LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

BAB I

PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Rangkaian penguat daya menupakan suatu rangkaian yang digunakan untuk

menguatkan atau memperbesar sinyal masukan. Walter H. Brattain dan John
Bardeen pada akhir Desember 1947 di Bell Telephone Laboratories berhasil
menciptakan suatu komponen yang mempunyai sifat menguatkan yaitu yang
disebut dengan Transistor. Penggunaan transistor sebagai penguat adalah arus
pada basis digunakan untuk mengontrol arus yang lebih besar yang diberikan
ke kolektor melewati transistortor tersebut. Perubahan arus kecil pada basis
yang mengontrol inilah yang dinamakan dengan perubanan besar pada arus
yang mengalir dan kolektor ke emitter. Kelebihan dan transistor penguat tidak
hanya dapat menguatkan sinyal, tetapi transistor ini juga bisa digunakan sebagai
penguat aus, penguat tegangan dan penguat daya. Keuntungan komponen
transistor ini dibanding dengan pendahulunya, yakni tabung hampa, adalah
ukuran fisiknya yang sangat kecil dan ringan. Transistor adalah komponen
semikonduktor yang berfungsi sebagai penguat, saklar (switching), stabilisasi
tegangan, modulasi sinyal yang bekerja berdasarkan arus inputnya disebut
transistor jenis Bipolar Junction Transistor (BJT) sedangkan yang bekerja
berdasarkan tegangan inputnya, disebut transistor efek medan (FET).

1.2 Tujuan Percobaan

1. Untuk mengetahui prinsip kerja transistor pada penguat

2. Untuk mengetahui penguatan transistor
3. Untuk mengetahui karakteristik penguat common emitter
4. Untuk mengetahui prinsip kerja penguat common emitter
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

BAB II

TINJAUAN PUSTAKA

Transistor adalah komponen semikonduktor yang terdiri atas sebuah bahan type p
dan diapit oleh dua bahan tipe n (transistor NPN) atau terdiri atas sebuah bahan tipe
n dan diapit oleh dua bahan tipe p (transistor PNP). Sehingga transistor mempunyai
tiga terminal yang berasal dari masing-masing bahan tersebut..Ketiga terminal
transistor tersebut dikenal dengan Emitor (E), Basis (B) dan Kolektor (C). Emitor
merupakan bahan semikonduktor yang diberi tingkat doping sangat tinggi. Bahan
kolektor diberi doping dengan tingkat yang sedang. Sedangkan basis adalah bahan
dengan dengan doping yang sangat rendah. Perlu diingat bahwa semakin rendah
tingkat doping suatu bahan maka semakin kecil tingkat konduktivitasnya. Hal ini
karena jumlah pembawa mayoritasnya (elektron untuk bahan n dan hole untuk
bahan p ) adalah sedikit.
Disamping itu yang perlu diperhatikan adalah bahwa ukuran basis sangatlah
tipis dibanding emitor dan kolektor. Perbandingan lebar basis ini dengan lebar
emitor dan kolektor kurang lebih adalah 1 : 150. Sehingga ukuran basis yang sangat
sempit ini nanti akan mempengaruhi kerja transistor. Pada kaki emitor terdapat
tanda panah yang nanti bisa diketahui bahwa itu merupakan arah arus konvensional.
Pada transistor npn tanda panahnya menuju keluar sedangkan pada transistor pnp
tanda panahnya menuju kedalam.
Apabila pada terminal transistor tidak diberi tegangan bias dari luar, maka
semua arus akan nol atau tidak ada arus yang mengalir. Sebagai mana terjadi pada
persambungan dioda,maka pada persambungan emiter dan basis (JE) serta pada
persambungan basis dan kolektor OC) terdapat daerah pengosongan. Tegangan
penghalang (barrier potensial) pada masing-masing persambungan dapat dilihat
pada gambar . Penjelasan kerja berikut ini didasarkan pada transistor jenis PNP (bila
NPN maka semua polaritasnya adalah sebaliknya).
Pada diagram potensial terlihat bahwa terdapat perbedaan potensial antara
kaki emitor dan basis sebesar Vo, juga antara kaki basis dan kolektor. Oleh karena
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

potensial ini berlawanan dengan muatan pembawa pada masing-masing bahan tipe
P dan N, maka arus rekombinasi hole-elektron tidak akan mengalir.

Sehingga pada saat transistor tidak diberi tegangan bias maka arus tidak
akan mengalir. Selanjutnya apabila antara terminal emitor dan basis diberi tegangan
bias maju (emitor positip dan basis negatip) serta antara terminal basis dan kolektor
diberi bias mundur (basis positip dan kolektor negatip), maka transistor disebut
mendapat bias aktif.
Selanjutnya juga akan dibahas pemberian tegangan bias selain bias aktif
seperti misalnya bias mati (cut-off) dan saturasi (Genuh). Setelah transistor diberi
tegangan bias aktif, maka daerah pengosongan pada persambungan emitor-basis
menjadi semakin sempit karena mendapatkan bias maju. Sedangkan daerah
pengosongan pada persambungan basis-kolektor menjadi semakin melebar karena
mendapat bias mundur.
Pemberian tegangan bias seperti ini menjadikan kerja transistor berbeda
sama sekali bila dibanding dengan dua dioda yang disusun berbalikan, meskipun
sebenarnya struktur transistor adalah mirip seperti dua dioda yang disusun
berbalikan, yakni dioda emitor-basis (P-N) dan dioda basis-kolektor (N-P).
Bila mengikuti prinsip kerja dua dioda yang berbalikan, maka dioda emitor-
basis yang mendapat bias maju akan mengalirkan arus dari emitor ke basis dengan
cukup besar. Sedangkan dioda basis-kolektor yang mendapat bias mundur praktis
tidak mengalirkan arus. Dengan demikian terminal emitor dan basis akan mengalir
arus yang besar dan terminal kolektor tidak mengalirkan arus. Namun yang terjadi
pada transistor tidaklah demikian. Hal ini disebabkan karena dua hal, yaitu: ukuran
fisik basis yang sangat sempit (kecil) dan tingkat doping basis yang sangat rendah.
Oleh karena itu konduktivitas basis sangat rendah atau dengan kata lain jumlah
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

