Transitor Sebagai Switch (Saklar)

Pada rangkaian transistor penguat sinyal AC, bias tegangan pada transistor akan selalu berperasi pada kondisi aktif. Tetapi
jika transistor diberikan bias DC maka transistor akan bekerja seperti saklar dengan cara mengontrol arus pada kaki basisnya.
Jika kaki basis diberi arus yang besar maksimal sama dengan tegangan supply, maka transistor akan berada pada
kondisi ON seperti saklar tertutup yaitu arus akan mengalir antara kolektor dan emiter. sebaliknya jika arus yang diberikan ke
kaki
basis
sangat
kecil
transistor
akan
seperti
saklar
terbuka
atau
kondisi OFF.
Rangkaian switch dengan transistor banyak digunakan sebagai pengontrol relay, motor, selenoid dan lampu atau sebagai driver inputoutput pada rangkaian IC digital (TTL). Cara kerja transistor sebagai saklar berada pada 2 keadaan yaitu; kondisi Saturasi (switch ON)
dan kondisi Cut-Off (switch OFF), untuk lebih jelasnya perhatikan gambar grafik dibawah ini:

Wilayah Fully-Off (Cut-Off) Transistor

Ketika arus yang masuk ke kaki basis sangat kecil bahkan mendekati nol, kondisi ini mengakibatkan transistor berada pada dkondisi
Cut-Off sehingga arus pada kolektor mejadi nol dan besar tegangan antara kaki kolektor dan emitter sama dengan supply (VCC).
kondisi ini tidak ada arus mengalir antara kaki kolektor dan emiter seperti saklar terbuka atau OFF. Perhatikan gambar dibawah ini:

Karakteristik Cut-Off Transistor

Tegangan basis emiter (VBE) kurang dari 0,7V.

kondisi forward bias antara kaki Basis dan kaki Emiter

kaki basis - kolektor pada kondisi reverse bias

Tidak ada arus yang mengalir ke kolektor atau IC = 0

Vout = VCE = VCC = 1

Transistor beroperasi seperti saklar terbuka.

Kaki basis harus lebih negatif dari emiter untuk transistor jenis NPN, dan untuk transistor tipe PNP arus basis harus lebih
positif dari kolektor.

Wilayah Saturasi Transistor

Transistor akan berada pada kondisi saturasi jika arus yang masuk ke kaki basis sangat besar, bahkan sampai ketitik jenuh sehingga
arus pada kaki kolektor akan maksimum (IC=VCC/RL). Kondisi seperti ini diibaratkan seperti saklar pada posisi ON. Perhatikan gambar
berikut:

Karakteristik Saturasi Transistor

Tegangan basis - emiter (VBE) lebih besar dari 0,7V

Kondisi Basis - emiter adalah forward bias

Kondisi basis - kolektor adalah forward bias

Arus yang mengalir pada kolektor adalah maksimum (Ic = Vcc/RL)

Tegangan kolektor - emiter (VCE = 0)

VOUT = VCE = 0

Transistor beroperasi seperti saklar tertutup.

Kaki basis harus lebih positif dari emiter untuk transistor jenis NPN, dan untuk transistor tipe PNP arus basis harus lebih
negatifdari kolektor.

Cara Menghitung Resistor basis Transistor Sebagai Switch

Arus pada kaki kolektor dapat diatur sesuai kebutuhan dengan cara memasang resistor pembatas arus pada kaki basis, untuk
menghitung berapa nilai yang tepat berlaku rumus berikut ini:

IB = IC/
RB = (VIN - VBE) / IB
dimana RB = R basis, VBE = tegangan basis-emiter, IB = arus basis
Contoh:
Jika sebuah transistor memiliki nilai = 200, dibuat rangkaian switch dengan supply 5V, dibutuhkan arus output kolektor 100mA untuk
mendrive sebuah relay. hitunglah arus basis minimal sehingga transistor mencapai titik saturasi, dan berapa resistor basis yang
diperlukan?
Jawab:

IB = IC/
IB = 100mA/200 = 0,5mA
RB = (VIN - VBE) / IB
RB = (5V - 0,7) / 0,0005A
RB = 8600 = 8,6K
Jadi resistor basis yang harus dipasang maksimal 8,6k.

