KARAKTERISTIK TRANSISTOR BIPOLAR

Musarrafa, Nurul Qisthi, St. Rahma M.

Laboratorium Elektronika dan Instrumen

Universitas Negeri Makassar
2017

LATAR BELAKANG
Walter H. Brattain dan John Bardeen pada akhir Desember 1947 di Bell Telephone
Laboratories berhasil menciptakan suatu komponen yang mempunyai sifat menguatkan yang
disebut dengan Transistor. Transistor merupakan komponen dasar untuk sistem penguat.
Keuntungan komponen transistor ini dibanding dengan pendahulunya, yakni tabung hampa
adalah ukuran fisiknya yang sangat kecil dan ringan. Bahkan dengan teknologi sekarang ini
ratusan ribu transistor dapat dibuat dalam satu keping silikon.Disamping itu komponen
semikonduktor ini membutuhkan sumber daya yang kecil serta serta efesiensi yang tinggi.
Untuk bekerja sebagai penguat, transistor harus berada dalam keadaan aktif. Kondisi aktif
dengan memberi bias pada resistor, ada tiga macam konfigurasi dari rangkaian penguat
transistor yaitu Common Emitter (CE), Common Base (CB), dan Common Colector (CC).
Penguat Common Base adalah penguat yang kaki basis transistor digunakan atau ditanahkan,
lalu input dimasukan dan output diambil pada kaki kolektor. Penguat Common Emitter
adalah penguat yang kaki emitor transistor digunakan, lalu input dimasukan kebasis dan
output diambil pada kaki kolektor. Penguat Common Colector adalah penguat yang kaki
kolektor transistor digunakan, lalu input dimasukan kebias dan output diambil pada kaki
emitor.
Terdapat tiga karakteristik transistor yaitu karakteristik input, ouput dan karakteristik
transfer. Karakteristik dari transistor biasanya disebut juga karakteristik statik, yang
digambarkan dalam suatu kurva yang menghubungkan antara selisih arus dc dan tegangan
pada transistor. Kurva karakteristik statik tersebut sangat membantu dalam mempelajari
operasi dari suatu transistor ketika diterapkan dalam suatu rangkaian.
Berdasarkan penjelasan diatas maka kami melakukan praktikum ini guna agar praktikan
dapat memahami metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor, dapat
menentukan dan membedakan karakteristik input, output dan karakteristik transfer arus
konstan dari transistor, dan mengetahui cara menginterpretasi kurva karakteristik transistor.
Pada praktikum ini, kami mengkhususkan pada transistor bipolar.

RUMUSAN MASALAH
1. Bagaimana metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar?
2. Bagaimana menentukan dan membedakan karakteristik input, karakteristik output
dan karakteristik transfer arus konstan dari transistor bipolar?
3. Bagaimana cara menginterpretasi kurva karakteristik transistor bipolar?

TUJUAN PERCOBAAN
1. Mengetahui metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar.
2. Mengetahui cara menentukan dan membedakan karakteristik input, karakteristik
output dan karakteristik transfer arus konstan dari transistor bipolar.
 3. Mengetahui cara menginterpretasi kurva karakteristik transistor bipolar.

KAJIAN TEORI
Pada tahun 1951, William Schoktly menemukan transistor pertama, komponen
semikonduktor yang dapat menguatkan sinyal elektronik seperti sinyal radio dan televisi.
Transistor telah banyak menghasilkan penemuan alat semikonduktor lain termasuk rangkaian
terpadu (Integrated Circuit, IC), suatu komponen kecil yang mengandung ribuan transistor
miniatur (Bakri, 2016).
Transistor adalah suatu komponen aktif yang terbuat dari bahan semikonduktor (Bakri,
2016). Transistor memiliki tiga sambungan yaitu sambungan kolektor, basis, dan sambungan
emitor (Blocher, 2004). Suatu transistor persambungan terdiri dari kristal silikon (atau
germanium) dimana satu lapisan silikon tipe-n diapit di antara dua lapisan silikon tipe-p.
Kemungkinan lain, transistor terdiri dari satu lapisan bahan tipe-p diapit oleh dua lapisan
transistor yang pertama disebut transistor p-n-p dan yang terakhir disebut transistor n-p-n.
Sistem lapisan semikonduktor ini sangat kecil dan ditutup rapat-rapat terhadap uap air dalam
kotak logam atau plastic (Milman dan Halkias, 1986).
Ada dua macam transistor, yaitu transistor dwikutub (bipolar) dan transistor efek medan
(Field Effect Transistor-FET). Transistor digunakan di dalam rangkaian untuk memperkuat
isyarat, artinya isyarat lemah pada masukan diubah menjadi isyarat yang kuat pada keluaran
(Sutrisno, 1986).
Transistor dwikutub dibuat dengan menggunakan semikonduktor ekstrinsik jenis p dan
jenis n, yang disusun seperti pada Gambar 1. berikut.

