Makalah Transistor BJT, UJT, dan FET

Tugas Mata Kuliah

Komponen Elektronika

Disusun oleh :

Adhi Bayu I. 171311002

Acep Nurjaman 171311001

Adri Novanda 171311003

Program Studi Teknik Elektronika

Jurusan Teknik Elektro

Politeknik Negeri Bandung

2017

i
 PRAKATA

Dengan menyebut nama Allah SWT yang Maha Pengasih lagi Maha Panyayang,
dengan ini kami panjatkan puji syukur atas kehadirat-Nya, yang telah melimpahkan
rahmat-Nya kepada kami, sehingga kami dapat menyelesaikan Makalah Transistor BJT,
UJT, Dan FET ini.
Adapun makalah ini dibuat dengan banyak pertimbangan dan referensi yang
dipertimbangkan baik-baik sehingga proses pembuatan makalah ini dapat dibilang cukup
lancar. Oleh sebab itu, kami juga ingin menyampaikan rasa terima kasih yang sebesar-
besarnya kepada semua pihak yang telah membantu kami dalam pembuatan makalah ini.
Akhirnya penyusun mengharapkan semoga dari makalah dapat bermanfaat.. Selain
itu, kritik dan saran dari Anda kami tunggu untuk makalah yang lebih baik lagi.

Bandung, 7 Desember 2017

Penyusun

i
 DAFTAR ISI

Prakata ............................................................................................................................... i

Daftar isi ............................................................................................................................ ii

Pendahuluan ...................................................................................................................... 1

1.1. Latar Belakang ................................................................................................. 1

1.2. Rumusan Masalah ............................................................................................ 1
1.3. Tujuan ............................................................................................................. 1

Pembahasan ....................................................................................................................... 2

2.1. Bipolar Junction Transistor .............................................................................. 2

2.2. Field Effect Transistor ..................................................................................... 5
2.3. Uni Junction Transistor .................................................................................... 10
2.4. Perbedaan Masing-masing Transistor .............................................................. 14
2.5. Cara Mengukur Transistor ............................................................................... 15

Penutup .............................................................................................................................. 16

3.1. Kesimpulan ...................................................................................................... 16

Daftar Pustaka .................................................................................................................. 17

ii
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 Latar belakang

Dalam perancangan sebuah sistem elektronika, ada beberapa alat yang harus
diperlukan agar alat tersebut bisa berjalan sesuai yangn diinginkan. Salah satu bentuk
alat tersebut adalah transistor.
Transistor adalah komponen elektronika multitermal, biasanya memiliki 3
terminal. Secara harfiah, kata ‘Transistor’ berarti ‘Transfer resistor’, yaitu suatu
komponen yang nilai resistansi antara terminalnya dapat diatur. Alat ini merupakan alat
semikonduktor yang dipakai sebagai peguat atau pemilih, dan mempunyai tiga
terminal. Dimana tegangan atau arus yang dipasang di satu terminalnya mengatur arus
yang lebih besar yang melalui 2 terminal lainnya.
Dalam pembahasan makalah ini, akan dibahas mengenai penjelasan transistor,
macam-macam atau jenis-jenis serta fungsi transistor. Selain itu akan dibahas pula
tentang bagaimana cara transistor itu bekerja.

1.2 Rumusan Masalah

Dalam pembahasan makalah ini, penyusun mempunyai beberapa rumusan
masalah, antara lain:

1. Apa itu transistor BJT, UJT, dan FET ?

2. Apa fungsi transistor BJT, UJT, dan FET ?

3. Bagaimana cara kerja dari transistor BJT, UJT, dan FET ?

1.3 Tujuan
Sesuai dengan permasalahan yang dikemukakan, maka tujuan penulisan
makalah ini adalah sebagai berikut:

1. Mempelajari tentang transistor BJT, UJT, dan FET.

2. Mengetahui fungsi transistor BJT, UJT, dan FET.
3. Memahami cara kerja transistor BJT, UJT, dan FET.

Page |1
 BAB II

PEMBAHASAN

2.1 Bipolar Junction Transistor (BJT)

2.1.1 Pengertian

Bipolar junction transistor (BJT) atau yang biasa dikenal dengan

transistor bipolar merupakan komponen elektronika yang terdiri dari tiga
lapis bahan semikonduktor, baik untuk yang bertipe PNP ataupun NPN.
Pada setiap lapisan yang membentuk transistor tersebut memiliki nama-
nama tersendiri yaitu Emitor (E), Kolektor (K), dan Basis (B). Dan pada tiap
lapisan tersebut terdapat kontak kawat untuk koneksi ke rangkaian. Simbol
skematik transistor tipe PNP dan NPN ditunjukan pada gambar dibawah ini

Transistor bipolar: (a) simbol skematik PNP, (b) phisik PNP,

(c) simbol skematik NPN, (d) fisik NPN

Pada transistor NPN, collector mendapat kutub positive sumber

tegangan sedangkan emitter mendapat kutub negative sumber tegangan.
Pada transistor PNP, collector mendapat kutub negative sumber tegangan
sedangkan emitter mendapat kutub positive sumber tegangan.

Untuk dapat membedakan kedua jenis tersebut, dapat kita lihat dari
bentuk arah panah yang terdapat pada kaki emitornya. Pada transistor PNP
arah panah akan mengarah ke dalam, sedangkan pada transistor NPN arah

Page |2
 panahnya akan mengarah ke luar. Saat ini transistor telah mengalami banyak
perkembangan, karena sekarang ini transistor sudah dapat kita gunakan
sebagai memory dan dapat memproses sebuah getaran listrik dalam dunia
prosesor komputer.

2.1.2 Fungsi

 BJT dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan menghitung perbedaan

dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan perbandingan yang
diketahui.
 BJT dapat juga digunakan untuk menghitung logaritma dan anti-logaritma.
Sebuah diode sebenarnya juga dapat melakukan fungsi ini, tetapi transistor
memberikan fleksibilitas yang lebih besar.
 BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus, terutama penggunaan
frekuensi sangat tinggi (VHF), seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem
nirkabel.

2.1.3 Kontruksi

Sketsa konstruksi transistor NPN, Terlihat lapisan tipis semikonduktor

tipe P yang diapit oleh 2 semikonduktor tipe N. Semikonduktor tipe N yang
lebih kecil akan menjadi daerah emitor. Pada semikonduktor tipe N yang
menjadi daerah emitor ini disisipkan lebih banyak logam pengotor
dibandingkan dengan semikonduktor tipe N yang menjadi daerah kolektor,
sehingga pada daerah emitor lebih banyak terdapat elektron bebas
dibandingkan dengan daerah kolektor, walaupun kedua daerah ini dibuat
dari bahan yang sama yaitu semikonduktor tipe N. Semokonduktor tipe P
yang menjadi daerah basis dibuat tipis dan banyak mengandung muatan
positif (lubang).

Page |3
 2.1.4 Bahan

Transistor-transistor awal dibuat dari germanium tetapi hampir semua

BJT modern dibuat dari silikon. Beberapa transistor juga dibuat dari galium
arsenid, terutama untuk penggunaan kecepatan tinggi.

2.2 Field Effect Transistor (FET)

2.2.1 Pengertian

Field Effect Transistor merupakan komponen Elektronika aktif yang

menggunakan Medan Listrik untuk mengendalikan Konduktifitasnya. Field
Effect Transistor (FET). Dikatakan Field Effect atau Efek Medan karena
pengoperasian Transistor jenis ini tergantung pada tegangan (medan listrik)
yang terdapat pada Input Gerbangnya. FET merupakan Komponen
Elektronika yang tergolong dalam keluarga Transistor yang memilki Tiga
Terminal Kaki yaitu Gate (G), Drain (D) dan Source (S).