Catatan:
Pergunakan transistor dengan spesifikasi arus kolektor yang lebih besar dari
kebutuhan
Jika arus kolektor yang dibutuhkan sangat besar maka dapat menggunakan
dua buah transistor yang dirangkaian secara darlington, hal ini akan dibahas secara
khusus pada artikel mengenai transistor darlington.

http://bagi-ilmu-elektronika.blogspot.co.id/2015/05/Karakteristik-dan-cara-kerjatransistor-sebagai-swicth.html

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR

Gambar 2

Gambar 3

Gambar 1

Salah satu fungsi transistor adalah sebagai saklar yaitu bila berada pada dua daerah kerjanya yaitu daerah
jenuh (saturasi) dan daerah mati (cut-off). Transistor akan mengalami perubahan kondisi dari menyumbat ke
jenuh dan sebaliknya. Transistor dalam keadaan menyumbat dapat dianalogikan sebagai saklar dalam keadaan
terbuka, sedangkan dalam keadaan jenuh seperti saklar yang menutup.
Titik Kerja Transistor Daerah Jenuh Transistor
Daerah kerja transistor saat jenuh (saturasi) adalah keadaan dimana transistor mengalirkan arus secara
maksimum dari kolektor ke emitor sehingga transistor tersebut seolah-olah short pada hubungan kolektor
emitor. Pada daerah ini transistor dikatakan menghantar maksimum (sambungan CE terhubung maksimum)
Daerah Aktif Transistor
Pada daerah kerja ini transistor biasanya digunakan sebagai penguat sinyal. Transistor dikatakan bekerja pada
daerah aktif karena transistor selelu mengalirkan arus dari kolektor ke emitor walaupun tidak dalam proses
penguatan sinyal, hal ini ditujukan untuk menghasilkan sinyal keluaran yang tidak cacat. Daerah aktif terletak
antara daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (Cut off).

Daerah Mati Transistor

Daerah cut off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan transistor menyumbat pada hubungan
kolektor emitor. Daerah cut off sering dinamakan sebagai daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor
tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Pada daerah cut off transistor dapat di analogikan
sebagai saklar terbuka pada hubungan kolektor emitor.
Grafik Kurva Karakteristik Transistor
Lihat gambar 1
Untuk membuat transistor menghantar, pada masukan basis perlu diberi tegangan. Besarnya tegangan harus
lebih besar dari Vbe (0,3 untuk germanium dan 0,7 untuk silicon). Dengan mengatur Ib>Ic/ kondisi transistor
akan menjadi jenuh seakan kolektor dan emitor short circuit. Arus mengalir dari kolektor ke emitor tanpa
hambatan dan Vce0. Besar arus yang mengalir dari kolektor ke emitor sama dengan Vcc/Rc. Keadaan seperti
ini menyerupai saklar dalam kondisi tertutup (ON).

Transistor Kondisi Jenuh (Saklar Posisi ON)

Lihat gambar 2
Besarnya tegangan kolektor emitor Vce suatu transistor pada konfigurasi diatas dapat diketahui sebagai
berikut.
VCE = VCC - IC.RC
Rc Karena kondisi jenuh Vce = 0V (transistor ideal) maka besarnya arus kolektor (Ic) adalah
IC = VCC / RC
Besarnya arus yang mengalir agar transistor menjadi jenuh (saturasi) adalah:
IB = VBB - VBE
RB
Sehingga besar arus basis IB jenuh adalah :
IB >= IC / Beta dc
Transistor Kondisi Mati (Saklar Posisi OFF)
Lihat gambar 3
Dengan mengatur Ib = 0 atau tidak memberi tegangan pada bias basis atau basis diberi tegangan mundur
terhadap emitor maka transistor akan dalam kondisi mati (cut off), sehingga tak ada arus mengalir dari
kolektor ke emitor (Ic0) dan Vce Vcc. Keadaan ini menyerupai saklar pada kondisi terbuka seperti
ditunjukan pada gambar diatas.
Besarnya tegangan antara kolektor dan emitor transistor pada kondisi mati atau cut off adalah :
VCE = VCC - IC.RC
Karena kondisi mati Ic = 0 (transistor ideal) maka:
VCE = VCC
Besar arus basis IB adalah :
IB = 0

