p

Diode Semikonduktor Daya

2-1 PENDAHULUAN
Diode sernikonduklor daya memainkan pcran penting dalam rangkaian clektronika daya. Sebuah diode berperan scbagai saklar untuk menjaiankan bermacam-macam fungsi, seperti sebagai saklar dalam penyearah, freewheeling dalam
regulator saklar, pengisian balik kapasitor dan transfer energi antarkomponen, isolasi legangan, dan balikan encrgi dari
beban ke sumber daya.
Diode daya dapat diasumsikan sebagai saklar ideal unluk kebanyakan aplikasi tetapi diode dalam prakteknya
berbeda dengan karakteristik ideal dan memiliki batasan yang cukup berarti. Diode daya mirip dengan diode sinyal
/w-junction. Diode daya memiliki daya yang besar, kemampuan menangani tegangan dan arus yang lebih besar
dibanding diode sinyal. Respons frekuensi (kceepatan pensaklaran) lebih rendah dibanding diode sinyal.

Sebuah diode daya adalah komponen sambungan-/?/i dua terminal dan sebuah sambungan-/?/7 dibenluk dari penumbuhan pencampuran, difusi. dan epiktasial. Teknik kendali modern dalam proses difusi dan epiktasial mengizinkan karakteristik komponen yang diinginkan. Gambar 2-1 menunjukkan pandangan sebagian dari sebuah sambungan-/;/i dan
simbol diode.
Anoda

Katode

Katode

Hh
(a) Sambungan pn

(b) Simbol diode

Gambar 2-1 Sambungan pn dan simbol diode

Ketika potensial anode positif terhadap katode, diode bertindak bias maju dan diode terkonduksi. Sebuah diode
teikonduksi memiliki drop tegangan maju yang relatif kccil; dan besarnya tergantung pada proses manut'akturnya dan
leinner
atur sambungan. Kelika potensial katode positif terhadap anode, diode dikatakan sebagai bias mundur.
Di bawah kondisi tcrsebut, sebuah arus mundur yang kecil (disebut juga arus hocor) dalam rentang mikro atau mihamper mengalir dan arus bocor ini akan bertambah secara perlahan sesuai dengan peningkatan tegangan sampai
tegangan /.ener alau avalanche tercapai. Gambar 2-2a menunjukkan karakteristik tunak v-i diode. Untuk kebanyakan
keperluan praklis, sebuah diode dapat dianggap sebagai sebuah saklar ideal, yang karakteristiknya ditunjukkan pada
Gambar 2-2b.

14

Sehingga, untuk VD > 0,1 V, yang merupakan kasus umumnya, lD

/f, dan Persamaan (2-1) dapat didekati dalam

kesalahan 2,1% dengan:

ID = Is (sVD/nVT _ ]) v ^ {eVo/nVT)

Wilayah bias mundur. Dalam wilayah bias mundur, VD< 0. Jika VD negatif dan IV^I

(2.3)

VT, dengan muncul untuk

VD < -0,1, bagian eksponensial pada Persamaan (2-1) menjadi kecil dan bisa diabaikan dan arus diode menjadi:
ID = Is(e-v'>/nVT- l)

-/,.

(2-4)

yang menunjukkan bahwa arus diode ID pada arah mundur bemilai konstan dan sama dengan 1$.
Wilayah breakdown. Dalam wilayah breakdown, tegangan mundurnya tinggi, biasanya lebih besar dari 1000 V.
Besar tegangan mundur pada suatu nilai tertentu dikenal sebagai tegangan breakdown, VgR. Arus mundur meningkat
cepat dengan sebuah perubahan kecil pada tegangan mundur VBR. Operasi pada wilayah breakdown tidak akan merusak selama daya disipasi pada tingkat aman yang ditentukan oleh lembaran data pembuatnya. Meskipun begitu, periu
iintuk membatasi arus mundur di wilayah breakdown agar membatasi disipasi daya dalam nilai yang diizinkan.

