LAPORAN

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA 1 (ELS2203)

PERCOBAAN 2 : KARAKTERISTIK BJT

Suprianto Hutapea (14S17035) – S1 Teknik Elektro

Asisten Praktikum : Basry A Sihotang (14S16040)
Waktu Praktikum : 08.00 – 12.00 WIB/ 1 Maret 2019
Laboratorium Dasar Teknik Elektro
Institut Teknologi Del

Abstrak

In this second practicum with the title of precursor "BJT characteristic (Bipolar Junction Transistor)" which aims to understand
the characteristics of the BJT, to understand the bias technique with discrete and current circuits constant. Practicum is done by
sequencing the circuit on the provided practicum kit as well DCA applications. The observation of the input on the transistor and
the effect of bias on the transistor amplifier is done with arranging a series of lab work. While observation of transistor output and
Early effect done with use DCA pro application on computer. Changes in voltage and current are also noted so that the
characteristics well observed. From the results of these observations praktikan can observe the output of the circuit on Various
kinds of transistor working modes.

Key Words— Transistor, BJT, Bias technique, Early Effect

bahan yang digunakan, yaitu jenis NPN dan PNP. Simbol

I. PENDAHULUAN1 hubungan antara arus dan tegangan dalam transistor
Dalam percobaan ini dilakukan penganalisisan dari ditunjukkan oleh gambar berikut ini.
karakteritik BJT. Melalui percobaan ini diperoleh tujuan
sebagai berikut :
1. Memahami karakteristik transistor BJT
2. Memahami teknis bias dengan rangkaian diskrit
3. Memahami teknik bias dengan sumber arus konstan
Dalam mendukung praktkum ini, diperlukan alat dan
bahan untuk menyempurnakan jalannya praktikum.
Beberapa alat yang digunakan pada praktikum ini adalah
sumber tegangan DC, Kit Karakteristik transistor dan
rangkaian bias, sumber arus konstan, multimeter, osiloskop.
Melalui praktikum ini, diharapkan mempu mendalami
segala tujuan yang sudah tercantum dan dapat
mengaplikasikannya dalam kehidupan sehari-hari atau tugas
akhir yang berlangsung.

II. TINJAUAN PUSTAKA

Transistor BJT
Transistor merupakan salah satu komponen elktronika
paling penting. Terdapat dua jenis transistor berdasarkan Terdapat suatu hubungan matematis antara besarnya arus
jenis muatan penghantar listriknya, yaitu bipolar dan kolektor (IC), arus basis (Ib) dan arus enmitter (IE), yaitu beta
unipolar. Dalam hal ini, akan kita pelajari transistor bipolar. (β) = penguatan arus DC untuk common enmitter, alpha (α)=
Transistor bipolar terdiri atas dua jenis, bergantung susunan

1.

1
penguatan arus untuk common basis, dengan hubungan
matematis sebagai berikut : Mode IC VCE VB VCB Bias Bias
𝐼𝑐 𝐼𝐶 Kerja E B-C B-E
𝛽= 𝑑𝑎𝑛 𝛼 =
𝐼𝐵 𝐼𝐸 Aktif =β. =VBE+ ̴ 0 Rever Forwa
Sehingga : IB VCB 0, se rd
𝛽 𝛼 7
𝛼= 𝑑𝑎𝑛 𝛽 = V
𝛽+1 1−𝛼
Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh dengan Satur Ma ̴0V ̴ 0,7 Forwa Forwa
pengukuran arus dan tegangan pada rangkaian dengan asi x 0, V<VCE rd rd
konfigurasi common enmitter (kaki enmitter terhubung 7 <0
dengan ground), seperti ditunjukkan pada gambar berikut. V
Cut- ̴0 = 0 0 - -
off VBE+V
CB
Dalam kurva IC-VCE mode kerja transistor ini ditunjukkan
pada area-area dalam gambar berikut ini :

