MODUL 3 BJT DAN MOSFER

Atthoriq Anang Nugraha (119400012)

Asisten: Bernardus Galih, S.T., M.T.
Tanggal Percobaan: 21/05/2021
TT2207- Praktikum Elektronika
Praktikum Teknik Telekomunikasi 2 – Institut Teknologi Sumatera

Abstrak
Praktikum modul 2 Elektronika dengan judul BJT dan MOSFET bertujuan Tujuan dari praktikum ini adalah memahami dan menggambarkan
kurva karakteristik transistor dan kurva karakteristik transistor MOSFET serta garis bebannya, mengidentifikasi daerah kerja transistor
berdasarkan pada kurva karakteristik transistor, Mengaplikasikan transistor dan MOSFET sebagai penguat dan atau saklar berdasarkan
pada daerah kerja transistor dan datasheet, mengenal aplikasi TTL (Transistor-Transistor Logic), mengkonfigurasikan MOSFET sebagai
penguat sinyal kecil dan Menentukan respon frekuensi dan jenis filter.

Pada praktikum ini dilakukan

Kata kunci: Dioda, Clampper, Clipper, Penyearah

1. PENDAHULUAN
Salah satu komponen elektronika yang perlu diketahui dan dipelajari pada sebuah rangkaian elektronika adalah transistor
bipolar atau transistor dengan dua kutub yakni N dan P dan FET. transistor merupakan komponen elektronika yang terdiri dari
dua dioda baik tipe N maupun tipe P yang saat digabung, keduanya dapat berubah menjadi tipe PNP atau NPN. Transistor
berfungsi sebagai penguat dalam suatu rangkaian, pemutus dan penghubung arus[ CITATION Muh20 \l 1033 ]. Selain
transistor bipolar, percobaan yang dilakukan adalah mengenai Transistor FET. FET adalah transistor yang bekerja
berdasarkan efek medan elektrik yang dihasilkan oleh tegangan yang diberikan pada kedua ujung terminal. Mekanisme
kerja transistor yang berbeda dengan transistor BJT yang berfungsi sebagai konverter tegangan ke arus.

Dalam transisitor terdapat beberapa metode bias tegangan yang berbeda tergantung rangkaian yang ada. Dalam transisitor,
kaki basis, kaki emitor, serta kaki collector untuk suplai alir arus menuju kepenampungan arus yakni pada collector. Oleh
karena itu, diperlukan sebuah percobaan mengenai hal tersebut untuk mengetahui prinsip kerja transistor BJT dan MOSFET
agar teori yang telah dipelajari dapat dimengerti melalui sebuah rangkaian percobaan. Percobaan tersebut dilakukan agar
diperoleh hasil yang ditujukan pada tujuan. Adapun tujuan dari percobaan ini adalah,

1
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera
1. .Mampu memahami dan menggambarkan kurva karakteristik transistor beserta dengan garis bebannya.

2. Dapat mengidentifikasi daerah kerja transistor berdasarkan pada kurva karakteristik transistor yang telah
didapatkan melalui percobaan.

3. Mengaplikasikan transistor sebagai penguat dan sebagai saklar berdasarkan pada daerah kerja transistor dan datasheet-
nya.

4. Pengenalan aplikasi TTL (Transistor-Transistor Logic)

5. Mampu memahami dan menggambarkan kurva karakteristik transistor MOSFET.

6. Mampu mengkonfigurasikan MOSFET sebagai penguat sinyal kecil AC.

7. Menentukan respon frekuensi dan jenis filter.

8. Mengaplikasikan MOSFET sebagai saklar.

2. STUDI PUSTAKA

A. TRANSISTOR

Transistor merupakan salah satu komponen elektronika paling penting.Terdapat dua jenis transistor berdasarkan jenis muatan
penghantar listriknya, yaitu bipolar dan unipolar. Dalam hal ini akan kita pelajari transistor bipolar. Transistor bipolar terdiri
atas dua jenis, bergantung susunan bahan yang digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol hubungan antara arus dan
tegangan dalam transistor ditujukkan oleh gambar berikut ini.