Tegangan jatuh maju sebuah diode daya adalah VD = 1.2 V pada 1D - 300A. Asumsikan n - 2 dan Vr = 25.8 u.V. Canlah
aiusjenuh Is.
Snlusi: Gunakan Persamaan (2-1 i, kita dapat incncari arus bocor /( dari:
300 = /, (<? 1.2/(2x25.8 x 10-3) _ !)
yang memberikan solusi /v = 2,38371 X 10 s A.

Arus pada diode sambungan bias maju tergantung pada ef'ek bersih pembawa mayoritas dan minoritas. Sekali diode
pada mode konduksi maju dan kemudian arus majunya dilurunkan menjadi no! (karena pcrilaku natural rangkaian
diode atau dengan menerapkun tegangan mundur), diode mencruskan konduksi karena pembawa minoiiias yang lersisa tersimpan dalam sambungan pn dan material semikonduktomya. Pembawa minoritas mcmerlukan waktu yang
cukup untuk menyusun utang dengan pengisian lawannya dan untuk dinetralkan. Waktu ini disebut reverse recovery
time (waktu pemulihan balik) diode. Gambar 2-3 menunjukkan dua karakteristik pemulihan balik dari sambungan
diode. Tipe pemulihan lunak {soft recovery) yang paling umum. Waktu pemuiihan balik dinotasikan dengan tn. dan
diukur dari perpotongan initial zero crossing arus diode sampai 25% arus balik puneak, lRR. trr berisi dua komponen
ta dan t,t. t karena pengisian komponen penyimpan di wilayah deplesi dari sambungan dan merepresentasikan waktu
antara zero crossing dengan arus mundur puneak, IjiR t^ karena pengisian komponen penyimpan dalam bagian lerbesar material semikonduktor. Rasio t(/tb dikenal dengan faktor kehtnakan (sof'tnes factor), SF. Agar praktis. konsentrasikan pada waktu pemulihan total tn. dan nilai puneak dari arus mundur puneak lRR.
<rr = 'a + fb
Arus mundiii" puncak dapat diekspr
esikan dalam:
d,
RR ~ '" dt

If-

0
.25lRn

-tr, -^

(2-6)

If-

0
I

Irr
@*(a) Pengisian lunak
TF~

-*@
(b) Pengisian tertunda

Ganibar 2-3 Karaklcristik pengisian

balik

Bab 2 Diode semi:;onduktor daya

' ' Waktu peinulihan mundur f/r, mungkin dapat didefinisikan sebagai interval waktu antara arus yang melewati nol
selama pengalihan dari konduksi maju ke kondisi pemblockingan mundur dan momen arus mundur kehilangan 25%
nilai puncak mundur iRR. trr tergantung pada temperatur sambungan, tingkat jatuhnya arus maju, dan arus maju
sebelum koinutasi.
Pengisian peinulihan mundur QRR, adalah pembawa pengisian yang mengalir melalui diode dengan arah berlawanan karena pengambilalihan dari konduksi maju ke kondisi pemblockingan mundur. Nilainya ditentukan dari
wilayah yang dicakup oleh arah dari arus pemulihan mundur.
Pengisian penyiinpan, yang wilayahnya dicakup oleh arah arus pemulihan, didekati dengan:

alau
IRR -

20*

(2-8)

Dengan menyelesaikan Persamaan (2-6) dengan Persamaan (2-8) menghasilkan:

, , _ 2QRR
',,',. = di/dl

(2-9)

Jika tb bisa diabaikan-dibandingkan t(l, yang sering terjadi pada banyak kasus, trr ~ ta dan Persamaan (2-9) menjadi.

'@. = @

(2-10)

dan

(2-1 1)
Dapat dinyalakan dari Persamaan (2-10) dan (2-1 1) bahwa vvaktu pcmulihan mundur tn. dan arus pemulihan mundur
puncak IRR tergantung pada pengisian penyimpan Qlip dan di/dt mundur. Pengisian pcnyimpan tidak tcrgantung pada
arus diode maju Ip. Arus puncak p^yilihan mundur /^,, pengisian mundur QRR, dan iaktor kelunakan penting diperhatikan bagi perancang rangkaian, dan parameter ini lerdapat pada lembaran dala komponen diode.
Jika sebuah diode dalam kondisi bias mundur, arus bocor mengalir karena pembawa minorilas. Kemudian aplikasi
dari legangan maju akan memaksa diode membawa arus ke arah maju. Namum begitu, hal itu memedukan waktu tertentu, yang dikcnal dengan waktu pemulihan maju scbclum semua pembawa mayorkas melalui semua sambungan
dapat mengkontribusikan pada aliran arus. Jika lingkal kenaikan arus maju tinggi dan arus maju dikonsentrasikan pada
bagian sambungan yang kecil saja, diode mungkin gaga!. Sehingga waktu pemulihan maju membatasi tingkat kenaikan
arus maju dan kecepaian pensaklaran.

