LAPORAN RESMI PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II 1

KARAKTERISTIK TRANSISTOR
(E1)
Fitri Andriyani Puspitasari, Abidatul Khairiyah, Bella Octavia Nainggolan, Jauzah Hidayati dan Lisa
Hartini, serta Sri Hartini M.Sc.
Program Studi Pendidikan Fisika, Jurusan Pendidikan Matematika dan Ipa, Fakultas Keguruan dan
Ilmu Pendidikan, Universitas Lambung Mangkurat.
Jl. Brigjen H. Hasan Basri Komp. Unlam Kayutangi, Banjarmasin 70123
e-mail: info@unlam.ac.id
Abstrak— Percobaan ini bertujuan untuk memahami bahan semikonduktor. Ada dua macam transistor, yaitu
karakteristik dan prinsip kerja dari transistor. Adapun hasil transistor dwikutub (bipolar) dan transistor efek medan (Field
yang dapat dilaporkan dalam percobaan ini ytaitu grafik yang Effect Transistor).
diperoleh tidak sesuai dengan grafik teori sedangkan prinsip
kerja dari transistor yaitu sebagai penguat dan saklar.
Transistor dwikutub dibuat dengan menggunakan
Kata Kunci— Transistor, Emitor, Basis, dan Kolektor. semikonduktor ekstrinsik jenis p dan jenis n, yang disusun
seperti gambar berikut:

T I.PENDAHULUAN

ransistor adalah suatu komponen aktif dibuat dari bahan

semikonduktor. Ada dua macam transistor, yaitu transistor
dwikutub (bipolar) dan transistor efek medan (Field Effect
Transistor- FET). Transistor digunakan di dalam rangkaian
untuk memperkuat isyarat, artinya isyarat lemah pada
masukan diubah menjadi isyarat yang kuat pada keluaran.
Penguat lazimnya disebut sebagai amplifier, dalam fungsinya
sebagai amplifier transistor membutuhkan komponen-
komponen tambahan seperti resistor, kapasitor, dan diode.
Transistor merupakan komponen elektronika yang sangat
dibutuhkan. Banyak sekali fungsi-fungsi dari transistor yang
bisa digunakan, ada yang digunakan sebagai saklar, penyearah
arus, pembangkit frekuensi, stabilisasi tegangan, modulasi
sinyal, dan lain sebagainya. Transistor berasal dari kata
transfer dan resistor, piranti elektronika jenis ini
dikembangkan oleh Berdeen, Schokley dan Brittam pada
tahun 1948 di perusahaan elektronik Bell Telephone
Laboratories. Penamaan ini berdasarkan pada prinsip kerjanya
yakni mentransfer atau memindahkan arus.
Gambar 2.1 Susunan transistor dwikutub.
Ketika bagian transistor ini disebut emitor, basis, dan
kolektor. Masing-masing bagian tersebut memiliki makna
tersendiri. Pada dasarnya ada tiga jenis rangkian hubungan
(yang disebut) konfigurasi untuk mengoperasikan transistor.
1. Basis ditanahkan (Common Base- CB)
2. Emitor ditanahkan ( Common Emitter-CE)
3. Kolektor ditanahkan (Common Collector-CC)
Karakteristik dari transistor biasanya disebut juga
karakteristik statik, yang digmbarkan dalam suatu kurva yang
menghubungkan antar selisih arus dc dan tegangan pada
transistor. Kurva karakteristik statik tersebut sangat membantu
dalam mempelajari operasi dari suatu transistor ketika
diterapkan dalam suatu rangkaian. Ada tiga karakteristik yang
sangat penting dari suatu transistor, yaitu :

Berdasarkan latar belakang di atas dapat diambil beberapa 1. Karakteristik input

rumusan masalah yang sesuai, yaitu : “Bagaimana prinsip 2. Karakteristik output
kerja serta karakteristik transistor ?”. 3. Karakteristik transfer arus konstan[1].

