BAB III

ELEKTRONIKA DAYA
Sistem elektronika daya adalah proses dan
kontrol aliran daya elektrik yang berupa catu
daya, tegangan dan arus dalam bentuk yang
secara optimal sesuai dengan kebutuhan beban.
Rangkaian elektronika daya adalah mengubah
daya elektrik dari bentuk ke bentuk lainnya
dengan menggunakan komponen elektronika.
Rangkaian elektronika daya menggunakan
komponen semikonduktor daya sebagai saklar
dengan cara mengontrol atau memodifikasi
tegangan dan arus.
1

Blok diagram sistem elektronika

daya secara umum.

Daya masukan ke prosesor daya biasanya sumber dari PLN (tidak

selalu) dengan frekuensi jala-jala 50 Hz, satu fasa atau tiga fasa.
2

 Sudut fasa antara arus dan tegangan tergantung

pada topologi dan kontrol prosesor daya.
Jika prosesor daya dipandang sebagai sumber
tegangan, maka arus keluaran dan hubungan
sudut fasa antara tegangan dan arus keluaran
tergantung pada karakteristik beban.
Pada
umumnya
umpan-balik
kontroler
membandingkan keluaran dari prosesor daya
dengan nilai referensi yang diinginkan dan
kesalahan (error) antara keduanya diminimasi
oleh kontroler.

Sasaran Sistem Konversi

Elektronika Daya
Mengubah bentuk energi elektrik menjadi
bentuk lain, dari sumber ke beban dengan
efisiensi sangat tinggi, ketersediaan yang
tinggi, ketahanan yang tinggi dengan
biaya yang sangat rendah, berat dan
ukurannya sangat kecil.

 Aplikasi pada konverter statis.

Tidak memerlukan komponen-komponen
yang berputar atau pergerakan mekanik.
Contoh aplikasi : penyearah, inverter,
chopper dan cycloconverter.

Aplikasi pada sistem penggerak

Yang mengandung komponen-komponen
pergerakan dan perputaran (seperti motor).
Contoh : DC drives, AC drives, permanent
magnet motor drives.

Contoh : Konsep Konservasi

Catu daya dari PLN ; 50 Hz, 220 Volt RMS
(puncak 311 Volt)

PLN memberikan catu daya gelombang sinus,

dimana komponen dc-nya nol.
Bila konsumen menginginkan tegangan dc
(misalnya untuk pengelasan).
6

 Kita dapat menggunakan

penyearah setengah
gelombang sederhana,
sehingga diperoleh
tegangan dc yang tetap,
hal tersebut adalah
merupakan sistem
elektronika daya yang
sederhana
Tegangan keluaran ratarata adalah

 Bagaimana bila
konsumen
menginginkan
tegangan dc yang
variabel ?
Maka diperlukan
rangkaian yang
lebih kompleks,
yaitu menggunakan
SCR.
Tegangan keluaran
rata-rata adalah

 Dengan mengatur sudut penyalaan ,

tegangan keluaran dc dapat diatur.
Terlihat jelas bahwa hal tersebut
memerlukan sistem elektronika yang lebih
rumit untuk menentukan pulsa-pulsa arus
penyala SCR.

Aplikasi

Power generation and transmission (HVDC).

Uninteruptable power supplies (UPS).
DC Power supplies
Energy conservation (ballast, pumps,
compressors, air condition).
Tranportation (electric car, trains)
Process control and automation.
Electroplating, Welding.
Heating, cooling.
Utility-related application.
10

Perkembangan Kemajuan di
Bidang Elektronika Daya
Perkembangan elektronika daya cukup pesat
akibat dari:
Kemajuan dibidang power semiconductor switches.
Kemajuan dibidang mikroelektronik (DSP,
VLSI, mikroprosesor/ mikrokontroler).
Munculnya ide-ide baru dalam bidang aigoritma
kontrol.
Kebutuhan-kebutuhan akan aplikasj-aplikasi baru.

11

Elektronika daya merupakan

bidang interdisipliner

Elektronika digital atau analog.

