Analisis DC Penguat Transistor Bipolar Satu Tahap

Syamsul Alim Bahri

Ita Purnamasari, Dewanthikumala, Rahmayuni dan Yuliastuti
Fisika 2012

Abstrak
Telah dilakukan praktikum dengan judul Analisis DC Penguat Transistor Bipolar Satu
tahap. Penguat transistor bipolar satu tahap adalah suatu rangkaian yang hanya menggunakan satu
transistor saja. Tujuan percobaan ini yaitu merancang sistem penguat transistor bipolar satu tahap dan
untuk menentukan parameter-parameter dc sebuah sistem penguat transistor bipolar satu tahap dengan
pengukuran langsung dan perhitungan secara teori. Prinsip dari teori ini adalah arus basis
yang mengalir akan menentukan lebar lapisan deflesi yang akan menentukan
besar hambatan pada rangkaian. Dalam percobaan ini terdapat tiga kegiatan yaitu 1.
Rangkaian Bias Tetap (Fixed Bias Circuit), 2. Rangkaian Stabilisasi Emitter, dan 3. Rangkaian
Pembagi Tegangan. Dimana dalam percobaan digunakan 1buah potensiometer yang juga berfungsi
sebagai RB1 sebesar 100 k, RB2 = 4,7 k, RC =2,2 k, RE = 1 k,VCC = 10 Vdc dan VCE = 5V,
transistor NPN dan = 60. Data yang diperoleh pada Rangkaian Bias Tetap, IB sebesar
25,80 A, IC sebesar 2,17 mA, VB = 0,60 V, VC = 5,00 V. Rangkaian Stabilisasi
emitor, IB sebesar 18,70 A, IC sebesar 1,53 mA, IE sebesar 1,55 mA, VB 2,23 V, VC
6,63 V, VE sebesar 1,64 V. Rangkaian Pembagi Tegangan, I B sebesar 19,90 A , IC
sebesar 1,63 mA, IE sebesar 1,65 mA, VB sebesar 2,25 V, VC sebesar 6,62 V, VE
sebesar 1,66 V.

Kata kunci: Rangkaian Bias Tetap (Fixed Bias Circuit), Rangkaian Stabilisasi Emitter, Rangkaian
Pembagi Tegangan, Arus Basis, Tegangan Basis, Arus Collector, Tegangan Collector,
Arus Emitter, Tegangan Emitter dan Tegangan Collector-Emitter.