Adapun tujuan dari percobaan ini yaitu praktikan
diharapkan memahami prinsip kerja serta karakteristik dari
sebuah transistor.
II. KAJIAN TEORI
Transistor adalah suatu komponen aktif yang terbuat dari
Pada transistor dwikutub sambungan p-n antara emitor dan
basis diberi panjr maju sehingga arus mengalir dari emitor ke
basis. Panjar (Inggris: bias) adalah tegangan dan arus dc yang
harus lebih dahulu dipasang agar rangkaian transistor bekerja.
Emitor berasal dari kata bahasa Inggris “Emitter” yang berarti
pengeluar. Basis berasal dari kata bahasa Inggris “Base” yang
berarti tumpuan atau landasan, dan kolektor berasal dari kata
“Collector” yang berarti pengumpul.
LAPORAN RESMI PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II
Gambar 2.2 Bentuk beberapa transistor (a) BC109 dengan
kemasan TO-18 (b) BD140 dengan kemasan TO-126 (c) 2N
3055 dengan kemaan TO-3[2].
1. Basis ditanahkan (Common Base-CB)
Ada dua macam ciri pada transistor, ciri keluaran yaitu iC
terhadap vCB, dan ciri statik masukan yaitu iE, vS, dan BEB. Ciri
keluaran statik menyatakan cara arus kolektor iC berubah
dengan vCB untuk berbagai nilai arus statik dari emitor IE. Pada
ciri keluaran transistor dengan hubungan basis ditanahkan
perlu diperhatikan hal berikut :
a) iC  iE , karena iC  iE dan   1 . Hal ini juga
berarti arus keluaran iC berbanding lurus dengan arus
masukkan iE. Dikatakan transistor dwikutub adalah suatu
piranti yang dikendalikan oleh arus.
b) Ciri statik keluaran mempunyai kemiringan amat keci;
(sangat horizontal). Ini berarti hambatan keluaran transistor
yang merupakan kebalikan kemiringan iCB(vCB) mempunyai
nilai amat besar yaitu sama dengan hambatan isyarat kecil
dioda yang ada dalam keadaan tegangan mundur, yaitu dioda
sambungan kolektor basis.
Gambar 2.3 Lengkung ciri statik keluaran transistor basis
ditanahkan.
Lengkung ciri masukan transistor dengan hubungan basis
ditanahkan sama dengan lengkungan ciri statik dioda dalam
keadaan panjar maju oleh karena sambungan emitor-basis
diberi panjar maju. Pada ciri statik masukan transistor perlu
diperhatikan hal berikut :
a) Bentuk ciri statik masukan serupa dengan ciri statik
dioda dalam keadaan panjar maju. Ini tak mengherankan oleh
karena sambungan emitor basis merupakan suatu dioda
dengan panjar maju.
b) Ciri statik masukan hampir berimpit untuk berbagai
nilai vCB. Hal ini berarti tegangan keluaran (vCB) tak banyak
berpengaruh pada masukan.
2
Gambar 2.4 Lengkung ciri statik masukan transistor
ditanahkan.
Kedua sifat di atas membuat transistor dapat digunakn
untuk memperkuat isyarat. Suatu perubahan kecil pada vCB
oleh suatu isyarat masukan kecil akan menyebabkan
perubahan arus emitor iE yang besar[3].
2. Emitor ditanahkan (Common Emitter-CE)
Pada penguat emitor ditanahkan isyarta masukan melalui
basis dan emitor dihubungkan dengan tanah, sedangkan
keluaran diambil dari kolektor. Penguat emitor ditanahkan
1
mempunyai impedansi masukan kali lebih besar
1
daripada penguat basis ditanahkan, dan impedansi keluaran
transistor 1    lebih kecil daripada penguat basis
ditanahkan. Impedansi masukan yang tak terlalu besar dan
impedansi keluaran yang tak terlalu kecil membuat penguat
emitor ditanahkan sangat baik digandengkan dalam beberapa
tahap tanpa banyak ketaksesuaian impedansi pada alih
tegangan dari satu tahap ke tahap berikutnya.
Ciri statik transistor dengan hubungan emitor ditanahkan.
Ciri keluaran, lengkung ciri statik teransistor dengan
hubungan emitor ditanahkan yaitu :
a) Sumbu tegak adalah arus kolektor iC, sumbu datar
adalah beda tegangan antara kolektor dan emitor vCE dengan
parameter arus basis iB.
iC
b) Nisbah   , yang pada gambar 2.5 mempunyai
iB
nilai kira-kira 100, sehingga arus basis mempunyai nilai kecil.
c) Jika arus iB  0 , maka iC  0 .
d) Lengkungan ciri statik masing-masing arus basis iB
mempunyai kemiringan yang benar, yang berarti impedansi
keluaran transistor yang sebanding dengan kebalikan
kemiringan lengkungan ciri empunyai nilai kecil, makin besar
arus basis iB makin besar kemiringannya.
LAPORAN RESMI PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II
Gambar 2.5 Lengkung ciri statik keluaran transistor dengan
hubungan emitor ditanahkan (g=100).
Lengkung ciri statik masukan transistor dengan hubungan
emitor ditanahkan yaitu :
a) Sumbu tegak adalah arus basis iB yang mempunyai
nilai dalam A dan sumbu datar adalah vBE .
b) Pada VBE  0 arus basis naik dengan cepat
dibandingkan dengan nilai VCE yang lain.
Gambar 2.6 Lengkung ciri statik masukan transistor silikon
dengan hubungan emitor ditanahkan.
3. Kolektor ditanahkan (Common Collector-CC)
Pada penguat kolektor ditanahkan, kolektor transistor
dihubungkan langsung dengan VCC (yaitu suatu tanah ac,
sehingga kolektor berada pada tanah ac). Isyarat masuk
melalui basis, dan emitor dihubungkan dengan suatu hambatan
kepada tanah. Keluaran diambil emitor. Penguat kolektor
ditanahkan juga disebut pengikut emitor. Penikut emitor
mempunyai penguatan tegangan kurang dari satu (KV  1 ),
mempunyai impedansi masukan tinggi, dan impedansi
keluaran rendah. Pengikut emitor terutama digunakan sebagai
penyangga untuk mengatasi ketaksesuaian pada alih
tegangan[4].
Transistor Efek Medan (FET)
1. JFET (Junction Field Efeect Transistor)
JFET terbuat dari bahan semikonduktor p dan n seperti
gambar 2.7. Transistor JFET mempunyai tiga buah kaki yaitu
3
penguras (drain-D), pintu (gare-G), dan sumber (source-S).
Arus penguras (D) melalui satu macam bahan semikonduktor
pada gambar 2.7. Pada JFET saluran-n pembawa muatan yang
bergerak adalah elektron ebabs, sehingga penguras haruslah
dihubungkan dengan kutub positif baterai, setelah melalui
hambatan. Pembawa muatan bebas (elektron) berasal dari
sumber mengalir ke penguras. Maka untuk JFET saluran-n
arah arus listrik (yaitu arah gerak muatan positif) adalah dari
penguras (D) ke sumber (S).
Gambar 2.7 Struktur transistor JFET.
2. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor)
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor) adalah suatu transistor efek medan dengan pintu
yang diberi lapisan oksida silikon tipis yang bersifat osilator.
Dengan adanya lapisan oksida ini hambatan masukan
MOSFET menjadi jauh lebih besar daripada hambatan
masukan JFET. Adanya hambatan masukan yang amat tinggi,
derau yang rendah pada frekuensi radio, dan kemungkinan
dibuatnya transistor dengan dua buah ppinetu menyebabkan
MOSFET banyak digunakan pada penguat frekuensi radio
dalam alat penerima radio dan televisi[5].
III. METODE PERCOBAAN
Pada percobaan Karakteristik Transistor dibutuhkan
peralatan seperti gambar dibawah ini yaitu Kit percobaan
konfigurasi CB 1 set, Kabel penghubung 16 buah, Voltmeter 2
buah, Power supply 2 buah dan Amperemeter 2 buah.
Gambar 3.1 Kit percobaan konfigurasi CB.
Gambar 3.2 Voltmeter.
LAPORAN RESMI PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II 4

