Pertemuan 2

Divais Semikonduktor Daya

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Aplikasi
• Power generation and transmission (HVDC).
• Uninteruptable power supplies (UPS).
• DC Power supplies
• Energy conservation (ballast, pumps,
compressors, air condition).
• Tranportation (electric car, trains)
• Process control and automation.
• Electroplating, Welding.
• Heating, cooling.
• Utility-related application.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Perkembangan Kemajuan di
Bidang Elektronika Daya
• Perkembangan elektronika daya cukup pesat
akibat dari:
– Kemajuan dibidang power semiconductor switches.
– Kemajuan dibidang mikroelektronik (DSP,
VLSI, mikroprosesor/ mikrokontroler).
– Munculnya ide-ide baru dalam bidang aigoritma
kontrol.
– Kebutuhan-kebutuhan akan aplikasj-aplikasi baru.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
Elektronika daya merupakan bidang
interdisipliner :
• Elektronika digital atau analog.
• Daya dan energi Mikroelektronik.
• Sistem kontrol.
• Komputer, simulasi dan software.
• Solid-state physics dan devices.
• Heat transfer

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Konverter Elektronika Daya
• Berdasarkan hubungan antara masukan dan
keluaran, konverter diklasifikasikan menjadi:
– AC to DC Converter : Penyearah

Konverter ac ke dc menghasilkan keluaran dc

dari masukan ac, daya rata-rata dipindahkan dari
sumber ac kebeban dc.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
– DC to DC Converter (Chopper) :
Konverter dc ke dc
manghasilkan keluaran dc yang
variabel

– DC to AC Converter (Inverter) :
Pada inverter, daya rata-rata
mengalir dari sisi dc ke sisi ac.

– AC to AC Converter
(Cycloconverter) :
Konverter ac ke ac dapat
digunakan untuk mengubah
besaran dan atau frekuensi dari
masukan ac
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
 Contoh aplikasi : konverter statis
• DC to DC
Converter

• Switch Mode
Power Supply
(SMPS)
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
Contoh aplikasi : sistem pengendali
kecepatan motor

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
 Divais Semikonduktor Daya
(Power Switches)
• Power switches adalah merupakan tulang
punggung dari sistem elektronika daya.
• Power electronics switches bekerja hanya
dalam dua kondisi:
– Konduksi penuh (Fully ON –
conducting/konduksi)
– Padam (Fully OFF - blocking)

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
• Dapat dikategorikan menjadi tiga grup :
– Diode : kondisi ON dan OFF dikendalikan
hanya dengan rangkaian daya.
– Thyristor (SCR) : kondisi ON dengan
menggunakan sinyal kontrol daya rendah,
akan tetapi untuk memadamkannya
menggunakan rangkaian daya. Tidak dapat
dipadamkan dengan sinyal kontrol.
– Controllable switches : dapat dinyalakan
dan dipadamkan melalui sinyal kontrol
dengan daya rendah (BJT, MOSFET, IGBT,
GTO)

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Diode Daya (Power Diode )
• Ketika diode mendapatkan bias maju (forward biased),
maka diode akan konduksi dengan tegangan maju yang
kecil (Vf) yang terdapat pada diode (0,2 - 3) Volt.

• Ketika diode mendapatkan bias balik(reverse biased),

diode dalam kondisi padam dan dengan mengabaikan
arus bocor yang kecil (orde mikroampere hingga mA)
yang mengalir hingga reverse breakdown terjadi. Diode
seharusnya tidak boleh dioperasikan pada kondisi
Elektronika Daya - Teknik Elektro
tegangan balik lebih tinggiUNS dari Vr.
• Karakteristik Pemulihan Balik (Reverse
Rocovery Characteristic)

