MODUL II

KARAKTERISTIK BJT
Yosua C.P Marpaung (119130027)
Asisten : Bagus Pratama (118130090)
Tanggal Percobaan : 27/09/2021
EL3102_D-4_Praktikum_Elektronika_1
Laboratorium Teknik Elektro
Institut Teknologi Sumatera
Abstrak
Pada praktikum kali ini membahas mengenai karakteristik
BJT. BJT merupakan transistor yang merupakan salah satu
komponen elektronika paling penting. Praktikum kali ini
dilakukan secara online melalu rumah masing masing
menggunakan software proteus. Tujuan praktikum kali ini
adalah untuk memahami karakteristik dari transistor BJT,
memahami teknik bias dengan rangkaian diskrit dan
memahami teknik bias dengan sumber arus konstan.

Kata Kunci— Karakteristik, Rangkaian, Transistor BJT,

Teknik Bias

I. PENDAHULUAN

Pada praktikum kali akan membahas mengenai karakteristik

BJT. Transistor merupakan salah satu komponen elektronika
paling penting. Terdapat dua jenis transistor berdasarkan jenis
muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan unipolar.
Dalam percobaan kali ini akan membahas mengenai transistor
bipolar.

Adapun tujuan dari percobaan kali ini ialah :

1. Memahami karakteristik transistor BJT

2. Memahami teknik bias dengan rangkaian diskrit
3. Memahami teknik bias dengan sumber arus konstan

II. LANDASAN TEORI

A. Transistor BJT Terdapat hubungan matematis antara besar arus kolektor

(IC), arus basis (IB), dan arus emitor (IE), yaitu beta () =
Transistor merupakan salah satu komponen elektronika gain DC untuk common emitter, alpha ( ) = gain arus untuk
yang sangat penting. Ada dua jenis transistor berdasarkan jenis basis umum, dengan hubungan matematis sebagai berikut:
muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan unipolar.
Dalam hal ini kita memeriksa transistor bipolar. Tergantung
pada komposisi bahan yang digunakan, transistor bipolar ada
dua jenis, yaitu jenis NPN dan jenis PNP. Simbol hubungan
antara arus dan tegangan pada transistor ditunjukkan pada
gambar berikut.

.
 Karakteristik transistor umumnya ditentukan dengan kondisi dari ketiga mode kerja ini dapat diringkas dalam tabel
mengukur arus dan tegangan pada rangkaian dengan berikut.
konfigurasi emitor bersama (kaki emitor terhubung ke
ground ), seperti yang ditunjukkan pada gambar berikut.

Dalam kurva IC-VCE mode kerja transistor ini ditunjukkan

pada area-area dalam gambar berikut ini.

Dua karakteristik rangkaian di atas dapat diukur, yaitu:

• Karakteristik IC - VBE
• Karakterinstik IC - VCE

B. Kurva Karakteristik IC – VBE

III. METODOLOGI
Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial dari tegangan
VBE menurut persamaan : IC = I ES e VBE / kT. Persamaan A. Alat dan Bahan
ini dapat digambarkan sebagai kurva seperti pada gambar di
bawah ini. 1. Sumber tegangan DC
2. Kit Percobaan Karakteristik Transistor dan
Rangkaian Bias
3. Sumber arus konstan
4. Multimeter ( 2 buah )
5. Osiloskop

B. Langkah Kerja

1. Karakteristik Input Transistor IC-VBE

Dari kurva di atas kita juga dapat memperoleh kemiringan

transistor yaitu kemiringan kurva di atas, yaitu,

C.Kurva Karakteristik IC – VCE

Arus kolektor juga tergantung pada tegangan kolektor-

emitor. Titik tugas (duty mode) transistor dibagi menjadi tiga
bagian yaitu area aktif, saturasi, dan cutoff. Persyaratan
 3. Early Effect
Karakteristik Input Transistor IC- Susunlah rangkaian seperti
VBE pada modul
Pada kurva IC-VCE itu,
Pilihlah nilai arus basis (IB) pilihlah dua titik koordinat
dari sumber arus yang yang mudah dibaca, dan
kemiringan kurva-nya cukup masih dalam garis lurus. Baca
besar dan catat nilai IC dan VCE
pada kedua titik tersebut

