TUGAS KELOMPOK

ELEKTRONIKA DAYA

BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)

Oleh:

Ketua Kelompok :
Haris Buston Nawawi
NIM. 17144001

Anggota Kelompok :
1. Bella Vista Wakim NIM. 171440013
2. Eza Yulianto Saputro NIM. 171440015
3. Hafidz Nur M. Surya NIM. 171440017
4. Indry Ratuanak NIM. 171440021

POLITEKNIK ENERGI DAN MINERAL AKAMIGAS

PEM AKAMIGAS CEPU
2019
 BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
1)
Haris Buston N, 2)Bella Vista W, 3)Eza Yulianto S, 4)Hafidz Nur M. S, 5)Indry Ratuanak
PEM Akamigas Cepu – Jawa Tengah

ABSTRAK

Blalala lalala lalala lalala lalalalalalalla laaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa

lalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalalal
alalalalalalalalalalalalalala lalalala lalalala lalalalala lalalalaalala lalalalalalalaalaalala
lalalalaalaalaalalalalalaa. Lalalalaalla llalalalala lalalalalala lalalalalalala. Mikir mikir mikir mikir
mikir mikir mikir mikir mikir mikir. Mikir mikir mikir ikri mikir. Mikir mikir mikir.

Kata Kunci : BJT, Karakteristik, Transistor

I. PENDAHULUAN penguat (amplifier) dan menjadi blok dasar
Perkembangan dan kemajuan teknologi dari integrated circuits (IC). Pada saat ini
khususnya di bidang elektronik yang transistor menjadi komponen inti di dalam
semakin pesat, sebagai indikasinya adalah microprosessor yang digunakan pada
dengan ditemukannya suatu metoda planar komputer pribadi (personal computer atau
didalam pembuatan komponen semi- PC) dan berbagai perangkat komputasi
konduktor seperti dioda dan transistor. lainnya.
Disamping itu, rekayasa teknologi di bidang Untuk dapat menghasilkan tegangan dan
elektronik menuntut semakin meningkatnya arus keluaran tertentu yang terjaga dengan
akan kebutuhan komponen-komponen semi- baik, transistor perlu menggunakan sumber
konduktor seperti transistor maupun diode. tegangan searah (direct current atau DC)
Sejarah penemuan dan pengembangan yang kemudian dirangkai dengan tatanan
transistor telah mengalami beberapa tahapan rangkaian resistor tertentu, yang lazimnya
dan perubahan, yaitu mulai dengan disebut rangkaian pembiasan DC (DC
ditemukannya transistor titik kontak (1948), biasing circuit). Komponen-komponen
transistor sambungan bipolar (1950), dan dalam rangkaian tersebut pada umumnya
yang baru adalah transistor dengan proses dihitung secara manual sesuai teori, namun
planar (1960). Tujuan dari beberapa berbagai tahapan perhitungan yang harus
pengembangan dan penemuan tersebut, tidak ditempuh memungkinkan terjadinya
lain adalah adanya tuntutan dan beberapa kesalahan [2].
pertimbangan seperti misalnya, penekanan
biaya, waktu, dan tingkat kemudahan II. TIPE-TIPE BJT
didalam proses dan teknik produksi. Penting Transistor dwi kutub (Bipolar Junction
untuk diketahui adalah pada kebanyakan Transistor) merupakan komponen semi-
transistor lazimnya mempunyai susunan dan konduktor tipe P dan N dengan struktur
konstruksi serupa [1]. sebagaimana dua dioda yang disatukan dan
Transistor merupakan kependekan dari memiliki jumlah kaki ebanyak tiga, yaitu
“Current-Transferring Resistor”. Komponen emitter (E), collector (C), dan bias (B) [2].
ini pertama kali ditemukan oleh William
Shockley, John Bardeen dan Walter Brattain
ketika sedang bekerja dalam Laboratorium
Telepon Bell pada tahun 1947. Transistor
pada umumnya digunakan pada rangkaian Gambar 1. Tipe-tipe BJT
 Terdapat dua jenis transistor yaitu NPN
dan PNP dengan berbagai macam bentuk
kemasan, antara lain selubung logam,
keramik atau polyester.
(c)

