BAB 8

TRANSISTOR DAYA
Transistor daya memiliki karakteristik kontrol untuk menyala atau mati.
Transisitor digunakan sebagai elemen saklar yang dioperasikan dalam wilayah
saturasi, menghasilkan drop tegangan kondisi on yang rendah.Kecepatan
pensaklaran transistor lebih tinggi daripada thyristor dan secara normal digunakan
untuk aplikasi daya rendah sampai menengah. Transistor daya dapat diklasifikan
ke dalam empat kategori :
1.
2.
3.
4.

Bipolar Junction Transistor (BJT)

Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
Static Induction Transistor (SIT)
Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT)

1. Bipolar Junction Transistor (BJT)

Ada 2 jenis transistor bipolar yaitu transistor NPN dan transistor PNP dapat
ditunjukkan pada gambar 8.1, yang memiliki tiga terminal antara lain emiter,
basis, dan kolektor. Sebuah transistor bipolar memiliki dua sambungan yaitu
sambungan collector-base (CBJ) dan sambungan base-emiter (BEJ).

Gambar 8.1 Jenis Transistor Bipolar

a. Karakteristik Tunak (Steady-State)
Konfigurasi Common emiter secara umum digunakan untuk aplikasi
pensaklaran, rangkaian konfigurasi Common-emiter seperti ditunjukkan
pada gambar 8.2.

Gambar 8.2 Rangkaian Konfigurasi Common-Emiter

Ada 3 wilayah kerja transistor yaitu cut for, aktif dan saturasi. Di
wilayah cut off, transistor mati atau arus base tidak mencukupi untuk
menyalakan dan kedua sambungan memiliki bias mundur. Dalam wilayah
aktif, transistor berlaku seperti penguat. Di wilayah saturasi, arus basis
tinggi sehingga tegangan kolektor emiter rendah dan transistor berlaku
sebagai saklar. Keadaan saturasi transistor didefinisikan sebagai titik diatas
dimana setiap peningkatan arus basis tidak meningkatkan arus kolektor
secara signifikan.

Gambar 8.3 Rangkaian Transistor sebagai Switch

b. Karakteristik Pensaklaran
Sebuah sambungan pn bias maju menghasilkan dua kapasitansi
paralel, sebuah kapasitansi lapisan deplesi dan kapasitansi difusi.
Sedangkan sambungan pn bias mundur hanya menghasilkan kapasitansi
deplesi. Pada kondisi steady State, kapasitansi ini tidak mempengaruhi
apapun, lain hal pada kondisi transien, kapasitansi ini menyebabkan
perilaku pada transistor.
Gambar 8.4 menggambarkan

bentuk

gelombang

dan

waktu

pensaklaran transistor bipolar. Sebagai tegangan masukan vB naik dari nol

menuju V1 dan arus basis meningkat menuju IB1, tetapi arus kolektor tidak
meresponnya seketika. Ada sebuah jeda, yang dikenal sebagai waktu

tunda. td sebelum arus kolektor mengalir. Waktu tunda ini dibutuhkan

untuk pengisian kapasitor BEJ ke tegangan bias maju V B. Setelah waktu
tunda ini, arus kolektor meningkat ke nilai steady state.

Gambar 8.4 Bentuk Gelombang dan Waktu Pensaklaran Transistor

c. Batasan Pensaklaran
Breakdown Kedua (BD), fenomena merusak yang dihasilkan dari aliran

arus ke bagian kecil basis, menghasilkan hotspot lokal.

Area Operasi Aman Bias Maju, mengindikasikan Ic Vce transistor
dan untuk operasi yang memungkinkan transistor harus tidak dikenal
disipasi daya yang lebih besar daripada yang ditunjukkan di kurva

AOABM.
Area Operasi Aman Bias Balik (mundur)
Penetapan Ulang Daya

Tegangan Breakdown, tegangan maksimum absolut antara dua terminal

transistor dengan terminal ketiga terbuka, dihubung singkat atau diberi
bias dalam kedua arah maju ataupun mundur.

d. Kontrol Penggerak Basis

Teknik umum yang digunakan untuk optimasi penggerak basis sebuah

transistor adalah :
1. Kontrol Penyalaan
2. Kontrol Pematian
3. Kontrol Basis Proporsional
4. Kontrol Anti Saturasi
2. MOSFET Daya
MOSFET daya merupakan komponen yang dikendalikan oleh tegangan
dan memerlukan arus masukan yang kecil. Kecepatan switching sangat tinggi
dan waktu switching memiliki orde nanodetik. MOSFET memiliki dua tipe
yakni MOSFET tipe deplesi dan MOSFET tipe enhancement yang memiliki
tiga terminal yaitu drain, source, dan Gate.
a. Karakteristik Steady State
MOSFET merupakan komponen yang dikendalikan oleh tegangan dan
memiliki imeodansi masukkan yang sangat besar. Gate akan mengalirkan
arus bocor yang sangat kecil pada orde nanoampere.
Karakteristik transfer dari MOSFET kanal-p dan kanal-n diperlihatkan
pada gambar 8.5. Ada tiga daerah operasi pada MOSFET yaitu cut off,
pinch off (saturasi), dan daerah linier. Pada daerah linier, arus drain akan
bervariasi secara proporsional terhadapa tegangan drain ke sumber VDS.
Karean arus drain yang tinggi dan tegangan drain yang rendah, pada saat
swtching MOSFET daya dioperasikan pada daerah linier.