Daya dan energi Mikroelektronik.
Sistem kontrol.
Komputer, simulasi dan software.
Solid-state physics dan devices.
Heat transfer

12

Konverter Elektronika Daya

Berdasarkan hubungan antara masukan dan
keluaran, konverter diklasifikasikan menjadi:
AC to DC Converter : Penyearah

Konverter ac ke dc menghasilkan keluaran dc

dari masukan ac, daya rata-rata dipindahkan dari
sumber ac kebeban dc.
13

 DC to DC Converter (Chopper) :
Konverter dc ke dc
manghasilkan keluaran dc yang
variabel
DC to AC Converter (Inverter) :
Pada inverter, daya rata-rata
mengalir dari sisi dc ke sisi ac.

AC to AC Converter
(Cycloconverter) :
Konverter ac ke ac dapat
digunakan untuk mengubah
besaran dan atau frekuensi dari
masukan ac
14

Contoh aplikasi : konverter statis

DC to DC
Converter

Switch Mode
Power Supply
(SMPS)
15

Contoh aplikasi : sistem pengendali

kecepatan motor

16

Divais Semikonduktor Daya

(Power Switches)
Power switches adalah merupakan tulang
punggung dari sistem elektronika daya.
Power electronics switches bekerja hanya
dalam dua kondisi:
Konduksi penuh (Fully ON - conducting)
Padam (Fully OOF - blocking)

Dapat dikategorikan menjadi tiga group :

Diode : kondisi ON dan OFF dikendalikan
hanya dengan rangkaian daya.
17

Divais Semikonduktor Daya

(Power Switches)
Thyristor (SCR) : kondisi ON dengan
menggunakan sinyal kontrol daya rendah,
akan tetapi untuk memadamkannya
menggunakan rangkaian daya. Tidak dapat
dipadamkan dengan sinyal kontrol.
Controllable switches : dapat dinyalakan
dan dipadamkan melalui sinyal kontrol
dengan daya rendah (BJT, MOSFET, IGBT,
GTO)
18

Diode Daya (Power Diode )

Ketika diode mendapatkan bias maju (forward
biased), maka diode akan konduksi dengan
tegangan maju yang kecil (Vf) yang terdapat pada
diode (0,2 - 3) Volt.

19

Diode Daya (Power Diode )

Ketika diode mendapatkan bias balik
(reverse biased), diode dalam kondisi
padam dan dengan mengabaikan arus
bocor yang kecil (orde mikro ampere
hingga mA) yang mengalir hingga reverse
breakdown terjadi.
Diode seharusnya tidak boleh
dioperasikan pada kondisi tegangan balik
lebih tinggi dari Vr
20

 Karakteristik Pemulihan Balik (Reverse

Rocovery Characteristic)

21

 Ketika terjadi perubahan (switched) secara

mendadak/cepat dari kondisi bias maju ke
kondisi bias balik, maka diode akan kontinyu
konduksi karena pembawa minoritas (minority
carriers) yang tersimpan pada sambungan pn dan material semikonduktornya.
Pembawa minoritas memerlukan waktu yang
cukup untuk menyusun ulang pengisiannya.
Waktu ini disebut dengan reverse recovery
time dari diode (trr biasanya kurang dari 1
mikrodetik).
22

Pengaruh dari reverse recovery adalah menaikkan

rugi-rugi pensaklaran (switching), menaikkan rating
tegangan, terjadinya tegangan lebih (spike) pada
beban-beban induktif.