Field Effect Transistor atau FET memiliki fungsi yang hampir sama
dengan Transistor bipolar pada umumnya. Perbedaannya adalah pada
pengendalian arus Outputnya. Arus Output (IC) pada Transistor Bipolar
dikendalikan oleh arus Input (IB) sedangkan Arus Output (ID) pada FET
dikendalikan oleh Tegangan Input (VG) FET. Jadi perlu diperhatikan
bahwa perbedaan yang paling utama antara Transistor Bipolar (NPN &
PNP) dengan Field Effect Transistor (FET) adalah terletak pada
pengendalinya (Bipolar menggunakan Arus sedangkan FET menggunakan
Tegangan).

Field Effect Transistor ini sering disebut juga dengan Unipolar

Transistor atau Transistor Eka Kutup, hal ini dikarena FET adalah
Transistor yang bekerja bergantung dari satu pembawa muatan saja, apakah
itu Elektron maupun Hole. Sedangkan pada Transistor Bipolar (NPN &
PNP) pada umumnya, terdapat dua pembawa muatan yaitu Elektron yang
membawa muatan Negatif dan Hole sebagai pembawa muatan Positif. Field

Page |4
 Effect Transistor (FET) atau Transistor Efek Medan ini diciptakan dan
dipatenkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1926 dan juga oleh
Oscar Hell di tahun 1934.

FET dapat dibuat dari beberapa semikonduktor, silikon menjadi yang

paling umum. FET pada umumnya dibuat dengan proses pembuatan
semikonduktor borongan, menggunakan lapik semikonduktor kristal
tunggal sebagai daerah aktif, atau kanal. Di antara bahan badan yang tidak
lazim adalah amorphous silicon, polycrystalline silicon dan OFET yang
dibuat dari semikonduktor organik dan sering menggunakan isolator
gerbang dan elektrode organik.

2.1.2 Jenis-jenis

Pada dasarnya terdapat dua jenis klasifikasi utama pada Field Effect
Transistor atau FET ini, kedua jenis tersebut diantaranya adalah JFET
(Junction Field Effect Transistor) dan MOSFET (Metal Oxide
Semiconduction Field Effect Transistor).

1. Junction FET (JFET)

Cara Kerja JFET pada prinsipnya seperti kran air yang mengatur
aliran air pada pipa. Elektron atau Hole akan mengalir dari Terminal
Source (S) ke Terminal Drain (D). Arus pada Outputnya yaitu Arus
Drain (ID) akan sama dengan Arus Inputnya yaitu Arus Source (IS).
Prinsip kerja tersebut sama dengan prinsip kerja sebuah pipa air di
rumah kita dengan asumsi tidak ada kebocoran pada pipa air kita.

Besarnya arus listrik tergantung pada tinggi rendahnya Tegangan

yang diberikan pada Terminal Gerbangnya (GATE (G)). Fluktuasi
Tegangan pada Terminal Gate (VG) akan menyebabkan perubahan
pada arus listrik yang melalui saluran IS atau ID. Fluktuasi yang kecil
dapat menyebabkan variasi yang cukup besar pada arus aliran pembawa
muatan yang melalui JFET tersebut. Dengan demikian terjadi penguatan
Tegangan pada sebuah rangkaian Elektronika.

Junction FET atau sering disingkat dengan JFET memiliki 2 tipe

berdasarkan tipe bahan semikonduktor yang digunakan pada saluran

Page |5
 atau kanalnya. JFET tipe N-Channel (Kanal N) terbuat dari bahan
Semikonduktor tipe N dan P-Channel (Kanal P) yang terbuat dari
Semikonduktor tipe P.

a. JFET Kanal – N

Saluran atau Kanal pada jenis ini terbentuk dari bahan

semikonduktor tipe N dengan satu ujungnya adalah Source (S) dan
satunya lagi adalah Drain (D). Mayoritas pembawa muatan atau
Carriers pada JFET jenis Kanal-N ini adalah Elektron.