1. Metode Dasar Logic). Contoh tipikal dari rangkaian

Trioda semikonduktor atau transistor terpadu linear adalah Operasional
adalah piranti semikonduktor yang Amplifier (Op-Amp). Sedangkan contoh
mempunyai kemampuan menguatkan. digital dari rangkaian terpadu digital
Ada dua macam transistor sambungan adalah gerbang-gerbang logika.
kutub (BJT, Bipolar Junction Transistor ) (Haris dkk, 2008 : 20).
dan transistor efek medan (FET, Field Dalam elektronika, penguat
Effect Transistor) (Susanto,1994) merupakan penerapan sifat-sifat
Rangkaian terpadu (Integrated komponen elektronika yang paling utama.
Circuit IC) adalah rangkaian kompleks Tanpa penguatan sinyal-sinyal lemah
yang dibuat pada sebuah irisan kecil tidak mungkin terbentuk sistem
silikon. Rangkaian terpadu dibagi menjadi elektronika yang bermanfaat. Kebutuhan
dua kelas umum linear (analog) dan penguatan pada mulanya diperlukan
digital (TTL Transistor Transistor dalam sinyal radio yang amat lemah agar
dapat menggetarkan membran pengeras
suara (Bambang purwadi ,1994)
Transistor BJT terdiri dari dua
semikonduktor sambungan pn
dibentuk dalam satu kristal, engan jarak
antara kedua sambungan lebih lebar dari
difusi. Tergantung dari
semikonduktor yang berada di tengah,
dimungkinkan adanya dua jenis tarsistor,
yaitu transistor pnp dan transistor npn.
Dengan menyebut transistor,
umumnya yang dimaksud
transistor BJT. Huruf E, C dan B adalah
singkatan dari emitter (emiter) collector
(kolektor) dan base (basis). Sambungan
antara emiter dan basis dinamakan
sambungan emiter (emitter junction, JE),
sedang sambungan antara basis dan
kolektor disebut sambungan kolektor
(collector junction, JC). Anak panah pada
emiter menunjukkan arah arus pada
sambungan emiter untuk tegangan panjar
arah maju. Dasar kerja dari dua jenis
transistor tersebut adalah serupa, hanya
saja pembawa muatan minoritas dan
mayoritasnya berbalikan, yaitu hole dan
elktron. Yang juga berbalikan adalah
polaritas dari tegangan
(Bambang purwadi, 1994 : 144).
Analisis dan perancangan sebuah
penguat (amplifier)
membutuhkan pemahaman
tentang respon dc dan respon ac dari
sistem. Analisis dan perancangan berbagai
jenis penguat elektronik dengan demikian
memiliki dua komponen utama, yaitu :
komponen dc dan komponen ac.
(Tim Elektronika Dasar, 2014).
yang Pada unit ini akan dibahas analisis
dc sejumlah jaringan atau rangkaian dasar
penguat transistor konfigurasi common
type emitter dimana setiap jaringan sangat
menentukan stabilitas dari sistem penguat.
(Tim Elektronika Dasar, 2014)
Untuk setiap rangkaian yang
pada berbeda yang akan dibahas, analisis
adalah konfigurasinya selalu mengacu pada
hubungan hubungan dasar transistor
bipolar, yaitu :
VBE = 0.7 V.........(1)
IE = ( + 1) IB = IC.........(2)
IC = IB...............(3)
Untuk 3 (tiga) rangkaian dasar
penguat transistor bipolar satu tahap yang
akan diuji parameter parameter dc-nya
dapat dilihat pada gambar berikut.
(Tim Elektronika Dasar, 2014)
1. Rangkaian Bias Tetap (Fixed Bias
Circuit)
panjarnya
transistor
mendasar
Gambar 1.1 Rangkaian Bias Tetap
 VC = VCC ICRC
VB = VCC IBRB
Analisis pada rangkaian ini VE = IERE dengan IE = IC
menghasilkan: (Tim Elektronika Dasar, 2014)
V CC V BE 3. Rangkaian Pembagi Tegangan
I B=
RB

IC = I B
dan
VCE = VCC - ICRC
Gambar 1.3 Rangkaian PembagiTegangan
di mana
VCE = VC dan VBE = VB
Analisis rangkaian setaranya
(Tim Elektronika Dasar, 2014)
menghasilkan :
R2
ETH =V B = V dan
R1 + R2 CC

RTH =R 1 {R 2
2. Rangkaian Stabilisasi Emitter
Dengan demikian, diperoleh :

ETH V BE
I B=
RTH +(+1) R E

Selanjutnya, analisis untuk IC, IE, VC dan

VE sama seperti rangkaian sebelumnya.
(Tim Elektronika Dasar, 2014)
Penentuan Titik Operasi
Sinyal keluaran dari sebuah

Gambar 1.2 Rangkaian Stabilisasi Emitter penguat, selain di harapkan menjadi lebih
besar, juga mempunyai bentuk serupa

