ELEKTRONIKA DAYA

BJT (BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)

KELOMPOK 2:

MOH. SYAMSUL HUDA (TTL/17050514073)

ALFIA RIZKINA M (TTL/17050514073)

UNIVERSITAS NEGERI SURABAYA

FAKULTAS TEKNIK
JURUSAN TEKNIK ELEKTRO
PROGRAM STUDI PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRO
2019
 KATA PENGANTAR
Puji syukur penyusun panjatkan ke hadirat ALLAH SWT, karena dengan
berkat dan rahmatNya penyusun bisa menyelesaikan makalah yang berjudul BJT
(Bipolar Junction Transistor). Makalah ini dibuat guna memenuhi tugas mata
kuliah Elektronika Daya.

Penyusun mengucapkan terimakasih banyak kepada semua pihak yang telah

membantu sehingga makalah ini dapat diselesaikan tepat pada waktunya. Makalah
ini masih jauh dari sempurna, oleh karena itu, kritik dan saran yang bersifat
membangun sangat penyusun harapkan demi sempurnanya makalah ini.

Surabaya, Februari 2019

Penyusun
 BAB I
PENDAHULUAN
A. LATAR BELAKANG
Sejarah transistor pada awalnya di temukan oleh William Shockley
dan John Barden pada tahun 1948. Transistor awal mulanya di pakai dalam
praktek pada tahun 1958. Pada saat ini ada dua jenis tipe transistor, yaitu
transistor tipe P –N–P dan transistor jenis N–P– N. Dalam rangkaian difital,
transistor di gunakan sebagai saklar untuk kecepatan tinggi. Beberapa
transistor juga dapat di rangkaian sedemikian rupa sehingga berfungsi
sebagai logic gate, memory dan komponen lainnya.
Kebanyakan ahli sejarah mengira bahwa dunia elektronika dimulai
ketika Thomas Alpha Edison menemukan bahwa filamen panas
memancarkan elektron (1883). Untuk merealisasi nilai komersial dari
penemuan Edision, Fleming mengembangkan dioda hampa (1904).
Deforest menambahkan elektroda ketiga untuk mendapatkan trioda hampa
(1906). Sampai 1950, tabung hampa mendominasi elektronik; mereka
digunakan dalam penyearah, penguat, osilator, modulator, dan lain-lainnya.
Ada beberapa alasan yang menyebabkan berkurangnya penggunaan
tabung hampa dimasa sekarang ini. Hal ini dapat dilihat dari perbedaannya
yang sangat mencolok jika dibandingkan dengan transistor begitu pula
dengan kelebihan dan kekurangannya.
Perbedaan tabung hampa dengan transistor adalah sebagai berikut:
1. Pada tabung hampa:
a. Tabung hampa mempunyai fisik besar dan kurang praktis.
b. Tabung hampa mempunyai tiga kaki yang terdiri dari Anoda,
Katoda, dan Kasa kemudi.
c. Tabung hampa banyak terbuat dari kaca sehingga rangkaian di
dalamnya tampak dengan nyata.
d. Tabung hampa tidak tahan terhadap goncangan. Memerlukan
Tegangan atau energi yang cukup besar.
2. Pada transistor:
a. Bentuk fisik kecil dan praktis.
b. Transistor mempunyai tiga kaki yan terdirti dari: Basis, Kolektor,
dan Emitor.
c. Rangkaian dalam transistor tak kelihatan dari luar karena terbungkus
plat atau mika.
d. Transistor than terhadap goncangan. Transistor hanya
membutuhkan tegangan atau energi listrik yang minimum, hanya
kira-kira beberapa volt saja.
 Sejak ditemukannya transistor maka terjadilah revolusi di dalam
dunia elektronika, karena transistor memiliki keuntungan yang lebih
dibanding tabung hampa. Namun pada dasarnya, antara tabung hampa
dengan transistor hampir sama dengan tabung elektroda atau tabung
elektron.
Persamaan ialah pada kakinya sebagai berikut:

 Katoda = Emitor
 Anoda = Kolektor
 Kasa kemudi = Basis

Transistor daya memiliki karakteristik kontrol untuk menyala dan

mati. Transistor digunakan sebagai elemen saklar, dioperasikan dalam
wilayah satu rasi, menghasilkan dalam drop tegangan kondisi on yang
rendah. Kecepatan pensaklaran transisitor modem lebih tinggi daripada
thyristor dan transisitor secara normal digunakan dalam aplikasi daya
rendah sampai menengah.

Pada umumnya transisitor berfungsi sebagai suatu switching

(kontak on-off). Adapun kerja transistor yang berfungsi sebagai switching
ini, selalu berada pada daerah jenuh (saturasi) dan daerah cut off.

B. TUJUAN
Tujuan dibuatnya makalah ini adalah untuk memberikan informasi
mengenai pengertian bipolar junction transistor, karakteristik, dan prinsip
kerjanya.
 BAB II
PEMBAHASAN
A. PENGERTIAN BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi
semacam kran listrik, di mana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau
tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat
akurat dari sirkuit sumber listriknya.
Bipolar Junction Transistor (BJT) atau Transistor persambungan
bipolar merupakan transistor yang tersusun atas tiga terminal
semikonduktor terdoping yang dipisahkan oleh dua sambungan pn.
3 terminal tersebut adalah Base (B), Collector (C), dan Emitter (E). Daerah
base merupakan semikonduktor dengan sedikit doping dan sangat tipis bila
dibandingkan dengan emitter (doping paling banyak) maupun kolektor
(semikonduktor berdoping sedang). Fungsi utama pembuatan transistor BJT
adalah sebagai penguat (amplifier). Karena sifatnya, transistor ini juga dapat
digunakan dalam keperluan lain, seperti sebagai saklar elektronik.
BJT terbagi atas 2 jenis yaitu NPN dan PNP. Apabila daerah P
berada pada himpitan antara dua daerah N maka disebut transistor NPN, dan
jika daerah N berada pada himpitan antara dua daerah P maka disebut
transistor PNP. Sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan
emitter dikenal sebagai sambungan base-emiter (base-emitter junction),
sedangkan sambungan pn yang menghubungkan daerah base dan kolektor
dikenal sebagai sambungan base-kolektor (base-collector junction).
Pada gambar berikut merupakan struktur dan symbol dari transistor
persambungan bipolar tipe PNP dan NPN. Istilah bipolar digunakan karena
adanya elektron dan hole sebagai muatan pembawa (carriers) didalam
struktur transistor.

