LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR

DISUSUN OLEH:
ATTAYA NASWA SHABILLA
562020122005
KELOMPOK 7

PROGRAM STUDI TEKNIK KOMPUTER

FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS WIRALODRA
INDRAMAYU
2023
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang Masalah

Dalam dunia elektonika, kita tentunya sudah tidak asing lagi dengan komponen
elektronik yang satu ini. Transistor merupakan salah satu komponen elektronika
yang paling penting karena sering digunakan sebagai penguat, switching, modulasi
sinyal dan berbagai fungsi lainnya. Transistor sendiri berfungsi sebagai keran listrik
berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan outputnya (FET), yang
memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sumber listriknya. Pada
umumnya transistor memiliki 3 terminal yaitu Basis (B), Emitor (E), dan Kolektor
(C). Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya hanya terdapat dua tipe
dasar transistor yaitu Bipolar Junction Transistor (BJT) dan Field-Effect Transistor
(FET). Pada praktikum kali iniakan dibahas mengenai Transistor Bipolar (BJT).
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya
menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang untuk membawa
arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewari satu daerah/lapisan
pembatas yang dinamakan depletion zone. Perubahan arus listrik dalam jumlah
kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah
besar pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor
sebagai penguat elektronik.

1.2 Rumusan Masalah

1. Bagaimana menentukan jenis dan kaki-kaki bipolar?
2. Bagaimana memahami karakteristik transistor melalui kurva kolektor?

1.3 Tujuan
1. Menentukan jenis dan kaki-kaki transistor bipolar.
2. Memahami karakteristik transistor melalui kurva kolektor.
 BAB II
LANDASAN TEORI

Transistor pertama kali ditemukan oleh Shockley pada tahun 1951,

penemuan ini sangat berat karena dari konsep transistor ditemukan rangkaian
terpadu (integrated circuit), peralatan optoelektronika dan mikroprosesor. Tapi
perubahan terbesar dengan hadirnya transistor adalah pada bidang komputer,
sebelum ada transistor sebuah komputer dibandrol dengan harga jutaan dolar selain
itu ukurannya sangat besar seperti satu ruangan. Tapi transistor telah merubahnya
menjadi berukuran kecil bahkan bisa dibawa kemana-mana (laptop) tentunya
dengan harga yang terjangkau. Transistor memiliki dua sambungan (junction),
sambungan pertama antara basis dan emitter, kedua antara basis dengan kolektor.
Lambang sebuah transistor dapat dilihat pada gambar di bawah ini:

Gambar 1. (a) transistor tipe npn (b) transistor tipe pnp

Jika transistor dibias-maju (forward bias) emiternya dan dibias-balik (reverse-bias)

kolektornya maka ditemukan arus kolektor IC hampir sama dengan arus-arus
emitter IE. Padahal kolektornya dibias-balik, seharusnya IC kecil. Penjelasannya
sebagai berikut: saat emitter dibias-maju elektron-elektron pada emitter belum
masuk ke daerah basis. Jika VEB > potensial barier (0,6 - 0,7 V untuk transistor
silikon), banyak electron emitter masuk ke dalam basis. Elektron tersebut mengalir
ke dua arah, pertama melewati sambungan kolektor sehingga menuju kolektor,
kedua ke bawah basis menuju kawat penghubung basis. Arus yang menuju kawat
basis disebut sebagai arus rekombinasi, nilainya kecil karena basis didope sedikit.
Elektron-elektron yang ada dalam basis didorong oleh medan lapisan pengosong
menuju kolektor. Elektron-elektron ini keluar meninggalkan kolektor dan menuju
kutub positif sumber tegangan. 95% elektron dari emitter menuju basis sedangkan
5% mengalir keluar dari basis.
Alfa DC
Alfa DC merupakan rasio antara arus yang melewati kolektor dengan arus yang
melalui basis, persamaannya sebagai berikut:
𝐼𝐶
𝛼𝑑𝑐 =
𝐼𝐸
Beta DC

Perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis disebut sebagai beta dc (𝛽𝑑𝑐 ),
persamaannya:
𝐼𝐶
𝛽𝑑𝑐 =
𝐼𝐵

Hubungan antara 𝛼𝑑𝑐 dan 𝛽𝑑𝑐 adalah sebagai berikut:

𝛽𝑑𝑐
𝛼𝑑𝑐 =
𝛽𝑑𝑐 + 1

Tegangan breakdown
Tegangan breakdown adalah tegangan maksimum yang dapat diberikan pada
transistor yang dibias-balik (reverse bias). Jika diberikan melebihi tegangan
breakdown maka kemungkinan akan terjadi kerusakan fungsi transistor karena
kelebihan disipasi daya. Tegangan breakdown emitter berkisar antara 5-30 V,
sedangkan pada kolektor lebih tinggi yaitu berkisar antara 20-300 V.
Syarat mengoperasikan transistor pada rangkaian linier adalah sebagai berikut:
1. Emitter harus dibias-maju.
2. Kolektor harus dibias-balik.
3. Tegangan pada kolektor harus lebih kecil daripada tegangan breakdown.

Karakteristik transistor common-emitter (CE)

Kurva kolektor untuk emitter ditanahkan (CE) dapat diperoleh dengan membuat
rangkaian seperti pada gambar di bawah.

Gambar 2. Rangkaian common emitter (CE)

Supaya diperoleh kurvanya, diubah-ubah tegangan 𝑉𝐵𝐵 dan 𝑉𝐶𝐶 untuk mendapatkan
tegangan dan arus transistor yang berbeda-beda. Pertama menentukan 𝐼𝐵 dan
menjaganya konstan sambil memvariasikan 𝑉𝐶𝐶 , setiap variasi 𝑉𝐶𝐶 , diperoleh 𝐼𝐶 dan
𝑉𝐶𝐸 dan dapat membuat grafiknya. Kurva 𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 adalah sebagai berikut:

Gambar 3. Kurva 𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸

Voltage compliance (compliance) kolektor-emiter merupakan daerah dimana

transistor berfungsi sebagai sumber arus. Compliance terjadi pada 𝑉𝐶𝐸 1V sampai
tegangan breakdown.

Garis beban DC
Garis beban DC dapat digambar pada kurva kolektor, rangkaian sama dengan
gambar 2. Pada rangkaian di atas, 𝑉𝐶𝐶 membias-balik kolektor melalui 𝑅𝐶 , tegangan
pada 𝑅𝐶 adalah 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 maka arus yang melewati 𝑅𝐶 :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶

Jika 𝑉𝐶𝐸 = 0 maka persamaannya menjadi:

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶

Jika 𝐼𝐶 = 0 maka:
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸
Berikut ini adalah gambar garis beban dc pada kurva kolektor.

Gambar 4. Garis beban DC

Perpotongan vertikal antara 𝑉𝐶𝐶 /𝑅𝐶 dan horizontal pada 𝑉𝐶𝐶 . Perpotongan antara
garis beban dc dengan arus basis disebut sebagai titik Q (quiescent point) atau titik
kerja.
 BAB III
METODE PENELITIAN

3.1 Komponen dan Alat

Komponen:
1. Transistor BC547
2. Resistor
3. Kabel
4. Breadboard
5. Potensiometer
Alat:
1. Catu daya
2. Function generator
3. Multimeter