Penyelidikan rangkaian di atas akan dengan masukannya. Untuk maksud ini

menghasilkan : transistor harus dioperasikan padaa daerah

V CC V BE yang paling linear yaitu daerah aktif. Titik

I B=
RB +( +1) R E operasi tidak lain adalah harga dari arus
dan tegangan dari transistor sebelum
IC = IB
adanya sinyal masukan. Harga-harga ini
ditentukan oleh harga dari tahanan dan d. Variabel kontrol : Tegangan
sumber tegangan luar yang dipasang pada Collector-Collector (VCC) dengan
rangkaian (Bambang purwadi, 1994 : satuan Volt (V), Tegangan Collector-
Bambang purwadi, 1994 :157). Emitter (VCE) dengan satuan Volt (V),
Resistansi Collector (RC) dengan
2. Identifikasi Variabel satuan kilo Ohm (k), dan Resistansi
Kegiatan I : Rangkaian Bias Tetap Emitter (RE) dengan satuan kilo Ohm
(Fixed Bias Transistor) (k).
a. Variabel manipulasi : Resistansi
Kegiatan III : Rangkaian Pembagi
Basis (RB) dengan satuan kilo Ohm
Tegangan
(k)
b. Variabel respon : Arus Basis (I B) a. Variabel manipulasi : Resistansi
dengan satuan mikro Ampere (A),
Basis pertama (RB )
1 dengan
Arus Collector (IC) dengan satuan
milli Ampere (mA), Tegangan Basis satuan kilo Ohm (k).
b. Variabel respon : Arus Basis (I B)
(VB) dengan satuan Volt (V) dan
dengan satuan mikro Ampere (A),
Tegangan Collector (VC) dengan
Arus Collector (IC) dengan satuan
satuan Volt (V).
c. Variabel kontrol : Tegangan milli Ampere (mA), Arus Emitter (IE)
Collector-Collector (VCC) dengan dengan satuan milli Ampere (mA),
satuan Volt (V), Tegangan Collector- Tegangan Basis (VB) dengan satuan
Emitter (VCE) dengan satuan Volt (V), Volt (V) dan Tegangan Collector (VC)
dan Resistansi Collector (RC) dengan dengan satuan Volt (V).
c. Variabel kontrol : Tegangan
satuan kilo Ohm (k).
Collector-Collector (VCC) dengan
Kegiatan II : Rangkaian Stabilisasi
satuan Volt (V), Tegangan Collector-
Emitter
Emitter (VCE) dengan satuan Volt (V),
a. Variabel manipulasi : Resistansi
Basis (RB) dengan satuan kilo Ohm Resistansi Basis kedua ( RB ) 2

(k)
b. Variabel respon : Arus Basis (I B) dengan satuan kilo Ohm (k),

dengan satuan mikro Ampere (A), Resistansi Collector (RC) dengan

Arus Collector (IC) dengan satuan satuan kilo Ohm (k), dan Resistansi

milli Ampere (mA), Arus Emitter (IE) Emitter (RE) dengan satuan kilo Ohm

dengan satuan milli Ampere (mA), (k).

Tegangan Basis (VB) dengan satuan

Volt (V) dan Tegangan Collector (VC) 3. Defenisi Operasional Variabel
dengan satuan Volt (V).
Kegiatan I : Rangkaian Bias Tetap (Fixed
i. RB atau
RB 1 adalah hambatan
Bias Transistor)
yang dipasang pada kaki basis.
a. VCC adalah besarnya tegangan
Hambatan ini sendiri terdiri atas
sumber yang digunakan pada
potensiometer yang dapat
rangkaian ini, dimana nilainya adalah
dimanipulasi untuk mengubah arus
10 dengan satuan Volt.
b. VCE adalah beda potensial antara kaki basis dan mengontrol lebar lapisan
collector-emiter yang merupakan deplesi. Satuan dari hambatan ini
setengah dari nilai VCC. Nilai tersebut adalah k.
j.
RB adalah hambatan yang
merupakan nilai yang menandakan 2

bahwa transistor berada pada dipasang pada kaki basis pada

keadaan aktif. Satuan dari nilai kegiatan ketiga. Hambatan ini sendiri
tegangan ini adalah Volt.
c. VB adalah beda potensial yang dipasang parallel dengan
RB ,
1