– Ketika terjadi perubahan (switched) secara

mendadak/cepat dari kondisi bias maju ke kondisi
bias balik, maka diode akan kontinyu konduksi
karena pembawa minoritas (minority carriers) yang
tersimpan pada sambungan p-n dan material
semikonduktornya.
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
– Pembawa minoritas memerlukan waktu yang cukup
untuk menyusun ulang pengisiannya. Waktu ini
disebut dengan reverse recovery time dari diode (trr
biasanya kurang dari 1 mikrodetik).
– Pengaruh dari reverse recovery adalah menaikkan
rugi-rugi pensaklaran (switching), menaikkan rating
tegangan, terjadinya tegangan lebih (spike) pada
beban-beban induktif.
– Gambar diatas menunjukkan karakteriktik
pemulihan balik (reverse recovery) dari sambungan
p-n sebuah diode. Reverse recovery time diukur
dari perpotongan awal titik nol arus diode hingga
25% arus puncak balik IRR.
– trr terdiri dari dua komponen ta dan tb, dimana ta
adalah waktu perpotongan titik nol dengan arus
balik puncak (karena adanya pengisian komponen
penyimpan pada daerah defleksi sambungan) dan
tb karena pengisian komponen penyimpan dalam
material semikonduktor.
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
– Perbandingan antara ta dan tb (ta/tb) dikenal sebagai
Softness Factor (SR), untuk SR=1 (pemulihan lunak –
soft recovery) dan SR<<1 (pemulihan kasar - abrupt
recovery).
– Total waktu pemulihan trr adalah : t rr = t a + t b

di
– Arus balik puncak dapat dinyatakan : I RR = ta
dt

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Tipe Diode
Ditinjau dari karakteristik pemulihan dan
teknik pembuatannya, diode daya
diklasifikasikan menjadi 3 kategori :
– Diode standar atau general purpose.
– Tegangan konduksinya sangat rendah (dibawah 1 V)
– trr tinggi (tipikal 25 mikrodetik)
– Umumnya digunakan pada aplikasi kecepatan rendah
(mis. : diode penyearah dan konverter dengan frekuensi
masukan rendah hingga 1 kHz dan konverter-konverter
komutasi jala-jala).
– Daya hantar arus sangat tinggi (diatas 5 kA) dan rating
tegangan (hingga 5 kV).

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
– Fast recovery Diode
• trr rendah (tipikal 1 mikrodetik)
• Rating tegangan ratusan volt dan rating arus
ratusan ampere.
• Umumnya digunakan pada rangkaian dengan
frekuensi tinggi.
– Schottky Diode
• Drop tegangan maju sangat rendah (tipikal 0,3 V)
• Tegangan blocking terbatas (50 - 100) Volt
• Digunakan pada aplikasi tegangan rendah,
aplikasi arus tinggi seperti pada SMPS.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 THYRISTOR (SCR)
• Thyristor hanya dapat dinyalakan pada dua
kondisi:
– Divais pada kondisi terbias maju (yaitu Vak positif)
– Arus gate (Ig) positif diberikan pada gate

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
• Pada kondisi ON arus anode harus lebih besar
dari suatu nilai yang disebut dengan latching
current, jika tidak maka divais akan kembali
kekondisi blocking ketika tegangan anode-
katode berkurang.
• Latching current (IL) adalah arus anode
minimum yang diperlukan agar dapat membuat
thyristor tetap konduksi meskipun sinyal gate
dihilangkan.
• Holding current (IH) adalah arus anode minimum
untuk membuat thyristor ON (IL>IH)

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Mekanisme penyalaan dan pemadaman
(Turning ON-OFF mechanism)
• Pada mode terbias-balik,
SCR berperilaku seperti
diode. Akan mengalirkan
arus bocor yang kecil yang
tergantung pada tegangan,
tetapi akan naik dengan
kenaikan temperatur.
• Ketika tegangan balik
puncak tercapai, maka akan
terjadi avalance breakdown
dan arus yang besar akan
mengalir.
• Pada mode terbias-balik,
dengan tidak adanya arus
gate (yaitu pada kondisi
tidak di-trigger) divais akan
mengalirkan arus bocor.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
• Bila tegangan maju breakdown (Vbo) tercapai,
maka SCR akan ter-trigger dengan sendirinya
("selft triggered”), dan tegangan jatuh konduksi
sekitar (1,5 - 3 V tipikal). Adanya arus gate akan
mengurangi tegangan maju breakdown
• Thyristor tidak dapat dipadamkan dengan
memberikan arus gate negatif. Thyristor hanya
bisa dipadamkan jika Ia menuju negatif
(reverse). Hal ini terjadi karena bagian negatif
dari gelombang sinus terjadi (natural-
commutation)
• Metode lain untuk memadamkan yang dikenal
sebagai "force-commutation", arus anode
dialihkan kerangkaian yang lain.
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
 Tipe Thyristor
• Fasa terkontrol (phase controlled)
– Penyearahan tegangan dan arus pada frekuensi jala-
jala yang digunakan untuk penggerak motor dc.
– Kemampuan tegangan tinggi (hingga 7 kV) dan arus
tinggi (hingga 4 kA)
– Tegangan jatuh ON-state rendah (1,5 - 3) V.
• Inverter grade
– Digunakan pada pada inverter dan chopper
– Sangat cepat, dapat dinyalakan dengan
menggunakan metode "force commutation'''

