BAB I

PENDAHULUAN

1.1. Latar Belakang

Silicon Controlled Rectifier (SCR) merupakan salah satu jenis semikonduktor daya yang
paling penting dan telah digunakan secara ekstensif pada rangkaian elektronika industri.
SCR biasanya digunakan sebagai saklar/bistabil, beroperasi antara keadaan non konduksi
ke konduksi. Pada banyak aplikasi, SCR dapat diasumsikan sebagai saklar ideal akan tetapi
dalam prakteknya SCR memiliki batasan dan karakteristik tertentu.

1.2. Rumusan Masalah

1. Apa itu SCR (Silicon Controlled Rectifier) ?

2. Apa Fungsi SCR (Silicon Controlled Rectifier) ?
3. Bagaimana Karakteristik SCR (Silicon Controlled Rectifier) ?
4. Bagaimana Struktur Thyristor & Struktur SCR ?

1.2. Tujuan

Tujuan penyusunan makalah ini adalah untuk memenuhi sebagian tugas mata kuliah
Komponen Elektronika serta memperdalam materi yang disampaikan. Dan untuk mengetahui
pengertian dan fungsi SCR.

1
 BAB II
PEMBAHASAN

2.1 Pengertian Dan Fungsi SCR

SCR singkatan dari Silicon Control Rectifier. Adalah Dioda yang mempunyai fungsi
sebagai pengendali. SCR atau Tyristor masih termasuk keluarga semikonduktor dengan
karateristik yang serupa dengan tabung thiratron. Sebagai pengendalinya adalah gate (G).
SCR sering disebut Therystor. SCR sebetulnya dari bahan campuran P dan N. Isi SCR
terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) dan biasanya disebut PNPN Trioda.

Simbol pada skema elektronik untuk SCR:

Fungsi SCR:

 Sebagai rangkaian Saklar (switch control)

 Sebagai rangkaian pengendali (remote control)

Diagram dan skema SCR:

Ada tiga kelompok besar untuk semikonduktor ini yang sama-sama dapat berfungsi
sebagai Saklar (Switching) pada tegangan 120 volt sampai 240 volt. Ketiga kelompok
tersebut adalah SCR ini sendiri, DIAC dan TRIAC.

2
2.2 Karakteristik SCR (Silicon Controlled Rectifier)

Sebuah SCR terdiri dari tiga terminal yaitu anoda, katoda, dan gate. SCR berbeda
dengan dioda rectifier biasanya. SCR dibuat dari empat buah lapis dioda. SCR banyak
digunakan pada suatu sirkuit elekronika karena lebih efisien dibandingkan komponen
lainnya terutama pada pemakaian saklar elektronik.
SCR biasanya digunakan untuk mengontrol khususnya pada tegangan tinggi karena
SCR dapat dilewatkan tegangan dari 0 sampai 220 Volt tergantung pada spesifik dan tipe
dari SCR tersebut. SCR tidak akan menghantar atau on, meskipun diberikan tegangan
maju sampai pada tegangan breakovernya SCR tersebut dicapai (VBRF). SCR akan
menghantar jika pada terminal gate diberi pemicuan yang berupa arus dengan tegangan
positip dan SCR akan tetap on bila arus yang mengalir pada SCR lebih besar dari arus
yang penahan (IH).
Satu-satunya cara untuk membuka (meng-off-kan) SCR adalah dengan mengurangi
arus Triger (IT) dibawah arus penahan (IH). SCR adalah thyristor yang uni
directional,karena ketika terkonduksi hanya bisa melewatkan arus satu arah saja yaitu
dari anoda menuju katoda. Artinya, SCR aktif ketika gate-nya diberi polaritas positif dan
antara anoda dan katodanya dibias maju. Dan ketika sumber yang masuk pada SCR
adalah sumber AC, proses penyearahan akan berhenti saat siklus negatif terjadi.
Sebuah SCR terdiri dari empat lapis bolak P dan bahan tipe semikonduktor N. Silikon
digunakan sebagai semikonduktor intrinsik, dimana dopan yang tepat ditambahkan.
Persimpangan baik menyebar atau paduan. Pembangunan planar digunakan untuk SCRs
daya rendah (dan semua sambungan yang tersebar). Jenis Pembangunan mesa digunakan
untuk SCRs daya tinggi. Dalam hal ini, sambungan J2 diperoleh dengan metode difusi
dan kemudian dua luar lapisan paduan untuk itu, karena pelet PNPN diperlukan untuk
menangani arus besar. Hal ini benar bersiap dengan piring tungsten atau molybdenum
untuk memberikan kekuatan mekanik yang lebih besar. Salah satu pelat sulit disolder ke
pejantan tembaga, yang berulir untuk lampiran heat sink. Doping dari PNPN akan
tergantung pada penerapan SCR, karena karakteristik yang mirip dengan mereka yang
thyratron tersebut. Saat ini, istilah thyristor berlaku untuk keluarga besar perangkat
multilayer yang menunjukkan bistable negara-perubahan perilaku, yaitu, switching baik
ON atau OFF.