Gambar
diatas
menunjukkan
karakteriktik
pemulihan balik (reverse recovery) dari sambungan
p-n sebuah diode. Reverse recovery time diukur
dari perpotongan awal titik nol arus diode hingga
25% arus puncak balik IRR.

trr terdiri dari dua komponen ta dan tb, dimana ta

adalah waktu perpotongan titik nol dengan arus
balik puncak (karena adanya pengisian komponen
penyimpan pada daerah defleksi sambungan) dan
tb karena pengisian komponen penyimpan dalam
material semikonduktor.
23

 Perbandingan antara ta dan tb (ta/tb) dikenal sebagai

Softness Factor (SR), untuk SR=1 (pemulihan lunak
soft recovery) dan SR<<1 (pemulihan kasar - abrupt
recovery).
Total waktu pemulihan trr adalah :

t rr t a t b

Arus balik puncak dapat dinyatakan :

I RR

di
ta
dt
24

Tipe Diode
Ditinjau dari karakteristik pemulihan dan
teknik pembuatannya, diode daya
diklasifikasikan menjadi 3 kategori :
Diode standar atau general purpose.
Tegangan konduksinya sangat rendah
(dibawah 1 V)
trr tinggi (tipikal 25 mikrodetik)

25

Tipe Diode
Umumnya digunakan pada aplikasi
kecepatan rendah (mis. : diode penyearah
dan konverter dengan frekuensi masukan
rendah hingga 1 kHz dan konverterkonverter komutasi jala-jala).
Daya hantar arus sangat tinggi (diatas 5
kA) dan rating tegangan (hingga 5 kV).

26

Tipe Diode
Fast recovery Diode
trr rendah (tipikal 1 mikrodetik)
Rating tegangan ratusan volt dan rating arus
ratusan ampere.
Umumnya digunakan pada rangkaian dengan
frekuensi tinggi.
Schottky Diode
Drop tegangan maju sangat rendah (tipikal 0,3 V)
Tegangan blocking terbatas (50 - 100) Volt
Digunakan pada aplikasi tegangan rendah,
aplikasi arus tinggi seperti pada SMPS.
27

THYRISTOR (SCR)
Thyristor hanya dapat dinyalakan pada dua
kondisi:
Divais pada kondisi terbias maju (yaitu Vak positif)
Arus gate (Ig) positif diberikan pada gate

28

THYRISTOR (SCR)
Pada kondisi ON arus anode harus lebih besar
dari suatu nilai yang disebut dengan latching
current, jika tidak maka divais akan kembali
kekondisi blocking ketika tegangan anodekatode berkurang.

29

THYRISTOR (SCR)
Latching current (IL) adalah arus anode
minimum yang diperlukan agar dapat
membuat
thyristor
tetap
konduksi
meskipun sinyal gate dihilangkan.
Holding current (IH) adalah arus anode
minimum untuk membuat thyristor ON
(IL>IH)
30

Mekanisme penyalaan dan pemadaman

(Turning ON-OFF mechanism)

Pada mode terbias-balik, SCR berperilaku
seperti diode. Akan mengalirkan arus bocor
yang kecil yang tergantung pada tegangan,
tetapi akan naik dengan kenaikan temperatur.

31

Mekanisme penyalaan dan pemadaman

(Turning ON-OFF mechanism)

Ketika tegangan balik puncak tercapai,

maka akan terjadi avalance breakdown
dan arus yang besar akan mengalir.

Pada mode terbias-balik, dengan tidak

adanya arus gate (yaitu pada kondisi
tidak di-trigger) divais akan mengalirkan
arus bocor.
32

Mekanisme penyalaan dan pemadaman

(Turning ON-OFF mechanism)

Bila tegangan maju breakdown (Vbo) tercapai,
maka SCR akan ter-trigger dengan sendirinya
("selft triggered), dan tegangan jatuh konduksi
sekitar (1,5 - 3 V tipikal). Adanya arus gate akan
mengurangi tegangan maju breakdown
Thyristor tidak dapat dipadamkan dengan
memberikan arus gate negatif. Thyristor hanya
bisa dipadamkan jika Ia menuju negatif
(reverse). Hal ini terjadi karena bagian negatif
dari
gelombang
sinus
terjadi
(naturalcommutation)
33

Mekanisme penyalaan dan pemadaman

(Turning ON-OFF mechanism)

Metode lain untuk memadamkan yang
dikenal sebagai "force-commutation", arus
anode dialihkan kerangkaian yang lain.