pembawa mayoritasnya (dalam hal ini adalah elektron) sangatlah sedikit dibanding
dengan pembawa mayoritas emitor (dalam hal ini adalah hole). Sehingga jumlah
hole yang berdifusi kebasis sangat sedikit dan sebagian besar tertarik ke kolektor
dimana pada kaki kolektor ini terdapat tegangan negatip yang relatif besar.Prinsip
kerja transistor ini akan lebih jelas lagi apabila dilihat diagram potensial pada
gambar

Tegangan bias maju yang diberikan pada dioda emitor-basis (VEB) akan
mengurangi potensial penghalang Vo, sehingga pembawa muatan mayoritas pada
emitor akan mudah untuk berekombinasi ke basis. Namun karena konduktivitas
basis yang rendah dan tipisnya basis, maka sebagian besar pembawa muatan akan
tertarik ke kolektor. Disamping itu juga dikuatkan oleh adanya beda potensial pada
basis-kolektor yang semakin tinggi sebagai akibat penerapan bias mundur VCB.
Dengan demikian arus dari emitor (1E) sebagian kecil dilewatkan ke basis
(IB) dan sebagian besar lainnya diteruskan kolektor (IC). Sesuai dengan hukum
Kirchhoff maka diperoleh persamaan yang sangat penting yaitu:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 …………………………………………………….….(2.1)
Karena besarnya arus IC kira-kira 0,90 sampai 0,998 dari arus IE, maka
dalam praktek umumnya dibuat IE = IC. Disamping ketiga macam arus tersebut
yang pada dasarmya adalah disebabkan karena aliran pembawa mayoritas, di dalam
transistor sebenamya masih terdapat aliran arus lagi yang relatif sangat kecil yakni
yang disebabkan oleh pembawa minoritas. Arus ini sering disebut dengan arus
bocor atau ICBO (arus kolektor-basis dengan emitor terbuka). Namun dalam
berbagai analisa praktis arus ini sering diabaikan.
Seperti halnya pada dioda, bahwa dalam persambungan PN yang diberi bias
mundur mengalir arus bocor ICBO karena pembawa minoritas. Demikian juga dalam
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

transistor dimana persambungan kolektor-basis yang diberi bias mundur VCB akan
mengalir arus bocor ICBO .Arus bocor ini sangat peka terhadap temperatur, yakni
akan naik dua kali untuk setiap kenaikan temperatur 10° C. Diagram aliran arus lE,
IB, IC dan ICBO dalam transistor dapat terlihat bahwa arus kolektor merupakan
penjumlahan dari arus pembawa mayoritas dan arus pembawa minoritas, yaitu IC
=ICmayoritas +ICBOminoritas
Secara umum terdapat tiga macam variasi rangkaian transistor yang dikenal
dengan istilah konfigurasi, yaitu konfigurasi basis bersama (common-base
configuration), konfigurasi emitor bersama (common-emitter configuration), dan
konfigurasi kolektor bersama (common collector configuration). Istilah bersama
dalam masing- masing konfigurasi menunjuk pada terminal yang dipakai bersama
untuk input (masukan) dan output (keluaran).
Pada konfigurasi basis bersama (common base = CB) sinyal input
dimasukkan ke emitor dan sinyal output diambil pada kolektor dengan basis sebagai
ground-nya. Faktor penguatan arus pada basis bersama disebut dengan ALPHA 𝛼.
𝛼𝑑𝑐 (alpha dc) adalah perbandingan arus IC dengan arus IE pada titik kerja.
Sedangkan 𝛼𝑎𝑐 (alpha ac) atau sering juga disebut alpha α saja merupakan
perbandingan perubahan IC dengan IE pada tegangan VCB tetap
∆IC
α= |VCB = konstan …………………………...……………….(2.2)
∆IE

Dari diagram aliran arus dapat diketahui bahwa harga α adalah kurang dan
satu, karena arus IE sebagian dilewatkan menjadi l5 dan lainnya kolek menuju tor
menjadi IC. Harga ipikal dari α adalah 0,90 hingga 0,998. Umumnya harga α untuk
setiap transistor dicantumkan dalam buku data. Dengan memasukan arus bocor
ICBO kedalam perhitungan, maka besarnya arus IC menjadi:
IC = αIE + ICBO ………………………………………………...…….(2.3)
Pada konfigurasi emitor bersama (common emitter = CE) sinyal input
diumpankan pada basis dan output diperoleh dari kolektor dengan emitor sebagai
groundnya Faktor penguatan arus pada emitor bersama disebut dengan BETA (β).
Seperti halnya pada α, istilah juga terdapat βdc (beta dc) maupun βac (beta ac).
Definisi βac (atau β saja) adalah:
∆IC
β= |VCE = konstan ………………………………………….….(2.4)
∆IB
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