http://basukidwiputranto.blogspot.co.id/2013/12/transistor-sebagai-saklar_16.html

Cara Kerja Transistor Cut off, Saturasi, Aktif

16JAN
Soal :
1.
Jelaskan tentang daerah kerja transistor :
1.
Cut Off
2.
Saturasi
3.
Aktif
Jawab :
1.
Daerah Kerja Transistor
1.
Cut Off
Daerah cut off merupakan daerah kerja transistor dimana keadaan transistor menyumbat pada hubungan kolektor emitor. Daerah cut
off sering dinamakan sebagai daerah mati karena pada daerah kerja ini transistor tidak dapat mengalirkan arus dari kolektor ke emitor.
Pada daerah cut off transistor dapat di analogikan sebagai saklar terbuka pada hubungan kolektor emitor.

Titik cut-off transistor adalah titik dimana transistor tidak menghantarkan arus dari kolektro ke emitor, atau titik dimana transistor dalam
keadaan menyumbat. Pada titik ini tidak ada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor. Titik Cutoff didefinisikan juga sebagai keadaan
dimana IE = 0 dan IC = ICO, dan diketahui bahwa bias mundur VBE.sat = 0,1 V (0 V) akan membuat transistor germanium (silikon)
memasuki daerah cutoff. Titik cut-off transistor ini dapat dianalogikan sebagai saklar dalam kondisi terbuka (Off).
Titik Cut-Off Transistor Adalah Transistor Dalam Kondisi Off (Saklar Terbuka).

Titik cut-off transistor terjadi pada saat transistor tidak mendapat bias pada basis, sehingga transistor tidak konduk atau mengalirkan
arus dari kolektor ke emitor. Titik cut-off transistor ini memiliki VCE yang maksimum yaitu mendekati VCC seperti ditunjunkan pada
grafik titik cut-off pada garis beban transistor berikut.
Grafik Titik Cut-Off Pada Garis Beban Transistor :

Short-Circuited Base

Andaikan bahwa basis dihubungkan langsung ke emitor sehingga VE = VBE = 0. Maka, IC ICES tidak akan naik melebihi nilai arus
cutoff ICO.
Open-Circuited Base
Jika basis dibiarkan mengambang (tidak dihubungkan ke manapun) sehingga IB = 0, didapatkan bahwa IC ICEO. Pada arus rendah
0,9 (0) untuk germanium (silikon), dan dengan demikian IC 10 ICO(ICO) untuk Ge (Si). Nilai VBE untuk kondisi open-base ini (IC =
-IE) adalah sepersepuluhan milivolt berupa bias maju.
Cutin Voltage
Karakteristik volt-amper antara basis dan emitor pada tegangan kolektor-emitor konstan tidak serupa dengan karakteristirk volt-amper
junction dioda sederhana. Jika junction emitor mendapat bias mundur, arus basis menjadi sangat kecil, dalam orde nanoamper atau
mikroamper, masing-masing untuk silikon dan germanium. Jika junction emitor diberi bias maju, seperti pada dioda sederhana, tidak
terdapat arus basis hingga junction emitor mendapat bias maju sebesar |VBE| > |V|, dengan V adalah tegangan cutin (cutin voltage).
Karena arus kolektor secara nominal proportional terhadap arus basis, maka pada kolektorpun tidak terdapat arus, hingga terdapat
arus pada basis. Oleh karena itu, plot arus kolektor terhadap tegangan basis-emitor akan memperlihatkan tegangan cutin, seperti
halnya pada dioda.
Besarnya tegangan antara kolektor dan emitor transistor pada kondisi mati atau cut off adalah :
Karena kondisi mati Ic = 0 (transistor ideal) maka:

