MODUL 7 TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

Muh. Aji Kuncoro Prihambodo (18015033)

Asisten: Bagus Prabangkoro (13213125)
Tanggal Percobaan: 17/04/2017
EL2205-Praktikum Elektronika
Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB

Abstrak
Pada praktikum ini dilakukan percobaan mengenai transistor
switch. Percobaan ini dilakukan dengan mengguanan tiga jenis
Transistor yaitu BJT, n-MOS, dan inverter CMOS. Ketiga
percobaan masing-masing dilakukan dengan dua buah metode
yaitu dengan metode pengukuran menggunakan multimeter
dan dengan pengamatan menggunakan osikoskop.
Kata kunci: BJT, MOSFET, mode saturasi, mode cut-
off.

1. PENDAHULUAN
Modul ini memiliki tujuan sebagai berikut. Gambar 2-1 Titik kerja saturasi sebagai switch

 Mengetahui dan mempelajari
transistor sebagai switch.
 Mengetahui dan mempelajari karakteristik
kerja Bipolar Junction Transistor ketika
beroperasi sebagai switch.
 Mengetahui dan mempelajari karakteristik
kerja MOS Field-Effect Transistor baik tipe
n-MOS maupun CMOS ketika beroperasi
sebagai switch.
Percobaan yang dilakukan adalah melihat perilaku
atau karakteristik hubungan tegangan-arus atau
tegangan-tegangan pada setiap jenis switch. Jenis
switch yang dimaksud adalah BJT, n-MOS, serta
Inverter CMOS.
2. STUDI PUSTAKA
2.1 SWITCH IDEAL
Sebuah switch ideal harus mempunyai
karakteristik pada keadaan “off” ia tidak dapat
dilalui arus sama sekali dan pada keadaan “on” ia
tidak mempunyai tegangan drop.
fungsi Dalam percobaan ini perpindahan titik kerja
dilakukan dengan mengubah-ubah pra-tegangan
(bias) dari emitter-base.
2.3 MOSFET SEBAGAI SWITCH
Selain BJT, MOSFET juga dapat berfungsi sebagai
switch. Dibandingkan dengan BJT, sifat switch dari
MOSFET juga lebih unggul karena membutuhkan
arus yang sangat kecil untuk operasinya.
Ada dua tipe MOSFET menurut tegangan kerjanya
yaitu n-Channel MOSFET (n-MOS) dan p-Channel
MOSFET (p-MOS). Dimana n-MOS bekerja dengan
memberikan tegangan positif pada gate, dan
sebaliknya, p-MOS bekerja dengan memberikan
tegangan negatif di gate. n-MOS berlaku sebagai
switch dengan membuatnya bekerja di sekitar
daerah saturasinya. Daerah kerja dari n-MOS dapat
dilihat pada gambar berikut ini.

2.2 TRANSISTOR BJT SEBAGAI SWITCH

Komponen transistor dapat berfungsi sebagai
switch, walaupun bukan sebagai switch ideal.
Untuk dapat berfungsi sebagai switch, maka titik
kerja transistor harus dapat berpindah-pindah dari Gambar 2-2 Titik kerja n-MOS
daerah saturasi (switch dalam keadaan “on”) ke
daerah cut-off (switch dalam keadaan “off”). Untuk
jelasnya lihat gambar di bawah ini.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 1

2.4 RANGKAIAN CMOS
Susun rangkaian Posisikan Rvar pada
Jika n-MOS dan p-MOS digabungkan, akan seperti pada gambar nilai minimum
dihasilkan rangkaian CMOS (Complementary 3-1 dengan VCC = 12 (VBE=0). Catat harga
MOS) yang ditunjukkan oleh gambar berikut ini. Vdc. VCE awal.
Untuk memperlakukan CMOS supaya bekerja
sebagai switch, kita harus mengubah-ubah daerah
kerjanya antara cut-off dan saturasi.
Naikan tegangan di Base Tepat pada saat
(dengan memutar Rvar)
lampu menyala, catat
perlahan-lahan hingga
terlihat lampu menyala harga: IB, IC, VBE dan
(relay bekerja). VCE.

Naikkan tegangan di Base Kemudian turunkan

(dengan memutar Rvar),
catat IB dan IC. Tentukan
tiga nilai pengukuran antara
saat lampu menyala sampai
potensiometer Rvar
Gambar 2-3 Kurva karakteristik CMOS maksimum.
tegangan catu perlahan-
lahan hingga lampu padam
kembali. Catat harga-harga
IB, IC, VBE dan VCE yang
menyebabkan lampu
padam.

3. METODOLOGI
Gambarkan kurva yang
Ulangi langkah 3 menunjukkan VBE minimum
3.1 ALAT DAN KOMPONEN YANG sampai 7 dengan yang menyebabkan Saturasi,
VBE maksimum yang
DIGUNAKAN beberapa VCC lain menyebabkan Cut-Off, dan
(11, 10, 9 VDC, dll). beberapa nilai VCC & VCE yang
1. Sumber tegangan DC berbeda-beda dalam satu grafik.