Istilah β sering dikenal juga dengan hfe yang berasal dari parameter hibrid
untuk fak tor penguatan arus pada emitor bersama. Data untuk harga hfe maupun 5
ini lebih banyak di jumpai dalam berbagai buku data dibanding dengan α Umumnya
transistor mempunyai harga β dari 50 hingga lebih dari 600 tergantung dan jenis
transistornya.
Dalam perencanaan rangkaian transitor periu diperhatikan bahwa harga β
dipengaruhi oleh arus kolektor. Demikian pula variasi harga β Juga terjadi pada
pembuatan di pabrik. Untuk dua tipe dan jenis transistor yang sama serta dibuat
dalam satu pabrik pada waktu yang sama, belum tentu menmpunyai p yang sama.
Seperti halnya dioda semikonduktor, sebagai komponen non-linier
transistor bipolar mempunyai karakteristik yang bisa dilukiskan melalui beberapa
kurva. Namun karena transistor mempunyai tiga terminal, maka karakteristik
transistor tersebut biasanya dilukiskan dalam bentuk kurva parametrik. Kurva
karakteristik transistor yang paling penting adalah karakteristik input dan
karakteristik output.
Kurva karakteristik input untuk transistor dengan konfigurasi basis bersama
(CB) untuk transistor npn bahan silikon dapat dilihat pada gambar Kurva ini
menggambarkan hubungan antara arus input IE dengan tegangan input VBE untuk
berbagai variasi tegangan Output VCB. Dalam hal ini tegangan VCB sebagai
parameter.

Apabila kurva karakteristik input CB ini diperhatikan, maka bentuknya

hampir menyerupai kurva dioda pada saat mendapat bias maju. Hal yang terjadi
pada transistor juga demikian, karena persambungan emitor-basis mendapat bias
maju. Pada saat tegangan VBE sekitar 0,7 Volt (tegangan cut-in) arus IE akan naik
dengan cepat. Perubahan tegangan VCB dari 1 Volt ke 20 Volt mempunyai
pengaruh yang sangat sedikit terhadap kurva. Sehingga secara pendekatan dapat
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

dikatakan bahwa arus emitor hanya dipengaruhi oleh tegangan VBE. Disamping itu
karena bentuk kurvanya hampir tegak lurus, maka pada saat transistor aktif
tegangan VBE bisa dianggap sebesar 0,7 Volt.
Masih dalam konfigurasi basis bersama (CB), menunjukkan kurva
karakteristik output. Kurva ini menggambarkan hubungan antara arus output lC
dengan tegangan output VCB untuk berbagai v si arus input IE. Dalam hal ini arus
IE disebut sebagai parameter.
Dalam kurva output ditunjukkan adanya tiga daerah kerja transistor, yaitu
daerah aktif,daerah jenuh (saturası) dan daerah mati (cut-off). Daerah kerja
transistor ini ditentukan berdasarkan pemberian tegangan bias pada masing-masing
persambungannya. Agar dapat digunakan sebagai penguatlinier transistor perlu
diberi tegangan bias sedemikian rupa sehingga bekerja pada daerah aktif. Pada
daerah aktif, kurva terlihat mendatar dan lurus. Hal ini sesuai dengan kurva input
bahwa kenaikan tegangan VCB akan berpengaruh sedikit sekali terhadap arus IE.
Padahal arus IE adalah hampir sama dengan arus IC yaitu IC/IE = α, dimana α
bernilai hampir satu.
Dengan demikian pada masing-masing kurva dengan harga lE tertentu
besanya arus IC terlihat sama dengan IE tersebut. Apabila arus bocor ikut
diperhitungkan, maka menurut persamaan besarnya arus IC adalah sama dengan
IC= αIE + ICBO . Sehingga pada saat IE = 0. yaitu pada daerah mati,maka sebenarnya
pada kolektor mengalir arus bocor sebesar ICBO . Selanjutnya untuk kurva
karakteristik input pada konfigurasi emitor bersama (CE) untuk transistor npn
bahan silikon . Kurva ini menunjukkan hu-bungan antara arus input IB dengan
tegangan input VBE untuk berbagai variasi tegangan output VCE. Dalam hal ini
VCE disebut sebagai parameter.
Mengingat bahwa sifat-sifat kelistrikan bahan semikonduktor sangat peka
terhadap temperatur, maka demikian juga transistor yang terbuat dari bahan
semikonduktor. Semua karakteristik transistor yang dibicarakan di depan sangat
dipengaruhi oleh perubahan temperatur.
Apabila temperatur naik, maka arus bocor ICBO, ICEO, dan ICES akan
cenderung untuk naik. Arus-arus bocor ini akan naik dua kali lipat untuk setiap
kenaikan temperatur 10°C. Pada transistor silikon dimana harga arus bocornya
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

dalam orde nanoampere umumnya mampu untuk dipakai sampai temperatur 200°C.
Sedangkan transistor germanium yang arus bocor nya dalam orde mikroamper
mampu untuk dipakai hingga suhu 100°C.
Akibat kenaikan arus bocor ini, maka arus kolektor juga cenderung untuk
naik apabilatemperatur naik. Pengaruh perubahan temperatur terhadap arus
kolektor IC dapat dilihat pada gambar . Demikian juga faktor penguatan arus α dan
β akan cenderung untuk naik terhadap perubahan temperatur.