terukur pada kaki basis, dimana

sehingga dapat digantikan dengan
satuannya adalah Volt.
d. VC adalah beda potensial yang sebuah hambatan pengganti yang

terukur pada kaki collector, dimana dianalisis dengan analisis Thevenin,

satuannya adalah Volt. sehingga hambatan pengantinya

e. VE adalah beda potensial yang
menjadi RTH. Nilai dari
RB 2
terukur pada kaki emitor, yang
satuannya adalah Volt. adalah 4.70 dengan satuannya adalah
f. IB adalah arus yang mengalir pada
k.
basis, dimana arus ini yang akan k. RC adalah hambatan yang terpasang
menentukan lebar dari lapisan pada kaki collector. Nilai dari
deplesi. Dimana satuannya adalah hambatan ini sendiri adalah 2.20 ,
A. dengan satuannya adalah k.
g. IC adalah arus yang mengalir pada l. RE adalah hambatan yang terpasang
kaki collector dimana arus ini yang pada kaki emitor sehingga arus pada
akan menjadi output dari rangkaian. emitor tidak langsung digroundkan.
Satuan dari arus ini adalah mA. Nilai dari hambatan ini sendiri adalah
h. IE adalah arus yang mengalir pada
1.00 dengan satuannya adalah k.
kaki emitor yang kemudian arus ini
yang akan digunakan bersama 4. Alat dan Bahan
sebagai input dan output dari a. Power supply 10 Vdc 1 buah

rangkaian. Satuan dari arus ini adalah b. Resistor 3 buah

mA. c. Potensiometer 1 buah

d. Multimeter Digital 1 buah
e. Transistor Bipolar NPN, 1 buah
f. Kit Penguat BJT 1 tahap 1 set
VC VB IB IC RB1
g. Kabel penghubung 4 buah
(V) (V) (A) (mA) (k)
0.6
5.00 25.80 2.17 368.20
0
5. Prosedur Kerja
a. Menyusun rangkaian penguat BJT
satu tahap sesuai dengan gambar
berikut, di atas papan kit dengan
spesifikasi komponen sebagai
berikut : VCC = 10.00 Volt ; RB = 100
k ; dan RC = 2.20 k

e. Melanjutkan kegiatan dengan

membuat rangkaian seperti pada

b. Mengukur tegangan collector-emiter gambar berikut dengan RB 2 = 4.70

(VCE), dengan mengatur
k. Lalu mengulangi pengukuran
potensiometer (RB) hingga VCE
seperti langkah b dan c.
menunjukkan setengah dari nilai VCC
(kondisi transistor aktif).
c. Mengukur nilai IB, IC, VB dan VC.
Mencatat hasil pengamatan pada tabel
pengamatan.
d. Melanjutkan kegiatan dengan
membuat rangkaian seperti pada
gambar berikut, dengan RE = 1.00 k.
Lalu mengulangi pengukuran seperti
pada langkah b dan c.
6. Analisis Data
a. Tabel Pengamatan
VCC = 10.00 V
RC = 2.20 k
RE = 1.00 k
 RB = 100.00 k
1

RB = 4.70 k
2

Kegiatan I : Rangkaian Bias Tetap (Fixed b. Analisis Perhitungan

Bias Circuit) Kegiatan I : Rangkaian Bias Tetap (Fixed
VCE = 5.00 V Bias Circuit)
Tabel 1. Hubungan antara Parameter- 1) Arus Basis (IB)
parameter DC Penguat Transistor Bipolar Secara teori
Satu Tahap pada Rangkaian Bias Tetap V CC V BE
I B=
(Fixed Bias Circuit) RB