Gate atau Gerbang pada JFET jenis Kanal-N ini terdiri dari bahan
semikonduktor tipe P. Bagian lain yang terbuat dari Semikonduktor tipe
P pada JFET Kanal-N ini adalah bagian yang disebut
dengan Subtrate yaitu bagian yang membentuk batas di sisi saluran
berlawanan Gerbang (G).

Tegangan pada Terminal Gerbang (G) menghasilkan medan listrik

yang mempengaruhi aliran pada pembawa muatan yang melalui saluran
tersebut. Semakin Negatifnya VG, semakin sempit pula salurannya
yang akhirnya mengakibatkan semakin kecil arus pada outputnya (ID).

b. JFET Kanal – P

Page |6
 Saluran pada JFET jenis Kanal-P terbuat dari Semikonduktor tipe P.
Mayoritas pembawa muatannya adalah Hole. Bagian Gate atau Gerbang
(G) dan Subtrate-nya terbuat dari bahan Semikonduktor tipe N.

Di JFET Kanal-P, semakin Positifnya VG, semakin sempit pula

salurannya yang akhirnya mengakibatkan semakin kecilnya arus pada
Output JFET (ID).

Dari Simbolnya, kita dapat mengetahui mana yang JFET Kanal-N

dan JFET Kanal-P. Anak Panah pada simbol JFET Kanal-N adalah
menghadap ke dalam sedangkan anak panah pada simbol JFET Kanal-P
menghadap keluar.

2. Metal Oxide Semiconduction Field Effect Transistor (MOSFET)

Seperti halnya JFET, Saluran pada MOSFET juga dapat berupa

semikonduktor tipe-N ataupun tipe-P. Terminal atau Elektroda
Gerbangnya adalah sepotong logam yang permukaannya dioksidasi.
Lapisan Oksidasi ini berfungsi untuk menghambat hubungan listrik
antara Terminal Gerbang dengan Salurannya. Oleh karena itu,
MOSFET sering juga disebut dengan nama Insulated-Gate FET
(IGFET). Karena lapisan Oksidasi ini bertindak sebagai dielektrik,
maka pada dasarnya tidak akan terjadi aliran arus antara Gerbang dan
Saluran. Dengan demikian, Impedansi Input pada MOSFET menjadi
sangat tinggi dan jauh melebihi Impedansi Input pada JFET. Pada
beberapa jenis MOSFET Impedansi dapat mencapai Triliunan Ohm
(1012 Ohm). Dalam bahasa Indonesia, MOSFET disebut juga dengan
Transistor Efek Medan Semikonduktor Logam-Oksida.

Salah kelemahan pada MOSFET adalah tipisnya lapisan Oksidasi

sehingga sangat rentan rusak karena adanya pembuangan elektrostatik
(Electrostatic Discharge).

Seperti yang disebut sebelumnya, bahwa MOSFET pada dasarnya

terdiri dari 2 tipe yaitu MOSFET tipe N dan MOSFET tipe P.

Page |7
 a. MOSFET Tipe – N

MOSFET tipe N biasanya disebut dengan NMOSFET atau nMOS.

Berikut dibawah ini adalah bentuk struktur dan Simbol MOSFET
tipe N.

b. MOSFET Tipe – P

MOSFET tipe P biasanya disebut dengan PMOSFET atau pMOS.

Dibawah ini adalah bentuk struktur dan Simbol MOSFET tipe P.

3. MESFET (Metal–Semiconductor FET, FET Semikonduktor–Logam)

menggantikan sambungan p-n pada JFET dengan sawar Schottky, digunakan
pada GaAs dan bahan semikonduktor lainnya.
4. HEMT (High Electron Mobility Transistor, Transistor
Pergerakan Elektron Tinggi), juga disebut HFET (heterostructure FET, FET
Struktur Campur). Material celah-jalur-lebar yang dikurangi penuh
membentuk isolasi antara gerbang dan badan.
5. IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor, Transistor Dwikutub Gerbang-
Terisolasi) adalah peranti untuk pengendali daya tinggi. Ini mempunyai
struktur mirip sebuah MOSFETyang digandengkan dengan kanal konduksi
utama yang mirip transistor dwikutub. Ini sering digunakan pada tegangan