Terdapat dua buah kurva karakteristik yang dapat diukur dari

rangakaian diatas, yaitu :
 Karakteristik IC-VBE
 Karakteristik IC-VCE

Kurva Karakteristik Ic-VBE III. PROSEDUR PERCOBAAN

Arus kolektro merupkan fungsi eksponensial dari
tegangan VBE, sesuai dengan persamaan : 𝐼𝐶 = Aat dan komponen yang digunakan pada komponen ini
𝛼𝐼𝐸𝑆 𝑒𝑉𝐵𝐸 ⁄𝜂𝑘𝑇 . Persamaan ini dapat digambarkan sebagai adalah:
kurva seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.  Sumber tegangan DC
 Kit percobaan Karakteristik Transistor dan
Rangkaian Bias
 Sumber arus konstan
 Multimeter
 Osiloskop
3.1 Karakteristik Input Transistor IC-VBE

1. Ubah setting Sinyal Generator sehingga

mengeluarkan
Dari kurva diatas juga dapat diperoleh transkonduktansi - Gelombang segitiga 1KHz
dari transistor, yang merupakan kemiringan dari kurva di - Amplitudo Sinyal 0,8V
atas, yaitu : - Set Offset positif sehingga nilai
∆𝐼𝐶 minimum sinyal berada di titik nol
𝑔𝑚 =
∆𝑉𝐵𝐸

Kurva Karakteristik IC-VCE

2. Susun rangkaian berikut ini:
Arus kolektor juga bergantung pada tegangan kolektor-
enmitter. Titik kerja (mode kerja) transistor dibedakan
menjadi tiga bagian, yaitu daerah aktif, saturasi, dan cut-off.
Persyaratan kondisi ketiga mode kerja ini dapat dirangkum
dalam tabel berikut ini.