Besar arus basis Ib adalah

2.
Daerah kerja Transistor Saturasi
Daerah kerja transistor Saturasi adalah keadaan dimana transistor mengalirkan arus secara maksimum dari kolektor ke emitor
sehingga transistor tersebut seolah-olah short pada hubungan kolektor emitor. Pada daerah ini transistor dikatakan menghantar
maksimum (sambungan CE terhubung maksimum).

Saturasi terjadi saat tegangan VCE = 0, artinya tidak ada jatuh tegangan yang terjadi di VCE, atau dengan kata lain kita dapat
mengatakan IC mendapatkan hasil maksimumnya.
Untuk rangkaian seperti diatas dapat menemukan IC yaitu IC=VCC/(RC+RE).

Besarnya tegangan kolektor emitor Vce suatu transistor pada konfigurasi diatas dapat diketahui sebagai berikut.

Karena kondisi jenuh Vce = 0V (transistor ideal) maka besarnya arus kolektor (Ic) adalah :

Besarnya arus yang mengalir agar transistor menjadi jenuh (saturasi) adalah:

Sehingga besar arus basis Ib jenuh adalah :

3.

Daerah kerja Transistor Aktif

Pada daerah kerja ini transistor biasanya digunakan sebagai penguat sinyal. Transistor dikatakan bekerja pada daerah aktif karena
transistor selelu mengalirkan arus dari kolektor ke emitor walaupun tidak dalam proses penguatan sinyal, hal ini ditujukan untuk
menghasilkan sinyal keluaran yang tidak cacat. Daerah aktif terletak antara daerah jenuh (saturasi) dan daerah mati (Cut off).
Kondisi aktif adalah dimana transistor mengalirkan arus listrik dari kolektor ke emitor walau tidak dalam kondisi atau proses penguatan
sinyal, hal ini akan bisa kita lihat jika kita mengukur sinyal yang keluar dari transistor tersebut tidak cacat bentuknya, misalnya
berbentuk sinyal sinus, kotak, segitiga dan lain-lain tanpa cacat. Kemudian kondisi jenuh adalah dimana kondisi transistor ketika Vce =
0 volt sampai 0.7 volt, ini untuk jenis transistor silikon. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi bias maju dan sambungan
kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal
keluaran terjadi pada daerah aktif.
Semua titik operasi antara titik sumbat dan penjenuhan adalah daerah aktif dari transistor. Dalam daerah aktif, dioda emiter dibias
forward dan dioda kolektor dibias reverse. Perpotongan dari arus basis dan garis beban adalah titik stationer (quiescent) Q seperti
dalam gambar. daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus IC konstan terhadap berapapun nilai Vce.
Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah
aktif.
jika hukum kirchoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor ( rangkaian CE ), maka dapat diperoleh hubungan :
VCE = VCC IC RC
dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :
PD = VCE . IC
dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk
mengetahui spesifikasi Pdmax. Spesifikasi ini menunjukkan termperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih
bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya Pdmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar.

https://ariefhari.wordpress.com/2016/01/16/cara-kerja-transistor-cut-off-saturasiaktif/

Saturasi Dan CutOff Pada

Transistor
00:32

Elektronika

2 Comments

kita akan membahas apa yang dimaksud dengan Cutoff dan Saturasi pada resistor,
perhatikan gambar dibawah ini.

pada gambar diatas dipasang sebuah resistor di Emitter dan Colector yaitu RE dan
RC, dan seperti yang kita lihat bahwa transistor tersebut disupply tegangan VCC dan
RC disambungkan ke Ground.

