Power Electronics Component

PERCOBAAN 2
POWER ELECTRONICS
COMPONENT

A. TUJUAN
1. Mengenal rangkaian Thyristor, Triac, MOSFET dan IGBT.
2. Mengetahui karakteristik daya Gate dari Thyristor, Triac, MOSFET dan
IGBT.
3. Mengukur disipasi daya dari Thyristor, Triac, MOSFET dan IGBT.
4. Mengamati dan menganalisa respon kerja dari Thyristor, Triac,
MOSFET dan IGBT.

B. ALAT DAN BAHAN

1. Set Komputer / Laptop
2. Proteus
3. Keyboard
4. Mouse

C. DASAR TEORI
1. Thryistor
Thyristor adalah switch solid state yang bertindak sebagai sirkuit
terbuka yang mampu menahan nilai tegangan sampai di-trigger. Ketika
thyristor dipicu, impedansi dari thyristor menjadi rendah sehingga menjadi
tempat lewatnya arus dan kondisi ini dalam keadaan tetap sampai arus
lainnya berhenti atau turun di bawah nilai minimum, dimana keadaan ini
disebut tingkat holding (holding level). Setelah thyristor dipicu, arus
pemicu dapat dihapus tanpa mematikan perangkat.
Secara struktural, semua thyristor terdiri dari beberapa lapisan bolak-
balik yang berlawanan dengan silikon P dan N, dengan variasi struktur
yang tepat dengan jenis tertentu dari suatu perangkat.Beban diterapkan
melintasi berbagai junction dan arus pemicu diinjeksikan pada salah satu
dari mereka. Arus pemicu mengikuti arus beban mengalir melalui
perangkat, menyiapkan tindakan regenerative yang menjaga arus yang
mengalir bahkan setelah trigger dihapus.

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component
Karakteristik ini membuat thyristor memiliki masa kerja yang sangat
panjang dan sangant cepat menghidupkan dan mematikan. Karena
thyristor memliki waktu reaksi cepat, tindakan regenerative dan resistansi
rendah sekali dipicu, thyristor berguna sebagai pengendali kekuasaan dan
pelindung tegangan lebih transien, serta perangkat hanya menyalakan dan
mematikan.

Gambar 2.1 Jenis-Jenis Thyristor

1.1 Karakteristik Thyristor

Gambar 2.2 Karakteristik Thyristor

Karakteristik dari operasi suatu thyristor dapat dilihat pada gambar
2.1. Karakteristik pada Thyristor terbagi menjadi 3 jenis berdasarkan
kondisi yang berlaku kepadanya.
a) Kondisi Reverse Blocking (Thyristor Tegangan Balik)
Ketika dalam kondisi reverse blocking, Thyristor akan
melakukan penutupan terhadap arus listrik yang mengalir dengan

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component
cara yang sama seperti Dioda Bias Reverse. Namun, Thyristor
(SCR) hanya mampu mengalirkan arus ke satu arah tertentu serta
memblokir arus ke arah sebaliknya.
b) Kondisi Forward Blocking (Thyristor Tegangan Maju)
Ketika dalam kondisi reverse blocking, Thyristor akan
melakukan penutupan terhadap arus listrik yang mengalir dengan
cara yang sama seperti Dioda Bias Reverse. Namun, Thyristor
(SCR) hanya mampu mengalirkan arus ke satu arah tertentu serta
memblokir arus ke arah sebaliknya.
c) Kondisi Conducting (Thyristor Konduksi)
Ketika dalam kondisi reverse blocking, Thyristor akan
melakukan penutupan terhadap arus listrik yang mengalir dengan
cara yang sama seperti Dioda Bias Reverse. Namun, Thyristor
(SCR) hanya mampu mengalirkan arus ke satu arah tertentu serta
memblokir arus ke arah sebaliknya (Sukardjo,2018).
2. Triac
Triac (Triode Alternating Current Switch) merupakan komponen yang
dapat menghantarkan listrik dari dua arah seketika di-trigger. Komponen ini
bisa menghantarkan listrik dari dua arah seketika ditrigger. Komponen
elektronik ini yang banyak digunakan dalam aplikasi kontrol daya AC.
Sehingga dapat dipacu dengan diberikan tegangan positif (+) atau negatif (-)
dalam gerbang elektroda. Ketika melakukan pen trigger an, arus bergerak
menuju tempat yang lebih lemah ke genggamannya akan terus menghantar
pada komponen, semisal saat terakhir dari siklus arus AC.
Pengoperasiannya sama halnya dengan penggunaan SCR (Silicon
Controlled Rectifier), perbedaannya terletak ketika SCR disambungkan
pada rangkaian arus bolak-balik, dengan menyearahkan output voltage
sedangkan konsep dari TRIAC ialah bentuk gelombang output yang
dihantarkan oleh kedua penengah. Oleh karenanya, keluaraan dari TRIAC
bukan arus DC melainkan arus AC.
Perancangan TRIAC sangat berguna dalam memudahkan peningkatan
power control. Sakelar TRIAC adalah tegangan tinggi dan jauh di atas