Disamping itu perubahan temperatur juga mempengaruhi besarnya

tegangan VBE. Apabila temperatur naik, maka tegangan bias maju VBE untuk
menghasilkan arus kolektor IC tertentu akan menurun. Koefisien perubahan
temperatur terhadap tegangan VBE ini adalah sebesar -2.5 mV/°C. Artinya bahwa
untuk menghasilkan arus kolektor IC tertentu tegangan VBE yang diperlukan akan
turun sebesar 2,5 mV setiap kenaikan suhu 1°C.
Masalah pengaruh temperatur terhadap berbagai karakteristik transistor
sungguh tidak dapat diabaikan begitu saja. Perubahan temperatur akan bisa
merubah titik kerja yang sudah ditetapkan pada suhu ruang. Hal ini bisa jadi akarn
juga mempengaruhi faktor penguatan tegangan dari suatu rangkaian penguat.
Disamping itu sinyal output akan bisa menjadi cacat atau distorsi karena perubahan
temperatur yang meyakinkan. Oleh karena itu dalam rangkaian penguat transistor
perlu adanya berbagai kompensasi. (Surjono , 2007)
Satu transistor adalah satu komponen elektronik yang memiliki tiga sambungan.
Ketiga sambungan tersebut memiliki nama kolektor, basis dan emitor. Supaya
selalu jelas arus atau voltase mana yang sedang dibicarakan, beberapa istilah perlu
didefinisikan. Unuk transistor npn dipakai definisi sbb.
• Arus kolektor Ic adalah arus yang masuk ke dalam kolektor.
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

• Arus basis Ib adalah arus yang masuk ke dalam basis.

• Arus emitor Ie adalah anus yang keluar dari emitor.
• Voltase kolektor atau voltase kolektor-emitor, VCE adalah voltase antara
kolektor dan emitor.
• Voltase basis atau voltase basis-emitor, VBE adalah voltase antara basis dan
emitor.
Untuk transistor pnp semua arus dihitung terbalik dan voltase-voltase harus
menjadi terbalik, berarti VBE dan VCE menjadi negatif atau menjadi VBE (voltase
emitor-basis) dan VCE (voltase emitor-kolektor).
Sifat Input (Sambungan antara Basis dan Emitor) , antara basis dan emitor
terdapat satu sambungan pn. Maka jelas, sifat pada sambungan ini sama dengan
sifat dioda. Biasanya dalam rangkaian transistor dipakai sambungan pn dalam
keadaan dibias maju sehingga antara arus dan voltase basis-emitor terdapat
hubungan seperti pada dioda.
Sifat Output (sifat kolektor) ,hubungan antara arus kolektor Ic , dengan voltase
kolektor-emitor, VCE disebut grafik output dari transistor. Ketika voltase kolektor-
emitor naik dari nol. arus kolektor mula-mula naik dengan cepat, grafik hampir
tegak lurus ke atas. Pada arus kolektor tertentu grafik membelok dan menjadi
hampir mendatar, yang berarti pada arus kolektor tertentu, arus kolektor hampir
tidak naik lagi walaupun voltase kolektor-emitor terus naik. Arus kolektor hampir
tidak tergantung dari voltase kolektor-emitor. Hubungan antara arus kolektor dan
voltase kolektor-emitor dengan nilai arus kolektor yang berbeda-beda untuk voltase
kolektor-emitor yangg sama. Yang membedakan berbagai garis grafik adalah
besarnya arus basis. Jadi kalau besarnya voltase kolektor emitor sudah di atas 0.2
Volt atau 0.3 Volt arus kolektor hampir tidak tergantung dari voltase kolektor-
emitor, tetapi tergantung dari arus basis. Apa yang terjadi pada arus kolektor ketika
voltase kolektor-emitor menjadi lebih tinggi lagi dan melampaui kemampuan
transistor tidak diperhatikan .
Dalam situasi dimana voltase kolektor-emitor sudah mencapai nilai maksimal,
arus akan naik dengan sangat cepat. Voltase ini disebut sebagai voltase
breakthrough. Transistor akan rusak kalau breakthrough terjadi sehinga voltase
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

breakthrough harus dihindari. Breakthrough pada transistor sama dengan

breakthrough pada dioda yang dibias balik. Besar dari voltase breakthrough bisa
didapatkan dari buku data transistor. Daerah di mana grafik arus kolektor terhadap
voltase kolektor hampir mendatar disebut daerah aktif dari transistor. Dalam daerah
ini transistor bisa dikendalikan dengan mengatur besar dari voltase/arus
basis.Dalam daerah aktif perbandingan antara arus basis dan arus kolektor hampir
konstan. Kalau dalam suatu rangkaian perbandingan tersebut dibutuhkan dengan
teliti sekali maka ketergantungan dari arus basis/kolektor dalam perbandingan
tersebut perlu diperhatikan. Namun untuk kebanyakan rangkaian, hasilnya cukup
tehti jika perbandingan ini dianggap konstan. Perbandingan antara arus kolektor
IC dan arus basis IB discbut penguatan arus searah (DC amplificafion) dari transistor
dan biasanya dinyatakan dengan "B" atau dengan "hFE ":
IC
B = hFE = …………………………………………………………….(2.5)
IB

Untuk perubahan arus basis ∆IB dan penubahan arus kolektor ∆IC yang kecil
terdapat kemiringan dari grafik IC terhadap IB . Kemiringan itu disebut penguatan
anus AC dan biasanya ditulis sebagai β atau
∆IC
β = hFE = …………………………………………………..……….(2.6)
∆IB