E (Emitter) C E (Emitter) C (Collector)

p n p (Collector) n p n

B (Base) B (Base)

Gambar 1. Susunan Transistor Dwikutub (a) Transistor pnp (b) Transistor npn
(
Pada dasarnya ada tiga jenis rangkaian dasar (yang disebut konfigurasi) untuk
mengoperasikan transistor.
1. Basis ditanahkan (Common Base CB)
2. Emiter ditanahkan (Common Emitter CE)
3. Kolektor ditanahkan (Common Collector - CC)
Karakteristik dari transistor biasanya disebut juga karakteristik statik, yang digambarkan
dalam suatu kurva yang menghubungkan antara selisih arus dc dan tegangan pada transistor.
Kurva karakteristik statik tersebut sangat membantu dalam mempelajari operasi dari suatu
transistor ketika diterapkan dalam suatu rangkaian. Ada tiga karakteristik yang sangat
penting dari suatu transistor, yaitu :
1. Karakteristik input.
 2. Karakteristik output.
3. Karakteristik transfer arus konstan.
Dengan notasi atau simbol, skema dasar bias transistor bipolar dalam konfigurasi emitter
ditanahkan ditunjukkan pada Gambar 2. berikut.

(a) (b)

Gambar 2. Rangkaian bias transistor, (a) transistor NPN, (b) transistor PNP

Analisis setiap konfigurasi BJT selalu mengacu pada hubungan-hubungan dasar berikut:

= 0,7 [1]

= ( + 1) =
[2]

= [3]

Berdasarkan Pers. [1], [2] dan [3], nilai IB, IC dan IE sangat bergantung pada nilai , yaitu
faktor penguatan arus BJT. Dalam mode dc, nilai IC dan IB dihubungkan oleh kuantitas dan
didefinisikan sebagai berikut.

=
[4]

di mana nilai IB dan IC ditentukan dari titik operasi pada kurva karakteristik. Untuk
penggunaan praktis, nilai untuk berbagai jenis transistor berkisar dari 50 sampai 400.
Untuk transistor dengan nilai sebesar 200, arus kolektor sebesar 200 kali dari pada arus
basis berdasarkan Pers. [3]. Untuk mode ac, beta () didefinisikan sebagai :

= |

[5]
=

Penamaan formal untuk adalah emitter ditanahkan (common emitter), arus arah maju
(forward current), faktor penguatan. Pada lembar data spesifikasi transistor, biasanya
dinyatakan dengan dan dengan .
 Grafik 1. Penentuan dc dan ac dari karakteristik output
Grafik 1. menunjukkan kurva karakteristik keluaran (Output) transistor bipolar konfigurasi
kolektor ditanahkan (Bakri, 2016).

METODE PERCOBAAN
Alat dan Bahan
1. Power supply 1 buah
2. Voltmeter 1 buah
3. Amperemeter 1 buah
4. Transistor bipolar NPN 1 buah
5. Resistor batu 2 buah
6. Potensiometer 2 buah
7. Kabel penghubung 8 buah

Identifikasi Variabel.
Kegiatan 1. Karakteristik Input
Variable kontrol : Tegangan sumber, vS (volt) dan tegangan kolektor-emitor,vCE (volt)
Variabel manipulasi : Tegangan basis-emitor, vBE (volt)
Variable respon : arus basis, IB (A)

Kegiatan 2. Karakteristik Output

Variable kontrol : Tegangan sumber, vS (volt) dan arus basis, IB (A)
Variabel manipulasi : Tegangan kolektor-emitor, vCE (volt)
Variable respon : Arus kolektor, IC (A)

Kegiatan 3. Karakteristik Transfer

Variable kontrol : Tegangan sumber, vS (volt)
Variabel manipulasi : Arus basis, IB ()
Variable respon : Arus kolektor, IC (A)