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component
permukaan tanah arus, dan di kedua bagian bentuk gelombang AC. Alat ini
merupakan instrumen semikonduktor berterminal tiga yang berguna sebagai
pengendali arus litrik.

Gambar 2.3 Simbol TRIAC

2.1 Karakteristik TRIAC
Pada kuadran 1, TRIAC biasanya dipicu ke konduksi oleh gerbang arus
positif yang diberi label sebagai node 1+. Tapi bisa juga dipicu oleh
gerbang arus negatif yang diberi label mode 1- Demikian pula pada
kuadran 3, yang dipicu dengan gerbang arus negatif dan diberi label mode
3- bersama dengan mode 3+ Sama seperti penyearah yang dikendalikan
SCR, TRIAC juga memerlukan arus holding/penahan minimum (Ih) untuk
mempertahankan konduksi pada bentuk gelombang di atas titik. Meskipun
dua thyristor digabungkan menjadi satu perangkat TRIAC tunggal, mereka
tetap menunjukkan karakteristik listrik individual seperti tegangan
breakdown yang berbeda serta menahan arus dan memicu level tegangan
persis seperti perangkat SCR tunggal (Taufiqi,dkk.2021).

Gambar 2.4 Karakteristik TRIAC

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component
3. MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah
sebuah perangkat semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai
switch dan sebagai penguat sinyal pada perangkat elektronik. MOSFET
adalah inti dari sebuah IC ( Integrated Circuit ) yang di desain dan di
fabrikasi dengan single chip karena ukurannya yang sangat kecil.
MOSFET memiliki empat gerbang terminal antara lain adalah Source
(S), Gate (G), Drain (D) dan Body (B).
MOSFET bekerja secara elektonik memvariasikan sepanjang jalur
pembawa muatan ( electron atau hole ). Muatan listrik masuk melalui
Saluran pada Source dan keluar melalui Drain. Lebar Saluran di
kendalikan oleh tegangan pada electrode yang di sebut dengan Gate atau
gerbang yang terletak antara Source dan Drain. ini terisolasi dari saluran
di dekat lapisan oksida logam yang sangat tipis. Kapasitas MOS pada
komponen ini adalah bagian Utama-nya. MOSFET terdiri atas MOSFET
tipe pengosongan (D-MOSFET = Depletion-mode metal-oxide
semiconductor FET) dan MOSFET tipe peningkatan (E-MOSFET =
Enhancement-mode metal-oxide semiconductor FET). Masing-masing
tipe MOSFET ini masih terbagi juga dalam kanal-P dan kanal-N
(Surjono,2008).

3.1 Karakteristik MOSFET

Grafik karakteristik MOSFET (NMOS) arus ID sebagai fungsi VDS
dengan parametr VGS ditunjukkan dalam gambar 2.4 Pada MOSFET
terdapat tiga daerah operasi yaitu daerah cut-off, linear dan saturasi. Pada
daerah cut-off, tegangan gerbang lebih kecil dari tegangan ambang,
sehingga tidak terbentuk saluran, dan arus tidak dapat mengalir (ID = 0).
Pada daerah linear, pada awalnya gerbang diberi tegangan hingga
terbentuk saluran. Apabila drain diberi tegangan yang kecil, maka elektron
akan mengalir dari source menuju drain atau arus akan mengalir dari drain
ke source. Selanjutnya saluran tersebut akan bertindak sebagai suatu
tahanan, sehingga arus drain (ID) akan sebanding dengan tegangan drain.