Gambar disamping menunjukkan kepada kita ada tegangan antara titik Emitter dan
Colector yang dinamakan Vce serta ada arus yang mengalir yaitu IC

SATURASI
Saturasi terjadi saat tegangan VCE = 0, artinya tidak ada jatuh tegangan yang
terjadi di VCE, atau dengan kata lain kita dapat mengatakan IC mendapatkan hasil
maksimumnya.
untukrangkaian seperti disamping kita dapat menemukan IC yaitu IC=VCC/(RC+RE)

CUTOFF
CuttOff terjadi saat tidak ada arus IC yang mengalir atau seluruh tengangan VCC
jatuh di VCE.

Apa gunanya mengetahui hal ini??

yaitu untuk menentukan titik kerja, hal tersebut akan kita pelajari di postingan
berikutnya.
gambar dibawah menunjukkan titik saturasi dan Cutoff pada transistor

http://www.benypardede.com/2012/11/saturasi-dan-cutoff-pada-transistor.html

Titik Cut-Off Transistor Thursday, August 27th 2015. | Komponen, Teori Elektronika Mesothelioma Law Firm, Sell Annuity Payment Titik
cut-off transistor adalah titik dimana transistor tidak menghantarkan arus dari kolektro ke emitor, atau titik dimana transistor dalam
keadaan menyumbat. Pada titik ini tidak ada arus yang mengalir dari kolektor ke emitor. Titik Cutoff didefinisikan juga sebagai keadaan
dimana IE = 0 dan IC = ICO, dan diketahui bahwa bias mundur VBE.sat = 0,1 V (0 V) akan membuat transistor germanium (silikon)
memasuki daerah cutoff. Titik cut-off transistor ini dapat dianalogikan sebagai saklar dalam kondisi terbuka (Off) sebagai berikut.
Titik Cut-Off Transistor Adalah Transistor Dalam Kondisi Off (Saklar Terbuka) Titik cut-off transistor terjadi pada saat transistor tidak
mendapat bias pada basis, sehingga transistor tidak konduk atau mengalirkan arus dari kolektor ke emitor. Titik cut-off transistor ini
memiliki VCE yang maksimum yaitu mendekati VCC seperti ditunjunkan pada grafik titik cut-off pada garis beban transistor berikut.
Grafik Titik Cut-Off Pada Garis Beban Transistor Short-Circuited Base Andaikan bahwa basis dihubungkan langsung ke emitor sehingga
VE = VBE = 0. Maka, IC ICES tidak akan naik melebihi nilai arus cutoff ICO. Open-Circuited Base Jika basis dibiarkan mengambang
(tidak dihubungkan ke manapun) sehingga IB = 0, didapatkan bahwa IC ICEO. Pada arus rendah 0,9 (0) untuk germanium
(silikon), dan dengan demikian IC 10 ICO(ICO) untuk Ge (Si). Nilai VBE untuk kondisi open-base ini (IC = -IE) adalah sepersepuluhan
milivolt berupa bias maju. Cutin Voltage Karakteristik volt-amper antara basis dan emitor pada tegangan kolektor-emitor konstan tidak
serupa dengan karakteristirk volt-amper junction dioda sederhana. Jika junction emitor mendapat bias mundur, arus basis menjadi
sangat kecil, dalam orde nanoamper atau mikroamper, masing-masing untuk silikon dan germanium. Jika junction emitor diberi bias
maju, seperti pada dioda sederhana, tidak terdapat arus basis hingga junction emitor mendapat bias maju sebesar |VBE| > |V|, dengan
V adalah tegangan cutin (cutin voltage). Karena arus kolektor secara nominal proportional terhadap arus basis, maka pada
kolektorpun tidak terdapat arus, hingga terdapat arus pada basis. Oleh karena itu, plot arus kolektor terhadap tegangan basis-emitor
akan memperlihatkan tegangan cutin, seperti halnya pada dioda.
http://elektronika-dasar.web.id/titik-cut-off-transistor/