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Tipe Thyristor
• Penyalaan dengan cahaya (light activated
- LASCR)
– Seperti pada fasa terkontrol, divais ini
dinyalakan dengan memberikan radiasi
cahaya langsung ke wafer silicon.
– Pada umumnya rating dayanya sangat tinggi
(contoh : transmisi tegangan tinggi dc - HVDC
dan kompensasi daya reaktif statis atau
reaktif volt ampere - VAR)

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 TRIAC

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 TRIAC
• Thyristor dengan polaritas ganda yaitu
merupakan divais yang mempunyai sifat
konduksi dua arah (bi-directional),
olehkarenanya divais ini digunakan untuk
pengaturan tegangan bolak-balik.
• Adalah merupakan ekivalensi dari dua buah
SCR yang dihubungkan antiparalel.
• TRIAC akan lebih sensitive bila dioperasikan
pada kuadran satu (tegangan MT2 positif, gate
positif) dan kuadran tiga (tegangan MT2 negatif,
gate negatif).
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
 Controllable Switch
(Power Transistors)
• Dapat dinyalakan (ON) dan dipadamkan (OFF) dengan
sinyal kontrol yang relatif sangat rendah.
• Dioperasikan pada mode saturasi dan cut-off saja. Tidak
dioperasikan pada daerah linier karena rugi-ruginya
besar.
• Secara umum transistor tidak bekerja pada latched
mode.
• Divais tradisional : Bipolar Junction Transistor (BJT),
Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor (MOSFET),
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), Gate turn-off
Thyristor (GTO).
• Divais modern : Gate Controlled Thyristor (GCT).

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
Bipolar Junction Transistor
(BJT)

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Bipolar Junction Transistor
(BJT)
• Transistor digunakan sebagai elemen saklar, sehingga
dioperasikan dalam daerah saturasi. Jatuh tegangan
pada kondisi ON rendah (VCE-sat = 2-3 V).
• Kecepatan pensaklaran (switching) lebih tinggi dari pada
thyristor (hingga 5 kHz), sering digunakan pada
konverter dc-dc dan konverter dc-ac.
• Dengan memasangkan sebuah diode anti parallel,
transistor dapat menghasilkan arus dua arah
(bidirectional).
• Level tegangan dan arusnya lebih rendah dibandingkan
dengan thyristor (VCE<1000V), Ic<400A), sehingga
banyak diaplikasikan pada aplikasi daya rendah dan
menengah.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Karakteristik BJT