Gambar 8.5 Karakteristik Transfer MOSFET

Gambar 8.6 Model Switching Keadaan Steady State pada MOSFET

b. Karakteristik Switching
Model switching dari MOSFET diperlihatkan pada gambar 8.7.
Bentuk gelombang switching dan waktu yang umum diperlihatkan pada
gambar 8.8. Tunda turn-on td(on) adalah waktu yang diperlukan untuk
mengisi kapasitansi masukkan menuju level tegangan threshold. Waktu
naik (riset time) tr adalah waktu pengisian gerbang dari level tegangan
threshold ke tegangan gerbang penuh VGSP yang diperlukan untuk
membawa transistor menuju daerah linier. Waktu tunda turn-off t d(off)
adalah waktu yang diperlukan kapasitansi masukkan untuk mengosongkan
diri dari tegangan overdrive V1 ke daerah pinch off. Waktu jatuh tj adalah
waktu yang diperlukan kapasitansi masukkan untuk mengosong diri dari
daerah pinch off menuju daerah level tegangan threshold.

Gambar 8.7 Model Switching MOSFET

Gambar 8.8 Bentuk Gelombang dan Pewaktuan

c. Drive Gerbang
Waktu untuk proses menghidupkan MOSFET bergantung pada
waktu pengisian dari kapasitansi masukkan dan kapasitansi gerbang.
Waktu tersebut dapat dikurangi dengan menghubungkan rangkaian RC
seperti pada gambar 8.9.

Gambar 8.9 Rangkaian Untuk Menghidupkan Gerbang dengan

Cepat
Agar dapat mencapai kecepatan switching pada orde kurang dari
100 ndetik, rangkaian drive gerbang harus memiliki impedansi
keluaran yang rendah dan memiliki kemampuan mengalirkan atau
menerima arus yang cukup besar. Pengaturan totem-pole yang sanggup
mengalirkan atau menerima arus yang cukup tinggi.
Sinyal gerbang dari MOSFET daya dapat dibangkitkan dengan opamp. Umpan balik melalui kapasitor C akan mengatur kecepatan
peningkatan maupun pengurangan tegangan gerbang yang akan
mengendalikan kecepatan naik atau turunnya arus drain MOSFET.
Dioda yang melintang pada kapasitor C akan mengijinkan tegangan
gerbang untuk berubah secara cepat pada hanya satu arah saja.
3. Static Induction Transistor (SIT)
SIT merupakan komponen daya tinggi berfrekuensi tinggi. SIT
merupakan devais berstruktur vertikal dengan multikanal pendek.
Tegangan jatuh pada keadaan tersambung biasanya tinggi, yang umum
90 V untuk devais 180 A dan devais 18 Vuntuk 18 A. SIT merupakan
devais normally on dan tegangan gerbang negatif akan menahannya untuk
tetap mati. Karakteristik normally on dan tegangan jatuh keadaan
tersambung akan membatasi penerapannya pada konversi daya secara

umum. Rating arus satu SIT biasanya mencapai 300 A, 1200 V, dengan
kecepatan switching dapat mencapai 100 kHz. SIT akan sangat cocok untuk
aplikasi daya tinggi berfrekuensi tinggi seperti audio, VHF/UHF dan
penguat gelombang mikro.
4. Insulated-Gate Bipolar Transistor
Suatu IGBT memiliki impedansi masukkan tinggi seperti MOSFET.
Rating arus pada satu IGBT dapat mencapai 400 A, 1200 V dan frekuensi
switching nya dapat mencapai 20 kHz. IGBT akan meningkat aplikasi pada
aplikasi daya menengah seperti driver motor Sc dan Sc, sumber daya, relay
solid-state dan kontaktor.

5. Operasi Seri dan Paralel

Transistor dapat dioperasikan secara seri untuk meningkatkan
kemampuan penanganan tegangannya. Akan sangat penting untuk dapat
secara

simultan

menghidupkan

atau

mematikan

transistor

yang

dihubungkan seri. Jika tidak, pada saat devais yang lebih lambat hidup dan
devais yang lebih cepat masih dalam keadaan mati, devais yang lebih cepat
akan menjadi subyek tegangan penuh dan akan menjadi rusak karena
tegangan tinggi.
Transistor akan dihubungkan secara paralel jika satu devais tidak
dapat menangani kebutuhan arus beban. Untuk pembagi arus yang sama,
transistor transistor harus disesuaikan bati, transkonduktansi, tegangan
saturasi, waktu turn on dan turn off nya.

Gambar 8.10 Transistor yang dihubungkan paralel

6. Batasan DI/DT atau DV/DT
Kondisi di/dt dan dv/dt ditentukan oleh karakteristik switching
transistor tersebut dan harus dipenuhi selama proses turn-off dan turn-on.

Rangkaian proteksi biasanya diperlukan untuk menjaga operasi di/dt dan

dv/dt masih berada pada arah operasi transistor

Gambar 8.11 Saklar Transistor dengan proteksi di/dt dan dv/dt

TUGAS ELEKTRONIKA
DAYA

D
I
S
U
S
U
N
OLEH :
ANDI YUSUF MASALAN
03111004067

FAKULTAS TEKNIK JURUSAN TEKNIK

ELEKTRO
UNIVERSITAS SRIWIJAYA
2015
DAFTAR PUSTAKA
Rashid, Muhammad H., Elektronika Daya: Rangkaian, Devais, dan Aplikasinya,
Jakarta: Prenhallindo, 1999.