Definisi Operasional Variabel

Kegiatan 1. Karakteristik Input
1. Tegangan sumber (vS) ialah adalah tegangan yang berasal dari power supply yang diukur
menggunakan voltmeter dan satuan dari tegangan sumber ialah volt. Besar tegangan
sumber yang digunakan dalam praktikum ini ialah sebesar 12 volt.
2. Tegangan kolektor-emitor (vCE) adalah beda potensial antara kaki kolektor dan kaki
emitor pada transistor, dimana nilainya ditunjukan pada voltmeter dengan satuan volt.
Besar tegangan kolektor-emitor (vCE) diatur menggunakan potensimeter, nilai tegangan
kolektor-emitor (vCE) yang digunakan ialah sebesar 0 volt, 2 volt, 4 volt, 6 volt, 8 volt,
dan 10 volt.
3. Tegangan basis-emitor (vBE) adalah beda potensial antara kaki bais dan kaki emitor pada
transistor, dimana nilainya ditunjukan pada voltmeter dengan satuan volt. Besar tegangan
kolektor-emitor (vCE) dapat berubah ketika potensiometer diubah juga (diputar kekiri atau
kekanan). Nilai tegangan kolektor-emitor (vCE) yang digunakan ialah sebesar 0,05 volt
hingga 0,60 volt (dimanipulasi sebesar 0,05 setiap pengambilan nilai arus basis).
4. Arus basis (IB) adalah arus yang masuk ke basis yang ditunjukkan pada amperemeter
dengan satuan A.

Kegiatan 2. Karakteristik Output

1. Tegangan sumber (vS) ialah adalah tegangan yang berasal dari power supply yang diukur
menggunakan voltmeter dan satuan dari tegangan sumber ialah volt. Besar tegangan
sumber yang digunakan dalam praktikum ini ialah sebesar 12 volt.
2. Arus basis (IB) adalah arus yang masuk ke basis yang ditunjukkan pada amperemeter
dengan satuan A.
3. Tegangan kolektor-emitor (vCE) adalah beda potensial antara kaki kolektor dan kaki
emitor pada transistor, dimana nilainya ditunjukan pada voltmeter dengan satuan volt.
Besar tegangan kolektor-emitor (vCE) diatur menggunakan potensimeter, nilai tegangan
kolektor-emitor (vCE) yang digunakan ialah sebesar 0 volt hingga 11 volt (dimanipulasi
sebesar 1 volt setiap pengambilan nilai arus kolektor).
4. Arus kolektor (IC) adalah arus yang masuk ke kolektor dimana nilainya ditunjukkan pada
Amperemeter dengan satuan mA.

Kegiatan 3. Karakteristik Transfer

1. Tegangan sumber (vS) ialah adalah tegangan yang berasal dari power supply yang diukur
menggunakan voltmeter dan satuan dari tegangan sumber ialah volt. Besar tegangan
sumber yang digunakan dalam praktikum ini ialah sebesar 12 volt.
2. Arus basis (IB) adalah arus yang masuk ke basis yang ditunjukkan pada amperemeter
dengan satuan A.
3. Arus kolektor (IC) adalah arus yang masuk ke kolektor dimana nilainya ditunjukkan pada
Amperemeter dengan satuan mA.

Prosedur Kerja
Pertama-tama alat dan bahan yang akan digunakan, disiapkan terlebih dahulu.
Kemudian alat dan bahan tersebut dirangkai berdasarkan percobaan Common Emitter (CE).
Lalu power supply dinyalakan untuk menentukan tegangan sumber sebesar 12 volt. Pada
percobaan ini kita langsung menggunakan transistor yang telah dirangkai pada sebuah papan
seperti pada Gambar 3 berikut.

+ C + VCC
VBB VR1
_ VR2
_
Q
B

Gambar 3. Rangkaian Transistor

Kegiatan 1. Karakteristik Input

Pengukuran karakteristik input menyatakan bagaimana arus basis (IB) bervariasi dengan
tegangan basis-emitter (VBE) ketika tegangan kolektor-emitor (VCE) dibuat konstan.
Tegangan ini dibuat konstan dengan suatu nilai tertentu lalu variasikan VBE (manipulasi
sebesar 0,05 setiap pengambilan besar IB) sehingga IB akan meningkat dalam setiap rentang
nilai. Kemudian besar IB tersebut dicatat, kemudian ulangi dengan nilai tegangan VCE yang
lebih besar sebanyak 6 data VCE.