• Untuk menyalakan dan memadamkan divais yaitu

dengan menghubungkan terminal basis dan emitor
dengan rangkaian driver.
• Untuk menyalakannya dengan mengijeksikan arus pada
terminal basis sehingga arus mengalir dari kolektor ke
emitor.
• Untuk memadamkan dengan menghilangkan arus basis.
• Penguatan arus (β) rendah jika dioperasikan pada
daerah saturasi (umumnya <10)
• Untuk memperoleh penguatan arus (β) yang tinggi,
maka digunakan hubungan Darlington.
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
 Metal Oxide Silicon Field Effect
Transistor (MOSFET)
• Bipolar Jucntion Transistor
adalah merupakan komponen
yang dikendalikan oleh arus
basis dan penguatan arusnya
sangat bergantung pada
temperatur junction.
• MOSFET merupakan komponen
yang dikendalikan oleh tegangan
dan memerlukan arus masukan
yang kecil. Rating tegangan Vdc
< 500 V dan arus IDC < 300 A.
• MOSFET mempunyai frekuensi
switching sangat tinggi (> 100
kHZ) bahkan untuk divais daya
rendah (ratusan watt) dapat
mencapai orde MHz dan orde
waktu switching sekitar
nanodetik.
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
 Karakteristik MOSFET
• Penyalaan dan pemadamannya sangat sederhana.
Hanya memerlukan VGs = +15 V untuk penyalaan dan
VGs = +0 V untuk pemadaman. Rangkaian diver gate-
nya sederhana.
• Pada dasarnya adalah merupakan divais tegangan
rendah. Tersedia juga divais tegangan tinggi (hingga
600V), tetapi dengan arus terbatas. Untuk memperoleh
kemampuan arus tinggi dapat diparalel dengan mudah.
• Resistansi internal antara Drain dan Source pada kondisi
ON (Rds(on)) akan membatasi kemampuan daya
MOSFET. Rugi-rugi tinggi pada divais tegangan tinggi
karena Rds(on>.
• MOSFET lebih dominan dalam aplikasi frekuensi tinggi
(>100 kHZ). Banyak digunakan pada Swicthed-Mode
Power Supplies.
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
Insulated Gate Bipolar Transistor
(IGBT)
• Adalah merupakan kombinasi
keuntungan-keuntungan pada
BJT dan MOSFET, yaitu :
• Karakteristik gate-nya sama
dengan MOSFET, mudah dalam
pemadaman dan penyalaan.
• IGBT memiliki impedansi
masukan yang tinggi seperti
MOSFET dan rugi-rugi konduksi
yang rendah seperti BJT (2 - 3
V).
• Rating tegangan dan arus yang
tersedia hingga kini (VCE < 3,3
kV, Ic < l,2kA). Bahkan dalam
perkembangannya sudah
mencapai 4,2/1,2 kA.
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
Insulated Gate Bipolar Transistor
(IGBT)
• Rating tegangan dan arus yang tersedia hingga
kini (VCE < 3,3kV, Ic < l,2kA). Bahkan dalam
perkembangannya sudah mencapai 4,2/1,2 kA.
• Kemampuan switching-nya bagus (hingga 100
kHZ) pada divais yang baru. Aplikasi tipikal
IGBT digunakan pada range 20 - 50 kHz.
• Pada aplikasi divais daya tinggi, frekuensi
switching terbatas hingga beberapa kHz.
• Operasi tanpa rangkaian snubber dimungkinkan,
bahkan pada IGBT yang baru sudah tidak
memerlukan lagi snubber.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
Gate Turn-Off Thyristor (GTO)
• Seperti normalnya
sebuah thyristor, dapat
dinyalakan dengan
memberikan sinyal gate
positif, tetapi GTO
dapat dipadamkan
dengan memberikan
sinyal gate negatif. GTO
mempunyai lacthing
current yang lebih tinggi
dari thyristor, sehingga
pulsa gate GTO akan
lebih panjang.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
Gate Turn-Off Thyristor (GTO)
• Akan tetapi untuk pemadamannya memerlukan arus
gate balik yang lebar pulsanya lebih pendek tetapi
magnitute pulsa umumnya seperlima dari arus anoda.
• Tegangan jatuh pada saat konduksi relatif lebih besar
dibandingkan dengan SCR (untuk GTO 550A, 1200V
besarnya sekitar 3,4V).
• Dalam perkembangannya rating tegangan Vak<5kV dan
arus Ia<5kA serta frekuensi <5kHz.
• Pada umumnya GTO memerlukan rangkaian snubber,
dan rangkaian snubber daya tinggi cukup mahal.
• Untuk GTO dengan daya yang sangat tinggi (>5kV,
>5kA) diperlukan pengembangan rangkaian gate-
controlled thyristor (GCT) yang lebih kompleks.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Rangkaian Driver
(Basis atau Gate)
• Interface (antar-muka)
antara rangkaian kontrol
(elektronika daya kecil) dan
saklar elektronik (daya
tinggi), berfungsi untuk :
– Penguat sinyal kontrol ke
nilai yang diinginkan untuk
mengendalikan saklar
elektronika daya (power
switch).
– Memberikan isolasi elektris
antara rangkaian daya
(power switch) dengan
rangkaian kontrol

