MODUL II KARAKTERISTIK BJT

Gifari I Hasyim (18016031)

Asisten: Dennis Lesmana
Tanggal Percobaan: 20/02/2018
EL2205-Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB

Abstrak Transistor bipolar terdiri dari dua jenis

berdasarkan susunan bahan yang digunakan,
Percobaan yang dilakukan adalah mencari karakterisitik
yaitu jenis NPN dan PNP[1].
transistor: hubungan IC-VBE, hubungan IC-VCE, dan early
effect. Dilakukan juga percobaan untuk mengeahui pengaruh
bisa pada penguat.
Percobaan dilakukan dengan menggunakan DCA Pro
untuk mendapatkan kuva karakteristik IC-VBE dan IC-
VCE. Data dari DCA Pro digunakan juga untuk emncari
efek early. Kurva IC-VCE digunakan untuk mencari titik
kerja transistor pada penguat dan pengaruh input sinyal kecil
pada output penguat.
Didapat hasil karakteristik berupa grafik pada gambar 4-1
sampai 4-4. Tegangan early yang terlampir di tabel 4-1 dan
4-1. Pada percobaan penguat, diamati bahwa jika nilai VBE
Gambar 2-1 Transistor NPN
berupa sinyal kecil juga berlaku mode kerja transistor seperti
ketika DC. Semua besaran hasil pengamatan ada di tabel
4-5.
Kata kunci: Laporan, format, panduan.

1. PENDAHULUAN
Percobaan di modul ini bertujuan untuk
mengatahui karakterisitk dari transistor BJT dan
pengaruh bias pada penguat yang menggunakan
transistor ini.
Karakteristik yang dilihat pada percobaan ini Gambar 2-2 Transistor PNP
adalah hubungan antara IC dengan VBE, IC dengan Terdapat suatu hubungan matematis antara
VCE pada nilai IB tertentu, nilai β, dan tegangan V A besarnya arus kolektor (IC), arus Basis (IB), dan
efek early. arus emitor (IE)[2].
𝐼𝐶
Karakteristik-karakteristik diatas berguna pada β= (2.1)
𝐼𝐵
percobaan selanjutnya karena pada percobaan 𝐼𝐶
selanjutnya akan dicari titik kerja transistor pada α= (2.2)
𝐼𝐸
suatu rangkaian penguat. Pada percobaan ini juga
Dengan menyelesaikan untuk mendapatkan α dan
akan dilihat perilaku penguat dengan sumber
β didapat
sinyal kecil. 𝛽
α= (2.3)
𝛽+1
2. STUDI PUSTAKA 𝛼
β= (2.4)
1−𝛼
2.1 TRANSISTOR BJT Karakteristik sebuah transistor biasanya diperoleh
Transistor merupakan salah satu komponen dengan pengukuran arus dan tegangan pada
elektronika paling penting. Terdapat dua jenis rangkaian dengan konfigurasi common emitter
transistor berdasarkan jenis muatan penghantar (kaki emitter terhubung dengan ground).
listriknya, yaitu bipolar dan unipolar. Dalam
percobaan ini akan dipelajari transistor bipolar.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 1

 e B-C B-E
Kerj
a
βI VBE+ ~0. 0 Reve Forw
Akti
B VCB 7V rse ard
f

Satu M ~0V ~0. - Forw Forw

rasi ax 7V 0.7V<V ard ard
CE<0

Cut- ~0 VBE+ 0 0 - -
Off VCB

Gambar 2-3 Rangkaian Common Emitter 3. METODOLOGI

2.2 KURVA KARAKTERISTIK IC – VBE 3.1 KARAKTERISTIK INPUT TRANSISTOR
Arus kolektor merupakan fungsi eksponensial IC-VBE
dari tegangan VBE sesuai dengan persamaan[3]
Nyalakan komputer dan
𝑉𝐵𝐸 sambungkan kabel USB
𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸𝑆 𝑒 𝜂𝑘𝑇 (2.5) Atlas DCA Pro ke komputer
Persamaan ini dapat digambarkan sebagai kurva
seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini[4].
Sambungkan kabel Atlas
DCA Pro ke kaki-kaki
Transistor

buka aplikasi DCA Pro

dikomputer

Tekan tombol test pada

APlikasi DCA Pro

Tandai kaki mana yang

merupakan Collector,
Emitter, dan Base

Diagram 3-1 Cara menentukan jenis setiap kaki transistor

Gambar 2-4 Kurva IC vs VBE

Dari grafik diatas didapat trnaskonduktansi gm
∆𝐼𝐶
𝑔𝑚 = (2.6)
∆𝑉𝐵𝐸

2.3 KURVA KARAKTERISTIK IC – VCE

Arus kolektor juga bergantung pada tegangan
kolektor-emitor. Titik kerja (mode kerja) transistor
dibedakan menjadi tiga bagian, yaitu daerah aktif,
saturasi, dan cut-off[5].
Tabel 2-1 Mode kerja transistor BJT

