Phototransistor

By Muchlisin Riadi 13.11.00 Elektronika

Phototransistor merupakan transistor yang dirancang untuk menangkap cahaya dan dirakit
dalam sebuah kemasan transparan. Kepekaan phototransistor jauh lebih baik daripada
photodiode karena phototransistor telah memiliki penguat terintegrasi. Cahaya yang diterima
menimbulkan arus pada daerah basis dari phototransistor, dan menghasilkan penguatan arus
mulai dari seratus hingga beberapa ribu kali.

Phototransitor menjadi populer untuk aplikasi yang hanya memiliki power optikal beberapa
ratus nanowatt karena kemudahan pemakaian, murah dan kompatibel dengan level tegangan
TTL. Meskipun begitu, phototransistor memiliki kekurangan dibandingkan dengan photodiode.
Bandwidth frekuensi dan linearitasnya relatif terbatas serta respon spektrumnya berada
antara 350 nm hingga 1100 nm. Selain itu, banyak variasi sensitifitas untuk masingmasing
komponen dan sedikit pilihan kemasan standar.

KARAKTERISTIK PHOTOTRANSISTOR
Rangkaian ekuivalen untuk phototransistor (gambar 1) adalah terdiri dari sebuah photodiode yang
outputnya diumpankan ke basis sebuah trasnsistor sinyal kecil. Berdasarkan model tersebut maka wajar
jika phototransistor menunjukkan karakteristik diode maupun transistor. Karekteristik arus dan tegangan
sebuah phototransistor mirip seperti transistor NPN, dengan pengecualian bahwa cahaya masuk
menggantikan arus basis.

Rangkaian Phothotransistor

Struktur phototransistor (gambar 2) sangat mirip dengan photodiode. Pada kenyataannya,

junction kolektor-basis sebuah phototransistor dapat dipakai seperti photodiode dengan hasil
yang cukup memuaskan. Perbedaan utama strukturnya adalah bahwa phototransistor
memiliki dua junction sedangkan photodiode hanya memiliki sebuah junction saja.

Struktur Phototransistor

RESPON SPEKTRUM
Output sebuah phototransistor tergantung pada panjang gelombang dari cahaya yang masuk.
Phototransistor bereaksi terhadap cahaya dengan range spektrum panjang gelombang yang
lebar mulai dari spektrum mendekati ultraviolet, melewati spektrum cahaya tampak hingga
mendekati spektrum inframerah. Tanpa filter optik, respon puncak berada disekitar spektrum
inframerah (sekitar 840 nm). Respon puncak ini berada pada nilai panjang gelombang yang
lebih pendek daripada photodiode tipikal. Hal tersebut karena junction difusi sebuah
phototransistor terbentuk pada epitaksial dan bukan pada wafer silikon.

Phototransistor akan bereaksi pada lampu fluorescent ataupun sumber cahaya umum namun
menunjukkan efisiensi kopel cahaya yang lebih baik ketika dipasangkan dengan LED
inframerah. Standar LED inframerah adalah GaAs (940 nm) dan GaAlAs (880 nm).

SENSITIFITAS

Untuk level iluminasi sumber cahaya yang diberikan, output sebuah phototransistor
ditentukan oleh area yang terbuka pada junction kolektor-basis dan arus penguatan DC
transistor.

Junction

kolektor-basis

phototransistor

berfungsi

sebagai

photodiode

yang

menghasilkan arus photon yang diumpan pada basis bagian transistor. Kondisi tersebut sama
halnya seperti photodiode yang memperbesar region basis dan melipatgandakan jumlah arus
photon yang dihasilkan. Arus photon ini (Ip) dikuatkan oleh penguat arus DC transistor.

Sesuai karakteristik transistor, nilai hFE tidaklah konstan melainkan berubah-ubah tergantung
arus basis, tegangan bias dan temperatur. Pada level cahaya yang rendah, penguatan mulai
dengan nilai yang kecil kemudian naik sesuai dengan peningkatan intensitas cahaya hingga

puncak penguatan dicapai. Setelah mencapai nilai puncak, peningkatan intensitas cahaya
akan diikuti dengan turunnya penguatan.

LINIERITAS

Tidak seperti photodiode yang outputnya linear terhadap cahaya yang masuk mencapai
iluminasi cahaya 7 sampai 9 dekade, Arus kolektor (Ic) sebuah phototransistor adalah linear
untuk iluminasi 3 sampai 4 dekade. Alasan utama atas keterbatasan ini adalah karena
Penguatan DC (hFE) phototransistor fungsi perubahan arus kolektor (Ic) yang berubah
tergantung oleh arus basis yang berupa arus cahaya yang masuk.