Gambar 3. Konstruksi Fisis Transistor NPN

Gambar 3a memperlihatkan aliran arus

Gambar 2. Simbol Transistor PNP dan NPN elektron dan Gambar 3b memperlihatkan
susunan fisik dari transistor tipe-NPN
III. KARAKTERISTIK MASUKAN
lengkap dengan pencatuan masing-masing
Untuk memudahkan pengertian secara
kaki serta memperlihatkan aliran arus
kualitatif perilaku dari bentuk karakteristik
didalamnya. Sedang Gambar 3c memper-
masukan dan keluaran suatu transistor dapat
lihatkan Gambar 3b secara skematik.
dipandang sebagai ekivalen dari dua buah
Suatu sifat penting dari karakteristik
dioda yang saling bertolak belakang dengan
masukan arus tegangan adalah menyerupai
posisi katodanya saling dihubungkan.
sifat sumber tegangan konstan yang ditandai
Gambar 3. Memperlihatkan suatu simbol dan
dengan adanya tegangan ambang (V)
rangkaian pengganti transistor NPN, dimana
dengan arus emitor kecil. Umumnya,
pada daerah aktif susunan dioda antara
besarnya tegangan ambang (V) kira-kira
emitor-basis mendapat tegangan bias maju
≤0,3V untuk transistor Germanium dan
(forward biased).
≤0.7V untuk transistor Silikon.
Pada daerah diatas batasan tegangan
ambang (V) terlihat jelas sekali bentuk
kurva dapat digunakan model pendekatan
linier sumber arus konstan. Pada daerah ini
terlihat perubahan tegangan basis emitor
(a)
(VBE) yang sedemikian kecil akan
menyebabkan perubahan arus kolektor (IC)
cukup besar. Dengan perilaku yang demikian
ini sangat memungkinkan sekali suatu alasan
kenapa transistor banyak difungsikan sebagai
penguat (amplifier).

(b)
 singkat (shortcircuited). Pada kenyataanya
menaikan tegangan |VCE| dengan kondisi
tegangan basis emitor (VBE) tetap konstan,
maka akan menyebabkan penurunan arus
rekombinasi basis.

Gambar 4. Bias dan Rangkaian

Pengganti Transistor NPN

Agar supaya mudah dipahami, maka

bentuk kurva dari karakteristik masukan
dapat kita pandang sebagai perubahan
tegangan basis emitor (VBE) dengan
mengkondisikan tegangan antara kolektor-
emitor (VCE) konstan. Gambar 5 ini mem-
perlihatkan kemiringan kurva hubungan
fungsi perubahan antara arus kolektor (IC) (a)
terhadap tegangan basis emitor (VBE) pada
saat tegangan kolektor-emitor (VCE) di-
kondisikan konstan. Gambar 5a. Memper-
lihatkan karakteristik masukan, dimana absis
adalah arus basis (IB) dan ordinat meng-
gambarkan tegangan basis ke emitor (VBE)
untuk berbagai nilai tegangan kolektor-
emitor (VCE). Pertama dapat diamati untuk
tegangan kolektor emitor hubung singkat
(VCE=0) dengan basis emitor terbias maju.
Dengan kondisi seperti ini, karakteristik
(b)
masukan dari transistor pada hakekatnya
Gambar 5. (a) Karakteristik Masukan IB
menyerupai dioda persambungan yang
= f(VBE) dan (b) Transfer Ic= f(VBE)
terbias maju. Dan apabila tegangan basis
menjadi nol, maka arus basis (IB) akan
berada pada nilai nol juga, karena dalam
keadaan ini kedua persambungan antara
kolektor dan emitor dalam kondisi hubung
IV. KARAKTERISTIK KELUARAN
Pada daerah aktif persambungan
kolektor diberi tegangan bias balik (reverse
biased), sedangkan pada emitor diberi
tegangan maju (forward biased). Untuk
memahami pengertian, maka pertama-tama
arus emitor dapat dianggap sama dengan nol
(IE=0). Karena polaritas kolektor basis
terbias balik, maka pada kondisi ini arus
kolektor yang mengalir sangat kecil dan
sama dengan arus kolektor balik jenuh ICBO
(untuk tipe Germanium arus balik jenuh
dalam kisaran 𝜇A, sedangkan untuk
transistor tipe silicon dalam kisaran nA).
Dari persambungan kolektor, dan dalam hal
ini dapat dipandang sebagai komponen
persambungan-pn dioda. Dengan demikian
apabila sekarang dimisalkan arus emitor
maju (IE) mengalir pada rangkaian emitor,
yang mana sebagian dari arus ini sebesar
-∝IE berada dan akan mencapai pada
kolektor. Persamaan (1) menjelaskan
hubungan antara arus (IC) dan arus balik
jenuh (ICBO).
Dari Gambar 6 diatas dapat di-
hubungkan arus bocor transistor seperti
berikut:
ICEV < ICES < ICER < ICEO
𝐼𝐶𝐵𝑂
ICBO =
𝛽
IC = ICBO -∝.IE .....(1)
Pada daerah aktif, perubahan arus
kolektor (IC) pada hakekatnya tidak ter-
gantung dari perubahan tegangan kolektor
dan hanya tergantung oleh perubahan arus
emitor (-∝.IE). Pada daerah ini perubahan
nilai dari arus keluaran kolektor (IC) paling
peka terhadap perubahan sinyal masukan dan
apabila transistor akan digunakan sebagai
penguat tanpa adanya distorsi yang berarti,
maka operasi titik kerja sebaiknya dipilih
dan dibatasi pada daerah kerja aktif. Gambar
7. memperlihatkan kurva keluaran IC=f (VCE)
untuk berbagai macam variasi arus basis (IB)
yang berbeda-beda. Karakteristik dan
hubungan arus basis (IB) pada rangkaian
emitor bersama (common emitter) dapat
dinyatakan sebagai berikut:

