Chapter 2

POWER SEMICONDUCTOR
SWITCHES
Department of Electrical Engineering
Institut Teknologi Nasional Malang

Prof. Dr. Eng. Ir. Abraham Lomi, MSEE, SMIEEE. MIET, MIAENG
Pendahuluan
• Peningkatan kemampuan daya, pengontrolan yang
mudah, dan hemat biaya dari komponen
semikonduktor daya modern dibandingkan dengan
komponen daya beberapa tahun silam telah membuat
aplikasi konverter dalam jumlah yang besar dan telah
menjadi topologi konverter baru dalam aplikasi
elektronika daya.
• Untuk memahami secara jelas kelayakan dari
topologi baru dan aplikasinya, maka sangat perlu
untuk mengetahui karakteristik dari komponen daya
tersebut.

A_LOMI: Power Semiconductor 2

Pendahuluan… (cont’d)
• Ulasan singkat tentang karakteristik terminal dan
kemampuan tegangan, arus, dan kecepatan switching
dari komponen-komponen daya tersebut akan
dijelaskan berikut ini.
• Jika komponen semikonduktor daya dapat dianggap
sebagai saklar ideal, maka analisis dari topologi
konverter akan menjadi lebih mudah.
• Pendekatan ini memberikan keuntungan bahwa detail
dari operasional komponen akan lebih jelas dasar
operasinya dalam sutu rangkaian, sehingga bisa
memberikan pemahaman yang baik dan jelas.
A_LOMI: Power Semiconductor 3
Pendahuluan… (cont’d)
• Komponen semikondutor daya dapat diklasifikasikan
dalam tiga kelompok berdasarkan tingkat
pengontrolannya, yaitu:
– Diode daya. Kondisi on dan off dikontrol oleh
rangkaian daya.
– Thyristor. Penyalaannya (turn on) menggunakan
pengontrolan sinyal, akan tetapi untuk pemadaman
(turn off) menggunakan rangkaian daya.
– Controllable switches. Penyalaan dan
pemadamannya menggunakan pengontrolan sinyal.

A_LOMI: Power Semiconductor 4

Pendahuluan… (cont’d)
• Yang masuk dalam kategori controllable switches
adalah:
– Bipolar junction transistors (BJTs)
– Metal-oxide-semiconductor field effect transistors
(MOSFETs)
– Gate turn off (GTO) thyristors
– Insulated gate bipolar transistors (IGBTs)
• Akhir-akhir ini terjadi perkembangan yang luar biasa
terhadap komponen kategori tersebut.

A_LOMI: Power Semiconductor 5

Dioda Daya

Gambar 2-1. Dioda:

(a) simbol, (b) karakteristik i-v, (c) karakteristik ideal, (d) dioda turn-off
A_LOMI: Power Semiconductor 6
Dioda Daya… (cont’d)
 Line-frequency diodes
Tegangan on-state dari diode ini di desain
supaya serendah mungkin dengan
konsekuensi mempunyai trr (reverse-
recovery time) yang besar, rating tegangan
bloking beberapa kilovolt dan rating arus
sampai beberapa kiloampere. Dioda ini
dapat dihubungkan secara seri maupun
paralel untuk memenuhi kebutuhan
tegangan atau arus yang diinginkan.
A_LOMI: Power Semiconductor 7
Dioda Daya… (cont’d)
 Fast-recovery diodes
Dioda ini di desain untuk digunakan pada
rangkaian dengan frekuensi tinggi yang
dikombinasikan dengan switch yang bisa
dikontrol, dimana dibutuhkan waktu
pulih yang kecil. Pada level daya dari
beberapa ratus volt dan beberapa ratus
ampere, dioda semacam ini mempunyai
rating trr yang kurang dari beberapa
mikrodetik.

A_LOMI: Power Semiconductor 8

Dioda Daya (Cont’d)
 Schottky diodes
Dioda tersebut digunakan pada
saat membutuhkan drop tegangan
forward yang rendah (sekitar 0.3
V) pada rangkaian tegangan
dengan keluaran yang rendah.
Dioda-dioda ini dibatasi
kemampuan tegangan blokingnya
yang berkisar antara 50-100 V.

A_LOMI: Power Semiconductor 9

Thyristor

Gambar 2-2. Thyristor:

(a) simbol, (b) karakteristik i-v, (c) karakteristik ideal.
A_LOMI: Power Semiconductor 10
Thyristor… (Cont’d)

Gambar 2-3. Thyristor:

(a) rangkaian, (b) gelombang, (c) waktu turn-off tq.
A_LOMI: Power Semiconductor 11
Phase-controlled Thyristor
• Thyristor ini umumnya digunakan terutama untuk
penyearahan arus dan tegangan, seperti penyearah
fasa terkontrol untuk pengendalian motor dc dan
motor ac, dan juga pada transmisi daya dc tegangan
tinggi. Komponen utamanya harus mempunyai
kemampuan dan ketahanan terhadap tegangan dan
arus yang besar dan mempunyai drop tegangan on-
state yang rendah.