Satu sifat lagi yang bisa dibaca dari grafik output transistor (hubungan antara
arus kolektor dengan voltase kolektor-emitor) yaitu ketika voltase kolektor-emitor
naik, arus kolektor awalnya naik dengan cepat dibanding kenaikan voltase kolektor,
kemudian kemiringan grafik menurun dan menjadi hampir mendatar, yang berarti
arus kolektor hampir tidak lagi tergantung dari voltase kolektor. Daerah grafik di
mana grafik membentuk garis lurus yang hampir mendatar disebut sebagai daerah
aktif transistor. Kemiringan ini disebut resistivitas kolektor-emitor rCE dan
mernupakan resistivitas diferensial antara kolektor dan emitor. Resistivitas
kolektor-emitor rce ini juga disebut resistivitas output transistor dan sebagai rumus
terdefinisi sbb.
Nilai-nilai maksimal untuk transistor, terdapat beberapa voltase dan arus
maksimal yang tidak boleh dilewati supaya transistor tidak rusak. Besar voltase dan
arus maksimal tersebut tergantung dari bentuk transistor (tebal layar-layar),
konsentrasi atom asing dan kemasan yang dipakai. Nilai-nilai maksimal disebutkan
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

dalam lembaran data transistor. Terdapat beberapa nilai batas sbb. (Angka dalam
kurung adalah besar voltase/arus untuk transistor BC161/ BC141/CS9O13 sebagai
contoh.)
• Voltase kolektor-basis maksimal, VCB maks moks (60V / 100V -)
adalahvoltase maksimal yang boleh dipasang antara kolektor dan basis.
• Voltase kolektor-emitor maksimal, VCE maks , (60V / 60V/ 25V) adalah
voltase maksimal yang boleh dipasang antara kolektor dan emitor.
• Voltase emitor-basis maksimal, VEB maks , (5VI 7V/ 3V) adalah voltase
maksimal yang boleh dipasang antara emitor dan basis, berarti voltase
maksimaluntuk sambungan pn antara basis dan emitor dalam keadaan bias
balik, di mana belum terjadi breakthrough.
Arus kolektor maksimal, IC maks (1A / 1A / 1A) adalah arus kolektor maksimal yang
boleh mengalir dalam kolektor. Suhu persambungan pn maksimal (maximum
junction temperature), TJ maks , (175°C I 175°C/ 150°C) adalah suhu maksimal yang
boleh didapatkanpada sambungan pn dalam transistor.
Daya disipasi maksimal Pror , adalah daya maksimal yang bisa diserap oleh
transistor pada situasi tertentu. Daya ini membatasi perkalian antara arus dan
voltase kolektor. Daya ini dinyatakan dalam situasi tertentu, berarti pada suhu dan
pendingin tertentu, karena daya ini tergantung suhu lingkungan dan pendingin yang
dipakai. Misalnya untuk BC161 dan BC141 terdapat daya maksimal sebesar
3200mw/ 3700mW pada suhu lingkungan 25°C dan dengan memakai pendingin
standar. Untuk CS9013 daya maksimal suhu 25°C sebesar 600mW. Untuk jenis
pendingin lain dan suhu lingkungan yang berbeda daya maksimal bisa dihitung
dengan data ini dan suhu persambungan pn maksimal. (Blocher , 2004)
Penguatan sinyal lemah menjadi sinyal yang lebih kuat merupakan hal mendasar
yang penting di hampir semua sistem elektronik. Terkadang hal ini terlihat jelas,
seperti pada penerima radio, di mana tujuannya adalah untuk memilih dan
memperkuat sinyal lemah dari antena dan menampilkan sinyal yang terdeteksi
melalui pengeras suara. Terkadang kebutuhan akan amplifikasi lebih tidak kentara,
seperti pada komputer elektronik di mana biasanya tidak ada "rangkaian" berlabel
"penguat". Bahkan di sini amplifikasi hadir dan penting; itu mungkin terjadi di
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

setiap elemen logika atau hanya beberapa, tetapi penguatan diperlukan untuk
memastikan bahwa informasi sinyal tidak hilang dalam kebisingan.
Penguat dirancang untuk tujuan meningkatkan level tegangan, arus, atau
daya. Besarnya kenaikan ini dikenal sebagai penguatan penguat. Metode untuk
menentukan penguatan secara kuantitatif adalah penting dan harus disesuaikan
dengan aplikasi penguat yang dimaksudkan. Misalnya, dalam penguat osiloskop
penguatan tegangan penting karena input dan output berada pada level impedansi
tinggi.
Di sisi lain penguat repeater telepon memiliki daya input yang tersedia
terbatas dan harus memasok daya ke impedansi saluran tertentu. Akibatnya
keuntungan dinyatakan sebagai rasio daya input yang tersedia untuk daya output
adalah tepat. Empat cara yang umum digunakan untuk menentukan penguatan.
Meskipun tiga contoh pertama diberikan dalam hal daya, penguatan juga dapat
diberikan dalam hal tegangan atau arus; misalnya, penguatan tegangan penyisipan
= V2/V1 Penguatan daya "sebenarnya" dari penguat (= P2/P1) melibatkan
ambiguitas tertentu dan tidak umum digunakan
Representasi transistor pada frekuensi rendah, pilihan rangkaian ekivalen
untuk transistor sambungan pada frekuensi rendah diperumit oleh banyaknya
rangkaian seperti itu yang mungkin dan berguna. Kita akan mulai, kemudian,
dengan rangkaian yang sangat sederhana yang dapat dikaitkan dengan sifat terminal
perangkat dan yang dapat diuraikan untuk memasukkan semua efek frekuensi
rendah utama. Sirkuit yang lebih rumit yang dihasilkan dapat dikaitkan dengan
fisika perangkat dan akan berguna .
Misalnya, jika grid adalah terminal umum, maka Vg = −V1 untuk pelat sebagai
terminal umum, Vg = V1 − V2 . nanti ketika efek frekuensi tinggi akan disertakan.
Rangkaian juga dapat dengan mudah dikaitkan dengan parameter rangkaian umum
(z's) sehingga ikatan antara teori perangkat dan parameter jaringan diilustrasikan.
Jika karakteristik common-base transistor NPN diperiksa, arus kolektor terlihat
hampir tidak tergantung pada tegangan kolektor (dengan asumsi bahwa operasi
dibatasi pada daerah linier VCB > 0)2 dan sebanding dengan arus emitor. Perubahan
∆IE memberikan perubahan arus kolektor dari , di mana α′ ∆IE mewakili fraksi arus
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