3.2 Tatalaksana Percobaan

a) Menentukan jenis dan kaki-kaki resistor.
1. Siapkan multimeter digital dan set pada lambang diode (diode check)
2. Lakukan pengukuran pada transistor sebanyak 6 kali.
3. Pengukuran 1: probe + dan – berturut-turut pada kaki 1 dan 2,
diperoleh R =
Pengukuran 2: probe + dan – berturut-turut pada kaki 1 dan 3,
diperoleh R =
Pengukuran 3: probe + dan – berturut-turut pada kaki 2 dan 1,
diperoleh R =
Pengukuran 4: probe + dan – berturut-turut pada kaki 2 dan 3,
diperoleh R =
Pengukuran 5: probe + dan – berturut-turut pada kaki 3 dan 1,
diperoleh R =
Pengukuran 6: probe + dan – berturut-turut pada kaki 2 dan 2,
diperoleh R =
4. Pada pengukuran ke berapa saja nilai R > 0?
Kaki apa saja yang posisinya tetap?
Jika Anda dapat menganalisisnya, maka Anda berhasil menentukan kaki basis
bertipe n.
Mana yang memiliki R lebih kecil? Yang memiliki R lebih kecil adalah kaki
kolektor.
b) Karakteristik 𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
1. Buatlah rangkaian diode seperti pada gambar di bawah:

Gambar 5. Rangkaian transistor

2. Atur potensiometer pada hambatan minimum.

3. Posisikan multimeter untuk pengukuran 𝐼𝐵
4. Berikan catu daya 5 volt pada transistor, catat 𝐼𝐵 yang diperoleh
5. Matikan catu daya. Posisikan multimeter untuk mengukur 𝐼𝐶 dan multimeter
yang lain untuk mengukur 𝑉𝐶𝐸 .
6. Hidupkan catu daya. Atur 𝑉𝐶𝐸 pada 0 volt (memutar potensiometer pada R
minimum, catat 𝐼𝐶 yang diperoleh. Variasikan 𝑉𝐶𝐸 dengan pertambahan 0,2
volt dengan cara memutar potensiometer sampai didapatkan nilai 𝑉𝐶𝐸 = 0,2
V, catat 𝐼𝐶𝐸 untuk tiap nilai 𝑉𝐶𝐸 pada tabel di bawah:

Tabel 1. Hubungan 𝐼𝐶 terhadap 𝑉𝐶𝐸

No. 𝑉𝐶𝐸 (volt) 𝐼𝐶 (mA)

1 0

2 0,2

3 0,4

8
 9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

7. Buatlah kurva 𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 seperti gambar 3 di atas.

a. Apakah sudah terjadi tegangan breakdown
Jawab: YA/TIDAK
Sebutkan alasan Anda
b. Gambarlah garis beban dc serta tentukan berapa besar 𝑉𝐶𝐸 saat terjadi
cutoff dan 𝐼𝐶 pada saat saturasi
 BAB IV
HASIL DAN PEMBAHASAN

Pada percobaan pertama didapatkan hasil pengukuran dari kaki-kaki

transistor sebagai berikut:
Pengukuran Kaki-Kaki Transistor R (𝛀)
1 1&2 0,733
2 1&3 1,686
3 2&1 0,780
4 2&3 0,800
5 3&1 0,562
6 3&2 0,905