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Contoh-contoh rangakain driver
• MOSFET membutuhkan VGS
= +15 V untuk penyalaan dan
0 V untuk pemadaman.
LM311 adalah sebuah
amplifier sederhana dengan
keluaran open collector Qx.

• Ketika B1 tinggi Q1 konduksi,

sehingga VGS tertarik ke
ground dan MOSFET akan
padam.

• Ketikan B1 rendah Q1 akan

padam, sehingga VGS tertarik
ke VGG. Jika VGG di-set pada
tegangan +15V, maka
MOSFET akan konduksi.
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
Rangakaian driver gate Thyristor
• Transformator pulsa
digunakan sebagai isolasi.
R1 digunakan untuk
membatasi arus gate.
• Pada umumnya lebar
pulsa 10µs dengan
amplitude 50 mA cukup
untuk menyalakan
thyristor.
• Tetapi tidak mungkin
memadamkan thyristor
dengan rangkaian
tersebut.
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
 Isolasi Elektris untuk Driver
• Isolasi elektris ini diperlukan
untuk mencegah bahaya dari
pensaklaran (switching)
komponen semikonduktor daya
(high power switch) terhadap
propagasi balik ke rangkaian
kontrol elektronik.
• Pada umumnya opto-coupler
atau material magnetic
frekuensi tinggi banyak
digunakan sebagai isolasi.
• Banyak rangkaian driver dan
isolasinya sudah menjadi satu
chip, misalnya TLP 250 dari
Toshiba, HP 3150 dari Hewlett-
Packard menggunakan opto-
coupling isolation.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Rugi-rugi pada Saklar Semikonduktor Daya
(Power Switch Losses)

• Adalah penting untuk mempertimbangkan

rugi-rugi pada power switch:
– Untuk meyakikan bahwa sistem beroperasi
secara handal dalam segala kondisi
lingkungan sekitar.
– Sehingga dengan menghilangkan sistem
pendingin pada divais (heatsink, radiators,
coolant) dapat meminimasi biaya dan ukuran.
– Rugi-rugi pada power switch akan
berpengaruh pada efisiensi sistem.
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
 Rugi-rugi pada Saklar Semikonduktor Daya
(Power Switch Losses)

• Bila power switch tidak didinginkan, maka

kemampuan divais pada daya penuh tidak dapat
terealisir dan dereting.
• Rugi-rugi utama yang akan terjadi pada power
switch adalah :
– Rugi-rugi konduksi (forward conduction losses)
– Rugi-rugi pada kondisi padam (blocking state losses).
– Rugi-rugi pensaklaran (switching losses).

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
 Rugi-rugi konduksi
(forward conduction losses)
• Pada saklar ideal mempunyai
jatuh tegangan pada saat
konduksi nol (Von=0).
Walaupun arus maju yang
mengalir besar tetapi rugi-rugi
saklar nol.
• Akan tetapi pada saklar yang
tidak ideal (BJT, IGBT, GTO,
SCR dan GCT) mempunyai
jatuh tegangan pada saat
konduksi antara 1-3 Volt.
MOSFET mempunyai jatuh
tegangan konduksi tergantung
pada nilai RDS(ON)

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Rugi-rugi konduksi dan padam
(forward conduction and blocking state losses)

