat adanya resistansi yang terukur.
Pada Basis-Kolektor, ketika dikenakan arus maju, yaitu Kolektor
dikenakan kutub negatif sumber listrik dan Basis dikenakan kutub positif
sumber listrik maka pada Avometer juga tidak menunjukkan hasil. Hal ini
menandakan bahwa transistor tersebut dalam keadaan buruk, karena
pada transistor type NPN arus akan mengalir dari bagian P ke bagian N
atau dari kaki Basis ke kaki Emiter dan dari kaki Basis ke kaki Kolektor.
 Pada pengujian transistor BJT type PNP, ketika dikenakan arus maju
pada Basis-Emiter dan Basis-kolektor pada Avometer tidak menunjukkan
hasil pengukuran (mati), sedangkan pada saat dikenakan arus mundur
Avometer menunjukkan hasil pengukuran. Hal ini menandakan bahwa
transistor tersebut dalam keadaan baik, sesuai dengan sifat
semikonduktor yang hanya akan mengalirkan arus dari P ke N atau
dengan kata lain, pada Transistor PNP arus akan mengalir dari Emiter ke
Basis dan dari Kolektor ke Basis.

1
2
3
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.6.1
3.6.2 Fixed Bias Configuration

Gambar 3.19 Rangkaian Konfigurasi Fixed Bias

 Pada percobaan ini awalnya rangkaian disusun seperti yang terlihat
pada gambar 3.19 kemudian kita dapat diukur arus pada basis, arus pada
kolektor, tegangan pada basis dan tegangan pada kolektor. Setelah
diperoleh hasil pengukuran bandingkan hasil pengukuran dan teori,
dimana untuk perhitungan secara teori dapat dilakukan dengan
persamaan :
 Waktu 0 menit
V s−V ce V s−V Be
I C= I B=
RC RB
12−0,649 12−0,0079
I C= 3
I B= 3
120 ∙10 72∙ 10
I C =0,094 mA I B=0,166 mA
Perbandingan antara arus pada kolektor dan arus pada basis pada
saat praktikum dapat dihitung dengan menggunakan persamaan :
IC
βde= ....................................................(3.1)
IB
Keterangan :
βde = perbandingan I B dan I C
IC = Arus pada collector
IB = Arus pada basis
 Waktu 0 menit
IC
βde=
IB
0,094 mA
βde=
0,166 mA
βde=0,567 mA

Untuk perhitungan dengan lama waktu tertentu dapat dilakukan

dengan rumus atau persamaan yang sama. Sehingga dimasukan ke
dalam table sebagai berikut :
Tabel 3.15 Hasil Perhitungan hFE Fixed Bias secara teori
 βde
Waktu IB IC VCE VBE
(menit) (mA) (mA) (V) (V) ( )
IC
IB

0 0,166 0,0946 0,649 0,0079 0,57

2 0,166 0,0946 0,650 0,0079 0,57
5 0,166 0,0946 0,650 0,0079 0,57

Dari hasil perhitungan yang dilakukan diperoleh perbandingan antara

arus kolektor dan arus basis pada rangkaian. Dimana perbandingan ini
juga merupakan penguat dari transistor itu sendiri. Pada tabel 3.14 tidak
terdapat perbedaan nilai perbandingan dengan lama waktu transistor itu
bekerja. Secara teori, semakin lama waktu kerja dari transistor maka
semakin rendah nilai gain yang dihasilkan semakin lama kerja transistor
juga mengakibatkan panas dalam komponen. Ini juga memberikan arti jika
transistor tidak baik bekerja dalam jangka waktu yang lama dengan
frekuensi tinggi.

3.6.3 Emitter Stabilized Bias

Gambar 3.20 Rangkaian Konfigurasi Emitter stabilized bias

Pada percobaan ini awalnya rangkaian disusun seperti yang terlihat
pada gambar 3.21 kemudian dapat diukur arus pada basis, arus pada
kolektor, tegangan pada basis dan tegangan pada kolektor. Setelah
diperoleh hasil pengukuran bandingkan hasil pengukuran dan teori,
dimana untuk perhitungan secara teori dapat dilakukan dengan
persamaan sebelumnya, sehingga di dapat hasil pada table 3.15
Tabel 3.17 Hasil Pengamatan hFE Emitter Stabilized Bias
βde
Waktu IB IC VCE VBE
(menit) (mA) (mA) (V) (Volt) ( )
IC
IB

0 0,245 0,099 2,053 8,33 0,04

2 0,245 0,0995 2,050 8,32 0,04
5 0,243 0,0992 2,076 8,36 0,04

Secara umum karakteristik gain transistor yang digunakan pada

percobaan ini sama dengan percobaan sebelumnya hanya saja terdapat
perubahan rangkaian dengan penambahan resistor. Namun perubahan
dengan lama waktu kerja transistor menyebabkan turunnya nilai tegangan
output dari transistor.