TEGANGAN SATURASI KOLEKTOR-EMITOR

Saturasi adalah kondisi ketika kedua junction emitor-basis dan kolektor basis sebuah
phototransistor menjadi terbias maju. Dari sudut pandang praktis tegangan saturasi, VCE
(SAT), adalah parameter yang menunjukkan betapa dekatnya photodetektor mendekati
kondisi switch tertutup karena VCE (SAT) adalah tegangan jatuh pada detektor ketika
kondisinya ON.

DARK CURRENT (ID)

Ketika phototransistor ditempatkan dalam gelap dan tegangan diberikan pada kolektor ke
emitor, sejumlah arus tertentu akan mengalir. Arus ini disebut dark current (ID). Arus ini
terdiri dari arus bocor junction basis emitor yang dikalikan dengan penguatan arus DC (gain)
transistor. Keberadaan arus ini mencegah phototransistor menjadi dianggap benar-benar
OFF, atau menjadi saklar ideal yang terbuka. Dark current ditentukan sebagai arus kolektor
yang diijinkan mengalir pada tegangan uji kolektor-emitor. Dark current merupakan sebuah
fungsi nilai tegangan kolektor-emitor dan suhu lingkungan.

TEGANGAN BREAKDOWN (VBR)

Phototransistor harus dibias dengan benar agar dapat bekerja dengan baik. Tegangan yang
diberikan pada phototransistor harus diperhatikan agar tidak melebihi tegangan breakdown
kolektor-emitor (VBRCEO) maupun tegangan breakdown emitor-kolektor (VBRECO). Melebihi
tegangan ini akan mengakibatkan kerusakan pada phototransistor. Nilai tipikal untuk VBRCEO
berkisar mulai dari 20 V hingga 50 V dan nilai tipikal untuk berkisar antara 4 V hingga 6 V.

KECEPATAN RESPON

Kecepatan respon sebuah phototransistor didominasi hampir secara keseluruhan oleh

kapasitansi juncion kolektor-basis dan nilai resistor beban. Dominasi ini berkaitan dengan Efek
Miller yang mengalikan nilai time constant RC dengan penguatan arus phototransistor. Aturan
tersebut berlaku untuk alat yang mempunyai area aktif yang sama, semakin tinggi penguatan
oleh phototransistor, makin rendah kecepatan responnya.

Sebuah phototransistor memerlukan sejumlah waktu tertentu untuk bereaksi terhadap

perubahan intensitas cahaya yang tiba-tiba. Waktu respon ini biasanya dinyatakan dengan
nilai rise time (tR) dan fall time (tF) (tR adalah waktu yang dibutuhkan output untuk naik dari
10% menjadi 90% pada nilai on-state-nya, dan tF adalah waktu yang dibutuhkan output untuk
turun dari 90% menjadi 10% pada nilai onstate- nya).

Pengertian Photo Transistor dan Prinsip kerjanya

Dickson Kho Komponen Elektronika

Pengertian Photo Transistor dan Prinsip kerjanya Photo Transistor adalah
Transistor yang dapat mengubah energi cahaya menjadi listrik dan memiliki penguat
(gain) Internal. Penguat Internal yang terintegrasi ini menjadikan sensitivitas atau
kepekaan Photo Transistor terhadap cahaya jauh lebih baik dari komponen
pendeteksi cahaya lainnya seperti Photo Diode ataupun Photo Resistor. Cahaya yang
diterima oleh Photo Transistor akan menimbulkan arus pada daerah basis-nya dan
menghasilkan penguatan arus hingga ratusan kali bahkan beberapa ribu kali. Photo
Transistor juga merupakan komponen elektronika yang digolongkan sebagai
Transduser.

Struktur Photo Transistor

Photo Transistor dirancang khusus untuk aplikasi pendeteksian cahaya sehingga
memiliki Wilayah Basis dan Kolektor yang lebih besar dibanding dengan Transistor
normal umumnya. Bahan Dasar Photo Transistor pada awalnya terbuat dari bahan
semikonduktor seperti Silikon dan Germanium yang membentuk struktur Homojunction.
Namun seiring dengan perkembangannya, Photo Transistor saat ini lebih banyak
menggunakan bahan semikonduktor seperti Galium Arsenide yang tergolong dalam
kelompok Semikonduktor III-V sehingga membentuk struktur Hetero-junction yang
memberikan efisiensi konversi lebih tinggi. Yang dimaksud dengan Hetero-junction
atau Heterostructure adalah Struktur yang menggunakan bahan yang berbeda pada
kedua sisi persimpangan PN.

Photo Transistor pada umumnya dikemas dalam bentuk transparan pada area
dimana Photo Transistor tersebut menerima cahaya.