3. Hubungkan osiloskop :
- Probe positif CH 1 (X) ke titik B
- Probe positif CH 2 (Y) ke titik C
- Ground osiloskop ke titik A
4. Gunakan setting osiloskop:
- Skala X pada nilai 0,1V/div dengan komping AC
- Skala Y 1V/div dengan kompling DC
- Osiloskop mode X-Y
5. Tempatkan tegangan X minimum pada garis grid
terkecil (minimum) pada garis grid kedua paling
sebagai dua garis, naik atau turunkan frekuensi
sinyal hingga diperoleh kurva yang lebih baik
6. Gambar plot IC (mA) – (VBE Volt)
Amati kurva arus IC – VCE yang ditunjukkan osiloskop.
Gambarkan di BCL
3.2 Karakteristik Output Transistor IC-VCE
1. Ubah setting sinyal Generator sehingga
mengeluarkan:
- Gelombang segitiga 1KHz
- Amplitudo sinyal 12Vpp
- Set ofsett positif sehingga nilai
minimum sinyal berada di titik nol
karakteristik IC – VCE sebelumnya
2. Susun rangkaian seperti pada gambar berikut
3
3. Hubungkan rangkaian dengan osoloskop
- Probe positif Ch 1 (X) ke titik E,
- Probe positif Ch 2 (Y) ke titik A,
- Ground osoloskop ke titik C.
4. Gunakan setting osiloskop:
- Skala X pada nilai 1V/div dengan
kompling DC
- Skala Y pada nilai 0,5/div dengan
Kompling DC
- Osiloskop pada mode X-Y
- Titik nol X (VCE = 0) pada garis grid
Ketiga dari kiri, dan titik nol Y (IC= 0)
pada garis grid kedua dari bawah
Apabila kurva tampak sebagai dua garis, naik dan
turunkan frekuensi generator sinyal hingga diperoleh
kurva yang lebih baik
Ubah – ubah nilai IB untuk semua nilai keluaran sumber
arus yang tersedia. Sesuaikan Ch -2 untuk
mendapatkan pembacaan yang lebih baik. Gambar
semua kurva pada grafik yang sama.
3.3 Early Effect
Menggunakan rangkaian dan setting pada percobaan
Pilih nilai arus basis (IB) dari sumber arus yang
kemiringan kurvanya cukup besar
3
 Pada kurva IC –VCE dipilih dua titik koordinat
yang mudah dibaca, dan masih dalam garis
lurus
µ
Hitung nilai tegangan Early
Pilih nilai arus basis yang lain, dan lakukan langkah
1 s/d 3 untuk mengkonfirmasinilai tegangan Early
3.4 Pengaruh Bias pada Penguat Transistor
Ubah setting sinyal Generator sehingga
mengeluarkan :
- Gelombang Sinusoid 1 KHz
- Amplitudo sinyal 50 mVpp
- Gunakan T konektor pada terminal output
Susun rangkaian seperti gambar berikut
Hubungkan osiloskop pada rangkaian
Gunakan setting osiloskop:
- Skala Ch-1 pada nilai 10mV/div dengan
kopling AC
- Skala Ch-2 pada nilai 1V/div dengan
kopling AC
- Osiloskop pada mode waktu dengan skala
horizontal 500 µs/div
- Titik nol Ch-1 dan titik nol Ch-2 pada
garis tengah layar
Gunakan multimeter digital pada mode Volt-DC
untuk mengukur tegangan dari VCE-
Set IB pada 25µA
Set RC minimum (sekitar 82Ω)
Baca dan catat tegangan VCE kemudian gambarkan
bentuk gelombang tegangan output yang ditunjukkan
osoloskop.Amati adanya ditorsi pada gelombang
output.
Set IB pada 25µA
Set RC minimum (sekitar 82Ω)
Baca dan catat tegangan VCE kemudian gambarkan
bentuk gelombang tegangan output VCE yang
ditunjukkan osiloskop. Amati adanya distorsi pada
bentuk gelombang output
Dari nilai IB dan VCE yang terbaca,tentukan letak titik
kerja kondisi ini pada plot grafik IC-VCE yang telah
dibuat sebelumnya. Dengan memperhatikan titik kerja
ini.
Ubah nilai IB menjadi 150μA. Atur nilai RC sehingga
VCE yang terbaca di multimeter sekitar 5V. Amati
dan gambar bentuk tegangan yang terlihat di
osiloskop. Dari nilai IB dan VCE yang terbaca,
tentukan letak titik kerja kondisi ini pada plot grafik
IC-VCE yang telah dibuat sebelumnya. Dengan
memperhatikan titik kerja ini, jelaskan mengapa
kondisi ini terjadi.
Naikkan amplitude input (dari generator sinyal)
hingga tampak terjadi distorsi pada gelombang
tegangan output (VCE). Catat besar amplituda input
dan gambarkan bentuk gelombang outputnya.
-
Naikkan lagi amplituda input. Amati apakah
amplituda gelombang output masih bisa membesar,
dan catat nilai maksimum amplituda tersebut.
 5

IV. HASIL DAN ANALISIS 50

4.1 Karakteristik Input Transistor IC-VCE 40

30
Pada percobaan karakteristik diode diperoleh hasil
sebagai berikut: IC(mA) 20
10
0
-10 0 0.2 0.4 0.6 0.8
VBE (Volt)

Tampilan pada osiloskop:

Dari data diatas dapat diamati bahwa arus Ic, meningkat

apabila Vbe meningkat juga yaitu ketika Vbe >= 0.7 V.
Peningkatan ini jelas terlihat secara eksponensial. Hal itu
dapat diamati dari kurva diatas. Pada gambar juga
ditampilkan grafik Ic untuk membandingkan antara kedua
karakteristik arus ini. Dapat dilihat bahwa Ic hanya
merupakan fungsi lemah dari Vbe. Sesuai teori menyatakan
bahwa nilai dari arus emiter adalah penjumlahan dari nilai
arus pada base dan nilai arus pada nilai colektor. Namun
secara praktek, penjumlahan nilai arus base dan colektor ada
kalanya tidak sama dengan nilai arus pada emiter, hal ini
dapat dipengaruhi oleh kabel penghubung yang digunakan
VBE (Volt) IC (mA) untuk merangkai rangkaian tersebut.
0 0
0,3 0
0,5 4,6
0,6 15,8
0,7 40

Analisis :
Setelah melakukan percobaan ini, maka dapat dilihat nilai
dari Ic dan masing-masing VBEnya. Sehingga dapat di plot
grafik x-y untuk VBE vs IC. Maka dapatlah grafik seperti
disamping.