Gunakan setting osiloskop Hubungkan osiloskop

Pilih nilai arus basis (IB) yang

lain, dan lakukan langkah 1
s/d 3 diatas untuk Hitunglah nilai tegangan
mengkonfirmasi nilai Early
tegangan Early yang sudah
didapatkan
Tempatkan tegangan X
minimum pada garis grid paling
Gambarkan plot IC (mA) - VBE
kiri dan tempatkan tegangan Y
(Volt) di BCL anda
minimum pada garis grid kedua
paling bawah IV. HASIL DAN ANALISIS

A. Karakteristik Input Transistor IC-VBE

2. Karakteristik Output Transistor IC-VCE
Jenis  Pengukuran  Perhitungan
Trans
Ubah setting Sinyal Susunlah rangkaian seperti
istor IB  IC  VCE  VBE  IB  IC  VCE  VBE
Generator pada modul
2N22 810. -14. 566.1 8.838 1,13 0,11 9,86V 565,6
22A 723 156 mV V 4m 34A mV
uA mA A

BD1 1.93 916. 565.5 9.965 2,36 0,11 10,24 565,6

39 2uA 635 78mV V mA 8A V mV
Hubungkan osiloskop ke
uA
Gunakan setting osiloskop
rangkaian

Perhitungan:
Arena VS= VBE ,maka VBE = 0,5656 =565,6 mV
V −V CE 10−0,7
IC = CC = = 0,1134A
RC 82
Apabila kurva tampak sebagai
V −V CE 10−0,3
IC = CC
dua garis, naik atau turunkan
frekuensi generator sinyal
Amati kurva arus IC – VCE = = 0,118 A
hingga diperoleh kurva yang
yang ditunjukkan osiloskop
RC 82
lebih baik