Kegiatan 2. Karakteristik Output

Pada pengukuran ini menunjukan bagaimana arus kolektor IC bervariasi dengan
perubahan VCE ketika IB dibuat konstan dan VCE divariasikan secara linear. Besar tegangan
kolektor-emitor (VCE) dimulai dengan 0 volt hingga potensiometer telah mencapai
maksimum (dimanipulasi sebesar 1 volt tiap pengambilan data arus kolektor), maka IC akan
menunjukan nilai tertentu pada amperemeter. Selanjutnya, kedua data tersebut (VCE dan IC)
dicatat.

Kegiatan 3. Karakteristik Transfer

Pada pengukuran ini menunjukkan bagaimana arus kolektor (IC) bervariasi dengan
perubahan IB dengan besar tegangan VCE dibuat konstan. Besar arus basis (IB) dimulai dari 0
volt hingga potensiometer telah mencapai maksimum (dimanipulasi sebesar 10 A tiap
pengambilan data arus kolektor). Selanjutnya, kedua data tersebut (IB dan IC) dicatat.

HASIL PENGAMATAN DAN ANALISIS DATA

Hasil Pengamatan
R1 = 5 W 100 kJ
R2 = 5 W 100 J

Kegiatan 1. Karakteristik Input

 = 12,00 Vdc

Tabel 1. Karakteristik Input

Nilai IB () untuk VCE:
No. VBE (Volt) 0v 2v 4v 6v 8v 10 v

1. 0,05 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00

2. 0,10 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00
3. 0,15 0,10 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00
4. 0,20 0,30 0,00 0,00 0,10 0,10 0,00
5. 0,25 0,50 0,00 0,00 0,30 0,20 0,10
6. 0,30 0,90 0,10 0,10 0,50 0,40 0,20
7. 0,35 1,40 0,30 0,40 0,70 0,60 0,40
8. 0,40 2,20 0,50 0,70 1,10 0,90 0,70
9. 0,45 5,50 1,10 1,00 1,50 1,50 1,30
10. 0,50 24,10 2,20 1,90 2,90 2,60 2,40
11. 0,55 106,70 6,80 6,20 6,00 6,90 6,10
12. 0,60 - 31,00 25,20 23,50 23,50 23,30

Kegiatan 2. Karakteristik Output

Tabel 2. Karakteristik Output

Nilai IC () untuk IB:
No. VCE (Volt) 0 20 40 60 80 100

1. 0,00 0,00 0,01 0,03 0,03 0,04 0,05

2. 1,00 0,00 0,93 2,47 4,01 5,78 7,74
3. 2,00 0,00 0,93 2,48 4,03 5,81 7,77
4. 3,00 0,00 0,94 2,49 4,05 5,85 7,80
5. 4,00 0,00 0,94 2,49 4,07 5,88 7,87
6. 5,00 0,00 0,94 2,50 4,09 5,92 7,92
7. 6,00 0,00 0,94 2,51 4,11 5,96 7,99
8. 7,00 0,00 0,95 2,52 4,13 6,00 8,07
9. 8,00 0,00 0,95 2,53 4,15 6,06 8,14
10. 9,00 0,00 0,96 2,54 4,17 6,12 8,20
11. 10,00 0,00 0,96 2,55 4,20 6,18 8,41
12. 11,00 0,00 0,96 2,56 4,24 6,29 8,48

Kegiatan 3. Karakteristik Transfer

VCE = 11,10 Volt

Tabel 3. Karakteristik Transfer

No. IB () IC ()
1. 0,00 0,00
2. 10,00 0,46
3. 20,00 1,05
4. 30,00 1,83
5. 40,00 2,57
6. 50,00 3,48
7. 60,00 4,38
8. 70,00 5,30
 9. 80,00 6,38
10. 90,00 7,41
11. 100,00 8,41
12. 110,00 9,69

Analisis Data
Kegiatan 1. Karakteristik Input
 110
105
100
95
90
85
80
75
70
65
0v
60
55 2v
IB (A)

50 4v
45 6v
40
8v
35
30 10 v
25
20
15
10
5
0
-0.05 1.29E-15
-5 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0.55 0.6 0.65
-10
VBE (volt)