Daerah Saturasi Transistor Thursday, July 5th 2012. | Komponen, Teori Elektronika Mesothelioma Law Firm, Sell Annuity Payment Titik
saturasi transistor adalah daerah kerja transistor dimana arus kolektor mencapai nilai maksimum, yaitu arus kolektor ditentukan oleh
nilai Vcc dan Rc karena nilai resistansi kolektor emitor transistor kondisi minimum ( 0) sehingga diabaikan. Besarnya arus kolektor
pada kondisi saturasi adalah :
Untuk mendapatkan kondisi saturasi pada transistor maka arus basis harus besar yaitu : Dalam keadaan saturasi, arus kolektor secara
nominal adalah Vcc/Rc, dan karena Rc adalah beban yang bernilai kecil, maka Vcc perlu dijaga agar tetap rendah supaya transistor
tetap beroperasi dalam batasan arus maksimum dan disipasi daya minimum. Titik saturasi dalam grafik daerah kerja transistor dapat
dilihat pada grafik berikut. Grafik Titik Saturasi Pada Daerah Kerja Transistor Grafik Titik Saturasi Pada Garis Beban Transistor
Resistansi Saturasi Untuk transistor yang beroperasi di daerah saturasi, parameter yang menarik adalah rasio VCE.sat/IC. Parameter
ini dinamakan resistansi saturasi common-emitter. Sering juga disimbolkan dengan RCS, RCES, atau RCE.sat. Untuk menentukan
RCS, kita harus menentukan titik mana yang digunakan. Resistansi base-spreading rbb Ingat kembal lebar daerah basis yang sangat
kecil, dimana arus yang memasuki basis melalui junction emitor harus mengalir melalui jalur sempit untuk mencapai terminal basis.
Penampang aliran arus di dalam kolektor (atau emitor) jauh lebih besar dari yang ada di basis. Dengan demikian, biasanya resistansi
ohmik basis jauh lebih besar dari resistansi ohmik kolektor atau emitor. Resistansi basis ohmik dc yang disimbolkan dengan rbb,
dinamakan resistansi base-spreading, yang memiliki nilai sekitar 100 . Koefisien temperatur tegangan saturasi Karena kedua junction
mendapat bias maju, maka nilai yang layak untuk V-BE.sat atau VBC.sat adalah ,5 mV/C. Dalam daerah saturasi, transistor berisi
dua dioda terbias maju yang saling berhadapan. Jadi, pengaruh terhadap tegangan terinduksi-suhu yang ditimbulkan satu dioda pada
dioda lain perlu diantisipasi. Gain arus DC, hfe Satu parameter transistor yang penting adalah IC/IB, dengan IC adalah arus kolektor
dan IB adalah arus basis. Besaran ini disimbolkan dengan dc atau hfe, yang dikenal sebagai (nilai negatif dari) dc beta, rasio transfer
arus maju (dc forward current transfer ratio), atau gain arus dc (dc current gain). Di dalam daerah saturasi, parameter hfe sangat
penting, dan merupakan salah satu parameter yang tercantum pada lembaran data transistor, jika menyangkut switching transistor. Kita
tahu |IC|, yang pendekatan nilainya diperoleh dari VCC/RL, dan hfe memberitahu kita nilai arus minimum (IC/hfe) yang diperlukan untuk
membuat transistor saturasi. Tegangan Saturasi Pabrik transistor menentukan nilai saturasi tegangan input dan output dengan
beberapa cara. Sebagai contoh, mereka dapat menentukan nilai RCS untuk beberapa nilai IB atau mereka membuat kurva VCE.sat
dan VBE.sat sebagai fungsi IB dan IC. Tegangan saturasi bergantung tidak hanya pada titik operasi, tetapi juga pada bahan
semikonduktor (germanium atau silikon) dan jenis konstruksi transistor. Nilai tegangan saturasi umum untuk transistor Silikon (Si)
adalah 0,2 volt dan nilai tegangan saturasi untuk transistor Germanium (Ge) adalah 0,1 volt.
http://elektronika-dasar.web.id/daerah-saturasi-transistor/