VCE = VBE +VC = 0,5656 +(0,1134 x 82) = 9,86 V

VCE = VBE +VC = 0,5656 +(0,118 x 82) = 10,24 V

skala Ch-2 untuk IC 0,1134

mendapatkan pembacaan Ubah-ubah nilai IB untuk IB1 = = = 1,134 mA
yang lebih baik. Gambarkan semua nilai keluaran sumber β1 100
semua kurva itu pada grafik arus yang tersedia. Sesuaikan
IC 0,118
yang sama
IB2 = = = 2,36mA
β2 50
 I c =α x I E=0,99 x 19,3 x 10−3=0,0191 A
I C 19,1 x 10−3 −4
I B= = =1,91 x 10 A
B. Karakteristik Output Transistor IC-VCE β 100
V CE =V C −V E =8,56− (−4,99 ) =13,55V
Jenis Pengukuran Perhitungan
Trans IB IC V V IB IC V V
Pada percobaan kedua ini, perbedaan nilai Ib, Ic, Vce dan Vbe
istor CE BE CE B
dapat dilihat pada transistor 2N222A dengan transistor
E
BD139. Terlihat juga bahwa nilai arus keluaran transistor
2N22 25 1,93 4,0 - 1,1583 x 1011,5
−4
A 15, 6
2N222A lebih kecil dari nilai arus keluaran transistor BD139
22A uA 8mA 86 1,3 mA 04 V
yaitu 0,509 A pada 0,88 mA. Dapat dilihat nilai Ib dan Ic
V 03 V
transistor 2N222A lebih kecil dari nilai Ib dan Ic transistor BD
V
139, sedangkan nilai Vce transistor 2N222A lebih besar dari
BD1 25 1,66 4,1 - 1,91 x 10− 40,01
A 13, 5 transistor BD139 dan nilai Vbe transistor 2N222A lebih kecil
39 uA mA 11 1,3 91A 55 V dari transistor BD139. Perbedaan arus Ib dan Ic disebabkan
V V V oleh pengaruh arus keluaran pada masing-masing transistor
dan selisih antara Vbe dan Vce berbanding lurus dengan nilai
Perhitungan : hambatan dan nilai Ic dan Ib
Vpp 12
Vm= = =6
2 2
Vm 6
Vrms= = =4,2426 V
√2 √ 2 C.Early Effect
β = 100
Vbe = Vb -Ve Dari percobaan yang dilakukan didaptlah data yang digunakan
V −GND dalam perhitungan dibawah.
I E= E ℜ
β VCE 1 = 1,7132
α= , VCE 2 = 2,7123
β+ 1 IC 1 = 1,9890 = 2
100 IC 2 = 2,9973 = 3
α= =¿ 0,99
100+1 VCE 2. IC 1−VCE 1. IC 2
Rumus: VA =
IC 2−IC 1
IC 2,7123 .2−1,7123 .3
=α VA =
IE 3−2
IC VA = 0,2877
=β
IB Pada percobaan ketiga ini, perbedaan nilai Vce1, Vce2, Ic1,
V CE =V C −V E Ic2 dan Va dapat dilihat pada transistor 2N222A dengan
transistor BD139. Dengan transistor BJT BD139 dapat dilihat
• Pada Transistor 2N2222A perbandingan nilai Vce1 dan Vce2 tidak jauh, sedangkan
Vbe = 6V dengan BJT 2N222A nilai Vce1 dan Vce2 sangat jauh,
Vbe = 491x10-6 – Ve sedangkan nilai Ic1 dan Ic2 di transistor BJT BD139 lebih
Ve = 491x10-6 – 6 = -5,99V besar dari nilai IC1 dan IC2 pada transistor BJT 2N222A.
Nilai ini mempengaruhi nilai Va yang diperoleh dengan
I E =11,7 mA
membandingkan nilai Va pada transistor BJT BD139 yang
I c =α x I E=0,99 x 11,7 x 10−3=11,5 mA lebih besar dari nilai transistor BJT BD2N222A. Dapat
I C 11,5 x 10−3 dianalisis bahwa nilai Va pada masing-masing transistor
−4
I B= = =1,1583 x 10 A dipengaruhi oleh nilai Vce1 dan Vce2 serta Ic1 dan Ic2. nilai
β 100 Vce1 dengan Vce2 pada setiap percobaan menggunakan
V CE =V C −V E =9,05− (−5,99 )=15,04 V transistor yang berbeda berbanding lurus dengan nilai IC1 dan
IC2. Namun untuk mendapatkan nilai Va positif maka nilai
 Pada transistor BD139 Ic2 harus lebih kecil dari nilai Ic1, karena jika nilai IC1 lebih
kecil dari nilai Ic2 maka nilai Va menjadi negatif.
Vbe = 5V
Vbe = 1,35x10-3 – Ve
Ve = 1,35x10-5 – 5 = -4,99 V
I E =19,3 mA
 V. SIMPULAN

1. Transistor BJT adalah transistor yang memiliki tiga

kaki dan dipisah menjadi dua arah aliran, positif dan
negatif.
2. Tegangan early effect merupakan tegangan yang
menjadi titik temu antar gradien dari kurva Ic-Vce dengan
nilai sumber arus berbeda dan pada bagian daerah
aktifnya
3. Nilai Va bergantung pada nilai Vce1 dan Vce2 serta
nilai Ic1 dan Ic2

VI. REFERENSI

Modul 2 Praktikum Elektronika. Labdas Teknik Elektro.

ITERA.

https://rikikhomarudin09.wordpress.com/2018/02/06/karakteri
stik-transistor/

Mervin T. Hutabarat, Petunjuk Praktikum Elektronika,

Laboratorium Dasar Teknik Elektro Bandung 2014
 Lampiran

1. Link Percobaan
Percobaan 1 : https://drive.google.com/folderview?id=1FySgd6z_qf70cosveR0-oXx5aV_02hkY
Percobaan 2 : https://youtu.be/8DjtDXqRjec
Percobaan 3 : https://drive.google.com/drive/folders/1ackxeccpfyC_rVSwVTNI2mfCbhDygEwZ?usp=sharing

2. BCP
3. Screenshot
• Percobaan 1
• Percobaan 2
•

•
•
•
• Percobaan 3
•