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component

Gambar 2.5 Karakteristik MOSFET

Apabila tegangan drain tersebut ditingkatkan hingga tegangan pada
gate menjadi netral, lapisan inversi saluran pada sisi drain akan hilang,
dan mencapai suatu titik yang disebut titik pinch-off. Pada titik pinch-off
ini merupakan permulaan dari daerah kerja saturasi. Apabila melebihi titik
ini, peningkatan tegangan drain tidak akan mengubah arus drain, sehingga
arus drain tetap (konstan) (Surjono,2008).
4. IGBT
IGBT adalah sebuah perangkat switching yang dirancang agar
memiliki kinerja switching kecepatan tinggi dan kendali gate voltage
seperti MOSFET daya serta kapasitas penanganan tegangan tinggi atau
arus yang besar seperti transistor bipolar.

Gambar 2.6 Simbol IGBT

Struktur IGBT sebenarnya mirip dengan konstruksi MOSFET, hanya
pada IGBT terdapat penambahan layer p+ pada bagian drain struktur
MOSFET. Seperti MOSFET daya tegangan positif antara gate dan emitter
akan menghasilkan aliran arus melewati IGBT sehingga IGBT ON. Ketika
IGBT ON pembawa positif (positive carriers) disuntikkan dari layer p+ ke
layer dasar tipe n, dengan demikian akan mempercepat modulasi daya

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component
konduksi. Hal ini memungkinkan IGBT untuk memiliki resistansi ON
yang jauh lebih rendah dari pada MOSFET. Resistansi layer dasar tipe n
pada IGBT menjadi sangat kecil karena pengaruh diode pn yang terbentuk
oleh hubungan tambahan layer p+ dan layer dasar tipe n ketika di lihat dari
sisi drain. Seperti pada rangkaian ekivalen IGBT pada Gambar 2.8. IGBT
adalah sebuah monolithic cascade pnp bipolar transistor dan MOSFET
yang terhubung secara Darlington
4.1 Karakteristik IGBT

Gambar 2.7 Karakteristik IGBT

Kurva karakteristik VI diambil untuk nilai yang berbeda dari Vge.

Ketika Vge > Vge (threhold) IGBT berubah On Dalam gambar ini Vge7 >
Vge6 > Vge5 > Vge 4 > Vge 3 > Vge 2 > Vge 1 Dengan menjaga Vge
konstan, nilai Vce bervariasi dan nilai-nilai yang sesuai Ic yang tercatat
Seperti yang terlihat pada karateristik VI dari IGBT mirip dengan BJT
(Widodo,2010)..

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component

D. LANGKAH PERCOBAAN
1.Percobaan Thyristor
1. Menyiapkan Base Station of Electronics System dan meletakkan
modul training Power Electronics Circuit pada sliding rail.
(Memastikan semua catu daya dan sakelar dalam keadaan “Off”
/mati).

2. Menghubungkan kebel AC Panel modul Training ke sumber

tegangan 220 Volt AC.
3. Menggunakan gambar rangkaian berikut sebagai panduan percobaan.

4. Mencatat karakteristik tegangan katup / valve (Channel A) dan

tegangan beban (Channel B) untuk sudut fase 45̊.

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component

5. Untuk memungkinkan merekam karakteristik transfer dari

rangkaian thyristor dan mengubahnya ke dalam bentuk grafik,
memeriksa sudut fase pada osiloskop dan mengukur tegangan
keluaran yang sesuai.

6. Mengubah mode osiloskop ke mode X/Y dan merekam

karakteristik arus dan tegangan. Mem-variasikan sudut
perputaran potensiometer dan mengamati karakteristik
gelombang keluaran pada osiloskop. Kemudian mengisi
karakteristik grafik keluaran osiloskop. (Channel A tegangan
katup / valve, Channel B tegangan beban).

7. Mengubah tegangan suplai untuk 10 Volt DC dan menggunakan

gate control untuk memicu thyristor dengan potensiometer.

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component
Hanya menggunakan resistor sebagai beban. Memutar penuh
potensiometer ke kiri untuk menentukkan resistansi gate
thyristor (kondisi bekerja) dengan pengukuran arus dan
tegangan.
2.Percobaan Triac
1. Menyiapkan Base Station of Electronics System dan
meletakkan modul training Power Electronics Circuit pada
sliding rail. (Memastikan semua catu daya dan sakelar dalam
keadaan “Off”/ mati).