34

Tipe Thyristor
Fasa terkontrol (phase controlled)
Penyearahan tegangan dan arus pada frekuensi jalajala yang digunakan untuk penggerak motor dc.
Kemampuan tegangan tinggi (hingga 7 kV) dan arus
tinggi (hingga 4 kA)
Tegangan jatuh ON-state rendah (1,5 - 3) V.

Inverter grade
Digunakan pada pada inverter dan chopper
Sangat cepat, dapat dinyalakan dengan
menggunakan metode "force commutation'''
35

Tipe Thyristor
Penyalaan dengan cahaya (light activated LASCR)
Seperti pada fasa terkontrol, divais ini
dinyalakan dengan memberikan radiasi
cahaya langsung ke wafer silicon.
Pada umumnya rating dayanya sangat tinggi
(contoh : transmisi tegangan tinggi dc - HVDC
dan kompensasi daya reaktif statis atau
reaktif volt ampere - VAR)
36

TRIAC

37

TRIAC
Thyristor dengan polaritas ganda yaitu
merupakan divais yang mempunyai sifat
konduksi dua arah (bi-directional), olehkarena
nya divais ini digunakan untuk pengaturan
tegangan bolak-balik.
Adalah merupakan ekivalensi dari dua buah
SCR yang dihubungkan antiparalel.
TRIAC akan lebih sensitive bila dioperasikan
pada kuadran satu (tegangan MT2 positif, gate
positif) dan kuadran tiga (tegangan MT2 negatif,
gate negatif).
38

Controllable Switch
(Power Transistors)
Dapat dinyalakan (ON) dan dipadamkan (OFF) dengan
sinyal kontrol yang relatif sangat rendah.
Dioperasikan pada mode saturasi dan cut-off saja. Tidak
dioperasikan pada daerah linier karena rugi-ruginya
besar.
Secara umum transistor tidak bekerja pada latched
mode.
Divais tradisional : Bipolar Junction Transistor (BJT),
Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor (MOSFET),
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), Gate turn-off
Thyristor (GTO).
Divais modern : Gate Controlled Thyristor (GCT).
39

Bipolar Junction Transistor (BJT)

40

Bipolar Junction Transistor (BJT)

Transistor digunakan sebagai elemen saklar, sehingga
dioperasikan dalam daerah saturasi. Jatuh tegangan
pada kondisi ON rendah (VCE-sat = 2-3 V).
Kecepatan pensaklaran (switching) lebih tinggi dari pada
thyristor (hingga 5 kHz), sering digunakan pada
konverter dc-dc dan konverter dc-ac.
Dengan memasangkan sebuah diode anti parallel,
transistor dapat menghasilkan arus dua arah
(bidirectional).
Level tegangan dan arusnya lebih rendah dibandingkan
dengan thyristor (VCE<1000V), Ic<400A), sehingga
banyak diaplikasikan pada aplikasi daya rendah dan
menengah.
41

Karakteristik BJT
Untuk menyalakan dan
memadamkan divais
yaitu dengan
menghubungkan
terminal basis dan
emitor dengan
rangkaian driver.
Untuk menyalakannya
dengan mengijeksikan
arus pada terminal
basis sehingga arus
mengalir dari kolektor
ke emitor.

Common-Emitor NPN BJT

IE = IC + IB

42

 Untuk
memadamkan
dengan
menghilangkan
arus basis.
Penguatan arus ()
rendah jika
dioperasikan pada
daerah saturasi
(umumnya <10)

Karakteristik masukan

43

 Kurva IC sebagai f(VCE, IB)

Daerah Cutoff (off)
BE dan BC reverse biased
Daerah aktif
BE Forward biased
BC Reverse biased
Daerah Saturasi (on)
BE dan BC forward biased
Karakteristik keluaran

44

 Arus basih adalah

arus masukan dan
arus kolektor adalah
arus keluaran.
Perbandingan
antara arus kolektor
dengan arus basis
dikenal sebagai
penguatan arus F
45

 Untuk memperoleh penguatan arus ()

yang tinggi, maka digunakan hubungan
Darlington.