Wakiu pemulihan mundur sehuah diode in. = 3s dan lingkat jatuhnya arus diode di/di = 30 A/(.ts. Tcntukan (a) pengisian
penyimpan Qi^. dan (b) arus mundur puncak IRR
Solusi:. tn. = 3(js dan di/dt = 30 A/|.is
(a). Dar
i Persamaan (2-10)
QKK = ~ @ rrr = 0,5 x 30 A/(.is x (3 x 10^")2 =135 uC
(b). Dari Persamaan (2-11)
lm = jlQm % = 4l x.l35/x"i'O"r'x 30 x 10"fl = 90 A

It 2-4 TIPE DIODE DAYA

Secara ideal, sebuah diode liarus tidak memiliki waktu pemulihan mundur. Namun, biaya pembuatan diode seperti itu
akan tinggi. Dalani banyak penggunaan, efek dari waktu pemulihan mundur tidak teiialu penting, sehingga diode
murah dapat digunakan. Tergantung pada karakteristik pemulihan dan teknik pembualan, diode daya dapat diklasiflkasikan dalam tiga kategori. Karakteristik dan batasan praktis tiap tipelah yang membatasi kegunaannya.

Sub 2-4Tipe Diode Daya

TT

e
f

1. Dioda standar atau diode serbagur

aa.
2. Diode-pemulihan cepat.
3. Diode Schottky
2-4.1 Diode serbaguna
Diode penyearah serbaguna meinsSa @WtMli ysrsirkaa snuadiir yang relatif tinggi, biasanya 25 us, dan digunakan
untuk aplikasi kecepatan rendah. _.23g w:2f
au pesna&f
oaanya tidak kritis. Diode ini mencakup tingkat arus dan kurang
dari I A sampai beberapa nbu dr
apers. Hangaa t
tcgksi legangan antara 50 V sampai sekitar 5 kV. Diode ini secara
umum dibuat dengan difusi S-isv^z. ajpe ezsnipiir
ai (alloy) dar
i penyearah yang digunakan untuk suplai daya pengelasan paling et'ektif pemba> ssrrva, < es kzsar, dan memiliki tingkat kemampuan sampai 300 A dan 1000 V.
2-4.2 Diode pemulihaii cepat
Memiliki wakiu kt
ormJi^b r
eadah. normalnya kurang dari 5 (.is. Digunakan untuk rangkaian konvertcr dc-dc dan dcac. dengan kc^^aon pesmaiihannya yang sangat penting. Diode ini mencakup tingkai arus mulai kurang dari I A sam
pai ratusan ampere, dengan tinskai legangan mulai 50 V sampai 3 kV.
Untuk tingkat legangan di atas 400 V, diode ini dibuat melalui difusi dan waktu pemulihan diatur olch difusi platina a'.au ems I'niuik ungkat tegangan di bawah 400 V, diode epitaksi lebih cepat dibanding diode dilusi. Diode peinuii"jn jcpji mempunyai lebar basis yang tipis, yang menghasilkan waklu pemulihan ulang kurang dan 50 ns. Diode
peinulihari ccpai duiam berbagai ukuran ditunjukkan oleh Gambar 2-4.