A_LOMI: Power Semiconductor 12

 Phase-controlled Thyristor… (cont’d)
• Thyristor jenis ini diproduksi dalam diameter wafer
hingga 10 cm, dimana arus rata-rata mencapai 4000 A
dengan tegangan bloking berkisar antara 5 – 7 kV.
Sedangkan tegangan on-state berkisar antara 1.5 V
untuk komponen dengan rating 1000 V, hingga 3.0 V
untuk komponen dengan rating 5 – 7 kV.

A_LOMI: Power Semiconductor 13

Inverter-grade Thyristor
• Thyristor jenis ini di desain untuk mendapatkan
waktu turn-off tq yang kecil dan tegangan on-state
yang rendah, walaupun tegangan on-state lebih besar
pada komponen dengan nilat tq yang pendek.
Komponen ini mempunyai rating tegangan hingga
2500 V dan rating arus 1500 A.
• Waktu turn-off biasanya berkisar antara beberapa
mikrodetik hingga 100 mikrodetik, tergantung pada
rating tegangan bloking-nya dan drop tegangan on-
state.

A_LOMI: Power Semiconductor 14

Light-activated Thyristor
• Komponen ini dapat di-triger (on) dengan pulsa
cahaya yang dikendalikan oleh fiber optik pada suatu
daerah yang sensitif dari thyristor. Penggunaan utama
dari thyristor jenis ini untuk aplikasi tegangan tinggi,
seperti transmisi tegangan tinggi dc dimana banyak
thyristor dikoneksikan secara serie sebagai pengganti
katup konverter.
• Light-activated thyristors mempunyai rating tegangan
4 kV dan arus 3 kA, tegangan on-state sekitar 2 V,
dan membutuhkan daya sinar triger sebesar 5 mW.

A_LOMI: Power Semiconductor 15

Bipolar Junction Transistor (BJT)

Gambar 2-4. NPN BJT: (a) simbol; (b) karakteristik i-v; (c) karakteristik ideal.
A_LOMI: Power Semiconductor 16
Bipolar Junction Transistor… (cont’d)
• Tegangan on-state VCE(sat) dari transistor daya
biasanya berkisar anatar 1-2 V, sehingga kerugian
daya konduksi pada B JT sangat kecil.
• BJT merupakan komponen dengan pengaturan arus,
dan arus basis harus disuplai secara kontinyu untuk
mempertahankan kondisi pada on-state.
• BJT mempunyai waktu penyimpanan yang signifikan
selama waktu peralihan turn-off.
• Waktu switching berkisar antara ratusan nanodetik
hingga beberapa mikrodetik.

A_LOMI: Power Semiconductor 17

Bipolar Junction Transistor… (cont’d)
• Gain arus dc hFE biasanya hanya 5-10 pada transistor
daya besar, dan kadang2 komponen ini dihubungkan
dalam konfigurasi darlington untuk mencapai suatu
arus penguatan yang besar. Beberapa kelemahan yang
terjadi pada konfigurasi ini meliputi tegangan on-
state VCE(sat) yang sedikit besar dan kecepatan
switching yang rendah.
• BJT mempunyai rating tegangan hingga 1400 V dan
rating arus hingga beberapa ratus ampere.
• Mengingat mempunyai koefisien temperatur yang
negatif pada resistansi on-state, maka BJT moderen
difabrikasi dengan kualitas yang baik.
A_LOMI: Power Semiconductor 18
Monolithic Darlington

Gambar 2-5. Konfigurasi Darlington: (a) Darlington; (b) triple Darlington.

A_LOMI: Power Semiconductor 19
MOSFET
• Resistansi on-state rDSS(on) MOSFET antara drain dan
source merupakan fungsi dari rating tegangan
bloking: r  k BV 2.5 2.7
DS ( on ) DSS

Gambar 2-6. MOSFET: (a) simbol, (b) karakteristik i-v, (c) karakteristik ideal
A_LOMI: Power Semiconductor 20
MOSFET… (cont’d)
• Merupakan komponen pengontrol
tegangan seperti yang diperlihatkan
karakteristik i-v.
• k merupakan konstanta yang tergantung
pada sifat geometri komponen
• Switching yang cepat
• Rugi switching dapat diperkecil
• Rating tegangan melebihi 1000 V
• Rating arus kecil hingga 100 A pada
rating tegangan rendah

A_LOMI: Power Semiconductor 21

MOSFET (Cont’d)
• Maksimum tegangan gate-source +/- 20 V
• Resistansi on-state mempunyai koefisien temperatur
positif
• Dari rugi daya total, 300-400 V, frekuensi switching
melebihi 30-100 kHz