10.00 V 0.60 V
Kegiatan II : Rangkaian Stabilisasi I B=
368.20 x 10
Emitter
VCE = 5.00 V 9.40V
I B=
368.20 x 10
Tabel 2. Hubungan antara Parameter-
parameter DC Penguat Transistor Bipolar I B=0.025 x 103 A=25.00 A
Satu Tahap pada Rangkaian Stabilisasi
Secara praktikum
Emitter IB = 25.80 A
VC VB VE IB IC IE RB1 I B (Teori )+ I B(Praktikum )
IB=
(V) (V) (V) (A) (mA) (mA) (k) 2
6.6 1.6
2.23 18.70 1.53 1.55 421.00 25.00 A +25.80 A
3 4 IB=
2

IB=37.90 A
Kegiatan III : Rangkaian Pembagi
Tegangan
VCE = 5.00 V
RTH = 3.58 k
%diff =
| I B (teori)I B( praktikum)
IB |
x 100

R1 = 15.10 k
R2 = RB2 = 4.70 k %diff = | ( 25.0025.80 ) A
37.90 A
x 100 |
Tabel 3. Hubungan antara Parameter-
parameter DC Penguat Transistor Bipolar %diff = |0.80
37.90 A |
A
x 100
Satu Tahap pada Rangkaian Pembagi
%diff =2.11
Tegangan

VC VB VE IB IC IE
(V) (V) (V) (A) (mA) (mA) 2) Arus Collector (IC)

6.62 2.25 1.66 19.90 1.63 1.65 Secara teori

 V CC V CE 7.77 V
IC = I B=
RC 482.00 x 10

10.00 V 5.00 V I B=0.016 x 103 A

I B=
2.20 x 10
I B=16 .00 A
5.00V Secara praktikum
I B=
2.20 x 10 IB = 18.70 A
I B (Teori )+ I B(Praktikum )
I B=2.27 x 103 A=2.27 mA IB=
2
16 .00 A +18.70 A
Secara praktikum IB=
IC = 2.17 mA
2

I C (Teori )+ I C (Praktikum) IB=17.35 A

IC =
2

IC =
2.27 mA+ 2.17 mA
2
%diff =
| I B (teori)I B( praktikum)
IB |
x 100

IC =2.22 mA %diff = | ( 16 .0018.70 ) A

17.35 A
x 100 |
%diff =
|
I C(teori)I C( praktikum)
IC
x 100
| %diff = | 2.70 A
17.35 A
x 100 |
%diff =15.60
%diff = |
( 2.272.17 ) mA
2.22 mA
x 100 | 2) Arus Collector (IC)
%diff = |
0.10 mA
2.22 mA
x 100 | Secara teori
IC= IB
= 60 (18.70 A)
%diff =4.50
= 1122.00 A
= 1.12 mA
Secara Praktikum
Kegiatan II : Rangkaian Stabilisasi IC = 1.53 mA
Emitter I C (Teori )+ I C (Praktikum)
1) Arus Basis (IB) IC =
2
Secara teori 1.12 mA +1.53 mA
IC =
V CC V BE 2
I B=
RB +( +1) R E
IC =1.33 mA
10.00V 2.23 V
I B=
421.00 x 10 + ( 60+1 ) x 10
 2.29 volt +2.23 volt
%diff =
| I C(teori)I C( praktikum)
IC |
x 100 V B =
2

V B =2.26 volt
%diff = | ( 1.121.53 ) mA
1.33 mA
x 100 |
%diff = |
0.41 mA
1.33 mA
x 100 | %diff =
| V B(teori)V B ( praktikum)
V B |x 100

%diff =0.30 x 100

%diff =30.00
%diff = | ( 2.292.23 ) V
2.26 volt |
x 100

%diff =2.65
3) Arus Emitter (IE)
Secara teori
IE = IC+ IB
= 1.53 mA + 0.02 mA 5) Tegangan Collector (VC)
= 1.55 mA
Secara teori
Secara Praktikum
VC = VCE + VE
IE = 1.55 mA
= 5.00 V + 1.64 V
I E (Teori) + I E (Praktikum)
IE = = 6.64 V
2
Secara praktikum
1.55 mA +1.55 mA
IE = VC = 6.63 V
2
V C(Teori) +V C (Praktikum)
IE =1.55mA V C =
2
6.64 V +6,63 V
%diff =
| I E (teori) I E (praktikum )
IE |
x 100
V C =
2