3
 Dalam keadaan normal "off", perangkat membatasi saat ini ke kebocoran arus. Ketika
tegangan gerbang-untuk-katoda melebihi ambang batas tertentu, perangkat ternyata "on "
dan melakukan saat ini. Perangkat akan tetap dalam "pada" negara bahkan setelah
gerbang saat ini dihapus sehingga selama arus melalui perangkat ini masih tetap diatas
saat ini memegang. Setelah saat ini jatuh di bawah memegang saat ini untuk jangka
waktu yang tepat, perangkat akan beralih "off". Jika pintu yang berdenyut dan arus
melalui perangkat ini di bawah saat memegang, perangkat akan tetap dalam keadaan off.
Asimetris SCR dapat dibuat dengan dioda melakukan reverse dalam paket yang sama.
Ini dikenal sebagai RCT, untuk melakukan reverse thyristor.
SCR kontrol daya AC Menjadi perangkat (satu arah) unidirectional, paling banyak
kita hanya bisa memberikan daya setengah gelombang untuk memuat, dalam siklus-
setengah dari AC dimana polaritas tegangan suplai positif pada bagian atas dan negatif di
bagian bawah. Namun, untuk menunjukkan konsep dasar kontrol waktu-proporsional,
rangkaian sederhana ini lebih baik dari satu mengendalikan penuh tenaga ombak (yang
akan membutuhkan dua SCRs).

Dengan tidak memicu ke pintu gerbang, dan sumber tegangan AC jauh di bawah
rating tegangan SCR's breakover, maka SCR tidak akan pernah menyala.
Menghubungkan SCR gerbang menuju anoda melalui sebuah dioda perbaikan standar
(untuk mencegah membalikkan arus melalui pintu gerbang dalam hal ini SCR berisi
built-in resistor gerbang-katoda), akan memungkinkan SCR yang akan dipicu segera
pada awal setiap setengah siklus-positif:

Kita bisa menunda pemicu SCR, namun, dengan memasukkan beberapa perlawanan
ke gerbang sirkuit, sehingga meningkatkan jumlah drop tegangan diperlukan sebelum
pintu gerbang cukup saat ini memicu SCR tersebut. Dengan kata lain, jika kita membuat
lebih sulit bagi elektron untuk mengalir melalui gerbang dengan menambahkan
resistensi, tegangan AC harus mencapai titik yang lebih tinggi dalam siklus sebelum
akan ada gerbang cukup saat ini untuk menghidupkan SCR pada. Hasilnya seperti :

4
2.3 Struktur Thyristor
Ciri-ciri utama dari sebuah thyristor adalah komponen yang terbuat dari bahan
semiconductor silicon. Walaupun bahannya sama, tetapi struktur P-N junction yang
dimilikinya lebih kompleks dibanding transistor bipolar atau MOS. Komponen thyristor
lebih digunakan sebagai saklar (switch) ketimbang sebagai penguat arus atau tegangan
seperti halnya transistor.