memperoleh nilai dari VBE dan IE. Selama IE berada dalam nilai
konstan, VCB akan naik dari nol dalam suatu nilai yang
bertahap dan arus kolektor IC yang mengalir kemudian dicatat.
Selanjutnya, VCB diturunkan kembali ke nol, IE akan meningkat
pada suatu nilai yang sedikit lebih tinggi dari nilai
sebelumnya.

Gambar 3.3 Power supply

Gambar 3.4 Kabel Penghubung

Gambar 3.6 Rangkaian percobaan Common Base (CB).

Adapun hal-hal yang akan dianalisis dalam percobaan ini

yaitu membandingkan tegangan dan arus input serta output
pada rangkaian, meplot hubungan kuat arus dan tegangan
input serta output dari pengamatan, serta membandingkan
grafik yang diperoleh pada percobaan dengan teoritis.
Gambar 3.5 Amperemeter.
IV. ANALISIS DATA DAN PEMBAHASAN
Adapun rumusan hipotesis yang digunakan sebagai acuan
dalam percobaan ini yaitu: “Grafik karakteristik secara
Pada percobaan Karakteristik Transistor seperti yang
percobaan input dan output sama dengan grafik karakteristrik
dijelaskan sebelumnya bahwa dalam percobaan ini dilakukan
teorinya”.
pengukuran terhadap rangkaian common base. Adapun hasil
yang diperoleh pada percobaan yaitu :
Adapun variabel-variabel yang digunakan dalam
percobaan ini yaitu, untuk variabel manipulasinya adalah R 1
Tabel 4.1 Hasil pengamatan untuk input karakteristik
dan R2 dengan mengubah-ubah besarnya nilai R dengan
transistor.
memutar potensiometer sebanyak 3 kali. Sedangkan, untuk
variabel respon yang digunakan dalam percobaan ini yaitu
R1 R2 IC (A) VCB (V) VBE (V) IE (A)
untuk input IC dan VCB dan untuk outputnya IE dan VBE adalah
1 1 2 0,02 0,4 2
dengan mengamati nilai V pada voltmeter (Volt) dan
mengamati nilai I pada amperemeter (Ampere). Lalu 2 2 2 0,02 0,6 1
untukvariabel kontrolnya yaitu tegangan sumber yang 3 3 2 0,02 0,6 0,6
diberikan pada rangkaian yaitu sebesar 3V.