2. Osiloskop Gambar 3-2 Switch BJT

3. Kit transistor sebagai switch 3.3 MOSFET SEBAGAI SWITCH

4. Multimeter
3.3.1 N-MOS
5. Kabel
3.3.1.1 CARA MULTIMETER
3.2 TRANSISTOR BJT SEBAGAI SWITCH

Gambar 3-1 Rangkaian switch BJT

Gambar 3-3 Rangkaian switch n-MOS metode multimeter

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 2

 Buat rangkaian Posisikan Rvar pada Buat rangkaian
seperti pada gambar nilai minimum seperti pada gambar Gunakan generator
3-3 dengan VDD = 5 (Va=0). Catat harga 3-5 dengan VDD = 5 sinyal sebagai Vin
Vdc. VDS dan ID awal. VDC.

Naikan tegangan di Gate Atur bentuk gelombang fungsi Hubungkan keluaran

Tepat pada saat ada
(dengan memutar Rvar) generator segitiga dengan (Vout) channel 2,
arus di Drain (ID), amplitude 0 – 5 V (atur offset
perlahan-lahan hingga fungsi generator) dan kemudian gunakan mode xy
terlihat ada arus di Drain catat harga: IG, ID,
hubungkan ke osiloskop channel untuk melihat kurva
(ID). VGS dan VDS 1.
Vin– Vout.

Ulangi langkah 11
sampai 13 dengan Amati dan gambar
Gambarkan kurva Tentukan tegangan
beberapa VDD lain: 6, kurva tersebut pada
7.5, 9, VDC (jangan
hubungan VGS – ID. buku log praktikum.
Threshold (Vth).
melebihi 12V).

Gambar 3-4 Switch n-MOS metode multimeter Gambar 3-6 Switch n-MOS metode osiloskop

3.3.1.2 CARA OSILOSKOP 3.3.2 INVERTER CMOS

3.3.2.1 CARA MULTIMETER

Gambar 3-5 Rangkaian switch n-MOS metode osiloskop

Gambar 3-7 Rangkaian inverter CMOS metode multimeter

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 3

 Buat rangkaian Posisikan Rvar pada Buat rangkaian
seperti pada gambar nilai minimum seperti pada gambar Gunakan generator
3-7 dengan VDD = 5 (Va=0). Catat harga 3-9 dengan VDD = 5 sinyal sebagai Vin.
VDC. Vout, IS dan ID awal. VDC.

Atur bentuk gelombang

Naikan tegangan di Gate
(dengan memutar Rvar)
perlahan-lahan hingga
terlihat ada arus di Drain
(ID).
Tepat pada saat ada
arus di Drain (ID),
catat harga: IG, IS, ID,
VGS dan VDS.
fungsi generator segitiga
dengan amplitude 0 – 5 V
(atur offset fungsi
generator) dan kemudian
hubungkan ke osiloskop
channel 1.
Hubungkan Vout1 ke
channel 2 osiloskop,
gunakan mode xy
untuk melihat kurva
Vin – Vout1.

Naikkan terus Va (=VGS)

untuk beberapa nilai,
kemudian catat IG, IS,
ID, VGS dan VDS dan
gambarkan kurva Va-
Vout.
Ulangi langkah 23 Amati dan gambar
Tentukan tegangan
sampai 26 untuk kurva tersebut pada
buku log praktikum.
Threshold (Vth).
VCC = 10 VDC.

Gambar 3-8 Inverter CMOS metode multimeter

Lepaskan hubungan Vout1
3.3.2.2 CARA OSILOSKOP dari osiloskop, kemudian Amati dan gambar
hubungkan Vout2 ke
channel 2 osiloskop, kurva tersebut pada
gunakan mode xy untuk buku log praktikum.
melihat kurva Vin – Vout2.

Gambar 3-10 Inverter CMOS cara Osiloskop

4. HASIL DAN ANALISIS

4.1 TRANSISTOR BJT SEBAGAI SWITCH

Tabel 4-1 Karakteristik saat Vcc = 12 V

IB (A) IC (A) VBE VCE (V) Keadaan

(V)

0,259 12,23 RVAR = 0

-58,6 μ 21,74 μ 0,66 4,6 Mulai

menyala
-73,6 μ 25,3 m 0,68 2,72
Gambar 3-9 Rangkaian inverter CMOS metode osiloskop
-140,3 μ 27 m 0,4 1,96

-5,3 m 32,1 m 0,8 59 m

0 1,26 μ 12,29 359 m Mulai

mati

Tabel 4-2 Karakteristik saat Vcc = 10 V

IB (A) IC VBE VCE (V) Keadaan

(mA) (V)

0 0 0,213 10 RVAR = 0

-59,86 μ 19,6 0,69 2,85

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 4

 4.2 MOSFET SEBAGAI SWITCH
-73,3 μ 21,3 0,75 1,71 Mulai
menyala
4.2.1 N-MOS
-80 μ 24,3 0,78 1
Tabel 4-4 Karakteristik n-MOS
-3 m 26,3 3,08 55 m
IG (A) ID (μA) VGS VDS (V) VCC
-16,2 μ 5,6 0,65 8,2 Mulai (V)
mati
0 0 0,103 4,96 5
Tabel 4-3 Karakteristik saat Vcc = 14 V
14,25 0,7 4,93
IB (A) IC VBE VCE (V) Keadaan
(mA) (V) 0,6 0,128 6,02 6