Gambar1.1 struktur dan symbol BJT

B. KARAKTERISTIK BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
1. Kurva Kolektor
Karakteristik kolektor yang terlihat dari pengamatan kurva kolektor
dibawah ini merelasikan antara IC , VBE, dan IB sebagai sumber
parameter. Dari kurva kolektor tersebut, tampak disana ada 4 daerah
yaitu daerah aktif, daerah saturation (jenuh), daerah cuf-off (putus), dan
daerah breakdown (dadal).

Kurva kolektor

Daerah Aktif
Daerah antara tegangan lutut (knee), VK dan tegangan dadal
(breakdown), VBR serta diatas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila
sambungan emitor diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi bias
balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis ( IC =
IB).

Daerah Saturation (Jenuh)

Daerah dengan VCE lebih kecil dari tegangan lutut (VK). Daerah
saturasi terjadi bila sambungan emitor dan basis sama-sama diberi bias
maju. Pada daerah saturasi, arus kolektor (IC) tidak tergantung pada arus
basis (IB).
 Nilai VCE (sat) transistor silikon = 0,2 volt
 Nilai VCE (sat) transistor germanium = 0,1 volt.
 Daerah Cut Off (Putus)
Daerah yang terletak di bawah IB = ICO. Daerah cut-off terjadi bila
sambungan kolektor dan emitor sama-sama diberi bias balik. Pada
daerah cut-off, IE = 0 ; IC =ICO = IB.

Daerah Breakdown (dadal)

Daerah yang terletak di atas batas tegangan maksimum kolektor-
emitor (VCE) suatu transistor. VCE maksimum pada beberapa jeni
transistor adalah berbeda-beda. Pada kurva kolektor diatas terlihat,
daerah breakdown terjadi setelah VCE transistor mencapai diatas ± 10
volt. Transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena transistor
dapat menjadi rusak.
Keterangan:
VK = tegangan lutut (knee).
IB = Arus basis.
ICO = Arus cut-off.
VCE = Tegangan kolektor-emitor.
VCE(sat) = Tegangan kolektor-emitor pada daerah saturasi.

2. Kurva Basis
Kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis (IB) dan
tegangan basis-emitor (VBE) dengan tegangan kolektor-emitor (VCE)
sebagai parameternya.
 Kurva karakteristik basis
Kurva basis diatas dapat terlihat pada alat ukur yang bernama
osiloskop dengan cara menghubung singkatkan kolektor-emitor
(VCE = 0) dan emitor diberi bias maju.
Dengan bertambahnya VCE pada VBE yang konstan (tetap), maka
lebar daerah deplesi di sambungan kolektor bertambah dan
mengakibatkan lebar basis efektif berkurang. Dengan berkurangnya
lebar basis, maka arus basis (IB) rekombinasi juga berkurang.
Catatan :
 VK (tegangan lutut) atau tegangan ambang/threshold.
Untuk transistor silikon = 0.5 sampai 0,6 volt. Untuk
transistor germanium = 0,1 sampai 0,2 volt.
 VBE (tegangan basis-emitor) di daerah aktif.
Untuk transistor silikon = 0.7 volt. Untuk transistor
germanium = 0,2 volt.
 VBE transistor ideal. VBE = 0 volt

3. Kurva Beta
Kurva beta menunjukkan bahwa nilai β akan berubah dengan
dipengaruhi oleh suhu (T) dan arus kolektor (IC).
Berikut karakteristiknya:
 Nilai β bertambah jika suhu (T) naik.
 Nilai β bertambah jika arus kolektor (IC) naik.
 Nilai β turun jika arus kolektor (IC) naik di luar nilai tertentu.
 Kurva beta (β) pada BJT

C. PRINSIP KERJA
Gambar 3 menunjukkan rangkaian kedua jenis transistor npn dan
pnp dalam mode operasi aktif transistor sebagai amplifier. Pada kedua
rangkaian, sambungan base-emiter (BE) dibias maju (forward-biased)
sedangkan sambungan base-kolektor (BC) dibias mundur (reverse-biased).

Gambar 3. Forward-Reverse Bias pada BJT

 BAB III
PENUTUP
A. KESIMPULAN
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan,
modulasi sinyal. Fungsi utama pembuatan transistor BJT adalah sebagai
penguat (amplifier).
Dalam mode operasi aktif transistor sebagai amplifier, pada kedua
rangkaian transistor, sambungan base-emiter (BE) dibias maju (forward-
biased) sedangkan sambungan base-kolektor (BC) dibias mundur (reverse-
biased).
 REFERENSI
Anonim. 2018. Transistor Sambungan Dwikutub. (Online).
(https://id.wikipedia.org/wiki/Transistor_sambungan_dwikutub). Diakses
pada 12 Februari 2019.
Anonim. 2010. Bipolar Junction Transistor (BJT). (Online).
(https://tanotocentre.wordpress.com/2010/10/26/bipolar-junction-
transistor-bjt/). Diakses pada 12 Februari 2019.