46

47

Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor

(MOSFET)
Bipolar Jucntion Transistor
adalah merupakan komponen
yang dikendalikan oleh arus
basis dan penguatan arusnya
sangat bergantung pada
temperatur junction.
MOSFET merupakan komponen
yang dikendalikan oleh tegangan
dan memerlukan arus masukan
yang kecil. Rating tegangan Vdc
< 500 V dan arus IDC < 300 A.
MOSFET mempunyai frekuensi
switching sangat tinggi (> 100
kHZ) bahkan untuk divais daya
rendah (ratusan watt) dapat
mencapai orde MHz dan orde
waktu switching sekitar
nanodetik.
48

Karakteristik MOSFET
Penyalaan dan pemadamannya sangat sederhana.
Hanya memerlukan VGS = +15 V untuk penyalaan dan
VGS = +0 V untuk pemadaman. Rangkaian driver gatenya sederhana.
Pada dasarnya adalah merupakan divais tegangan
rendah. Tersedia juga divais tegangan tinggi (hingga
600V), tetapi dengan arus terbatas. Untuk memperoleh
kemampuan arus tinggi dapat diparalel dengan mudah.
Resistansi internal antara Drain dan Source pada kondisi
ON (Rds(on)) akan membatasi kemampuan daya
MOSFET. Rugi-rugi tinggi pada divais tegangan tinggi
karena Rds(on)>.
MOSFET lebih dominan dalam aplikasi frekuensi tinggi
(>100 kHZ). Banyak digunakan pada Swicthed-Mode
Power Supplies (SMPS).
49

Insulated Gate Bipolar Transistor

(IGBT)
Adalah merupakan kombinasi
keuntungan-keuntungan pada
BJT dan MOSFET, yaitu :
Karakteristik gate-nya sama
dengan MOSFET, mudah dalam
pemadaman dan penyalaan.
IGBT memiliki impedansi
masukan yang tinggi seperti
MOSFET dan rugi-rugi konduksi
yang rendah seperti BJT (2 - 3
V).
Rating tegangan dan arus yang
tersedia hingga kini (VCE < 3,3
kV, Ic < l,2kA). Bahkan dalam
perkembangannya sudah
mencapai 4,2/1,2 kA.
50

Insulated Gate Bipolar Transistor

(IGBT)
Rating tegangan dan arus yang tersedia hingga
kini (VCE < 3,3kV, Ic < l,2kA). Bahkan dalam
perkembangannya sudah mencapai 4,2/1,2 kA.
Kemampuan switching-nya bagus (hingga 100
kHZ) pada divais yang baru. Aplikasi tipikal
IGBT digunakan pada range 20 - 50 kHz.
Pada aplikasi divais daya tinggi, frekuensi
switching terbatas hingga beberapa kHz.
Operasi tanpa rangkaian snubber dimungkinkan,
bahkan pada IGBT yang baru sudah tidak
memerlukan lagi snubber.
51

Gate Turn-Off Thyristor (GTO)

Seperti normalnya
sebuah thyristor, dapat
dinyalakan dengan
memberikan sinyal gate
positif, tetapi GTO
dapat dipadamkan
dengan memberikan
sinyal gate negatif. GTO
mempunyai lacthing
current yang lebih tinggi
dari thyristor, sehingga
pulsa gate GTO akan
lebih panjang.
52

Gate Turn-Off Thyristor (GTO)

Akan tetapi untuk pemadamannya memerlukan arus
gate balik yang lebar pulsanya lebih pendek tetapi
magnitute pulsa umumnya seperlima dari arus anoda.
Tegangan jatuh pada saat konduksi relatif lebih besar
dibandingkan dengan SCR (untuk GTO 550A, 1200V
besarnya sekitar 3,4V).
Dalam perkembangannya rating tegangan Vak<5kV dan
arus Ia<5kA serta frekuensi <5kHz.
Pada umumnya GTO memerlukan rangkaian snubber,
dan rangkaian snubber daya tinggi cukup mahal.
Untuk GTO dengan daya yang sangat tinggi (>5kV,
>5kA) diperlukan pengembangan rangkaian gatecontrolled thyristor (GCT) yang lebih kompleks.
53