2. Menghubungkan kabel AC Panel modul Training ke sumber

tegangan 220 Volt AC.
3. Menggunakan gambar rangkaian berikut sebagai panduan
percobaan.

4. Mengatur potensiometer sehingga arus beban dapat mengalir.

Mencatat tegangan valve / katup dan tegangan beban untuk
berbagai periode melakukan dan membuat sketsa untuk

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component
percobaan ini. Mengatur tegangan pada keluaran
potensiometer dengan nilai-nilai berikut kemudian mengukur
dan mencatat masing-masing fase untuk sudut positif maupun
negatif setengah gelombang.

a. Potensiometer tegangan 0 Volt

b. Potensiometer tegangan 3 Volt

c. Potensiometer tegangan 6 Volt

d. Potensiometer tegangan maksimal

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component
5. Merekam karakteristik arus dan tegangan, mengubah osiloskop
ke mode X/Y.

3. Percobaan MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect

Transistors)
1. Menyiapkan Base Station of Electronics System dan
meletakkan modul training Power Electronics Circuit pada
sliding rail. (Memastikan semua catu daya dan sakelar dalam
keadaan “Off”/mati).

2. Menghubungkan kebel AC Panel modul Training ke sumber

tegangan 220 Volt AC.
3. Menggunakan gambar rangkaian berikut sebagai panduan
percobaan.

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component

4. Menghubungkan terminal A+ pada +12V dan terminal A- pada

Ground, membuka virtual voltmeter.

5. Merekam arus beban (IL) sebagai fungsi dari tegangan gate

terhadap source. Arus beban dapat diukur / dihitung atas dasar
drop tegangan di resistansi beban. Untuk pengukuran ini,
melepas lampu dari rangkaian beban.

6. Mengukur waktu kenaikan tegangan gate yang dikontrol

menggunakan potensiometer dengan cara mencatat waktu
kenaikan tegangan gate sebagai respon step. Menghubungkan
gate kekeluaran dari function generator S. mengatur function
generator untuk TTL dengan amplitude sebesar 50%
menggunakan mode variasi frekuensi.

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component
7. Mencatat tegangan gate-source di saluran A dari osiloskop dan
tegangan drain-source pada Saluran B, dengan menggunakan
time base sebesar 1 mikrodetik. Menentukan waktu yang
diperlukan MOSFET untuk aktif sepenuhnya.

4.Percobaan IGBT ( Isolated-Gate-Bipolar-Transistors )

1. Menyiapkan Base Station of Electronics System dan
meletakkan modul training Power Electronics Circuit pada
sliding rail. ( Memastikan semua catu daya dan sakelar dalam
keadaan “Off”/mati).

2. Menghubungkan kabel AC Panel modul Training ke sumber

tegangan 220 Volt AC.
3. Menggunakan gambar rangkaian berikut sebagai panduan
percobaan.

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component
4. Menghubungkan terminal A+ pada +12V dan terminal A- pada
Ground, membuka virtual voltmeter.

5. Merekam arus beban (IL) sebagai fungsi dari tegangan gate

terhadap source. Arus beban dapat diukur / dihitung atas dasar
drop tegangan di resistansi beban. Untuk pengukuran ini,
melepas lampu dari rangkaian beban.

6. Mengukur waktu ketika IGBT aktif dengan cara merekam

kurva ketika IGBT aktif sebagai respon step. Kemudian
menghubungkan terminal gate IGBT ke function generator
pada terminal S (Ground harus terhubung pada terminal
emitor). Mengatur sinyal TTL dengan amplitude sebesar 90%
pada function generator dengan cara menggunakan variasi
frekuensi hingga mencapai grafik yang dapat di evaluasi.

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM

 Power Electronics Component
7. Menggunakan virtual osiloskop untuk merekam tegangan gate-
emittor dengan saluran A dan tegangan collector-source
dengan saluran B. dengan time base 1 mikro detik. Ini
digunakan untuk menentukan berapa lama waktu yang
dibutuhkan sampai IGBT sedang melakukan sepenuhnya. Hasil
terbaik diperoleh dengan menggunakan mode operasi tungga.

Praktikum Elektronika Lanjut 2023/Nama/NIM