2-4.3 Diode Schottky

Masalah pengisian penyimpan sambungan pn dapat dihilangkan (atau diminimalkan) dalam diode Schottky. Dengan
mengatur "potensial barrier" dengan sebuah kontak antara metal dan semikonduktor. Scbuah lapisan metal didepositkan pada lapisan epitaksi tipis silikon tipe-/;. Potensial barrier mensimulasikan perilaku sambungan pn. Aksi penyearahan iergantung pada pembawa ma).';i'ns dan scbauai hasilnva tidak ada kelebihan pemb.Twa imnoritas uniuk
merekombinasi. Ftek pemulihan semaia-mata karena kapasiiansi diri sambungan semikonduktor.
Pengisian pemulihan diode Schottky jauh lebih kecil daripada sebuah diode sambungan pn yang ekuivalen. Jika
hanya karena kapasitansi sambungan. pengisian pemulihan memiliki ketidaktergantungan yang besar dari di/di
mundur. Sebuah diode Schottky memiliki tegangan jatuh maju yang relatif kecil.
Arus bocor diode Schotlky lebih tinggi dari diode sambungan /;/;. Sebuah diode Schoilky dengan tegangan konduksi relatif kecil memiliki arus bocor relalit besar, dan sebaliknya. Sebagai hasil. tegangan maksimum yang diizmkan
biasanya dibatasi pada 100 V. Tingkat aius diode Schotlky bervariasi dari ! sampai 300 A. Diode Schottky ideal unluk
arus tinggi tegangan rendah catu daya dc. Meskipun begitu, diode tersebut juga digunakan pada eatu daya arus kecil
untuk meningkatkan etisiensi. Schottky penyearah ganda 20 dan 30A diperlihalkan pada Gambar 2-5.

Gambar 2-4 Diode pemulihan cepat (Dengan kebaikan

Powerux. Inc).

18

Gambar 2-5 Penyearah pusat Schottky ganda 20 dan 30 A.

(Dengan kebaikan Internasional Rectifier).

Bab 2 Diode semikonduktor daya

2-5 EFEK WAKTU PEMULIHAN MAJU DAN MUNDUR

:;>;;;@@@;@(

Pentinsnya parameter ini dapat dijelaskan dengan Gambar 2-6a. Jika saklar, SW, dinyalakan pada t = 0 dan dibiarkan
cukup lama, arus tunak /0 = Vf/R akan mengalir melalui beban dan diode bebas Dm akan bias mundur. Jika saklai*
dimalikan pada 1 = ?j, diode Dm akan konduksi dan arus beban akan memutar melalui Dm. Sekarang, jika saklar
dinyalakan kembali pada t - f-,, diode Dm akan bertindak sebagai rangkaian sambung. Tingkat kenaikan arus maju sak
lar (diode Dj) dan lingkat jatuhnya arus maju diode Dm akan sangat tinggi, menuju tak hingga. Menurut Persamaan
(2-11). arus mundur puncak diode Dm dapat menjadi sangat tinggi, dan diode D{ dan Dm mungkin akan rusak. Gambar
2-6/; menunjukkan variasi benluk gelombang untuk arus diode. Masalah ini sccara normal muncul dengan menghubungkan sebuah induktor batasan di/dt, L?, sepcrti pada Gambar 2-7a. Diode praktis membutuhkan waktu nyala tertcntu sebekim keseluruhan wilayah sambungan menjadi konduktif dan di/dt harus dijaga rendah unluk mendapatkan
limit waklu nyala. Waklu ini biasanya disebul waktu pemulihan maju (forward recovery time trj).
Tingkat kenaikan arus melalui diode D( yang harus sama dengan tingkat jatuhnya arus melalui diode Dm, adalah:

(2-12)
di

Lv

Jika t adalah waklu pemulihan mundur dari Dlir arus mundur puncak dari Dm adalah:
_

di _ ',rV,_
tnVs
dt

(2-13)
(2-13)

L,

dan arus puncak yang melalui induktor Ls menjadi:

'@ = I., + V = '@ +

i.-X-

(2-14)