Rangkaian Driver (Basis atau Gate)

Interface (antar-muka)
antara rangkaian kontrol
(elektronika daya kecil) dan
saklar elektronik (daya
tinggi), berfungsi untuk :
Penguat sinyal kontrol ke
nilai yang diinginkan untuk
mengendalikan saklar
elektronika daya (power
switch).
Memberikan isolasi elektris
antara rangkaian daya
(power switch) dengan
rangkaian kontrol
54

Contoh-contoh rangakain driver

MOSFET membutuhkan VGS
= +15 V untuk penyalaan dan
0 V untuk pemadaman.
LM311 adalah sebuah
amplifier sederhana dengan
keluaran open collector Qx.
Ketika B1 tinggi Q1 konduksi,
sehingga VGS tertarik ke
ground dan MOSFET akan
padam.
Ketikan B1 rendah Q1 akan
padam, sehingga VGS tertarik
ke VGG. Jika VGG di-set pada
tegangan +15V, maka
MOSFET akan konduksi.
55

Rangakaian driver gate Thyristor

Transformator pulsa
digunakan sebagai isolasi.
R1 digunakan untuk
membatasi arus gate.
Pada umumnya lebar
pulsa 10s dengan
amplitude 50 mA cukup
untuk menyalakan
thyristor.
Tetapi tidak mungkin
memadamkan thyristor
dengan rangkaian
tersebut.
56

Isolasi Elektris untuk Driver

Isolasi elektris ini diperlukan
untuk mencegah bahaya dari
pensaklaran (switching)
komponen semikonduktor daya
(high power switch) terhadap
propagasi balik ke rangkaian
kontrol elektronik.
Pada umumnya opto-coupler
atau material magnetic
frekuensi tinggi banyak
digunakan sebagai isolasi.
Banyak rangkaian driver dan
isolasinya sudah menjadi satu
chip, misalnya TLP 250 dari
Toshiba, HP 3150 dari HewlettPackard menggunakan optocoupling isolation.
57

Rugi-rugi pada Saklar Semikonduktor Daya

(Power Switch Losses)
Adalah penting untuk mempertimbangkan
rugi-rugi pada power switch:
Untuk meyakikan bahwa sistem beroperasi
secara handal dalam segala kondisi
lingkungan sekitar.
Sehingga dengan menghilangkan sistem
pendingin pada divais (heatsink, radiators,
coolant) dapat meminimasi biaya dan ukuran.
Rugi-rugi pada power switch akan
berpengaruh pada efisiensi sistem.
58

Rugi-rugi pada Saklar Semikonduktor Daya

(Power Switch Losses)
Bila power switch tidak didinginkan, maka
kemampuan divais pada daya penuh tidak dapat
terealisir dan dereting.
Rugi-rugi utama yang akan terjadi pada power
switch adalah :
Rugi-rugi konduksi (forward conduction losses)
Rugi-rugi pada kondisi padam (blocking state losses).
Rugi-rugi pensaklaran (switching losses).

59

60

Rugi-rugi konduksi
(forward conduction losses)
Pada saklar ideal mempunyai
jatuh tegangan pada saat
konduksi nol (Von=0).
Walaupun arus maju yang
mengalir besar tetapi rugi-rugi
saklar nol.
Akan tetapi pada saklar yang
tidak ideal (BJT, IGBT, GTO,
SCR dan GCT) mempunyai
jatuh tegangan pada saat
konduksi antara 1-3 Volt.
MOSFET mempunyai jatuh
tegangan konduksi tergantung
pada nilai RDS(ON)