5
4.2 Karakteristik Output Transistor IC-VCE dapat disimpulkan bahwa IC merupakan fungsi dari nilai IB,
atau dengan kata lain, IC bergantung pada IB.
Pada percobaan ini didapat data sebagai berikut: Dapat dilihat juga area kerja dari suatu transistor
berdasarkan tabel yang sudah diperoleh. Dimana area kerja
saturasinya berada pada hingga VCEnya bernilai 0,2 volt dan
untuk daerah cut off nya berada pada IB = 0mA.
Dari tabel dapat diplot dalam grafik VCE vs IC. Maka
diperoleh:

100
80 IB=0
60 IB=0,2
IC
40 IB=0,4
20 IB=0,8
0 IB=1,2
0 0.2 0.4 1 5
IB=1,6
VCE

Contoh tampilan pada osiloskop Dapat dilihat bahwa, pengaruh nilai IB sangat berdampak
pada nilai ICnya. Semakin besar nilai IB maka nilai IC juga
akan semakin besar juga.

4.3 Early Effect

Pada percobaan ini dioperoleh grafik seperti di bawah ini

VCE IC (mA)
IB=0 IB=0.2 IB=0.4 IB=0.8 IB=1.2 IB=1.6
0 0 0 0 0 0 0
0,1 0 13,15 14,71 15,6 29,5 45,3
0,2 0 16,42 17,63 18,56 40,7 70,6
0,3 0 16,71 18 18,72 42,8 77,7 Pada grafik tersebut terlihat dengan menghubung singkat
kolektor-emiter (VCE=0) dan emiter diberi bias maju
0,4 0 16,79 18,10 18,89 43,4 80,9
mengakibatkan semakin tinggi tegangan reverse, maka
0,5 0 16,90 18,26 18,99 43,5 82,7 semakin tinggi lebar basis dan semakin tinggi beta DC. Saat
1 0 17,46 18,93 19,42 45,7 89,2 tegangan reverse dinaikan hingga lebar basis menyempit
2 0 19,41 20,28 21,11 49,1 94,1 maka daerah tersebut dinamakan breakdown.
5 0 21,55 22 22,9 62,2
10 0 28,60 29,7 31,15
4.4 Pengaruh Bias pada Penguat Transistor
Analisis :
Dari tabel, dapat terlihat bahwa nilai IC akan meningkat Setelah melakukan percobaan keempat, dengan
sangat signifikan cepat saat nilai VCE sekitar 0,2V. Akan menggunakan resistor variabel, yakni nilai minimum adalah
tetapi disaat VCE lebih besar dari 0,2V, maka kurva IC 88,7 Ω dan nilai maksimum adalah 5,62 kΩ, maka diperoleh
meningkat dengan sangat lambat dengan suatu kemiringan data sebagai berikut :
yang disebut dengan slope yang lebih kecil. Dapat dilihat
juga, nilai IB sangat berpengaruh pada nilai IC. Dimana nilai
IB akan menghasilkan suatu kurva IC yang tersendiri.
Semakin besar nilai IB maka nilai IC akan semakin besar juga
diikuti dengan slope yang ikut semakin besar. Dari hal ini
 7

nilai tegangan berdasarkan level tertentu dan arus kerja

dengan transistor yang tetap. Pada sebuah penguat transistor,
nilai level tegangan dan arus yang tetap akan bisa
menempatkan suatu titik kerja pada kurva karakteristik
sehingga dapat menentukan daerah kerja dari transistor
(saturasi, cut off, aktif, breakdown).
Dilihat dari ketiga data yang sudah dikumpulkan, dapat
disimpulkan bahwa transistor tersebut bekerja pada daerah
dalam keadaan aktif saat arus basisnya sebesar 200µA.
Karena saat daerah aktif VBE bernilai sekitar 0,7 volt. Hal ini
sesuai dengan tegangan VBE untuk IB 200µA saat R nya
minimum. Kondisi saturasi saat nilai IB bernilai maksimum
yaitu pada saat R maksimum. Karena VBE nya mendekati
nilai 0,7 volt dan VBC sekitar 0,5 volt. Daerah cut off nya
terlihat ketika IB nya adalah 25 µA. Hal ini dilihat karena
VBEnya kurang dari 0,7 V.