Mod IC VCE VBE VCB Bias Bias

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 2

 Buka tab Graph BJT IC/VBE , atur 3.3 EARLY EFFECT
pengaturan tracing VCE 0-10V dengan
point 11, VBE 0-1 V dengan point 11
kemudian klik Start. Tunggu proses tracing.
Menggunkana data Karakteristik
Output Transistor IC-VCE pilih titik
(IC,VCE) pada nilai IB tertentu.

Gambar grafik yang terbentuk di BCL dan

lakukan analisis
masukan nilai tersebut ke persamaan
𝑉𝐶𝐸2 𝐼𝐶1 − 𝑉𝐶𝐸1 𝐼𝐶2
𝑉𝐴 =
𝐼𝐶2 − 𝐼𝐶1

Simpan data tabulasi hasil sampling

dengan klik kanan pada grafik dan pilih
Save Data.

pilih nilai IB lain dan ulangi dari

langkah pertama
buka file hasil samplig yang tadi di save
(*.txt) kemudian copy dan paste di
spreadsheet. lakukan analisis Diagram 3-4 Cara mendapatkan nilai VA

Diagram 3-2 Cara mendapatkan grafik karakteristik 3.4 PENGARUH BIAS PADA PENGUAT
BJT/IC vs VBE
TRANSISTOR
3.2 KARAKTERISTIK OUTPUT
3.4.1 PERSIAPAN
TRANSISTOR IC-VCE
Susun Rangkaian menggunakan kit
Buka tab Graph BJT IC/VCE , atur praktikum seperti gambar 3-1.
pengaturan tracing VCC 0-12V dengan
point 26, IB 0-10μA dengan point 11
kemudian klik Start. Tunggu proses tracing.
Atur generator sinyal sehungga
mengeluarkan gelombang sinus 20mVpp
1kHz. gunakan konektor T

Gambar grafik yang terbentuk di BCL dan

Atur osiloskop sedemikian rupa sehingga
lakukan analisis Ch1 terhubung ke generator sinyal
dengan skala 10mV/div coupling AC

Atur osiloskop sedemikian rupa sehingga

Ch2 terhubung ke titik C (mengukur VCE)
dengan skala 1V/div coupling AC.
Simpan data tabulasi hasil sampling dengan
klik kanan pada grafik dan pilih Save Data.

skala waktu osiloskop adalah 0.5ms/div.

titik 0 osilosko di tengah layar

Diagram 3-5 Persiapan percobaan

buka file hasil samplig yang tadi di save
(*.txt) kemudian copy dan paste di 3.4.2 MENGUKUR BESARAN YANG
spreadsheet. lakukan analisis DIBUTUHKAN

Semua pengukuran arus dan tegangan

Diagram 3-3 Cara mendapatkan grafik karakteristik menggunakan multimeter digital.
BJT/IC vs VCE

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 3

 Atur tegangan VCE menjadi 8V dengan
memutar knob resistor variabel

Baca Arus IB, IC, VBE dan gambarkan

gelombang output VCE

tentukan titik kerja berdasarkan nilai

IB dan VCE yang didapat sebelumnya.
Jelaskan mengapa ada distorsi

Gambar 4-1 Grafik IC vs VBE(praktikum); kurva paling

atas adalah saat VCE=10V dan kurva paling bawah
Ulangi 2 langkah pertama untuk nilai
VCE 2V dan 5V.
(merah) adalah saat VCE=0, increment VCE adalah 1V.

dengan nilai VCE=5V catat nilai IC,IE,

dan IB.

catat nilai RB

Gambar 4-2 Grafik IC vs VBE(simulasi); kurva paling atas

Naikan amplitudo tegangan input adalah saat VCE=10V dan kurva paling bawah (biru) adalah
hingga terjadi distorsi. catat amplitudo saat VCE=0, increment VCE adalah 1V.
dan gambar bentuk gelombangnya.