IB = -(IC + IE) .....(2)

Dengan menggabungkan persamaan (2)
ke dalam persamaan (1), diperoleh hubungan
berikut.
Gambar 6. Arus Bocor Transistor
𝐼𝐶𝐵𝑂 𝛼.𝐼𝐵
Ic = + 1− 𝛼 .....(3)
1−𝛼

Dengan;
𝛼
𝛽=
1− 𝛼
 Oleh karena arus balik jenuh arus basis arus pembawa mayoritas dari semikonduktor
IB>ICBO, dengan demikian (1+𝛽).ICBO tipe P (yaitu hole), bergerak melewati daerah
bernilai kecil untuk selanjutnya dapat percabangan, masuk ke kolektor. Hanya
diabaikan. Dengan (𝛼) merupakan konstanta, sebagian kecil mengalir ke basis.
maka berdasarkan (1+𝛽).ICBO, kemiringan Bias mundur pada terminal VCC
kurva arus kolektor tidak tergantung oleh menyebabkan sebagian kecil arus pembawa
tegangan (VCE). Pengaruh ini disebut dengan mayoritas dari semikonduktor tipe N (yaitu
Early effect (efek awal) (𝛼), yang elektron) masuk ke percabangan kolektor
menunjukan suatu pengaruh numerik yang dan basis.
kecil terhadap nilai (𝛼) akan menyebabkan
perubahan nilai penguatan arus (𝛼) yang
relatif besar. Gambar 7 memperlihatkan
karakteristik keluaran transistor arus kolektor
(IC) terhadap tegangan kolektor emitor (VCE). Gambar 8. Operasi Transistor PNP

Dengan memandang transistor sebagai

sebuah titik, maka sesuai hukum arus
Kirchoff:
IE = IB + IC ......(4)

Perbandingan antara arus kolektor (IC) dan

arus emitter (IE) disebut alpha DC (𝛼 DC).
𝐼𝐶
𝛼 DC = ......(5)
𝐼𝐵

Besar penguatan arus antara bagian kolektor

terhadap basis disebut beta DC (𝛽 DC).
Gambar 7. Karakteristik Keluaran 𝐼𝐶
𝛽 DC = ......(6)
Ic = f(VCE) 𝐼𝐵

Dengan mensubstitusikan persamaan (6) ke

V. OPERASI BJT TIPE-PNP
(4) maka diperoleh arus emitter:
Pada jenis PNP, transistor beroperasi
IE =( 𝛽 DC + 1). IB
dengan diberikan bias pada bagian emitter-
base dan collector-base. Bias maju pada
terminal VEE menyebabkan sebagian besar
VI. KONFIGURASI BJT Konfigurasi ini sering digunakan sebagai
Transistor ini dapat beroperasi melalui penguat tegangan (voltage amplifier).
tiga macam konfigurasi yaitu:
a. Common Base (CB)
Pada konfigurasi ini, kaki basis
terhubung dengan ground dan berada
diantara emitter dan kolektor. Percabangan
emitter-base membentuk bagian input.
Percabangan base-kolektor membentuk
bagian output. Konfigurasi ini sering
digunakan sebagai penyangga arus (current Gambar 10. Common Collector (a) NPN (b) PNP
buffer) atau penguat tegangan (voltage
c. Common Emitter (CE)
amplifier), khususnya pada rangkaian
Pada konfigurasi ini, kaki emitter
penguat berfrekuensi tinggi.
terhubung dengan ground dan berada
diantara basis dan kolektor.

Gambar 9. Common Base (a) PNP (b) NPN

b. Common Collector (CC)

Gambar 11. Common Emitter (a) NPN (b) PNP
Pada konfigurasi ini, kaki kolektor
terhubung dengan ground dan berada Percabangan base-emitter membentuk
diantara basis dan emitter. Percabangan bagian input. Percabangan emitter-collector
base-collector membentuk bagian input. membentuk bagian output. Konfigurasi ini
Percabangan collector-emitter membentuk sering digunakan sebagai penguat tegangan
bagian output. (voltage amplifier) dengan penguatan (gain)
yang tinggi.
VII.DAFTAR PUSTAKA
[1] Rugianto, 2013, Teknik Dasar
Elektronika Komunikasi Untuk
SMK/MAK Kelas X, Kemendikbud
Republik Indonesia.
[2] Saptadi Arief Hendra, dkk., 2010,
Aplikasi Perhitungan Pembiasan DC
Pada Transistor Dwi Kutub NPN
dengan Visual Basic 6.0, Jurnal Infotel
Volume 2, Nomor 1, Mei 2010,
Akademi Teknik Telekomunikasi
Shandy Putra Purwokerto.