• Rugi-rugi diukur dengan hasil perkalian antara tegangan

jatuh pada divais (Von) dengan arus konduksi, Ion, rata-
rata dalam seluruh periode.
• Selama periode padam, saklar akan memblok tegangan
yang besar. Idealnya seharusnya tidak ada arus yang
mengalir pada saklar. Akan tetapi pada power
semiconductor switch yang sebenarnya akan mengalir
arus bocor yang kecil. Hal ini akan mengakibatkan rugi-
rugi kondisi konduksi dan padam.
• Arus bocor selama periode padam biasanya kecil,
sehingga biasanya rugi-rugi pada kondisi padam
diabaikan.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Rugi-rugi pensaklaran
(switching losses)
• Selama proses penyalaan dan
pemadaman, saklar ideal
mempunyai waktu transisi
(transition time) nol. Proses
pensaklaran tegangan dan arus
dapat berlangsung dengan
cepat.
• Pada real switch, karena tidak
idealnya power switch maka
profil dari pensaklaran
ditunjukkan seperti pada
gambar.
• Rugi-rugi pensaklaran terjadi
secara simultan perubahan
tegangan dan arus selama
periode pensaklaran.
• Perkalian antara arus dan
tegangan dari divais akan
memberikan daya sesaat yang
didisipasikan pada divais.
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
 Rugi-rugi pensaklaran
(switching losses)
• Energi panas yang dihasilkan selama periode
pensaklaran adalah integrasi dari daya sesaat
seluruh waktu seperti yang ditunjukkan dengan
luasan yang diarsir pada kurve daya.
• Rugi daya rata-rata adalah jumlah energi
penyalaan dan pemadaman dikalikan dengan
frekuensi pensaklaran.
• Bila frekuensi pensaklaran naik, rugi-rugi
pensaklaran juga naik. Batasan ini merupakan
rentang (range) dari power switch tanpa
menggunakan pendingin.
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
 Daerah Operasi Aman
(Safe Operation Area - SOA)
• Adalah merupakan
gambaran singkat dari
nilai-nilai maksimum
dari arus dan
tegangan suatu power
switch.
• Divais berbeda
mempunyai SOA yang
berbeda pula. Contoh
dibawah ini adalah
SOA tipikal dari BJT
seperti pada gambar.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Rangkaian Snubber
• Dengan
menggunakan
hukum kirchoff
tegangan :

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
• Karena di/dt negatif (pada saat pemadaman)

• Dari persamaan tersebut terlihat bahwa tegangan pada

saklar lebih besar dari pada tegangan catu (dalam waktu
yang singkat).
• Tegangan spike dapat melebihi tegangan bloking
nominal saklar dan menyebabkan kerusakan akibat
adanya tegangan lebih (over voltage) tersebut.
• Untuk mencegah kejadian tersebut, maka dipasangkan
rangkaian snubber pada saklar. Sebagai contoh
rangkaian snubber RCD ditunjukkan pada gambar
Elektronika Daya - Teknik Elektro
UNS
• Rangkaian snubber dapat
memperhalus (smoothened)
proses transisi dan membuat
kenaikan tegangan pada saklar
lebih pelan (slowly).
Pengaruhnya akan meredam
tegangan spike yang tinggi
kenilai yang aman.

• Power switch dan diode pada

umumnya memerlukan
rangkaian snubber. Akan tetapi,
generasi baru IGBT, MOSFET
dan GCT tidak memerlukan lagi
rangkaian snubber.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
• Secara umum rangkaian snubber digunakan
untuk :
– Penyalaan : untuk meminimasi arus yang berlebihan
yang mengalir melalui divais pada saat penyalaan.
– Pemadaman : untuk meminimasi tegangan yang
berlebihan diantara divais pada saat pemadaman.
– Stress reduction : untuk membuat/membentuk bentuk
gelombang pensaklaran divais (seperti: tegangan dan
arus) tidak menjadi tinggi secara simultan.

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
Ideal vs Practical Power Switch

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS
 Related websites for further
readings/info/data sheet
• Power Switches
– Power diodes (irf.com) (semikron.com)
– Thyristors (irf.com) (semikron.com)
– IGBT (siemens.com) (irf.com) (semikron.com)
– MOSFETS (irf.com)
– GTO (abb.com)
– GCT (abb.com)
• Drivers
– IGBT (Toshiba.com) (hp.com) (semikron.com)
• Complete power electronics solution
– (abb.com)

Elektronika Daya - Teknik Elektro

UNS