Grafik 2. Hubungan Antara Tegangan basis-emitter dan arus basis

Kegiatan 2. Karakteristik Output
Menentukan Titik kerja dan Garis Beban
= +
Jika Ic = 0, maka Vcc = VCE = 11 V
Jika VCE = 11 V, maka
10
=
= 100 = 0,11

Titik Kerja
Q = Vcc
Q = 11
Q = 5,5 V

Menentukan faktor penguatan arus () transistor

IC
=
IB
dimana diketahui
Ic1 = 0 mA
Ic2 = 0,01 mA
Ic3 = 0,03 mA
IC4 = 0,03 mA
Ic5 = 0,04 mA
Ic6 = 0,05 mA
1) Untuk IB1 = 0 mA dan IB2 = 0,020 mA
IC2 IC1
=
IB2 IB1
(0,01 0)mA
=
(0.020 0) mA
0,01
= = 0,50
0.020
2) Untuk IB2 = 0.020 mA dan IB3 = 0.040 mA
IC3 IC2
=
IB3 IB2
(0,03 0,01)mA
=
(0.040 0.020)mA
0,02
= = 1,00
0.020
3) Untuk IB3 = 0.040 mA dan IB4 = 0.060 mA
IC IC4 IC3
= =
IB IB4 IB3
 (0,03 0,03)mA
=
(0.060 0.040)mA
0
= 0.020 = 0

4) Untuk IB4 = 0.060 mA dan IB5 = 0.080 mA

IC IC5 IC4
= =
IB IB5 IB4
(0,04 0,03)mA
=
(0.080 0.060)mA
0,01
= 0.020 = 0,50

5) Untuk IB5 = 0.080 mA dan IB6 = 0.100 mA

IC IC6 IC5
= =
IB IB6 5
(0,05 0,04)mA
=
(0.100 0.080)mA
0,01
= 0.020 = 0,50

Jadi diperoleh nilai penguatan arus sebesar :

0,50 + 1,00 + 0 + 0,50 + 0,50
=
5
2,50
=
5
= 0,5
 9
8.5
8
7.5
7
6.5
6
5.5
0 A
5
20 A
Ic (mA)

4.5
40 A
4
60 A
3.5
80 A
3
100 A
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 8 8.5 9 9.5 10 10.5 11 11.5
-0.5
VCE (volt)

Grafik 3. Hubungan Antara Tegangan collector-emitter dan arus kolektor

Kegiatan 3. Karakteristik Transfer
Berdasarkan persamaan garis lurus untuk menentukan gradien (m) / kemiringan pada dua
titik, pada Grafik 4. Hubungan antara Arus Basis (IB) dengan Arus Collector (IC). Dengan
menggunakan persamaan:

2 1
= =
2 1

0,46 0
m=
0,01 0

0,46
m= 0.01

m = 46
 11
10.5
10
9.5
9 y = 0,089x - 0,647
8.5 R = 0,989
8
7.5
7
6.5
6
Ic (mA)

5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 105 110 115 120
IB (A)

Grafik 4. Pengaruh nilai (A) terhadap (mA)