Gambar 2.1 Transistor NPN dan PNP

Jenis-jenis transistor dibedakan berdasarkan arus inputnya BJT (Bipolar Junction Transistor) atau tegangan inputnya FET (Field
Effect Transistor ). Yang membedakan transistor dengan komponen lain, adalah memiliki 3 kaki utama, yaitu Base (B),
Collector, (C) dan Emitter (E). dimana base terdapat arus yang sangat kecil, yang berguna untuk mengatur arus dan tegangan
yang ada pada Emitor, pada keluaran arus Kolektor. Sehingga apabila terdapat arus pada basis, tegangan yang besar pada
kolektor akan mengalir menuju emitor. Bahan dasar pembuatan transistor itu sendiri atara lain Germanium, Silikon, Galium
Arsenide. Sedangkan kemasan dari transistor itu sendiri biasanya terbuat dari Plastik, Metal, Surface Mount, dan ada juga
beberapa transistor yang dikemas dalam satu wadah yang disebut IC (Intregeted Circuit).

b. BJT

2
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera
 Bipolar junction transistor (BJT) adalah jenis transistor yang memiliki tiga kaki, yaitu (Basis, Kolektor, dan Emitor) dan di
pisah menjadi dua arah aliran, positif dan negatif. Aliran positif dan negatif diantara Basis dan Emitor terdapat tegangan dari
0v sampai 6v tergantung pada besar tegangan sumber yang dipakai. Dan besar tegangan tersebut merupakan parameter utama
transistor tipe BJT. Tidak seperti Field Effect transistor (FET), arus yang dialirkan hanya terdapat pada satu jenis pembawaan
(Elektron atau Holes). Di BJT, arus dialirkan dari dua tipe pembawaan (Elektron dan Holes), hal tersebut yang dinamakan
dengan Bipolar Ada dua jenis tipe transistor BJT, yaitu tipe PNP dan NPN. Dimana NPN, terdapat dua daerah negatif yang
dipisah dengan satu daerah positif. Dan PNP, terdapat dua daerah positif yang dipisah dengan daerah negatif.

Karakteristik dari masing-masing daerah operasi transistor tersebut dapat diringkas sebagai berikut,

 Daerah Potong (cutoff)

Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak terjadi pergerakan elektron, sehingga arus Basis, IB = 0.
Demikian juga, arus Kolektor, IC = 0, atau disebut ICEO (Arus Kolektor ke Emiter dengan harga arus Basis adalah 0).

 Daerah Saturasi :

Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga diberi prategangan maju. Akibatnya, arus Kolektor, IC,
akan mencapai harga maksimum, tanpa bergantung kepada arus Basis, IB, dan βdc. Hal ini, menyebabkan Transistor
menjadi komponen yang tidak dapat dikendalikan. Untuk menghindari daerah ini, Dioda Kolektor harus diberi
prateganan mundur, dengan tegangan melebihi VCE(sat), yaitu tegangan yang menyebabkan Dioda Kolektor saturasi.

 Daerah Aktif :

Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi prategangan mundur. Terjadi sifat-sifat yang diinginkan.

 Daerah Breakdown

Dioda Kolektor diberi prategangan mundur yang melebihi tegangan Breakdown-nya, BVCEO (tegangan breakdown
dimana tegangan Kolektor ke Emiter saat Arus Basis adalah nol). Sehingga arus Kolektor, IC, melebihi spesifikasi
yang dibolehkan. Transistor dapat mengalami kerusakan.[ CITATION Muh161 \l 1033 ]

c. FET

Transistor FET adalah transistor yang bekerja berdasarkan efek medan elektrik yang dihasilkan oleh tegangan
yang diberikan pada kedua ujung terminalnya. Mekanisme kerja transistor ini berbeda dengan transistor BJT.
Pada transistor ini, arus yang dihasilkan/dikontrol dari Drain (analogi dengan kolektor pada BJT), dilakukan oleh
tegangan antara Gate dan Source (analogi dengan Base dan Emiter pada BJT). Bandingkan dengan arus pada Base
yang digunkan untuk menghasilkan arus kolektor pada transistor BJT. Jadi, dapat dikatakan bahwa FET adalah transistor
yang berfungsi sebagai “konverter” tegangan ke arus. Transistor FET memiliki beberapa keluarga, yaitu JFET dan
MOSFET. Pada praktikum ini akan digunakan transistor MOSFET walaupun sebenarnya karakteristik umum dari
JFET dan MOSFET adalah serupa. Karakteristik umum dari transistor MOSFET dapat digambarkan pada kurva yang
dibagi menjadi dua, yaitu kurva karakteristik ID vs VGS dan kura karakteristik ID vs VDS. Kurva karakteristik ID
vs VGS diperlihatkan pada gambar berikut. Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat VGS minimum yang

3
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera
 menyebabkan arus mulai mengalir. Tegangan tersebut dinamakan tegangan threshold, Vt. Pada MOSFET tipe
depletion, Vt adalah negative, sedangkan pada tipe enhancement, Vt adalah positif.