Page |8
 operasi cerat-ke-sumber antara 200-3000 V. MOSFET daya masih merupakan
peranti pilihan utama untuk tegangan cerat-ke-sumber antara 1-200 V.
6. FREDFET (Fast Reverse/Recovery Epitaxial Diode FET, FET Dioda
Epitaksial Cepat Balik/Pulih) adalah sebuah FET yang didesain khusus untuk
memberikan kecepatan pemulihan (pematian) yang sangat cepat dari dioda
badan.
7. ISFET (Ion-Sensitive FET, FET Sensitif-Ion) digunakan untuk mengukur
konsentrasi ion pada larutan, ketika konsentrasi ion (seperti pH) berubah, arus
yang mengalir melalui transistor juga berubah.
8. DNAFET adalah FET khusus yang berfungsi sebagai sebuah biosensor,
dengan menggunakan gerbang yang dibuat dari molekul salah satu
helai DNA untuk mendeteksi helaian DNA yang cocok.

2.1.3 Kelebihan dan Kelemahan

Jika dibandingkan dengan Transistor Bipolar, FET uu beberapa kelebihan

dan kelemahan. Salah satu kelebihan FET adalah dapat bekerja dengan baik di
rangkaian elektronika yang bersinyal rendah seperti pada perangkat
komunikasi dan alat-alat penerima (receiver). FET juga sering digunakan pada
rangkaian-rangkaian elektronika yang memerlukan Impedansi yang tinggi.
Namun pada umumnya, FET tidak dapat digunakan pada perangkat atau
rangkaian Elektronika yang bekerja untuk penguatan daya tinggi seperti pada
perangkat Komunikasi berdaya tinggi dan alat-alat Pemancar (Transmitter).

Page |9
8.3 Unijunction Transistor (UJT)
8.3.1 Pengertian
UJT (Uni Junction Transistor) merupakan piranti semikonduktor yang
dikenal sebagai dioda berbasis ganda (double base diode). Sama halnya
dengan dioda, UJT bekerja dengan prinsip junction atau sambungan yang
terbentuk dari interaksi (konduksi) hole dengan elektron antara bahan
semikonduktor tipe P dan N. Pembeda UJT dari dioda ialah komposisi bahan
semikonduktor penyusunnya, dimana penyusun pada UJT terdiri dari sebuah
batang semikonduktor tipe N berdoping rendah (resistansi tinggi, disebut
dengan N channel) dan bahan tipe P berdoping tinggi dalam bagian yang
kecil, ditumbukkan di salah satu sisinya (disebut dengan P+).

Gambar 1.(a) Tampilan Fisik Piranti UJT, (b) Konstruksi UJT

Bagian P mempunyai satu terminal yang disebut emitor dan pada semikonduktor
tipe P (channel) terdapat dua terminal yaitu B1 dan B2. B1 dan B2 disebut basis.

P a g e | 10
Terdapatnya dua terminal basis pada UJT menyebabkan UJT dikenal sebagai double
base diode (diode berbasis ganda).

9. Gambar 2. Simbol UJT

Simbol pada UJT hampir mirip dengan FET (Field Effect Transistor),
pembedanya ada pada gate yangtidak berupa panah lurus tetapi berupa panah miring
pada UJT dan tidak disebut gate tetapi emitor,kedua terminal lainnya pada UJT
disebut basis (B1 dan B2) tetapi pada FET disebut dengan source dan drain

2.3.2 Rangkaian Ekuivalen UJT

Pada konstruksi UJT telah diketahui bahwa konstruksi UJT seperti dioda dengan
dua buah basis, yakni terdiri dari sebuah batang tipe N terdoping ringan dengan
sebuah bagian kecil tipe P terdoping berat yang tergabung didalamnya. Rangkaian
ekuivalen sederhana dari piranti UJT ditunjukkan pada Gambar 3.