PEMBAHASAN
Telah dilakukan praktikum berjudul Karakteristik Transistor Bipolar. Pada
praktikum ini mempunyai tiga tujuan yaitu yang pertama mahasiswa diharapakan dapat
memahami metode pemberian bias tegangan dan arus pada transistor bipolar, yang kedua
ialah mahasiswa diharapkan dapat menentukan dan membedakan karakteristik transfer arus
konstan dari transistor bipolar.
Percobaan ini menerapkan prinsip kerja pada dioda, karena transistor tidak lain
adalah dua buah diode yang dipasang secara berlawanan. Transistor bipolar yang digunakan
adalah transistor jenis NPN, sehingga kami menerapkan prinsip kerja yaitu pemberian bias
maju pada persambungan emitor dengan basis dan pemberian bias mundur pada
persambungan kolektor dengan basis. Pada praktikum ini, kami melakukan tiga kegiatan
yaitu kegiatan pertama mengenai karakteristik inpu, kegiatan kedua mengenai karakteristik
output dan pada kegiatan ketiga mengenai karakteristik transfer.
Berdasarkan teori yang ada bahwa ketika tidak ada tegangan bias dari luar maka tidak
akan ada arus yang akan mengalir dalam rangkaian transistor. Pada pembawaan arus,
transistor sedikit berbeda dengan diode, hal ini disebabkan oleh dua hal, yaitu ukuran fisik
basis yang sangat sempit dan tingkat doping basis yang sangat rendah, oleh karena itu
konduktivitas basis sangat rendah atau dengan kata lain jumlah pembawa mayoritasnya
dalam hal ini adalah elektron sangatlah sedikit dibandingkan dengan pembawa mayoritas
emitor dalam hal ini adalah hole. Sehingga jumlah hole yang berdifusi ke basis sangatlah
sedikit dan sebagian besar tertarik ke kolektor dimana pada kaki kolektor ini terdapat
tegangan relative yang lebih besar.
Pada percobaan karakteristik output, tegangan kolektor-emitor di mana (VCE) kita
memanipulasi dengan arus basis (IB) sebagai pengontrol maka diperoleh arus kolektor
awalnya adalah nol meningkat sampai tegangan tertentu IC mengalami keteguhan. Kemudian
dari grafik yang dihasilkan, kami mencari faktor penguatan arus. Faktor penguatan arus pada
emitor bersama disebut beta (). Dalam rangkaian transistor ini nilai beta dipengaruhi oleh
arus kolektor. Amplifier Faktor () yang dihasilkan adalah 0,50; 1,00; 0,00; 0,50; dan 0,50.
Sehingga diperoleh faktor penguatan rata-rata ialah sebesar 0,5.
Sementara pada percobaan yang ketiga yakni mengenai karakteristik transfer, kami
mencari hubungan antara arus basis (IB) dan arus kolektor (IC) dengan menentukan tegangan
kolektor-emitor (VCE) adalah sama dengan 11,10 volt. Hasilnya adalah arus kolektor akan
terus meningkat sehingga dapat dikatakan bahwa arus basis sebanding dengan arus kolektor
Pada kegiatan ketiga juga diperoleh sebuah garis linear dengan = 46.
Adanya perbedaan dari hasil analisi data praktikum dan secara teori disebabkan oleh
adanya kesalah atau human error. Dimana pada saat pengambilan data yang sedikit lama,
beberapa faktor menyebabkan pengambilan data tidak terfokus, salah satu faktor lan yang
juga menyebabkan kesalahan adalah, adanya alat yang digunakan yang tidak dapat membaca
arus, sehingga untuk mengukur dua besaran di wakt yang bersaan tidak memungkinkan jadi
harus di lakukan dan diganti satu per satu.

KESIMPULAN
1. Kita mengetahui metode tegangan bias dan arus dalam transistor bipolar, di mana
saluran-P pada listrik dihubungkan engan saluran-P pada potensiometer dan sesuai
masing-masing alat dan bahan dihubungkan dengan polaritas.
 2. Telah dapat mendefinisikan dan membedakan karakteristik input, output dan
karakteristik transfer dari transistor bipolar. Karakteristik input suatu transistor bipolar
menggambarkan kerja yang mirip dengan prinsip dioda. Karakteristik output transistor
bipolar adalah pemberian kenaikan tegangan (VCE) tidak memberi pengaruh yang
besar terhadap arus kolektor sehingga arus kolektor hanya dipengaruhi oleh arus basis.
Dan pada karakteristik transfer ialah arus kolektor (Ic) sebanding dengan Arus basis
(IB).
3. Dari kurva karakteristik ouput terlihat bahwa transistor dalam keadaan mati pada
tegangan 0 Volt, keadaan saturasi saat tegangan naik hingga 2 Volt, dan keadaan aktif
saat tegangan naik melebihi 2 Volt. Diperoleh faktor penguatan arus () transistor
sebesar 0,5. Sedangkan pada kurva karakteristik transfer terlihat bahwa hubungan
antara Arus Basis (IB) berbanding lurus dengan arus Collector (IC) , dimana semakin
besar Arus Basis (IB) maka Arus Collector (IC) juga akan semakin besar.

DAFTAR PUSTAKA
Blocher, Richard. 2004. Dasar Elektronika. Yogyakarta: ANDI Yogyakarta.

Bakri, Abdul Haris dan Muh. Saleh. 2016. Penuntun Praktikum Elektronika Dasar 1.
Universitas Negeri Makassar.

Milman dan Halkias, 1986. ElektronikaTerpadu (Integrated Electronics) Jilid 1. Jakarta :

Erlangga.

Sutrisno, 1986. Elektronika : Teori dan Penerapannya, Jilid I. Bandung : Penerbit ITB.