Untuk memulai percobaan ini yaitu menyiapkan alat dan Tabel 4.2 Hasil pengamatan untuk output karakteristik
bahan yang diperlukan kemudian menyusunnya seperti pada transistor.
gambar 3.6. Kemudian memastikan bahwa rangkaian sudah
terpasang dengan benar. Selanjutnya menyalakan power R1 R2 IC (A) VCB (V) VBE (V) IE (A)
supply dan mengatur tegangan yang diberikan yaitu sebesar 1 1 8 0,08 0,6 2
3V. Lalu, memulai pengukuran karakteristik input untuk 2 2 8 0,02 0,6 1
menunjukkan nilai IE bervariasi dengan VBE ketika tegangan 3 3 2 0,02 0,6 0,6
VCB bernilai konstan. Hal yang dilakukan yaitu mengatur
tegangan VCB untuk suatu nilai tertentu dengan memutar R2 Dari dua tabel di atas dapat dibuat suatu grafik hubungan
selanjutnya tegangan VBE akan naik dengan satu rentang nilai untuk karakteristik input dan karakteristik outout seperti
diskrit dan nilai tersebut dicatat bersamaan dengan nilai IE gambar grafik berikut ini :
yang terbaca. Selanjutnya untuk mengukuran karakteristik
output, yaitu IC bervariasi dengan VCB ketika IE dipertahankan
dalam suatu nilai tertentu (konstan). Lalu, gerakan R1 untuk
LAPORAN RESMI PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR II
Gambar 4.1 Grafik karakteristik transistor input secara
percobaan.
Gambar 4.2 Grafik karakteristik transistor output secara
percobaan.
Adapun grafik hubungan yang secara teoritis yaitu sebagai
berikut :
Gambar 4.3 Grafik karakteristik transistor input secara
teori.
Gambar 4.4 Grafik karakteristik transistor output secara
teori.
Dari kedua grafik yang telah ditanpilkan dapat diketahui
bahwa grafik yang diperoleh melalui percobaan tidak sesuai
dengan grafik secara teoritis, hal ini dikarenakan dalam
melakukan percobaan praktikan kurang teliti dalam mebaca
alat ukur sehingga hasil yang diperoleh tidak sesuai dengan
data yang seharusnya diperoleh.
5
Adapun prinsip kerja dari transistor yaitu pertama,
transistor bekerja antara titik jenuh dan kondisi terbuka (out
off) tetapi tidak pada kondisi keduanya. Pada saat basis diberi
arus maka mengalir sejumlah besar arus dari kolektor ke
emitor. Variasi arus kecil yang di umpankan ke basis
menghasilkan variasi arus besar dari kolektor ke emitor atau
dengan kata lain transistor digunakan sebagai penguat..
Kedua, Transistor akan mengalami outoff apabila arus yang
melalui basis sangat kecil sehingga kolektor dan emitor akan
seperti kawat terbuka dan transistor akan mengalami jenuh
apabila arus melalui basis terlalu besar sehingga kolektor dan
emitor bagaikan kawat terhubung., dengan begitu tegangan
antara kolektor dan emitor V CE adalah 0 v dan cara kerja
transistor tersebut difungsikan sebagai saklar atau dengan kata
lain transistor digunakan sebagai penghubung atau saklar.
V. KESIMPULAN/RINGKASAN
Grafik hubungan yang diperoleh melalui percobaan tidak
sesuai dengan grafik teori hal ini disebabkan kurang telitinya
praktikan dalam membaca alat ukur. Prinsip kerja transistor
yaitu sebagai penguat dan biasa digunakan sebagai saklar.
UCAPAN TERIMA KASIH
Penulis Fitri Andriyani Puspitasari mengucapkan
terimakasih kepada asisten Percobaan Karakteristik Transistor
yaitu Mukhlis yang memberikan panduan saat melakukan
percobaan. Serta teman-teman praktikum satu kelompok yang
telah bekerjasama dalam menyelesaikan percobaan ini.
DAFTAR PUSTAKA
[1] Tim Dosen Elektronika Dasar II. 2016. Penuntun Praktikum Elektronika
Dasar II. Banjarmasin : Laboratorium Fisika FKIP UNLAM.
[2] Sutrisono. 1986. Elektronika Teori dan Penerapannya jilid 2.
Bandung : ITB.
[3] Linsley, Treror. 2004. Instalasi Listrik Dasar. Jakarta : Erlangga.
[4] Widjanarka, Wijaya. 2006. Teknik Digital. Jakrta : Erlangga.
[5] Tim Dosen. 2010. Modul Praktikum Elektronika Digital. Semarang :
Universitas Diponegoro.