Gambar 3. Rangkaian Ekuivalen Sederhana UJT

Rangkaian setara pada Gambar 3 menunjukkan bahwa channel tipe N pada

dasarnya terdiri dari dua resistor terhubung seri RB2 dan RB1 dengan dioda (ideal) D

P a g e | 11
di dekat terminal emitor (mewakili P-N junction) yang terhubung ke titik pusat kedua
resistor. Emitor P-N junction mempunyai posisi yang telah ditentukan dalam channel
selama proses pembuatan device dan tidak dapat diubah-ubah keberadaannya.

Resisntansi RB1 terletak di antara E (emitor) dan terminal B1 dan RB2 terletak
di antara E dan terminal B2. Seperti pada posisi fisiknya, persimpangan P-N lebih dekat
dengan terminal B2 daripada terminal B1 sehingga nilai resistansi RB2 akan lebih kecil
dibandingkan dengan RB1. Pada bagian bawah (RB1) dinyatakan dengan resistor
variabel dikarenakan nilai resistansi akan berubah ketika beroperasinya device,
bergantung dari bias antara emitor dengan basis.

2.3.2 Fungsi UJT

Pada umumnya Uni Junction Transistor atau UJT ini digunakan pada beberapa aplikasi
rangkaian elektronika seperti berikut ini :

 Osilator Relaksasi (Relaxation Oscillator).

 Rangkaian Saklar Elektronik.
 Sensor Magnetik flux.
 Rangkaian Pembatas Tegangan dan Arus listrik.
 Osilator Bistabil (Bistable oscillators).
 Rangkaian Regulator Tegangan dan Arus Listrik.
 Rangkaian Pengendali Fase (Phase control circuits)

2.3.4 Contoh Rangkaian Oscilator Relaksasi Dengan UJT

P a g e | 12
 Dari contoh rangkaian oscilator relaksasi diatas rangkaian RC terdiri atas R1
dan C1 . Titik sambungan rangkaian RC dihubungkan dengan emitor dari UJT. UJT
tidak akan berkonduksi sampai pada harga tegangan tertentu yang dicapai pada
pengisian kapasitor. Saat terjadi konduksi sambungan E-B1 menjadi beresistansi
rendah. Ini memberikan proses pengosongan C dengan resistansi rendah. Arus hanya
mengalir lewat R3 saat UJT berkonduksi. Pada rangkaian ini sebagai R3 adalah
speaker.

Pada saat pertama kali diberi catu daya, osilator UJT dalam kondisi tidak
berkonduksi sehingga titik sambungan RC E- B1 mendapat bias mundur. Dalam waktu
singkat muatan pada C1 akan terpenuhi (dalam hal ini ukuran waktu adalah R*C ).
Dengan termuatinya C1 akan menyebabkan sambungan E- B1 menjadi konduktif atau
memiliki resistansi rendah. Selanjutnya terjadi pengosoangan C1 lewat sambungan E-
B1 yang memiliki resistansi rendah. Ini akan menghilangkan bias maju pada emitor.
UJT selanjutnya menjadi tidak berkonduksi dan C1 mulai terisi kembali melalui R1 dan
proses ini secara kontinu akan berulang.

Osilator UJT dipakai untuk aplikasi yang memerlukan tegangan dengan waktu
kenaikan (rise time) lambat dan waktu jatuh (fall time) cepat. Sambungan E- B1 dari
UJT memiliki keluaran tipe ini. Antara B1 dan “ground” pada UJT menghasilkan pulsa
yang tajam (spike pulse). Keluaran tipe ini biasanya digunakan untuk rangkaian
pengatur waktu dan rangkaian penghitung. Sebagai kesimpulan osilator UJT sangat
stabil dan akurat untuk konstanta waktu satu atau lebih rendah.