emitor yang mencapai kolektor. Parameter α′ umumnya berkisar antara 0,9 dan 1,0
dan sebanding dengan
1. efisiensi emitor (fraksi arus emitor yang dibawa elektron ke daerah basis)
2. faktor transpor (fraksi elektron yang dipancarkan ke daerah basis yang
mencapai kolektor)
3. faktor perkalian kolektor (perbandingan elektron yang memasuki daerah
kolektor dengan yang mencapai kolektor).
Dua faktor pertama kurang dari 1, sedangkan faktor perkalian kolektor mungkin
lebih besar dari satu, terutama pada tegangan kolektor-ke-basis yang tinggi. Dalam
rangkaian basis emitor, arus yang relatif tinggi mengalir dengan tegangan yang
diterapkan kecil; maka emitor harus mewakili resistansi yang agak kecil (dan
nonlinier karena kelengkungan karakteristik emitor). Pada titik operasi tertentu (s,
VEB) karakteristik emitor dapat diwakili oleh resistansi linier yang memiliki nilai
𝜕𝑉𝐸𝐵
𝑟𝑖𝑛 = …………………………………………………..…………….(2.7)
𝜕𝐼𝐸

Subskrip ketiga b menunjukkan terminal umum transistor, dalam hal ini

memudahkan basis. Keempat parameter ini dapat ditemukan dari karakteristik
grafis, tetapi hanya dengan ketajaman yang ditiru. Sebagai alternatif, pengukuran
a-c sinyal kecil dapat digunakan. Rangkaian ekivalen ini sangat mirip bentuknya
dengan rangkaian ekivalen yang diturunkan dari teori transistor. ( Pettit , 1961)
Karakteristik fisik tansistor , selain ukurannya yang kecil, ada karakteristik fisik
tertentu yang diproses transistor yang harus disebutkan sebelum membahas
karakteristik kelistrikannya. Kemampuan penanganan daya dari amplifier apa pun
tergantung pada seberapa panasnya itu tanpa merusak dirinya sendiri.Transistor
dapat menangani lebih banyak daya, ia dapat mentransfer panas yang dihasilkannya
di dalam tubuhnya sendiri ke sekitarnya. Peringkat dayanya, oleh karena itu, akan
sangat bergantung pada seberapa cepat konduksi panas, konveksi, dan radiasi
terjadi. Udara adalah penghantar panas yang sangat buruk. Namun konduksi adalah
metode perpindahan panas yang sangat penting.
Untuk karakteristik yang berlaku khusus untuk rangkaian basis umum
terdapat berbagai karakteristik menjadi tiga kategori:
1. Peringkat maksimum mutlak. Karakteristik ini memberi tahu pengguna
tentang arus, tegangan, daya, suhu maksimum, dll.
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

2. Karakteristik sinyal. Ini berurusan dengan kinerja transistor di bawah

kondisi input sinyal dan memberikan informasi relatif terhadap perilaku
frekuensi, gain, impedansi (input dan output), dan kebisingan.
3. Karakteristik khusus. Beberapa transistor dirancang untuk penggunaan
frekuensi tinggi sebagai i-f atau r-f amplifier dan osilator, yang lain untuk
operasi audio dan switching. Di bawah karakteristik khusus kita akan
menemukan informasi yang akan membantu dalam merancang dan
menggunakan sirkuit tersebut.
Sebelum memulai studi tentang penguat transistor, mari rangkum karakteristik
yang penting dalam rangkaian penguat apa pun. Keuntungannya adalah fungsi dasar
dari sebuah ampliher. Agar sesuai dengan namanya, ia harus menghasilkan
penguatan listrik baik dalam bentuk arus, tegangan, atau daya. Karakteristik respons
frekuensi dari penguat menentukan apakah akan berguna pada frekuensi tinggi,
sedang atau rendah.
Input mpedance digunakan untuk mendapatkan hasil maksimal dari sebuah
amplifier, pastikan selalu berusaha untuk mengatur rangkaian input kita sehingga
impedansinya akan mendekati sama dengan sumber sinyal. Karena itu, sebagian
besar sumber input seperti mikrofon dan kartrid phono memiliki kemampuan daya
yang kecil. Dengan demikian, kerugian transfer daya (walaupun kecil) mungkin
sangat serius. Impedansi keluaran: Ini adalah masalah yang serupa. Untuk
mentransfer daya maksimum ke beban, haruslah tahu apa impedansi keluaran
transistor sehingga dapat mencocokkan impedansi beban. Hubungan fase: Kita
berurusan dengan sinyal a-c. Dalam banyak aplikasi, penting untuk mengetahui
apakah transistor membalikkan fase sinyal input atau tidak. Tapi dalam percobaan
ini kita akan lebih membahas tentang penguat common emitter.
Rangkain common-emitter , kita harus mengetahui sirkuit dasar untuk
konfigurasi common-base dan common-emitter untuk membandingkannya dalam
hal-hal penting tertentu. Kedua transistor yang ditampilkan adalah n-p-n. Hal ini
dapat digantikan dengan tipe p-n-p hanya dengan membalikkan polaritas kedua
baterai. Berikut adalah faktor-faktor untuk dibandingkan
1) Meskipun konfigurasinya sangat berbeda dalam koneksi, polaritas baterai
yang sama digunakan dalam kedua kasus. Untuk tipe n-p-n, emitor negatif
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