0 0 0,205 14 RVAR = 0 10 1,66 6

-66,9 μ 24,6 0,7 5,5 Mulai 0,8 0,17 8,01 8

menyala
-94 μ 31,2 0,75 2 7,3 1,64 8

-120 μ 33,7 0,8 1

-4,3 m 34 4,4 0,06

-6,7 μ 2,3 0,6 13 Mulai

mati

Gambar 4-2 Grafik VGS-ID metode multimeter

Gambar 4-1 Grafik VBE-VCE

Dari data yang diperoleh, BJT bekerja sebagai

saklar bila transistor berada di daerah saturasi
yaitu saat VCE mendekati 0 dan IC besar, dan VBE
besar. Nilai VCE berbanding terbalik dengan nilai
VBE dan IC. Dari hubungan ini dapat disimpulkan
bahwa saklar ini adalah jenis inverter.
Pengaruh perubahan VCC adalah semakin besar
nilainya, semakin curam grafik yang ditimbulkan.
Yang berarti semakin cepat perubahan mode ON
ke OFF.
Gambar 4-3 Grafik VGS-ID metode osiloskop
N-MOS sebagai saklar bekerja di dua daerah, yaitu
saturasi (ON) dan cut-off (OFF). Dari data di atas,
terlihat bahwa saklar OFF pada saat ID mendekati 0,
dan baru ON pada saat nilai ID lebih besar yaitu
pada orde mA. Naiknya nilai ID dapat dilakukan
dengan cara menaikkan VDS. Hal ini sesuai dengan
grafik VDS-ID referensi. Selain itu, terlihat dari
grafik osiloskop bahwa saklar mulai ON setelah
melewati tegangan treshold(VT) yang biasanya
bernilai 1 V dan sebaliknya. Nilai VGS berbanding
lurus dengan ID. Semakin kecil nilai VCC maka akan
membuat grafik semakin curam.

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 5

Adapun dari osiloskop terlihat bahwa nilai VDD didapat kecil karena tidak menggunakan offset DC
adalah 1,6 V. Sehingga VT = VDD/2 = 0,8 V. Hasil ini pada generator sinyal.
sudah mendekati dengan referensi yaitu 1 V.
Dari gambar 4-5, terlihat VTH bernilai 2,5 V.Dari
gambar Namun VTH yang diperoleh tergolong
4.2.2 INVERTER CMOS
kecil, ini disebabkan kerena praktikan tidak
Tabel 4-5 Karakteristik Inverter CMOS menggunakan fungsi Offset DC pada generator
sinyal.
ID (A) VDS (V) VGS (V) VCC Dengan melakukan pembandingan gambar 4-3 dan
4-4, dapat disimpulkan bahwa CMOS lebih baik
0 0,108 5,13 5 digunakan sebagai saklar, karena rentang waktu
perubahan dari posisi ON ke posisi OFF dan OFF
4,8 μ 1,6 ke ON lebih cepat dibandingkan dengan transistor
CMOS. Kelebihan NMOS dibanding CMOS adalah
30 μ 1,8 ruang yang lebih kecil untuk implementasi
rangkaian, serta harga yang lebih murah.
270 m 2,28
5. KESIMPULAN
0,9 μ 0,211 9,96
10 Transistor sebagai saklar apda umumnya ON pada
1,2 μ 1,5 keadaan saturasi dan OFF pada keadaan saturasi.
Transistor BJT ON pada saat IC mendekati nilai
105 μ 2 saturasi dan VCE mendekati 0, dan OFF pada saat
VCE mendekati VCC.
0,523 m 2,5
Pada MOSFET, akan ON pada saat VGS lebih dari
VT, dan akan OFF pada saat ID mendekati 0.
Kelebihan MOSFET dibanding BJT adalah arus
yang lebih kecil untuk melakukan switch dari OFF
ke ON atau sebaliknya.
CMOS lebih baik dibandingkan n-MOS sebagai
saklar karena lebih cepat switch dari OFF ke ON
atau sebaliknya.

DAFTAR PUSTAKA
Gambar 4-4 Grafik VIN-VO1 metode osiloskop [1] Mervin T. Hutabarat, Petunjuk Praktikum
Elektronika, Sekolah Teknik Elektro dan
Informatika, Institut Teknologi Bandung, 2017

Gambar 4-5 Grafik VIN-VO2 metode osiloskop

Dari kurva VIN-VO1 yang diperoleh diketahui

bahwa transistor CMOS yang digunakan adalah
inverter, yaitu VO1 bernilai maksimum saat nilai VIN
minimum dan VO1 minimum saat nilai VIN
maksimum. Berdasarkan gambar 4-4, VDD adalah
1V. Sehingga diperoleh VTH = VDD/2 = 0.5V. Hasil
ini sesuai dengan data pada tabel 4-5. VTH yang

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 6

Laporan Praktikum - Laboratorium Dasar Teknik Elektro – STEI ITB 7