d. MOSFET

MOSFET adalah perangkat empat terminal dengan sumber (S), gerbang (G), saluran (D), dan basis (B) terminal, basis
(atau substrat) dari MOSFET sering terhubung ke sumber terminal, membuatnya menjadi perangkat tiga terminal seperti
transistor efek medan lainnya. Karena dua terminal ini biasanya terhubung satu sama lain (hubung pendek) secara
internal, hanya tiga terminal muncul dalam diagram listrik. MOSFET adalah jauh transistor paling umum di kedua sirkuit
digital dan analog, meskipun bipolar junction transistor pada satu waktu yang jauh lebih umum. Logam-oksida-
semikonduktor transistor efek medan (MOSFET, MOS-FET, atau MOS FET) adalah jenis transistor digunakan untuk
memperkuat atau beralih sinyal elektronik. MOSFET menunjukkan gerbang (G), Basis (B), sumber (S) dan Drain (D)
terminal. Gerbang dipisahkan dari basis dengan lapisan isolasi (putih).Dalam trasistor efek medan (FET), modus
penipisan dan modus tambahan dua jenis transistor utama, sesuai dengan apakah transistor dalam keadaan ON atau
negara OFF nol gerbang-sumber tegangan.Keuntungan utama dari MOSFET lebih transistor biasa adalah bahwa ia
memerlukan sangat sedikit saat ini untuk mengaktifkan (kurang dari 1mA), sementara memberikan yang jauh lebih tinggi
saat ini untuk beban (10 sampai 50A atau lebih). Namun, MOSFET memerlukan tegangan gerbang tinggi (3-4V) untuk
mengaktifkan.

3. METODOLOGI
Praktikum Teknik Telekomunikasi 2 (Elektronika) Modul 3 BJT dan MOSFET dilaksanakan dalam jaringan (dalam
jaringan) melalui video conference aplikasi Zoom Meeting pada hari Jumat, tanggal 21 Mei 2021 pukul 14.00 sampai
dengan 16.00 WIB .

1.1 ALAT DAN BAHAN

a. PC/Laptop
b. Software Electronic Workbench (EWB)

1.2 PROSEDUR PRAKTIKUM

1. Kumpulkan Tugas Pendahuluan kepada asisten melalui tautan yang telah disediakan.
2. Buka software EWB yang telah terinstall.

Karakteristik Transistor BJT

3. Dengan menggunakan software EWB, buatlah rangkaian seperti gambar berikut:

4
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera
4. Hubungkan titik 1 dan 2 ke Amperemeter, Lalu hubungkan Vs dengan sumber tegangan DC.
5. Ubah nilai Vs sampai diperoleh nilai arus Ib sebesar 0.04 mA.
6. Hubungkan titik 3 dan 4 ke Amperemeter.
7. Hubungkan Vcc dengan sumber tegangan DC, Lalu hubung singkatkan titik 1 dan 2.
8. Ubah nilai Vcc dari rentang 0 –10 Volt dengan rentang perubahan 1 Volt.
9. Catat nilai yang terukur pada alat ukur untuk tiap perubahan nilai tegangan sumber kemudian masukkan dalam tabel
dan laporan Anda
10. Reset ke nilai 0 nilai tegangan sumber DC (Vcc).
11. Hubung singkatkan titik 3 dan 4.
12. Hubungkan titik 5 dan 6 ke Voltmeter (perhatikan aturan penggunaan Multimeter).
13. Ulangi langkah 9 dan 10.
14. Lepaskan Voltmeter dari titik 5 dan 6.
15. Ulangi langkah 4–15 dengan mengubah nilai Ib dengan kenaikan perubahan 0,02 mA.
16. Lakukan pengulangan langkah sampai nilai Ib terakhir adalah 0,1 mA.
17. Catat pada logbook.
Aplikasi BJT
18. Dengan menggunakan software EWB, buatlah rangkaian seperti gambar berikut:

19. Atur nilai tegangan sumber DC sebesar 5 Volt.

20. Hubungkan Vin dan Vcc ke sumber tegangan DC.
21. Sambungkan –Lepaskan titik 1 dan 2.
22. Amati bentuk perubahan yang terjadi untuk setiap perubahan (titik 1 dan 2 tersambung -titik 1 dan 2 di lepas).
23. Catat hasil pengamatan pada logbook.
24. Dengan menggunakan software EWB, buatlah rangkaian seperti gambar berikut:

5
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera
25. Atur nilai tegangan sumber DC sebesar 5 Volt.
26. Hubungkan Vin dan Vcc ke sumber tegangan DC.
27. Sambungkan –Lepaskan titik 1 dan 2.
28. Amati bentuk perubahan yang terjadi untuk setiap perubahan (titik 1 dan 2 tersambung -titik 1 dan 2 di lepas).
29. Catat hasil pengamatan pada logbook.