V C =6.63 V
%diff = |
( 1.581,58 ) mA
1.58 mA
x 100 |
%diff =0.00 %diff =
| V C (teori)V C( praktikum)
V C |
x 100

4) Tegangan Basis (VB)

Secara teori
VB = VBE - VE
%diff = | ( 6.646,63 ) V
6.63 V |
x 100

= 0.70 V + 1.59 V %diff =0.15

= 2.29 V
Secara praktikum 6) Tegangan Emitter (VE)
Secara teori
VB = 2.23 V
VE = IERE
V B (Teori )+V B (Praktikum) =1.55 mA (1x10 )
V B = = 1.55 V
2
Secara Praktikum
VE = 1.64 volt
 V E (Teori) +V E( Praktikum) V TH V BE
V E = I B=
2 RTH +(+1) R E
1.55V +1.64 V
V E = 2.37 V 0.70 V
2 I B=
3.58 x 10 + ( 60+1 ) x 10
V E =1.59 V
1.67V
I B=
64.58 x 10
%diff =
| V E (teori)V E (praktikum )
V E
x 100
| I B=0.026 x 10 A
3

%diff = | ( 1.551.64 ) V
1.64 V
x 100 | I B= 26.00 A
Secara praktikum
%diff =5.49 IB = 19.90 A
I B (Teori )+ I B(Praktikum )
IB=
2
Kegiatan III : Rangkaian Pembagi
26.00 A +19.90 A
Tegangan IB=
2

RTH =R B {R B1 2
IB=22.95 A
1 1 1
= +
R TH R B R B2

RTH =
RB x RB
1
1

2
%diff =
| I B (teori)I B( praktikum)
IB |
x 100

RB + RB
1 2

3
15.10 x 10 x 4.70 x 10 3
%diff = | ( 26.0019.90 ) A
22.95 A
x 100 |
RTH =
15.10 x 103 + 4.70 x 103
RTH =3.58 x 10
3
%diff = | 6.10 A
22.95 A
x 100|
%diff =26.68
RB2
V TH = V
R B 1+ R B 2 CC
2) Arus Collector (IC)
4.70 x 103 Secara
V TH = x 10.00 V teori
15.10 x 103 +4.70 x 103
IC = I B
4.70 x 10 3 = 60 (19.90 A)
V TH = x 10.00V =1194 A
19.80 x 103 = 1.19 mA
V TH =2.37 V Secara Praktikum
IC = 1.63 mA
I C (Teori )+ I C (Praktikum)
1) Arus Basis (IB) IC =
2
Secara teori
 1.19 mA +1.63 mA V B (Teori )+V B (Praktikum)
IC = V B =
2 2

IC =1.41mA 2.36 V +2.25 V

V B =
2

%diff =
| I C(teori)I C( praktikum)
IC |
x 100 V B =2.30 V

%diff = | ( 1.191.63 ) mA
1,41 mA
x 100 | %diff =
| V B(teori)V B ( praktikum)
V B |
x 100

%diff =31.20
%diff = | ( 2.362.25 ) V
2.30 V |
x 100

3) Arus Emitter (IE) %diff =4.78

Secara teori
IE = IC+ IB
= 1.63 mA + 0,02 mA 5) Tegangan Collector (VC)
=1.65 mA
Secara teori
Secara Praktikum
VC = VCE + VE
IE = 1.65 mA
= 5.00 V + 1.66 V
I E (Teori) + I E (Praktikum)
IE = = 6.66 V
2
Secara praktikum
1.65 mA +1.65 mA
IE = VC = 6.62 V
2
V C(Teori) +V C (Praktikum)
IE =1.65mA V C =
2
6.66 V +6.62V
%diff =
|
I E (teori) I E (praktikum )
IE
x 100
| V C =
2