Gambar-1 : Struktur Thyristor

Struktur dasar thyristor adalah struktur 4 layer PNPN seperti yang ditunjukkan pada
gambar-1a. Jika dipilah, struktur ini dapat dilihat sebagai dua buah struktur junction PNP
dan NPN yang tersambung di tengah seperti pada gambar-1b. Ini tidak lain adalah dua
buah transistor PNP dan NPN yang tersambung pada masing-masing kolektor dan base.
Jika divisualisasikan sebagai transistor Q1 dan Q2, maka struktur thyristor ini dapat
diperlihatkan seperti pada gambar-2 yang berikut ini.

Gambar-2 : visualisasi dengan  transistor

5
 Terlihat di sini kolektor transistor Q1 tersambung pada base transistor Q2 dan
sebaliknya kolektor transistor Q2 tersambung pada base transistor Q1.  Rangkaian
transistor yang demikian menunjukkan adanya loop penguatan arus di bagian tengah.
Dimana diketahui bahwa Ic =  Ib, yaitu arus kolektor adalah penguatan dari arus base. 

Jika misalnya ada arus sebesar Ib yang mengalir pada base transistor Q2, maka
akan ada arus Ic yang mengalir pada kolektor Q2. Arus kolektor ini merupakan arus base
Ib pada transistor Q1, sehingga akan muncul penguatan pada pada arus kolektor transistor
Q1. Arus kolektor transistor Q1 tdak lain adalah arus base bagi transistor Q2. Demikian
seterusnya sehingga makin lama sambungan PN dari thyristor ini di bagian tengah akan
mengecil dan hilang. Tertinggal hanyalah lapisan P dan N dibagian luar.

Jika keadaan ini tercapai, maka struktur yang demikian todak lain adalah struktur
dioda PN (anoda-katoda) yang sudah dikenal. Pada saat yang demikian, disebut bahwa
thyristor dalam keadaan ON dan dapat mengalirkan arus dari anoda menuju katoda
seperti layaknya sebuah dioda. 

Gambar-3 : Thyristor diberi tegangan

Bagaimana kalau pada thyristor ini kita beri beban lampu dc dan diberi suplai
tegangan dari nol sampai tegangan tertentu seperti pada gambar 3. Apa yang terjadi pada
lampu ketika tegangan dinaikkan dari nol. Tentu saja lampu akan tetap padam karena
lapisan N-P yang ada ditengah akan mendapatkan reverse-bias (teori dioda). Pada saat
ini disebut thyristor dalam keadaan OFF karena tidak ada arus yang bisa mengalir atau
sangat kecil sekali. Arus tidak dapat mengalir sampai pada suatu tegangan reverse-bias
tertentu yang menyebabkan sambungan NP ini jenuh dan hilang. Tegangan ini disebut
tegangan breakdown dan pada saat itu arus mulai dapat mengalir melewati thyristor
sebagaimana dioda umumnya. Pada thyristor tegangan ini disebut tegangan breakover
Vbo.

6
2.4 Struktur SCR
Telah dibahas, bahwa untuk membuat thyristor menjadi ON adalah dengan memberi
arus trigger lapisan P yang dekat dengan katoda. Yaitu dengan membuat kaki gate pada
thyristor PNPN seperti pada gambar-4a. Karena letaknya yang dekat dengan katoda, bisa
juga pin gate ini disebut pin gate katoda (cathode gate). Beginilah SCR dibuat dan
simbol SCR digambarkan seperti gambar-4b. SCR dalam banyak literatur disebut
Thyristor saja.

Gambar-4 : Struktur SCR

Melalui kaki (pin) gate tersebut memungkinkan komponen ini di trigger menjadi ON,
yaitu dengan memberi arus gate.  Ternyata dengan memberi arus gate Ig yang semakin
besar dapat menurunkan tegangan breakover (Vbo) sebuah SCR. Dimana tegangan ini
adalah tegangan minimum yang diperlukan SCR untuk menjadi ON. Sampai pada suatu
besar arus gate tertentu, ternyata akan sangat mudah membuat SCR menjadi ON. Bahkan
dengan tegangan forward yang kecil sekalipun. Misalnya 1 volt saja atau lebih kecil lagi.
Kurva tegangan dan arus dari sebuah SCR adalah seperti yang ada pada gambar-5 yang
berikut ini.