Bentuk dan Simbol Photo Transistor

Photo Transistor pada umumnya dikemas dalam bentuk transparan pada area
dimana Photo Transistor tersebut menerima cahaya. Berikut ini adalah bentuk dan
simbol Photo Transistor (Transistor Foto).

Prinsip Kerja Photo Transistor

Cara kerja Photo Transistor atau Transistor Foto hampir sama dengan Transistor
normal pada umumnya, dimana arus pada Basis Transistor dikalikan untuk
memberikan arus pada Kolektor. Namun khusus untuk Photo Transistor, arus Basis
dikendalikan oleh jumlah cahaya atau inframerah yang diterimanya. Oleh karena itu,
pada umumnya secara fisik Photo Transistor hanya memiliki dua kaki yaitu Kolektor
dan Emitor sedangkan terminal Basisnya berbentuk lensa yang berfungsi sebagai
sensor pendeteksi cahaya.
Pada prinsipnya, apabila Terminal Basis pada Photo Transistor menerima intensitas
cahaya yang tinggi, maka arus yang mengalir dari Kolektor ke Emitor akan semakin
besar.

Kelebihan dan Kelemahan Phototransistor

Meskipun Phototransistor memiliki berbagai kelebihan, namun bukan juga tanpa
kelemahan. Berikut ini adalah beberapa Kelebihan dan kelemahan Phototransistor :

Kelebihan Photo Transistor

Photo Transistor menghasilkan arus yang lebih tinggi jika dibandingkan

dengan Photo Diode.

Photo Transistor relatif lebih murah, lebih sederhana dan lebih kecil sehingga
mudah untuk diintegrasikan ke berbagai rangkaian elektronika.

Photo Transistor memiliki respon yang cepat dan mampu menghasilkan

Output yang hampir mendekati instan.

Photo Transistor dapat menghasilkan Tegangan, sedangkan Photoresistor tidak

bisa.
Kelemahan Photo Transistor

Photo Transistor yang terbuat dari Silikon tidak dapat menangani tegangan
yang melebihi 1000Volt

Photo Transistor sangat rentan terhadap lonjakan listrik yang mendadak

(electric surge).

Photo Transistor tidak memungkin elektron bergerak sebebas perangkat

lainnya (contoh: Tabung Elektron).

Fototransistor (Phototransistor)
Home Spesifikasi Komponen Fototransistor (Phototransistor)

Fototransistor merupakan salah satu komponen yang berfungsi sebagai detektor cahaya
yang dapat mengubah efek cahaya menjadi sinyal listrik. Karena itu fototransistor termasuk
dalam detektor optik.

fototransistor

simbol fototransistor pnp

Fototransistor dapat diterapkan sebagai sensor yang baik, karena memiliki kelebihan
dibandingkan

dengan

komponen

lain

yaitu

mampu

untuk

mendeteksi

sekaligus

menguatkannya dengan satu komponen tunggal. Fototransistor memiliki sambungan

kolektor basis yang besar dan dengan cahaya karena cahaya dapat membangkitkan
pasangan lubang elektron. Dengan diberi prasikap maju, cahaya yang masuk akan
menimbulkan arus pada kolektor.
Bahan utama dari fototransistor adalah silikon atau germanium sama seperti pada transistor
jenis lainnya. Fototransistor juga memiliki dua tipe seperti transistor yaitu tipe NPN dan tipe
PNP. Fototransistor sebenarnya tidak berbeda dengan transistor biasa, hanya saja
fototransistor ditempatkan dalam suatu material yang transparan sehingga memungkinkan

cahaya (cahaya inframerah) mengenainya (daerah basis), sedangkan transistor biasa

ditempatkan pada bahan logam dan tertutup. Simbol dari fototransistor seperti pada terlihat
pada gambar simbol fototransistor.
Fototransistor memiliki beberapa karakteristik yang sering digunakan dalam perancangan,
yaitu:
1 Dalam rangkaian jika menerima cahaya akan berfungsi sebagai resistan.
2 Dapat menerima penerimaan cahaya yang redup (kecil).
3 Semakin tinggi intensitas cahaya yang diterima, maka semakin besar pula resistan yang
dihasilkan.
4 Memerlukan sumber tegangan yang kecil.
5 Menghantarkan arus saat ada cahaya yang mengenainya.
6 Penerimaan cahaya dilakukan pada bagian basis.
7 Apabila tidak menerima cahaya maka tidak akan menghantarkan arus.
Berdasarkan tanggapan spektral, sifat sifat dan cara kerja dari fototransistor tersebut,
maka perubahan cahaya yang kecil dapat dideteksi. Oleh karena itu fototransistor digunakan
sebagai detektor cahaya yang peka, terutama terhadap cahaya inframerah.