3.6.4 Voltages Divider Bias

Gambar 3.21 Rangkaian Konfigurasi Voltage Divider Bias

Pada percobaan ini awalnya rangkaian disusun seperti yang terlihat
pada gambar 3.22 kemudian dapat diukur arus pada basis, arus pada
kolektor, tegangan pada basis dan tegangan pada kolektor. Setelah
diperoleh hasil pengukuran bandingkan hasil pengukuran dan teori,
dimana untuk perhitungan secara teori dapat dilakukan dengan
persamaan sebelumnya, sehingga di dapat hasil pada table 3.16
Tabel 3.18 Hasil Pengamatan hFE Voltage Divider Bias secara teori
βde
Waktu IB IC VCE VBE
(menit) (mA) (mA) (V) (Volt) ( )
IC
IB

0 0,706 0,0195 10,05 1,412 0,0276

2 0,7064 0,022 9,80 1,404 0,031
5 0,7075 0,0217 9,83 1,387 0,306

Secara umum karakteristik transistor yang digunakan pada

percobaan ini sama dengan percobaan sebelumnya hanya saja terdapat
perubahan rangkaian dengan penambahan resistor. Namun perubahan
dengan lama waktu kerja transistor menyebabkan turunnya nilai tegangan
output dari transistor.
3.6.5 Voltage Collector Feedback Bias

Gambar 3.22 Rangkaian Konfigurasi Voltage Collector Feedback Bias

Pada percobaan ini awalnya rangkaian disusun seperti yang terlihat
pada gambar 3.23 kemudian dapat diukur arus pada basis, arus pada
kolektor, tegangan pada basis dan tegangan pada kolektor. Setelah
diperoleh hasil pengukuran bandingkan hasil pengukuran dan teori,
dimana untuk perhitungan secara teori dapat dilakukan dengan
persamaan sebelumnya, sehingga di dapat hasil pada table 3.17
Tabel 3.19 Hasil Pengamatan hFE Voltage Collector Feedback Bias secara teori
βde
Waktu IB IC VCE VBE
(menit) (mA) (mA) (V) (Volt) ( )
IC
IB

0 0,633 0,0524 6,76 2,495 0,083

2 0,633 0,0516 6,84 2,505 0,0815
5 0,643 0,0545 6,55 2,360 0,085

Secara umum karakteristik gain transistor yang digunakan pada

percobaan ini sama dengan percobaan sebelumnya hanya saja terdapat
perubahan rangkaian dengan penambahan resistor. Namun perubahan
dengan lama waktu kerja transistor menyebabkan turunnya nilai tegangan
output dari transistor.
3.6.6 Emitter Follower

12 V
R1 470K

Q2
B A C1
+ - 2N21
1K C2
+ -

VS V in R2 S1
3K3 O UT
1000 Hz
RL
500 O hm

Gambar 3.23 Emitter – Follower

Tabel 3.20 Hasil Pengamatan hFE Emitter Follower
Kondisi Vout Vin Gain VAB Iin Rin P
Saklar (V) (V) Vout/Vin (V) (µA) (kΩ) (W)
Terbuka 7,60 8,20 0,93 13,06 9,9 1 129,294
 Tertutu
7,00 8,20 0,85 7,16 20,7 1 148,212
p

Pada percobaan ini dapat diketahui karakteristik transistor sebagai

saklar. Transistor dapat berfungsi sebagai saklar apabila tegangan
inputnya melebihi tegangan jenuh yang dimiliki transistor. Pada saat basis
dari transistor dialiri tegangan maka kolektornya akan mengeluarkan
tegangan output. Apabila tegangan input yang melalui basis telah
melewati tegangan jenuh yang dimiliki oleh transistor maka output yang
dikeluarkan melalui kolektor dan emitter akan maksimal. Apabila tegangan
jenuh basis belum dilewati maka outputnya akan kurang dari input.

3.7 Kesimpulan
1. Komponen transistor memiliki 2 tipe. Tipe transistor dapat diketahui
dengan pengukuran hambatan yang dimiliki oleh transistor. Tipe
transistor adalah NPN dan PNP.
2. Karakkteristik transistor terhadap arus dan tegangan dimana
semakin lama kinerja dari transistor maka semakin rendah arus dan
transistor yang dibangkitkan. Baik buruknya kinerja dari transistor
juga dipengaruhi oleh lamanya waktu kerja daritransistor.
3. Transistor juga dapat berfungsi sebagai saklar ini juga merupakan
salah satu karakteristik yang dimiliki oleh transistor. Apabila
tegangan jenuh dari transistor telah dilewati maka output dari
transistor akan maksimal.