Gambar-5 : Karakteristik kurva I-V SCR 

7
 Pada gambar tertera tegangan breakover Vbo, yang jika tegangan forward SCR
mencapai titik ini, maka SCR akan ON. Lebih penting lagi adalah arus Ig yang dapat
menyebabkan tegangan Vbo turun menjadi lebih kecil. Pada gambar ditunjukkan
beberapa arus Ig dan korelasinya terhadap tegangan breakover. Pada datasheet SCR, arus
trigger gate ini sering ditulis dengan notasi IGT (gate trigger current). Pada gambar ada
ditunjukkan juga arus Ih yaitu arus holding yang mempertahankan SCR tetap ON. Jadi
agar SCR tetap ON maka arus forward dari anoda menuju katoda harus berada di atas
parameter ini.

Sejauh ini yang dikemukakan adalah bagaimana membuat SCR menjadi ON. Pada
kenyataannya, sekali SCR mencapai keadaan ON maka selamanya akan ON, walaupun
tegangan gate dilepas atau di short ke katoda. Satu-satunya cara untuk membuat SCR
menjadi OFF adalah dengan membuat arus anoda-katoda turun dibawah arus I h (holding
current). Pada gambar-5 kurva I-V SCR, jika arus forward berada dibawah titik I h, maka
SCR kembali pada keadaan OFF. Berapa besar arus holding ini, umumnya ada di dalam
datasheet SCR. 

Cara membuat SCR menjadi OFF tersebut adalah sama saja dengan menurunkan
tegangan anoda-katoda ke titik nol. Karena inilah SCR atau thyristor pada umumnya
tidak cocok digunakan untuk aplikasi DC. Komponen ini lebih banyak digunakan untuk
aplikasi-aplikasi tegangan AC, dimana SCR bisa OFF pada saat gelombang tegangan AC
berada di titik nol. Ada satu parameter penting lain dari SCR, yaitu VGT. Parameter ini
adalah tegangan trigger pada gate yang menyebabkab SCR ON. Kalau dilihat dari model
thyristor pada gambar-2, tegangan ini adalah tegangan Vbe pada transistor Q2. VGT seperti
halnya Vbe, besarnya kira-kira 0.7 volt. Seperti contoh rangkaian gambar-8 berikut ini
sebuah SCR diketahui memiliki IGT = 10 mA dan VGT = 0.7 volt. Maka dapat dihitung
tegangan Vin yang diperlukan agar SCR ini ON adalah sebesar :

Gambar-8 : Rangkaian SCR

8
 BAB III
PENUTUP

3.1.Kesimpulan

SCR singkatan dari Silicon Control Rectifier. Adalah Dioda yang mempunyai
fungsi sebagai pengendali. SCR atau Tyristor masih termasuk keluarga semikonduktor
dengan karateristik yang serupa dengan tabung thiratron. Sebagai pengendalinya adalah
gate (G). SCR sering disebut Therystor. SCR sebetulnya dari bahan campuran P dan N.
Isi SCR terdiri dari PNPN (Positif Negatif Positif Negatif) dan biasanya disebut PNPN
Trioda.

Seperti kebanyakan komponen dengan kawat penghubung, dioda mempunyai

kapasitansi bocor yang mempengaruhi kerja pada frekuensi tinggi, kapasitansi luar ini
biasanya lebih kecil dari 1 pF. Yang lebih penting dari kapasitansi luar ini adalah
kapasitansi dalam junction dioda. Kapasitansi dalam ini kita sebut juga kapasitansi
peralihan CT.

3.2.Saran

Diharapkan adanya kritik dan saran atas hasil penyusunan makalah ini agara
kedepannya penulisan makalah selanjutnyakami dapat mengurangi kesalahan.

•Daftar Pustaka
‣https://teknikelektronika.com/pengertian-scr-silicon-controllled-rectifier-prinsip-kerja-
scr/
‣http://tmnstudio.com/electronics/446-fungsi-scr-sillicon-controlled-rectifier.html
‣https://elektronika-dasar.web.id/pengertian-scr-silicon-controlled-rectifier/
‣https://www.scribd.com/document/360756692/Makalah-SCR

9
10