(a) Diagram rangkaian

-^t

'oi

-*@ t
@

Mengenai pemulihan waktu Dm

(b) Bentuk gelombang

Gambar 2-6 Rangkaian chopper tanpa batasan induktor di/dt

iiub 2-5 Efek Pemuiihan Maju dan Mundur

~w

Ketika arus induktor menjadi / , diode Dm mati mendadak (asumsikan pemulihan mendadak) dan mematikan jalur aliran arus. Karena beban induktif yang tinggi, arus beban tidak dapat berubah secepatnya dari /Q menjadi 1 . Kelebihan
energi disimpan dalam Lv akan menginduksi sebuah tegangan balikyang tinggi melalui Dm, dan ini mungkin merusak
diode D . Kelebihan energi disimpan sebagai sebuah hasil waktu pemulihan mundur didapat dari:

(2-15)
W =TLv /@+-

_[*

(2-16)

Bentuk gelombang untuk variasi arus ditunjukkan pada Gambar 2-lb. Kelebihan energi ini dapat ditransfer dari induktor Lv ke kapasitor Cv yang dihubungkan memotong diode D)n. Nilai C? dapat ditentukan dari:

V2 CsVl= WR
atau
c\ =@

(2-17)

V.2

dengan V adalah tegangan mundur diode yang diizinkan.

Sebuah resistor /?s yang ditunjukkan Gambar 2-la dengan garis putus-putus, dihubungkan secara sen dengan kapasitor untuk membuang osilasi transien. Persamaan (2-17) adalah diaproksimasi satu dan tidak masuk perhitungan
el'ek dari Lv dan /?v selama transien untuk transfer energi. Desain nilai Ct dan /?? didiskusikan pada Bagian 15-4.

(a) Diagram rangkaian

*-1

Gambar 2-7 Rangkaian chopper dengan batasan induktor di/ch

sr

bat> 2 Diode semikondektor daya

e mODE TERSAMBUNG SERI

f
Dalam banyak aplikasi tegangan tinggi (misal jalur transmisi HVDC), satu diode yang ada secara komersial tidak dapat
memenuhi lingkat tegangan dan diode dihubungkan secara seri untuk meningkatkan kemampuan penahan mundur
(reverse blocking).
Dari Gambar 2-8a, secara praktis, karakteristik v-i untuk tipe yang sama berbeda karena toleransi dalam proses
pembuatannya. Gambar 2-1 \

mcnunjukkan dua karakter

istik v-i untuk beberapa diode. Dalam kondisi bias maju,

kedua diode konduksi dengan nilai arus yang sama, dan drop tegangan maju tiap diode akan kira-kira sama. Meskipun
begilu, dalam kondisi penahan mundur, tiap diode memiliki arus bocor sama, dan sebagai hasil tegangan penahan akan
berbeda cukup berarti.
Sebuah solusi sederhana untuk masalah ini, seperti ditunjukkan Gambar 2-9a, adalah untuk memaksa tegangan
bagi yang sama dengan menghubungkan sebuah resistor melalui tiap diode. Karena tegangan bagi yang sama, arus
bocor tiap diode akan berbeda, ditunjukkan Gambar 2-9b. Jika arus bocor total harus dibagi dengan sebuah diode dan
resislornya,

Teiapi lR] = ^oi^i dan IR->. ~ ^W^ = ^W^>- Persamaan (2-18) memberikan hubungan antara Rx dan R7 untuk
i.'n-inonn h;i<>i snma sebasai

(2-19)

'-%-'+%

(b) Karakteristik v-i

(a) Rangkaian diagram

Gambar 2-8 Dua diode terhubung seri dengan bias balik

i<

-VDi-

||R1
Ir,

1k
I

i @ I. I

v. J[_

'@'.

VD2

?R2

1+

l2

jj

//

-1.2

lD2

(a) Rangkaian diagram

(b) Karakteristik v-i

Gambar 2-9 Diode terhubung seri dengan karakteristik pembagian voltase keadaan tunak

*^>ub 2-6 Diode Tersambung Seri

TT

Jika resistansi sama, R - R] - R~, dan dua tegangan diode akan berbeda kecil tergantung pada ketidaksamaan kedua
karakteristik v-i. Nilai Vm dan Vm dapat ditentukan dari Persamaan (2-20) dan (2-21):
' D\

@> +-?
*

(2-20)
(2-21)

VDI + VD2= V1

Pembagian tegangan di bawah kondisi transien (misal karena beban pensaklaran. aplikasi inisial tegangan masukan) diselesaikan dengan menghubungkan kapasitor melalui tiap diode, yangditunjukkan Gambar2-10. R^ membatasi tingkat
kenaikan tegangan penahan.