terhadap kolektor sedangkan basis positif terhadap emitor. Ini membentuk

bias maju di sirkuit dasar dan bias mundur di sirkuit kolektor.
2) Arus basis sangat kecil di kedua rangkaian. Ini adalah perbedaan antara arus
emitor Ie dan arus kolektor Ie terlepas dari konfigurasi yang digunakan.
3) Dalam koneksi common-base, sumber sinyal memvariasikan arus emitor.
Dalam rangkaian emitor bersama, sumber sinyal memvariasikan arus basis.
Ini adalah pertimbangan yang sangat penting.
Kita mengetahui bahwa rangkaian basis emitor harus dibias ke arah maju
sedangkan rangkaian kolektor harus dibias ke arah sebaliknya. Ketika mulai
mengubah konfigurasi , haruslah menentukan polaritas relatif dari elemen dengan
lebih hati-hati untuk transistor n-p-n dan p-n-p untuk memastikan kita dapat
mengenali bias maju dan mundur secara sekilas.
Pertama, mari nyatakan aturan sederhana. Di sirkuit fundamental, terlepas dari
konfigurasi yang digunakan, sirkuit basis emitor selalu dibias maju; rangkaian
kolektor selalu dibias mundur. Namun, karena elemen umum berubah di setiap
konfigurasi, lebih baik untuk membicarakan bias dalam hal polaritas tegangan
komparatif sebagai berikut: untuk transistor n-p-n, basis harus positif terhadap
emitor; emitor harus negatif terhadap kolektor. Untuk transistor p-n-p, basis harus
negatif terhadap emitor; emitor harus positif terhadap kolektor.
Karakteristik common emitter dalam perilaku transistor dari kurva karakteristik
kolektor. Prosedur untuk mendapatkan kurva terlihat dari strukturnya. Arus cutoff
kolektor, dengan basis hubung-terbuka, ditentukan dengan membiarkan rangkaian
basis terbuka sementara potensial dari 0 hingga 15 volt diterapkan secara berurutan
ke kolektor. Arus untuk masing-masing tegangan kolektor kemudian dicatat
sebagai titik-titik yang bila dihubungkan akan memotong garis Iceo
Dalam rangkaian kerja, dapat ditunjukkan bahwa penguatan tegangan dari
konfigurasi common base agak lebih tinggi daripada pengaturan common emitter ,
meskipun tidak lebih tinggi seperti yang di harapkan. Meskipun penguatan arus,
alfa, dari common base lebih kecil dari pada rangkaian common emitter perubahan
impedansi lebih dari sekadar menebusnya. Sederhananya. peningkatan gain arus di
common emitter lebih dari diimbangi oleh hilangnya gain resistensi.
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

Namun, di ranah perolehan daya, common emitter pasti unggul. Saat kita melihat
solusi sampel untuk 2N78 dalam ilustrasi , dapat dilihat sekaligus bahwa
keuntungan saat ini meningkat ketika beralih dari common-base ke common-
emitter menjadi sangat penting. Sejak perolehan daya tergantung pada kuadrat gain
saat ini, saat kita beralih dari alfa 0,966 ke beta 28, daya cenderung naik sebagai
kuadrat 28 atau 784 kali karena ini saja. Kemudian, ketika beta kuadrat dikalikan
dengan penguatan resistansi, didapat penguatan daya sebesar 1568.
Perhatikan juga bahwa rasio R,. ke R, telah dibuat jauh lebih kecil dalam
kasus emitor bersama. Ini karena perubahan impedansi ketika basis umum diubah
menjadi common emitter seperti yang dibahas sebelumnya. Meskipun penguatan
resistensi telah menurun dalam common emitter , perolehan daya telah meningkat
karena peningkatan arus. (Shecure , 1961)
Karena sambungan emitor-basis transistor dibias maju, ia juga akan bertindak
seperti resistansi ac kecil. Resistansi dioda emitor direpresentasikan sebagai
r ′ e daripada r ′ ac Arus dc yang melalui dioda sama dengan arus emitor IE . Gunakan
nilai ini saat menghitung resistansi, r ′ e sebagai
25 mV
r′ e = ……………………………………………………..….….(2.8)
Ie