P a g e | 13
2.4. Perbedaan Masing-masing Transistor

Transistor jenis BJT (NPN dan PNP) dan UJT (FET dan MOSFET) memiliki
cara kerja yang sama, namun dengan karakteristik yang berbeda. Berikut ini beberapa
perbedaan antara Transistor BJT dan UJT (FET)

1. Konversi: Transistor BJT mengkonversi arus menjadi arus, FET

mengkonversi tegangan menjadi arus
2. Arus input: BJT membutuhkan arus input, FET tidak membutuhkan arus
input
3. Input/output: Hubungan input/output BJT adalah linear direpresentasikan
oleh sebuah garis lurus, namun hubungan input/output sebuah FET tidak
linear untuk sinyal-sinyal besar (bertegangan tinggi). Hal ini dapat
mengakibatkan terjadinya distorsi pada sinyal-sinyal besar yang
diumpankan ke sebuah FET
4. Kecepatan: FET dapat melaksanakan proses pensaklaran secara lebih cepat
dibandingkan BJT, namun demikian kedua jenis transistor ini dirasa cukup
cepat untuk memenuhi kebutuhan sebagian besar aplikasi elektronik
5. Tegangan input: sebuah FET menjadi aktif ketika tegangan gate-sourcenya
melampaui suatu tegangan ambang. Tegangan gate dapat memiliki nilai
yang berada dalam kisaran antara tegangan ambang dan tegangan sumber,
ketika FET dalam keadaan aktif. Tegangan basis-emitor BJT akan selalu
mendekati nilai 0,7 V, ketika BJT dalam keadaan aktif, terlepas dari
berapa besar arus inputnya
6. Resistor input: sebuah FET tidak membutuhkan sebuah resistor di depan
terminal gatenya. Hal ini dapat menjadikan rangkaian yang bersangkutan
jauh lebih sederhana
7. Tahanan output: kebanyakan FET memiliki tahanan yang sangat rendah
ketika berada dalam keadaan aktif, biasanya kurang dari 1 Ohm. Hal ini
membuat komponen-komponen ini sangat cocok untuk digunakan dalam
rangkaian saklar transistor.

P a g e | 14
2.5. Cara Mengukur Transistor

Dengan menggunakan Multimeter Analog maupun Multimeter Digital untuk

mengukur ataupun menguji apakah sebuah Transistor masih dalam kondisi yang baik.
Yang perlu diperhatikan, adanya terdapat perbedaan tata letak Polaritas (Merah dan
Hitam) Probe Multimeter Analog dan Multimeter Digital dalam mengukur/menguji
sebuah Transistor.

A. Mengukur Transistor dengan Multimeter Analog

a) Cara Mengukur Transistor PNP dengan Multimeter Analog :

 Atur Posisi Saklar pada Posisi OHM (Ω) x1k atau x10k
 Hubungkan Probe Merah pada Terminal Basis (B) dan Probe Hitam
pada Terminal Emitor (E), Jika jarum bergerak ke kanan menunjukan
nilai tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik
 Pindahkan Probe Hitam pada Terminal Kolektor (C), jika jarum
bergerak ke kanan menunjukan nilai tertentu, berarti Transistor
tersebut dalam kondisi baik.

P a g e | 15
 b) Cara Mengukur Transistor NPN dengan Multimeter Analog
 Atur Posisi Saklar pada Posisi OHM (Ω) x1k atau x10k
 Hubungkan Probe Hitam pada Terminal Basis (B) dan Probe Merah
pada Terminal Emitor (E), Jika jarum bergerak ke kanan menunjukan
nilai tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik
 Pindahkan Probe Merah pada Terminal Kolektor (C), jika jarum
bergerak ke kanan menunjukan nilai tertentu, berarti Transistor
tersebut dalam kondisi baik.