R.
: R>
Pembagi
legangan
keadaan
tunak

$D,

r -*I Pembagi
I tegangan

*D2

C, ~~. transier
H,

Giimbur 2-10 Diode sori dengnn jaringan pembaei tcgangan dengan kondisi transicn dan kcadaan tunak

Dalam aplikasi daya linggi. diode dihubmigkan secara paralel unluk incningkalkan kcniampuan membawa arus unluk
memenuhi kcbuiulian arus yang diinginkan. Pembagian arus diode dalam keserasian dengan legangan jaluh maju.
Pembagian arus yang sama dapat dicapai dengan menerapkan induktansi yang sama atau dengan menghubungkan re
sistor per
nbagi arus: ditunjukkan pada Ciambar 2-1 1. Memungkinkan unluk mcminimisasi masalah im dengan memilih
diode dengan legangan jaluh maju yang sama atau diode dengan lipe yang sama. Karena diode dihubungkan seeara
paralel. legangan penahan mundur liap diode akan sama.
Resistor pada Gambar 2-1 \

akan membantu pembagian arus di bawah kondisi tunak. Pembagian arus di bavvah

kondisi dinamik dapat diselesaikan dengan menghubungkan pasangan induktor seperti pada Gambar 2-1 \ . Jika arus
yang melalui 1)^ menmgkat. L di/dt yang melalui Lj meningkat. dan tegangan yang berhubungan polantas lawan diinduksikan melalui induktor L-,. Hasilina jalur impedansi rendah melalui diode D^ dan arus digeser ke I)-,. Induktor
akan memban>;kitkan teganuan paku (spike) dan mungkin mahal dan besar. terutama pada arus tinggi.

^=~ Vs

(a) Keadaan lunak

(b) Pembagian dinamis

Gambar 2-11 Uiocle terhubung paralel

sr

Bab 2 Diode semikonduktor daya

2-8 MODEL DIODE SPICE

Model SPICE sebuah diode ditunjukkan pada Gambar 2-12a. Arus diode lD yang lerganiung paua icgaiigaimya uiwakili oleh sebuah sumber arus. /?y adalah resistor sen, dan ini karena resistaiisi semikonduktor. R%, juga dikenal sebagai
resistansi besar, tergantung pada dopping. Sinyal kecil dan model statik yang dibangkitkan oleh SPICE ditunjukkan
pada Gambar 2-12i> dan c. C(i adalah fungsi nonlinear tegangan diode vD dan sama dengan Cd = dqJdvD, dengan qd
pengisian lapisan deplesi. SPICES membangkitkan parameter sinya! kecil dari titik operasi.
Dcrn/ntoan mnripl "sPTPP sphnah riinde secara umum:
PN=VN)

MODEL DNAME D (P1=V1 P2=V2 P3=V3

DNAME nama mode! dan dapal diawali dengan karakter apapun; panjang maKsimai o Kamiuei. u aumun mimuui umlu^
@'-I--" ivi^ini i^rcfhiit arlalnh Hiorlp PI. P2. ... dan VI. V2, ... parameter model dan nilainya.

riD
D, $

<==$

(a) Diode

VD

(b) Model Spice

A
O

;rs

' Id

VD

o
K
(c) Model sinyal kecil

(d) Model statis

Gambar 2-12 Model diode Spice dengan diode bias mundur

Sub 2-6 Model Diode SPICE

lya

"155"

Contoh 2-3
Dua diode dihubungkan seri, seperti Gambar 2-9a untuk membagi tegangan total VD = 5 kV. Arus bocor mundur kedua
diode /v| = 30mA dan /v? = 35 mA. (a) Cari tegangan diode jika tahanan pembagi tegangan sama, R\ = R2 = R = 100 kQ.
(b) Cari resistasi pembagi tegangan R{ dan R2 jika tegangan diode sama VDl = VD2 = Vp/2. (c) Gunakan PSPICE untuk
mengecek hasil pada bagian a. Parameter model PSPICE untuk diode: BV = 3KV dan IS = 30 mA untuk diode )j dan IS
- 35 mA untuk diode Z>2
Solusi:

