Elektronika Daya

Komponen Switching
Oleh : Nanang Roni Wibowo, M.T
 Saklar Elektronik
• Saklar elektronik dicirikan oleh dua kondisi :
– Kondisi ON : idealnya seperti short circuits
– Kondisi OFF : idealnya seperti open circuits
• Jika saklar dianggap ideal, pada saat short circuits tegangan pada saklar
nol dan saat open circuits arusnya adalah nol, sehingga daya yang
diserap adalah nol.
• Akan tetapi dalam kenyataanya akan terjadi penyerapan daya
– Ketika kondisi ON
– Ketika terjadi perubahan/ transisi dari kondisi ON ke OFF
• Perilaku rangkaian tidak signifikan dipengaruhi oleh saklar tak ideal, jika
tegangan drop sepanjang saklar lebih kecil dibandingkan tegangan
rangkaian
• Kebanyakan saklar semikonduktor dimodelkan sebagai saklar ideal
 Dioda
• Merupakan saklar elektronik paling sederhana
– Tidak bisa dikendalikan
– Kondisi ON dan OFF ditentukan oleh tegangan dan arus pada rangkaian.
 Pengaruh Reverse Recovery
• Karakteristik dinamis dari dioda tak ideal adalah arus reverse recovery
• Ketika dioda dimatikan, terjadi penurunan drastis sampai bernilai
negativ sebelum menjadi nol
• Waktu trr adalah waktu reverse recovery, yang biasanya kurang dari 1µs
• Jenis Dioda yang memiliki pengaruh reverse recovery yang sangat kecil
adalah dioda silicon carbide (SiC) dan Dioda Schottky.
Contoh Dioda
 Thyristor (SCR) dan GTO
• Diode terkendali dengan tiga terminal
• SCR ( Silicon Controlled Rectifier)
• GTO ( Gate TurnOff Thyristor )
Thyristor
 TRIAC dan MCT
• TRIAC : dua thyristor back to back
• MCT : Mos Controlled thyristor
 Transistor
• Perangkat tiga terminal
• Tidak seperti dioda dan thyristor, transistor dapat dikendalikan pada ON dan OFF
• Tipe :
– BJT ( Bipolar Junction Transistor)
– MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor )
– IGBT (Isolated Gated Bipolar Transistor )
 MOSFETS
• MOSFET adalah perangkat terkendali tegangan, tegangan yang cukup besar pada
gate ke source akan mengaktifkan komponen, menghasilkan tegangan yang
cukup kecil pada drain ke source
– Resistansi pada kondisi ON disebut RDS (on)
– Konstruksi MOSFET menghasilkan sebuah dioda parasitik yang kadang dapat digunakan
untuk kemanfaatanya dalam rangkaian elektronika daya
– MOSFET daya merupakan tipe perangkat tambahan dari jenis deplesi
 BJT
• Kondisi ON untuk BJT daya dilakukan dengan memberikn arus yang cukup ke basis
• Tegangan saturasi kolektor-emitor biasanya sebesar 1 – 2V untuk BJT daya
• Arus nol pada basis menyebabkan transistor kondisi OFF
• BJT daya biasanya mempunyai nilai HFE rendah, kadangkala dibawah nilai 20
• Koneksi secara Darlington meningkatkan nilai HFE efektif, yang menyebabkan kebutuhan
drive arus basis berkurang.
 IGBT
• IGBT merupakan integrasi dari MOSFET dan BJT
• Rangkaian driver untuk IGTB seperti pada MOSFET sedangkan
karakteristik On seperti pada BJT
• IGBT telah menggantikan BJT dalam banyak aplikasi.
Transistor
Semikonduktor Daya
Sejarah Elektronika Daya
 Pemilihan Saklar
• Pemilihan komponen daya untuk aplikasi tertentu tidak hanya tergantung
pada kebutuhan tegangan dan level arus namun juga pada karakteristik
switchingnya.
– Transistor dan GTO menyediakan kontrol pada kedua kondisi ON dan OFF
– SCR mengendalikan kondisi ON namun tidak sebaliknya
– Sedangkan Dioda tidak ada
• Kecepatan switching dan losses daya yang dimiliki adalah sangat penting pada
rangkaian elektronika daya
• BJT adalah komponen pembawa minor yang memiliki tunda penyimpanan
pembawa minor.
• MOSFET adalah komponen pembawa mayor yang tidak mempunyai tudan
penyimpanan minor
• MOSFET memiliki kelebihan pada kecepatan switching. Umumnya
mempunyai losses switching lebih rendah dan lebih diutamakan daripada BJT
 Contoh 1.1
• Saklar S1 menghubungkan sumber tegangan (24V) ke sumber arus (Io = 2A).
Frekuensi switching adalah 200KHz.
– Ketika S1 terbuka, S2 harus tertutup sehingga tersedia jalur arus.
– Sebaliknya, ketika S2 terbuka, S1 tertutup.