Diagram 3-6 Mengukur besaran yang dibutuhkan 4.2 KARAKTERISTIK OUTPUT

TRANSISTOR IC-VCE
4. HASIL DAN ANALISIS
Grafik yang didapatkan berbentuk eksponensial
4.1 KARAKTERISITK INPUT TRANSISTOR dengan nilai IC hampir konstan untuk nilai VCE
IC-VBE yang besar. Bentuk grafik ini mirip dengan hasil
simulasi menggunakan LTSpice namun grafik
Grafik yang didapatkan berbentuk eksponensial hasil simulasi lebih mulus karena kenaikan
dengan nilai IC tak hingga jika nilai VBE tak hingga. (increment) peubah VCE lebih kecil dibandingkan
Hal ini sesuai dengan persamaan saat menggunakan DCA Pro. Kedua grafik
𝑣𝐵𝐸 ⁄𝑉𝑇 (4.1)
𝐼𝐶 = 𝐼𝑆 𝑒 menunjukan bahwa ketika VCE menyebabkan
di rujukan[5] halaman 311. Bentuk grafik ini mirip transistor ada di mode aktif transistor akan
dengan hasil simulasi menggunakan LTSpice berperilaku seperti sumber arus konstan.
namun grafik hasil simulasi lebih mulus karena
kenaikan (increment) peubah VBE lebih kecil
dibandingkan saat menggunakan DCA Pro.
Kedua grafik menunjukan bahwa ketika collector-
base dan base-emitter masing-masing dalam
keadaan forward tidak ada arus yang mengalir di
IC. Hal ini menunjukan mode kerja cut-off dan
sesuai dengan referensi[6] halaman 320.

Gambar 4-3 Grafik IC vs VCE(praktikum); kurva paling

atas adalah saat IB=1μA dan kurva paling bawah (biru)
adalah saat IB=0, increment IB adalah 0.1μA.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 4

 3. 1,344172239 10 134.417

Tabel 4-4 Nilai untuk mencari β yang berasal dari simulasi

No. IC(μA) IB(μA) β
1. 79.76 0,4 199.4
2. 159.64 0.8 199.55
3. 39.9 0.2 199.5
Alasan nilai hasil simulasi lebih presisi adalah
Gambar 4-4 Grafik IC vs VCE(simulasi); kurva paling atas increment yang digunakan untuk setiap variabel
adalah saat IB=1μA dan kurva paling bawah (biru) adalah lebih kecil dibanding increment saat praktikum.
saat IB=0, increment IB adalah 0.1μA.
4.4 PENGARUH BIAS PADA PENGUAT
4.3 EARLY EFFECT TRANSISTOR
Menurut rujukan[7] halaman 327 akan ada nilai x- Tabel 4-5 Nilai besara yang diukur pada rangkaian
penguat
intercept (-VA) jika garis pada nilai IB tertentu
(selain IB = 0) pada wilayah aktif diperpanjang ke Vin Vout
sumbu X.
Daerah Cut-off Gambar 4-6 Gambar 4-7

IB=2.2μA

IC=2.3μA

VCE=9.9V

Gambar 4-5 Early Effect VBE=0.49V

𝑉𝐶𝐸2 𝐼𝐶1 − 𝑉𝐶𝐸1 𝐼𝐶2
𝑉𝐴 = (4.2)
𝐼𝐶2 − 𝐼𝐶1 Daerah Gambar 4-8 Gambar 4-9
dari data yang didapat dari DCA Pro digunakan Saturasi
nilai sebagai berikut
Tabel 4-1 Nilai untuk mencari VA yang berasal dari IB=10.2μA
praktikum
No. IB(μA) VCE(V) IC(mA) VA(V) IC=1.619mA
1. 10 3.72 2.364 298.29
8.959 2.405 VCE=2.012V
2. 8.9 3,898 2,093 473.033
9,139 2,116 VBE=0.6V
3. 7.8 4,084 1,811 291.964
9,318 1,842 Daerah Aktif Gambar 4-10 Gambar 4-11

Tabel 4-2 Nilai untuk mencari VA yang berasal dari IB=4.6μA

simulasi
No IB(μ VCE(V IC(μA) gradient(μ VA(V) IC=1.008mA
. A) ) Ω-1)
1. 1 11.400 221.43 2.05381 96.416 VCE=5V
2 4
2. 0.7 3.8538 123.82 1.21018 98.460 VBE=0.586V
9
IE=0.9305mA
Dari grafik di Gambar 4-3 dan 4-4 juga bisa
didapat nilai β menggunakan nilai I C yang dekat VCE=5V Gambar 4-12 Gambar 4-13
dengan wilayah saturasi dan nilai IB tidak yang
paling besar. Vin=50Vp
Tabel 4-3 Nilai untuk mencari β yang berasal dari
praktikum RB=10.31kΩ
No. IC(mA) IB(μA) β
1. 1,001569033 4,4 227.629 Semua gambar dibawah besarasl dari osiloskop
2. 1,291362882 6.7 192.74 dengan pengaturan 0.5ms/div
Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 5
Gambar 4-6
Gambar 4-10