(a). 7vl = 30 mA. 7v2 = 35 mA. dan, f

l, = R2 = R = 100 kQ. WD = VD + Vo, atau Vo, = Vn - VDV Dari

Persamaan (2-19):

substitusi Vm = VD-VDl dan selesaikan untuk tegangan diode >,, didapat:

(2-22)
= ^V + IOO_kQ(35 xlo.,_3O x lr,) = 2758 V

dan VD2 = VD - VO| = 5 kV - 2750 = 2250 V.

(b) /v, = 30 mA. /v? = 35 mA, dan.'/Dj = VD2=V[/Z = 2.5 kV. Dari Persamaan (2-19)

',,

vn

@ - '.,2

V,,2

dengan mcmberikan rcsistansi Rj untuk sebuah nilai Rt yang diketahui sebagai:

R-, =@

Vpi*.

(2-23)

Asuinsikan bahwa Rx @ 100 kQ, kita dapatkan

2.5kVx l()0kn
= 125kQ
K, =J 2.5kV-IOOkQxr35xl(r-i -30x lcri;
(c) Rangkaian diode untuk simulasi SPICE diuinjukkan Gambar 2-13. Daftar f
ile rangkaian sebagai berikut:
Coiuoh 2-3 Rangkaian pcmbagi tegangan diode
DC

vs

5KV

0.01

p.

Rl

100K

R2

100K

Dl

MODI

D2

MOD2

MODEL

MODI

D (IS = 30MA BV = 3KV)

MODEL

MOD2

D (IS = 35MA BV = 3KV)

;Parameter Model Diode

;Parameter Model Diode
;Analisis titik operasi dc

OP
END
Hasil dari simulasi PSPICE:
NAME

D2

Dl

ID

- 3.00E - 02 IDI = -30 mA

VD

- 2.7 5E + 03 VD: = -2750 V

REQ

1.00E + 12

RDI = 1 GQ

= -30 ltiA
D2
- 2.25E + 03 VD2 = -2250 V
- 3.50E - 02

1.00E + 12

Rn, = 1 GQ

Bab 2 Diode semikonduktor daya

@WW@
0.01 Q.

Di A
Vs -=r- 5 kv

100 kO

3 '-

o2i

R2

:100kQ

Gambar 2-13 Rangkainn diode untuk simulasi PSPICE pada Contoh 2-3

KESIMPULAN
i@
Karakieristik diode praktis berbeda dengan diode ideal. Waktu pemulihan mundur memainkan peran penting, tcrulama padr. aplikasi pensaklaran kecepatan tinggi. Diode dapat diklasifikasikan menjadi tiga tipe: (1) Diode umum, (2)
Diode pemulihan cepal, dan (3) Diode Schottky. Meskipun diode Schoitky berperilaku sebagai diode sambungan pn.
tidak ada sambungan fisik; dan sebagai hasilnya diode Seholtky adalah komponen pembawa mayoritas. Di sisi lain,
diode sambungan pn adalah diode pembawa mayoritas dan minoritas.
Jika diode dihubungkan seeara seri untuk meningkatkan kemampuan tegangan penahan, jaringan pembagi tegangan di bawah kondisi lunak dan kondisi transien dibuluhkan. Ketika diode dihubungkan seeara paralel untuk mening
katkan kemampuan membawa arus, elemen pembagi arus juga dibutuhkan.

PI;STARA
i M <s P,hnn i F.lprtnmir Drvirps and Circuits. New York:
Holt. Rineliarl and Winston. 1985, p 672.
2. P.R. Gray and R.G. Meyer, Analysis and Design of
Analog Integrated Circuits, New York: John Wiley &
Sons,'inc.. 1984, p.I.

4. P.W. Tuincnsja. SPICb: A Guide to Circuit Simulation

and Analysis Using PSPICE, Englewood Cliffs. N.J.:
Prentice Hall. 1992.
5. PSPICE Manual. Irvine, Calif.: MicroSim Corporation,
1992.