V C =6.64 V
%diff = |
( 1.651.65 ) mA
1.64 mA
x 100 |
%diff =0 %diff =
| V C (teori)V C( praktikum)
V C |
x 100

4) Tegangan Basis (VB)

Secara teori
%diff = | ( 6.666.62 ) V
6.41 V |
x 100

VB = VBE + VE %diff =0.62

= 0,70 V + 1.66 V
6) Tegangan Emitter (VE)
= 2.36 V
Secara teori
Secara praktikum VE = IERE
VB = 2.25 V =1.65 mA (1x10 )
= 1.65 V
 Secara Praktikum transistor merupakan
VE = 1.66 volt perbandingan antara arus
V E (Teori) +V E( Praktikum) kolektor (IC) dengan arus basis
V E =
2 (IB).
Pada praktikum ini dilakukan tiga
1.65V +1.66 V
V E = kegiatan dengan rangkaian yang berbeda-
2
beda. Rangkaian tersebut adalah
V E =1.65 V
Rangkaian Bias Tetap, Rangkaian
Stabilisasi emitter dan Rangkaian
%diff =
|
V E (teori)V E (praktikum )
V E |
x 100 Pembagi
percobaan
Tegangan.
digunakan
Dimana dalam
1buah
%diff = | ( 1.651.66 ) V
1.65 V |
x 100 potensiometer yang juga berfungsi
sebagai RB1 sebesar 100 k, RB2 = 4,7 k,
%diff =0.60 RC =2,2 k, RE = 1 k,VCC = 10 Vdc dan
VCE = 5V, transistor NPN dan = 60.
Untuk kegiatan pertama yaitu
rangkaian bias tetap digunakan dua
resistor RB dan RC, nilai dari resistor
7. Pembahasan masing-masing adalah RB = 100 K dan
Pada praktikum ini telah dilakukan RC = 2,2 k, didapatkan nilai untuk IB dan
praktikum dengan judul Analisis DC IC secara teori yaitu 25 A dan 2,27 mA.
Penguat Transistor Bipolar Satu Tahap
Adapun secara praktikum nilai I B dan IC
Analisis DC penguat Transistor
didapatkan 25,80 A dan 2,22 mA. untuk
Bipolar satu tahap merupakan kegiatan
%diff pada arus basis yaitu 2,11 % dan
untuk mengukur parameter-parameter DC
untuk arus kolektor itu 4,50 %. Hasil
dari suatu rangkaian Transistor BJT
praktikum yang didapatkan sudah cukup
dimana pada praktikum ini transistor yang
baik karena nilai %diff nya tidak begitu
digunakan adalah jenis npn. Sedangkan
besar artinya nilai secara teori dan praktik
disebut satu tahap karena jumlah
cukup mendekati.
transistor yang digunakan pada rangkain Untuk kegiatan kedua Rangkaian
ini adalah satu buah. Nilai faktor Stabilisasi emitor, nilai IB secara teori
penguatan dari transistor yang adalah 16,00 A dan secara praktikum
digunakan pada praktikum ini 18,70 A sehingga didapatkan derajat
sendiri adalah sebesar 60. Dilihat kesalahan sebesar 15,60%. Untuk nilai IC
dari rumus penyusunnya, dapat secara teori adalah 1,12 mA dan secara
dilihat bahwa factor penguatan praktikum 1,53 mA sehingga didapatkan
derajat kesalahan sebesar 30%. Untuk IE
secara teori 1,55 mA dan secara
praktikum 1,55 mA sehingga didapatkan
derajat kesalahan sebesar 0 %. Untuk nilai
VB secara teori 2,29 V secara praktikum
2,23 V sehingga didapatkan derajat
kesalahan sebesar 2,65 %. Untuk VC
secara teori 6,64 V secara praktikum 6,63
V dan didapatkan derajat kesalahan
sebesar 0,15%. Dan nilai VE secara teori
adalah 1,55 V secara praktikum 1,64 V