• Tentukan perangkat switching untuk S1 dan S2
 Pemilihan Saklar S1
• Arus pada S1 selalu dalam arah positif ; i1>0
• Tegangan pada S1 selalu dalam arah positif
V1>0
• Titik operasi steady state untuk S1 adalah ;
– (V1,I1) = (0,Io) untuk kondisi tertutup
– (V1,I1) = (Vs,0) untuk kondisi terbuka
• S1 harus mati ketika I1>0 dan harus aktif ketika
V1>0
• Sehingga perangkat yang digunakan untuk S1
harus menyediakan kendali penuh pada kedua
sisi on maupun off
• Karakteristik BJT sesuai dengan kebutuhan
• Namun MOSFET akan menjadi pilihan yang
bagus karena diperlukan terkait kebutuhan
frekuensi switching, kebutuhan drive gate
sederhana, dan kebutuhan tegangan dan arus
yang relative rendah (24V dan 2A).
 Pemilihan Saklar S2
• Titik kerja adalah pada sumbu arus positif dan tegangan negatif.
• Arus positif pada S2 diperlukan untuk mematikan S2 dan ketika
tegangan negatif muncul S2 harus off
• Hal ini sesuai dengan operasi dari dioda dan juga tidak ada kebutuhan
kontrol yang diperlukan terhadap perangkat
• Dioda menjadi pilihan yang sesuai untuk S2
 Implementasi Saklar
• Rangkaian dapat diimplementasikan dengan
menggunakan MOSFET dan Dioda sebagai berikut :
• Arus maksimum adalah 2A dan tegangan maksimum pada
posisi reverse sebesar 24V
 Implementasi Alteratif Saklar
• Meskipun dioda sudah mencukupi dan sesuai untuk S2, sebuah MOSFET
dapat juga dioperasikan pada posisi ini.
• Manfat dari menggunakan MOSFET adalah untuk menyertakan sebuah
tegangan drop yang lebih rendah jika dibandingkan dioda, sehingga
menghasilkan loss daya dan efisiensi lebih tinggi.
• Ketidak manfaatannya adalah diperlukan kontrol lebih kompleks
• Metode kontrol ini diketahui sebagai penyearah singkron.
 Kebutuhan Sistem Pendingin
• Konverter daya tidak mempunyai efisiensi 100% akibat loss daya pada semikonduksor
daya dan komponen lainya.
• Loss daya dikonversikan dalam bentuk panas, dan menaikan suhu komponen. Jika
panas tidak dibuang dari komponen dengan segera suhu dapat melebihi batas
(~150°C) sehingga komponen dapat rusak.
• Metode yang digunakan untuk menghilangkan panas dengan metode transfer panas,
dan suhu dijaga dibawah batas.
• Sebuah heatsink dapat digunakan untuk mendisipasikan daya kedalam suhu ambein
dengan konveksi
• Kapasitas disipasi panas dapat ditingkatkan dengan meningkatkan volume yang
mengurangi resistansi thermal antara komponen daya dan
•  The heat dissipation capacity can be
• increased by increasing the volume
• which reduces the thermal resistance
• between the power device and ambient.
 Pendinginan Paksa
• Kapasitas disipasi panas dari
heatsink dibawah konveksi alami
terbatas akibat volume heatsink
meningkat secara berlebihan
• Dalam kondisi ini pendinginan
konveksi secara paksa dapat
dilakukan untuk meningkatkan
konduksi thermal
Pendinginan Mainboard PC
Pendinginan Mainboard Laptop
Pendingin Air
 Simulasi Komputer
• Simulasi komputer merupakan tool design dan analisa yang penting
untuk elektronika daya
– PSIM : powersim adalah software didedikasikan khusus untuk simulasi
elektronika daya, dia menggunakan penyelesaian waktu langkah tetap
( terdapat versi lisensi untuk mahasisw)
– Spice : adalah program simulasi rangkaian yang dikembangkan universitas
California di Berkeley
– Pspice : software Spice versi komersial yang dikembangkan untuk PC
– OrCad Capture dari Cadence : adalah program antarmuka grafik untuk
simulasi Pspice ( ada juga versi student)
– Ltspice : freeware dari Liniear Technology yang mengimplementasikan
simulator Spice untuk rangkaian elektronik
– Proteus labcenter : adalah software simulasi rangkaian interaktif yang
menggunakan engine mirip dengan spice.
 LTSpice
• Download Aplikasi di
http://ltspice.linear-tech.com/software/LTspic
eIV.exe

• Tutorial penggunaan
– https://learn.sparkfun.com/tutorials/getting-start
ed-with-ltspice/all#creating-a-new-model-
– https://sunupradana.info/pe/2016/09/23/latihan-
mengawali-belajar-ltspice/
 Tugas
• Buat Kelompok
• Buat Laporan dari Simulasi dari rangkaian yang
diberikan dosen
• Kumpulkan pada pertemuan selanjutnya
TERIMA KASIH