3. M.H. Rashid. SPICE for Circuits and Electronics Using

PSPICE, Englewood Cliffs, N.J.: Prentice Hall, 1990.

PERTANYAAN
2-1. Apa lipe dari diode daya?

2-10. Apa yang dimaksud dengan waktu pemulihan maju?

2-2. Apa yang dimaksud dengan arus bocor diode?

2-11. Apa perbedaan utama antara diode sambungan pn

dengan diode Schottky?

2-3. Apa yang dimaksud dengan waklu pemulihan mundur

diode?
2-4. Apa yang dimaksud dengan arus pemulihan mundur

2-12. Apa batasan diode Schottky?

2-13. Termasuk jenis waktu pemulihan inundur apakah
diode serbaguna itu?

diode?
2-5. Apa yang dimaksud dengan faktor kelunakan diode?

2-14. Jenis umum waktu pemulihan mundur apa unluk

diode pemulihan cepat?

2-6. Apa saja tipe pemulihan diode?

2-7. Apa yang menyehabkan waktu pemulihan mundur

2-15. Apa masalah dalam koneksi diode seri, dan apa solusi
yang mungkin?

diode sambungan /?/;?

2-8. Apa pengaruh waktu pemulihan mundur?

2-16. Apa masalah dalam koneksi diode paralel, dan apa

solusi yang mungkin?

2-9. Mengapa peiiu memakai diode pemulihan cepat untuk

aplikasi pensaklaran kecepatan tinggi.

2-17. Jika dua diode dihubung seri dengan pembagian

Kesimpulan

legangan sama, kenapa arus bocor diode berbeda?

25

MASALAH
2-3. Dua diode lerhubung sen dan tegangan yang inelalui ti-

2-1. Waktu pemulihan mundur sebiiah diode trr = 5s, dan

ap-tiap diode diatur sama yaitu dengan menghubungkan

tingkat jatuhnya arus diode di/dt - 80 u./s. Jika faktor

kdunakan SF = 0.5, lentukan (a) Pengisian pcnyim-

resitor pembagian tegangan. seperti VD] = VD1 = 2000 V

panan QRR dan (a) arus puncak mLiiidur IRR

dan W| = 100 kQ. Karakteristik diode v-i diperlihatkan

pada Gambar P2-3. Tentukan arus besar untuk tiap-tiap

2-2. Nilai terukur sebuah diode pada temperaiur 25"C adalali

diode dan ketahanan R-, terhadap diode D-,

Vf) - 1.0 V pada II) = 50 A

= 1,5 V pada /n = 60()A
Tcntukan (a) koelisien cmisi n. dan (b) arus bocor l%

150100-

2200

2000

1600

1200

800

400 200

@/

7/

05 1.0

- t .....4@ y
2 3

5mA
10mA
@15mA
20mA
@25mA

@30mA
/
Gambar P2-3

2-4. Dua diode dihuhuniikan sccara paralul clan teyangan drop

diode clan resisiansuna r = 2.5 V. Teniukan nilai resul

di muka liap-li.ip iliodc 1,5 V. Karakicrisiik tluvlc v-i dipcilihalkan pada Gamlw P2o. Tentukan ams liiaju melului liap-tiap diode
2-5. l")ua diode ilihuhungkan secara paralcl scpcrli diperlihal-

lansi R^ dan f
t-, jika arus Jibayi sama unluk liap diode.

_-.6- Dua jio(jc Jihubmigkan seri scpcili dipL'rlihalkan pada

Gambar 2-()a. ReMsiariM melahu diode
ilioilu adalah
adaiah R\
W, = R
t,
f
@ 10 kQ. I'cyanyan masLikaii ilc adalah 5kV ams bo-

kan pada (iamhar 2-1 la.ilcngan tahanan pcmbagiaii ic-

coniya /v) = 25 niA dan /^ = 40 mA. 'Icniukan Icyan

gangan. Karaklcn.slik v-i dipcrhhaikan pada Gambar

an yang mclalni diode.

P2-3. Aius loial Ir = 200 A Tcgangan yang melalui

26

Bab 2 Diode semikonduktor daya