61

Rugi-rugi konduksi dan padam

(forward conduction and blocking state losses)
Rugi-rugi diukur dengan hasil perkalian antara tegangan
jatuh pada divais (Von) dengan arus konduksi, Ion, ratarata dalam seluruh periode.
Selama periode padam, saklar akan memblok tegangan
yang besar. Idealnya seharusnya tidak ada arus yang
mengalir pada saklar. Akan tetapi pada power
semiconductor switch yang sebenarnya akan mengalir
arus bocor yang kecil. Hal ini akan mengakibatkan rugirugi kondisi konduksi dan padam.
Arus bocor selama periode padam biasanya kecil,
sehingga biasanya rugi-rugi pada kondisi padam
diabaikan.
62

Rugi-rugi pensaklaran
(switching losses)
Selama proses penyalaan dan
pemadaman, saklar ideal
mempunyai waktu transisi
(transition time) nol. Proses
pensaklaran tegangan dan arus
dapat berlangsung dengan
cepat.
Pada real switch, karena tidak
idealnya power switch maka
profil dari pensaklaran
ditunjukkan seperti pada
gambar.
Rugi-rugi pensaklaran terjadi
secara simultan perubahan
tegangan dan arus selama
periode pensaklaran.
Perkalian antara arus dan
tegangan dari divais akan
memberikan daya sesaat yang
didisipasikan pada divais.
63

Rugi-rugi pensaklaran
(switching losses)
Energi panas yang dihasilkan selama periode
pensaklaran adalah integrasi dari daya sesaat
seluruh waktu seperti yang ditunjukkan dengan
luasan yang diarsir pada kurve daya.
Rugi daya rata-rata adalah jumlah energi
penyalaan dan pemadaman dikalikan dengan
frekuensi pensaklaran.
Bila frekuensi pensaklaran naik, rugi-rugi
pensaklaran juga naik. Batasan ini merupakan
rentang (range) dari power switch tanpa
menggunakan pendingin.
64

Daerah Operasi Aman

(Safe Operation Area - SOA)
Adalah merupakan
gambaran singkat dari
nilai-nilai maksimum
dari arus dan
tegangan suatu power
switch.
Divais berbeda
mempunyai SOA yang
berbeda pula. Contoh
dibawah ini adalah
SOA tipikal dari BJT
seperti pada gambar.
65

Rangkaian Snubber
Dengan
menggunakan
hokum kirchoff
tegangan :

66

 Karena di/dt negatif (pada saat pemadaman)

Dari persamaan tersebut terlihat bahwa tegangan pada

saklar lebih besar dari pada tegangan catu (dalam waktu
yang singkat).
Tegangan spike dapat melebihi tegangan bloking
nominal saklar dan menyebabkan kerusakan akibat
adanya tegangan lebih (over voltage) tersebut.
Untuk mencegah kejadian tersebut, maka dipasangkan
rangkaian snubber pada saklar. Sebagai contoh
rangkaian snubber RCD ditunjukkan pada gambar
67

 Rangkaian snubber dapat

memperhalus (smoothened)
proses transisi dan membuat
kenaikan tegangan pada saklar
lebih pelan (slowly).
Pengaruhnya akan meredam
tegangan spike yang tinggi
kenilai yang aman.
Power switch dan diode pada
umumnya memerlukan
rangkaian snubber. Akan tetapi,
generasi baru IGBT, MOSFET
dan GCT tidak memerlukan lagi
rangkaian snubber.

68

 Secara umum rangkaian snubber digunakan

untuk :
Penyalaan : untuk meminimasi arus yang berlebihan
yang mengalir melalui divais pada saat penyalaan.
Pemadaman : untuk meminimasi tegangan yang
berlebihan diantara divais pada saat pemadaman.
Stress reduction : untuk membuat/membentuk bentuk
gelombang pensaklaran divais (seperti: tegangan dan
arus) tidak menjadi tinggi secara simultan.

69

Ideal vs Practical Power Switch

70

Related websites for further

readings/info/data sheet
Power Switches

Power diodes (irf.com) (semikron.com)

Thyristors (irf.com) (semikron.com)
IGBT (siemens.com) (irf.com) (semikron.com)
MOSFETS (irf.com)
GTO (abb.com)
GCT (abb.com)

Drivers

IGBT (Toshiba.com) (hp.com) (semikron.com)

Complete power electronics solution

(abb.com)
71