B. Mengukur Transistor dengan Multimeter Digital

Pada umumnya, Multimeter Digital memiliki fungsi mengukur Dioda dan

Resistansi (Ohm) dalam Saklar yang sama. Maka untuk Multimeter Digital jenis ini,
Pengujian Multimeter adalah terbalik dengan Cara Menguji Transistor dengan
Menggunakan Multimeter Analog.

c) Cara Mengukur Transistor PNP dengan Multimeter Digital

 Atur Posisi Saklar pada Posisi Dioda

P a g e | 16
  Hubungkan Probe Hitam pada Terminal Basis (B) dan Probe Merah
pada Terminal Emitor (E), Jika Display Multimeter menunjukan nilai
Voltage tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik
 Pindahkan Probe Merah pada Terminal Kolektor (C), jika Display
Multimeter nilai Voltage tertentu, berarti Transistor tersebut dalam
kondisi baik.
d) Cara Mengukur Transistor NPN dengan Multimeter Digital
 Atur Posisi Saklar pada Posisi Dioda
 Hubungkan Probe Merah pada Terminal Basis (B) dan Probe Hitam
pada Terminal Emitor (E), Jika Display Multimeter menunjukan nilai
Voltage tertentu, berarti Transistor tersebut dalam kondisi baik
 Pindahkan Probe Hitam pada Terminal Kolektor (C), jika Display
Multimeter menunjukan nilai Voltage tertentu, berarti Transistor
tersebut dalam kondisi baik.
e) Cara Mengukur resistansi termasuk mengecek kondisi baik/rusak pada
UJT

 Atur Posisi Sakelar Multimeter ke R atau Ohm (Ω).

 Hubungkan Probe Merah (+) Multimeter ke Terminal Basis1 (B1) UJT.
 Hubungkan Probe Hitam (-) Multimeter ke Terminal Basis2 (B2) UJT.
 Layar Multimeter akan menunjukkan nilai Resistansi (nilai Hambatan) yang
tinggi, yaitu sekitar 4kΩ hingga 10kΩ. Kondisi tersebut menandakan UJT
dalam keadaan baik.
 Lepaskan kedua Probe Multimeter tersebut dari Terminal UJT.

P a g e | 17
  Hubungkan lagi Probe Merah (+) Multimeter pada Terminal Basis2 (B2) UJT.
 Hubungkan lagi Probe Hitam (-) Multimeter pada Terminal Basis1 (B1) UJT.
 Layar Multimeter akan menunjukan nilai Resistansi yang tinggi, yaitu sekitar
4kΩ hingga 10kΩ. Kondisi tersebut menandakan UJT dalam keadaan baik.

Catatan : Dengan cara pengukuran/pengujian diatas, apabila layar Multimeter

menunjukan Nilai Resistansi yang sangat rendah ataupun Nol (0), maka UJT tersebut
dinyatakan Rusak atau Short (Hubung Singkat)

BAB III

PENUTUP

3.1. Kesimpulan
Transistor merupakan komponen yang dipakai sebagai penguat arus, saklar, penstab
il tegangan, modulasi sinyal, dll. yang termasuk kepada komponen aktif yang
menggunakan aliran elektron sebagai prinsip kerjanya didalam bahan. Sebuah
transistor memiliki tiga daerah doped yaitu daerah emitter, daerah basis dan daerah
disebut kolektor dengan cara kerja dari resistorpun berbeda-beda, tergantung dari tipe
atau jenisnya.Cara kerja Bipolar Junction Transistor adalah menggunakan dua
polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik.
Sedangkan Field-Effect Transistor adalah hanya menggunakan satu jenis pembawa
muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET).

P a g e | 18
 Daftar Pustaka

Go, Caang. 2016. beberapa perbedaan antara Transistor BJT dan UJT (FET).
(Online). http://www.elektronikabersama.web.id/2012/04/beberapa-
perbadaan-transistor-bjt-dan. (Diunduh 20 Desember 2017).

Kho, Dickson. 2017. Fungsi Transistor dan Cara Mengukurnya. (Online).

http://teknikelektronika.com/fungsi-transistor-cara-mengukur-
transistor. (Diunduh 20 Desember 2017).

P a g e | 19