A_LOMI: Power Semiconductor 22

Gate Turn-Off Thyristor (GTO)

Gambar 2-7. GTO: (a) simbol; (b) karakteristik i-v; (c) karakteristik ideal.
A_LOMI: Power Semiconductor 23
Gate Turn-Off Thyristor… (cont’d)
• Seperti thyristor, GTO dapat dinyalakan (on) dengan
pulsa gate yang berdurasi pendek dan sekali saja pada
kondisi on-state, GTO dapat on terus tanpa arus gate
yang berlanjut.
• Tidak seperti thyristor, GTO dapat dipadamkan
dengan memberikan tegangan cathode-gate negatif,
menyebabkan arus gate negatif yang cukup besar
mengalir.

A_LOMI: Power Semiconductor 24

Gate Turn-Off Thyristor… (cont’d)
• Arus negatif gate hanya mengalir untuk beberapa
mikrodetik (selama waktu turn-off), akan tetapi harus
mempunyai nilai yang besar, sekitar 1/3 arus anode
untuk turned-off (pemadaman).
• GTO dapat memblok tegangan negatif yang besarnya
tergantung pada desain GTO.
• Tegangan on-state (2-3 volt) GTO sedikit lebih tinggi
dari thyristor.

A_LOMI: Power Semiconductor 25

Gate Turn-Off Thyristor… (cont’d)
• Kecepatan switching GTO berkisar antara beberapa
mikrodetik hingga 25 mikrodetik.
• Mempunyai kemampuan untuk menahan tegangan
yang besar (hingga 4.5 kV) dan arus yang besar
hingga beberapa kilo ampere.
• GTO digunakan apabila suatu switch dibutuhkan
untuk tegangan dan arus yang tinggi dalam kisaran
frekuensi switching dari beberapa ratus hertz hingga
10 kHz.

A_LOMI: Power Semiconductor 26

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Gambar 2-8. IGBT: (a) simbol, (b) karakteristik i-v, (c) karakteristik ideal.
A_LOMI: Power Semiconductor 27
IGBT… (cont’d)
• Seperti MOSFET, IGBT mempunyai impedansi gate
yang tinggi, yang hanya membutuhkan energi dalam
jumlah kecil untuk men-switch komponennya.
• Seperti BJT, IGBT mempunyai tegangan on-state
yang kecil, bahkan pada komponen dengan rating
tegangan bloking yang tinggi.
• Seperti GTO, IGBT dapat di desain untuk memblokir
tegangan negatif (Gambar 2.8c).

A_LOMI: Power Semiconductor 28

IGBT… (cont’d)
• Waktu turn-on dan turn-off pada orde 1 mikro detik
dan terdapat dalam rating modul tegangan yang besar,
1700 V dan 1200 A.
• Rating tegangan hingga 2 – 3 kV.

A_LOMI: Power Semiconductor 29

 Most-controlled Thyristor (MCT)

Gambar 2-9. MCT: (a) simbol rangkaian, (b) karakteristik i-v, (c) karaktristik ideal.
A_LOMI: Power Semiconductor 30
Most-controlled Thyristor… (cont’d)
• MCT merupakan komponen baru yang sudah
dipasarkan secara komersial.
• Mempunyai drop tegangan yang rendah pada kondisi
on-state dengan arus yang relatif besar.
• MCT merupakan komponen pengontrolan tegangan
seperti IGBT dan MOSFET, dan mempunyai
kebutuhan energi yang sama untuk men-switch
sebuah MCT sebagaimana halnya MOSFET atau
IGBT.

A_LOMI: Power Semiconductor 31

 Most-controlled Thyristor… (cont’d)
• Tidak membutuhkan arus gate negatif yang besar
untuk memadamkannya seperti GTO dan mempunyai
kecepatan switching yang tinggi untuk turn-on dan
turn-off yang berkisar hanya beberapa mikrodetik.
• MCT mempunyai drop tegangan on-state yang kecil
dibandingkan dengan IGBT untuk rating yang sama.
• MCT mempunyai rating hingga 1500 V dengan rating
arus berkisar antara 50 A hingga beberapa ratus
ampere.

A_LOMI: Power Semiconductor 32

 Most-controlled Thyristor… (cont’d)
 Rating arus MCT secara individu lebih rendah dari
GTO karena MCT tidak dapat dibuat dengan luasan
yang besar seperti GTO mengingat strukturnya yang
kompleks.

A_LOMI: Power Semiconductor 33

Perbandingan Karakteristik

A_LOMI: Power Semiconductor 34

Perbandingan Karakteristik… (cont’d)

Komponen Kemampuan daya Kecepatan Switching

BJT/MD Medium Medium

MOSFET Low Fast
GTO High Slow
IGBT Medium Medium
MCT Medium Medium

A_LOMI: Power Semiconductor 35