N Sinyal I/O (RMinimum) Sinyal I/O (RMaximum)

o
1
V. KESIMPULAN
 Karakteristik input dari transistor untuk arus kolektor
dengan tegangan basis-enmitter menunjukkan hubungan
eksponensial dari formula 𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝐵𝐸 ⁄𝑉𝑇.
 Daerah transistor terbagi atas 3, yaitu daerah saturasi,
IB = 25µA IB = 25µA daerah cut off, daerah aktif. Fungsi dari transistor adalah
VCE = 8,67 V VCE = 2,88 V sebagai penguat saat berada dalam kondisi aktif. Pada
VBE = 0,542 V VBE = 0,58 V daerah saturasi terjadi hubungan yang mendekati linear
2 antara arus kolektor dengan tegangan kolektor-enmitter.
Dan pada saat kondisi cut off, hampir tidak ada arus yang
mengalir pada transistor.
 Early Effect dapat diketahui melalui pendekatan linear.
Nilai early effect dapat diketahui melalui mengambil 2
IB = 200µA sample dari suatu percobaan (membandingkan sampel).
IB = 200µA
VCE = 5,84 V VCE = 70,9 mV  Dari kurva karakteristik output transistor Ic- Vce dapat
VBE = 0,662 V VBE = 0,64 V dibagi menjadi 3 daerah kerja transistor yaitu daerah
3 saturasi, daerah aktif dan daerah cut off. Transistor
berfugsi sebagai penguat saat berada kondisi aktif.
Sedangkan pada daerah saturasi terjadi hubungan yang
mendekati linear antara Ic dengan Vce. Lalu hampir tidak
ada arus yang mengalir apabila transistor berada dalam
keadaan cut off.
IB = 400µA IB = 400µA  Transistor berada dalam keadaan aktif saat arus
VCE = 4,91 V VCE = 44 mV basenya0.75 mA karena saat mode aktif nilai Vbe sudah
VBE = 0,692 V VBE = 0,67 V melewati nilai 0.7 V tepatnya 0.75 V. Saat kondisi
saturasi, nilai Vbe harus mendekati nilai 0.7 V. Pengaruh
Analisis: bias untuk transistor mode saturasi. Sedangkan mode cut
Dari beberapa data yang sudah dikumpulkan dapat off adalah ketika nilai Ib sebesar 0.15 mA karena nilai
disimpulkan bahwa, disaat nilai dari IB semakin besar, makan dari Vbe tidak melewati nilai 0.7 V tepatnya 0.2 V.
nilai tegangan dari kolektor-enmitter akan semakin kecil.
Pernyatan ini dapat dikuatkan melalui formula IB+IC=IE.
Sehingga disaat arus basis semakin besar, maka arus dari
enmitter juga akan semakin besar. Hal ini akan menyebabkan
nilai dari tegangan kolektor-enmitternya yang menjadi
semakin kecil.
Dapatlah diamati bahwa pemberian bias tegangan DC
pada rangkaian transistor tersebut bertujuan agar mendapat

7
 DAFTAR PUSTAKA
[1] Ervin T Hutabarat. Praktikum Rangkaian Elektrik.
Laboratorium Dasar Teknik Elektro ITB,Bandung
[2] Siagian
Pandapotan,dkk.2015.Modul_ELS2203_Praktikum.Sit
oluama:Modul Elektronika Institut Teknologi Del
[3] Albert Malvino, David J. Bates 7th(2007), Electronic
Principles., 7th ed., Willey and Sons, International
Edition.
[4] Sutrisno, Dasar Elektronika, second Edition, Penerbit
ITB
[5] Thomas L Floyd, Electronic Devices 9th ed, Prentice
Hall, 2011