dan didapatkan derajat kesalahan sebesar
5,49 %.
Untuk kegiatan ketiga yaitu rangkaian
pembagi tegangan digunakan empat
resistor masing-masing pasang seri pada
kaki transistor kecuali pada kaki basis
yang dipasang paralel RB1=15,1 k yang
paralel dengan RB2=4,7 K, sebelum
malakukan analisis perhitungang baik
untuk arus dan beda potensial terlebih
dahulu harus ditentukan rangkaian
pengganti untuk kegiatan ini dengan
menentukan tegangan thevenin dan
hambatan thevenin, setelah diketahui
tegangan thevenin dan hambatan
theveninnya maka dapat dilakukan
analisis untuk arus dan beda potensial.
Hambatan thevenin yang diperoleh adalah
3,58 K dan tegangan thevenin yang
diperoleh sebesar 2,37 volt. Pada kegiatan
ini dilakukan pengukuran terhadap I B, IC,
IE, VB, VC, VE . secara teori didapatkan
nilai IB, IC, IE, VB, VC, VE berturut-turut
yaitu 26 A ; 1,19 mA ; 1,65 mA ; 2,36 V
; 6,66 V ; 1,65 V. Sedangkan secara
praktikum didapatkan nilai IB, IC, IE, VB,
VC, VE berturut-turut yaitu 19,9 A ; 1,63
mA ; 1,65 mA ; 2,25 V ; 6,62 V ; 1,66 V.
Dan untuk nilai % diffnya didapatkan
26,68 % ; 31,20 % ; 0 % ; 4,78 % ; 0,62 %
; 0,60 %. Dilihat dari % diffnya ada data
yang % diffnya tinggi itu berarti nilai
teorinya sedikit jauh dari nilai praktikum.
Timbulnya penyimpangan dari hasil
percobaan terhadap nilai teori disebabkan
oleh human error, praktikan yang kurang
jeli dalam mengamati alat ukur, serta
pengaruh kinerja alat ukur yang sudah
mulai berkurang. Namun beberapa hasil
percobaan telah mendekati hasil teori.
8. Kesimpulan
Adapun kesimpulan dari percobaan ini
adalah:
Rangkaian penguat transistor satu
tahap adalah rangkaian yang terdiri dari
satu penguat atau satu transistor saja,
transistor berfungsi sebagai pengauat
ketika bekerja pada daerah aktif, kenapa
dikatakan sebagai pengauat karena
transistor selalu mengalirkan arus dari
collector ke emitter meski tedak dalam
proses penguatan hal ini ditunjukan untuk
menghasilan sinyal keluaran yang tidak
cacat.
Parameter-perameter dc sistem penguat
transistor satu tahap untuk kegiatan
pertama adalah arus basis (IB) dan arus
collector (IC), untuk kegiatan kedua
adalah arus basis (IB), arus collector (IC), Purwadi Bambang ,dkk. 1994.
arus emitter (IE), tegangan basis (VB), Elektronika 1. Jakarta : Proyek
tegangan collector (VC), dan tegangan Pendidikan Tenaga Akademik.
emitter (VE), sedangkan pada kegiatan
ketiga sama dengan yang ada pada Susanto. 1994. Rangkaian Elektronika
kegiatan kedua tetapi sebelum (Analog). Makassar : UI Press.
menentukannya terlabih dahulu
ditentukan hanbatan thevenin (RTH) dan Tim Elektronika Dasar. 2013. Penuntun
tegangan thevenin (VTH). Praktikum Elektronika Dasar 1.
Makassar: FMIPA UNM.

9. Daftar Pustaka

Haris dkk, 2008. Dasar-Dasar

Elektronika. Makassar: Badan
Penerbit Universitas Negeri
Makassar.