Gambar 4-7
Gambar 4-11

Gambar 4-8
Gambar 4-12

Gambar 4-9
Gambar 4-13

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 6

 5.
Gambar4-14 Hasil simulasi semua besaran. sumbu x
adalah rvar
Terlihat pada mode kerja cut off, penguatan
hampir nol. Ini terlihat dari amplitude output
yang kecil. Namun tegangan output memiliki nilai
DC.
Terlihat pada mode kerja aktif, penguatan sekitar
2000X. Ini terlihat dari amplitude output yang
sekitar 2V dan amplitude input yang sekitar 10mV.
Komponen DC dari output juga lebih besar
dibandingkan saat cut-off.
Terlihat pada mode kerja saturasi, penguatan
sekitar 2000X. Ini terlihat dari amplitude output
yang sekitar 2V dan amplitude input yang sekitar
10mV. Komponen DC dari output juga lebih besar [1]
dibandingkan saat cut-off.
Titik kerja transistor pada penguat ini berada di
sepanjang garis
𝐼𝐶 = 0.002 − 0.0002𝑉𝐶𝐸 (4.3) [2]
Pada grafik di gambar 4.3 dan 4.4 dengan syarat
0.5<VCE<9.9V.
Pada saat amplitude sinyal input dinaikan terjadi
distorsi berupa bagian bawah dari sinyal output
menjadi tumpul. Pada simulasi, distorsi mulai [3]
terlihat ketika amplitude input 50 Vpp. Hal ini
masih sesuai dengan percobaan karena pad
percobaan ketika amplitude sinyal input 100VPP
sinyal output juga terdistorsi. [4]
Perhitungan output pada penguat ini bisa didekati
dengan analisis sinyal kecil AC karena kapasitor
pada rangkaian tersebut berfungsi untuk
mencegah komponen DC masuk ke transistor dan
berperilaku sebagai short circuit bagi sinyal AC. [5]
Pada saat sinyal input bernilai negative, base-
collector dan base emitter akan ter-forward bias
sehingga transistor masuk kedalam mode saturasi. [6]
Pada mode saturasi akan terjadi distorsi.
KESIMPULAN
• Karakteristik IC-VBE terlampir pada
gambar 4-1 dan 4-2.
• Karakteristik IC-VCE terlampir pada
gambar 4-3 dan 4-4.
• Makin besar nilai IB, makin terlihat
pengaruh efek early sehingga transistor
tidak bisa dianggap sebagai sumber arus
ideal
• nilai β terlampir di tabel 4-3 dan tabel 4-4
• semua besaran yang diukur pada mode
cut-off, aktif, dan saturasi yang
bergantung pada nilai Rvar ada di tabel 4-
5
• pengaruh mode saturasi menyebabkan
distorsi pada output penguat.
DAFTAR PUSTAKA
Mervin T. Hutabarat, Petunjuk EL2205
Praktikum Elektronika Edisi 2017-2018,
Laboratorium Dasar Teknik Elektro,
Bandung, 2018.
Mervin T. Hutabarat, Petunjuk EL2205
Praktikum Elektronika Edisi 2017-2018,
Laboratorium Dasar Teknik Elektro,
Bandung, 2018.
Mervin T. Hutabarat, Petunjuk EL2205
Praktikum Elektronika Edisi 2017-2018,
Laboratorium Dasar Teknik Elektro,
Bandung, 2018.
Mervin T. Hutabarat, Petunjuk EL2205
Praktikum Elektronika Edisi 2017-2018,
Laboratorium Dasar Teknik Elektro,
Bandung, 2018.
Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith,
Microelectronic Circuits 7th Edition, Oxford
University Press, USA, 2015.
Adel S. Sedra dan Kennet C. Smith,
Microelectronic Circuits 7th Edition, Oxford
University Press, USA, 2015.

1Gambar 4-15 Output penguat; output sinyal dengan

amplitudo terkecil (hijau) didapat ketika amplituda
generator sinyal 20VPP.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 7