Karakteristik MOSFET
30. Dengan menggunakan software EWB, buatlah rangkaian seperti gambar berikut:

31. Berikan catuan Vgs (dengan DC power supply) dengan nilai 0 Volt.
32. Hubungkan titik 1 dan 2 ke Amperemeter.
33. Berikan catuan Vdd (denganDC power supply) dengan rentang: 0 –10 Volt (rentang perubahan= 1 Volt).
34. Catat nilai yang terukur (Id) untuk setiap perubahan nilai Vdd pada logbook.
35. Setelah selesai, reset nilai Vdd menjadi 0 Volt.
36. Lepaskan Amperemeter dari titik 1 dan 2.
37. Hubungsingkatkan titik 1 dan 2.
38. .Hubungkan titik 2 dan 3 ke Voltmeter.
39. .Berikan catuan Vdd (dengan DC power supply) dengan rentang: 0 –10 Volt (rentang perubahan= 1 Volt).
40. Catat nilai yang terukur (Vds) untuk setiap perubahan nilai Vdd pada logbook.
41. .Ulangi langkah 6 –14 dengan mengubah nilai Vgs (nilai perubahan: 1 Volt, 2 Volt, 3 Volt, 4 Volt, 5 Volt).

Aplikasi MOSFET

6
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera
 Inverter
42. Dengan menggunakan software EWB, buatlah rangkaian seperti gambar berikut:

43. Atur nilai tegangan sumber DC sebesar 5 Volt.

44. Hubungkan Vin dan Vcc ke sumber tegangan DC.
45. Sambungkan –Lepaskan titik 1 dan 2.
46. Amati bentuk perubahan yang terjadi untuk setiap perubahan (titik 1 dan 2 tersambung -titik 1 dan 2 di lepas).
47. Catat hasil pengamatan pada logbook dan lakukan Analisis pada laporan praktikum.

Switch
48. Dengan menggunakan software EWB, buatlah rangkaian seperti gambar berikut:

49. Atur nilai tegangan sumber DC sebesar 5 Volt.

50. Hubungkan Vin dan Vcc ke sumber tegangan DC.
51. Sambungkan –Lepaskan titik 1 dan 2.
52. Amati bentuk perubahan yang terjadi untuk setiap perubahan (titik 1 dan 2 tersambung -titik 1 dan 2 di lepas).
53. Catat hasil pengamatan pada logbookdan lakukan Analisis pada laporan praktikum.

Mengakhiri Percobaan
54. Scan dan upload logbookAnda melalui tautan yang telah disediakan sebagai bentuk keaktifan anda dalam
melaksanakan prakitkum.

7
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera
4. HASIL DAN ANALISIS
Praktikum modul 3 -

5. KESIMPULAN
Pada praktikum ini dapat disimpulkan bahwa:

1.

DAFTAR PUSTAKA

[1] M. A. Syarifudin, “Karakteristik dan Transformator,” Universitas Negeri Malang, Malang, 2016.
[2] Sutrisno, Elektronika : Teori dan Penerapannya, Bandung: ITB, 1986.
[3] H. D. Surjono, ii Elektronika : Teori dan Penerapan, Jember, Jawa Timur: Cerdas Ulet Kreatif , 2011.
[4] Alfith, “Aplikasi Dioda dalam Sirkuit,” Universitas Brawijaya, Malang, 2018.

BIOGRAFI PENULIS
Saya bernama Atthoriq Anang Nugraha yang lahir di Bandar Lampung pada tanggal 25 Juni 2001. Saya bertempat
tinggal di Kalianda, Lampung Selatan dan indekos di Sukarame, Bandar Lampung. Pendidikan saya dimulai pada TK Dharma
Wanita (2006-2007), SDN 1 Way Urang (2007-2009), SDN 2 Kalianda (2009-2013), SMPN 1 Kalianda (2013-2016), SMAN 1
Kalianda (2016-2019) dan Institut Teknologi Sumatera S-1 Teknik Telekomunikasi (2019-Sekarang). Aktif di himpunan
sebagai Ketua Himpunan Mahasiswa Telekomunikasi dan beberapa kepanitiaan di ITERA.

LAMPIRAN

8
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera
 9
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera
 10
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera
 11
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera
 12
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera
 13
Laporan Praktikum – Institut Teknologi Sumatera