Dari tabel diatas diketahui bahwa pada pengukuran ke 3 dan ke 4 yaitu pada
kaki 2 dan 1 serta 2 dan 3 yang memiliki posisi tetap adalah kaki 2 yang merupakan
kaki basis bertipe n. dari data tersebut yang memiliki R lebih kecil adalah kaki 1
yang berarti kaki kolektor.
Tabel 1. Hubungan 𝐼𝐶 terhadap 𝑉𝐶𝐸
No 𝑽𝑪𝑬 (volt) 𝑰𝑩 (mA) 𝑰𝑪 (mA)
1 0 4,25 0
2 0,2 4,25 0,2
3 0,4 4,24 0,36
4 0,6 4,22 0,6
5 0,8 4,26 0,66
6 1 4,27 0,99
7 1,2 4,29 1,16
8 1,4 4,28 1,32
9 1,6 4,29 1,6
10 1,8 4,31 1,73
11 2 4,30 1,98
12 2,2 4,30 2,15
13 2,4 4,31 2,34
14 2,6 4,31 2,56
15 2,8 4,26 2,76
16 3 4,28 2,96
17 3,2 4,28 3,10
18 3,4 4,28 3,35
19 3,6 4,28 3,56
20 3,8 4,28 3,77
21 4 4,28 3,93
 Pada dasarnya, karakteristik ini menggambarkan bagaimana 𝐼𝐶 berubah
sehubungan dengan 𝑉𝐶𝐸 pada tingkat arus basis yang konstan. Pada titik awal (𝑉𝐶𝐸
= 0 V), 𝐼𝐶 memiliki nilai 0 mA. Ini adalah kondisi ketika transistor dalam mode
mati (cutoff). Saat tegangan 𝑉𝐶𝐸 diberikan (0,2 V, 0,4 V, dan seterusnya), 𝐼𝐶 mulai
meningkat. Ini menunjukkan bahwa transistor sedang dalam mode aktif, dan arus
kolektor (𝐼𝐶 ) meningkat seiring dengan peningkatan 𝑉𝐶𝐸 dan tegangan 𝑉𝐶𝐸 telah
mencapai tegangan breakdown. Hal ini disebabkan oleh nilai tegangan 𝑉𝐶𝐸 lebih
kecil daripada tegangan 𝑉𝐵𝐵 yang bernilai 9,5 volt, sedangkan data 𝑉𝐶𝐸 yang didapat
hanya sampai 4 volt. Untuk arus 𝐼𝐵 nilainya cenderung tetap. Dari tabel percobaan,
didapat kurva 𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 seperti di bawah ini:

Kurva IC - VCE
4,5
4
3,5
3
IC (mA)

2,5
2
1,5
1
0,5
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6 2,8 3 3,2 3,4 3,6 3,8 4
VCE (volt)

Pada grafik kurva 𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 , ketika 𝑉𝐶𝐸 mencapai sekitar 4 V, 𝐼𝐶 mencapai titik
jenuh, yang berarti transistor tidak bisa meningkatkan arus kolektor lebih lanjut,
bahkan jika 𝑉𝐶𝐸 ditingkatkan.
 BAB V
KESIMPULAN

Transistor bipolar adalah komponen kunci dalam elektronika yang

digunakan sebagai penguat. Prinsip operasinya didasarkan pada arus basis (𝐼𝐵 ) yang
mengendalikan arus kolektor (𝐼𝐶 ). Dalam percobaan ini, kita memahami pentingnya
memahami karakteristik 𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 untuk mengoperasikan transistor dengan baik
sebagai penguat. Hasil pengukuran resistansi antara kaki-kaki transistor
memberikan informasi tentang tipe transistor. Dalam percobaan kaki-kaki yang
memiliki nilai resistansi yang lebih kecil merupakan kaki basis (B), yang juga
membantu mengidentifikasi tipe transistor. Dari data yang diberikan, dapat
disimpulkan bahwa transistor yang digunakan adalah tipe NPN. Dari data
pengukuran, kita menghasilkan kurva 𝐼𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 . Kurva ini menggambarkan
hubungan antara arus 𝐼𝐶 dan tegangan kolektor-emosi (V_CE). Kurva ini
menunjukkan karakteristik transistor dalam mode penguatan dan titik jenuh di mana
arus 𝐼𝐶 mencapai maksimumnya. Pemahaman tentang karakteristik transistor, kurva
kolektor, titik kerja, dan tegangan breakdown adalah penting dalam merancang
sirkuit elektronika yang melibatkan transistor. Dengan informasi ini, kita dapat
memanfaatkan transistor dengan efisien untuk berbagai aplikasi, termasuk
penguatan sinyal elektronik.
LAPORAN SEMENTARA
 DAFTAR PUSTAKA

Amalinda, R. D. (2015). Modul 1 Karakteristik BJT. Retrieved from scribd.com:

https://id.scribd.com/document/293577334/EL2205-2-13213060
Bisha, T. S. (2012). Transistor Bipolar. Retrieved from scribd.com:
https://id.scribd.com/doc/100059649/3-Transistor-Bipolar
Pauzan, M. (2019). Modul Praktikum Elektronika Dasar. Indramayu.