Saat menganalisis penguat emitor bersama, praktik umum untuk mewakili

dioda emitor sebagai resistansi kecil. Dengan melakukan ini, karakteristik penting
dari penguat, seperti penguatan tegangan dan impedansi masukan, dapat dihitung
Perhatikan bahwa penguat emitor bersama menggerakkan basis pengikut emitor.
Hubungan langsung dari kolektor θ1 ke basis θ2 , menyiratkan bahwa tegangan
kolektor dv θ1 , memasok tegangan bias yang diperlukan untuk rangkaian pengikut
emitor. Ini menghilangkan kebutuhan akan resistor bias, yang meningkatkan
impedansi input pengikut emitor secara substansial. Harus ditunjukkan bahwa arus
basis dc θ2 , dibuat sangat kecil terhadap arus kolektor di θ1 , sehingga tegangan de
pada kolektor , tidak akan terpengaruh. Tujuan utama rangkaian ini adalah
menggunakan pengikut emitor sebagai penyangga untuk mengisolasi nilai
resistansi beban yang relatif rendah, R, dari kolektor impedansi tinggi θ1 .
Melakukan hal itu memungkinkan rangkaian emitor umum memiliki penguatan
tegangan keseluruhan yang jauh lebih tinggi. (Schultz ,2007)
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

BAB III

METEDOLOGI PERCOBAAN

3.1 Peralatan dan komponen

• CPE-EO2200
• Kabel jumper
• Multimeter

3.2 Prosedur percobaan

1. Hubungkan electronic design experiment tetapi telah yakin kita bahwa
semua unit dalam keadaan off

Ic
POS R4
+ 1KΩ

R2
R1 10KΩ
100KΩ Vce
15V DC NPN
Transistor

Ic
3
1KΩ 2

EXT VR
EXT VR 1KΩ
Ib C
100KΩ
B
* Vce *
2 10KΩ 3
E

1 COM
* *
100KΩ 1KΩ
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

2. Buatlah rangkaian seperti pada gambar diatas. Hubungkan rangkaian

tersebut dengan Vcc sebesar 15V. Gunakan potensiometer 100KΩ (R1)
untuk mengatur arus basis (Ib) , dan gunakan potensiometer 1KΩ (R4)
untuk mengatur tegangan pada kolektor-emiter (Vce).
3. Hidupkan electronic design experimenter
4. Diatur arus basis (Ib) hinga bernilai 10µA. lakukan dengan memutar
potensiometer secara perlahan sampai tegangan yang melalui R2 sama
dengan 0.1V. berdasarkan hukum ohm, arus yang melalui R2 akan sama
dengan nilai 0.1V dibagi dengan 10KΩ yaitu 0.1µA. setelah itu arus akan
melewati basis transistor. Ib harus bernilai 10µA.
5. Tanpa mengganggu R1, atur potensiometer 1KΩ (R4) hingga tegangan pada
Vce bernilai 1V
6. Sekarang gunakan voltmeter untuk mengukur tegangan pada R3. Gunakan
tegangan pada R3 untuk menghitung arusnya berdasarkan hukum ohm.
Hitung besar arus yang mengalir pada kolektor (Ic). Ulangi percobaan
dengan mengganti nilai Vce sesuai dengan tabel
7. Lengkapi tabel berikut dengan mengatur nilai Vce dan tentukan nilai arus
colektor nya (Ic) seperti pada langkah 5
Ib = 10 µA
Vce (Volt) 1 2 3 4 5 6
Ic(mA)

8. Sekarang atur arus pada basis kolektor hingga bernilai 20µA. lakukan
dengan memutar potensiometer 100KΩ (R4) sampai tegangan yang melalui
R2 bernilai 0.2V.
9. Ulangi langkah 5-7
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

BAB IV

HASIL DAN ANALISA

4.1 Data percobaan

Ib = 10 μA

Vce (Volt) 1 2

Ic (mA) 806 1581

Medan, 10 November 2021

Asisten Praktikan,

(Irfan Syahputra Sianturi) (Monalisa L Sinabutar)

 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

4.2 Analisa Data

1. Menghitung nilai Gain

I
Gain = IC
b

I
a. Gain Vce 1 Volt = IC
b

806
= = 80600 kali
0,01

b. Gain Vce 2 Volt

1581
= = 158100 kali
0,01

2. Grafik Vce - vs – Gain

(Terlampir)
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

BAB V

KESIMPULAN DAN SARAN

5.1 Kesimpulan

1. Dari percobaan yang telah diakukan dapat diketahui bahwa prinsip kerja
transistor sebagai penguat adalah arus kecil pada basis (B) yang
merupakan input dikuatkan beberapa kali setelah melalui transistor.
Arus output yang telah dikuatkan tersebut diambil dari terminal kolektor
(C). Besar kecilnya penguatan atau faktor pengali ditentukan oleh
beberapa perhitungan resistor yang dihubungkan pada setiap terminal
transistor dan disesuaikan dengan tipe dan karakteristik transistor.
Signal yang diperkuat dapat berupa arus DC (searah) dan arus AC
(bolak-balik) tetapi maksimal tegangan output tidak akan lebih dari
tegangan sumber (Vcc) Transistor.
2. Transistor adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki
3 kaki elektroda, yaitu basis (dasar), kolektor (pengumpul), dan emitor
(pemancar). Komponene ini berfungsi sebagai penguat, pemutus dan
penyambung, stabilitasi tegangan, modulasi signal dan masih banyak
lagi fungsi lainnya.
3. Penguat common emitter memounyai karakteristik sebagai berikut :
-Sinyal outputnya berbalik fasa 180 terhadap sinyal input
-Sangat mungkin terjadi isolasi karena adanya umpan balik positif,
sehingga seringdipasang umpan balik negatif untuk mencegahnya
-Sering dipakai pada penguat frekuensi rendah (terutama pada sinyal
audio)
-Mempunyai stabilitas penguatan yang rendah karena bergantung
pada kestabilansuhu dan bias transistor.
4. Prinsip kerja dari penguat common emitter adalah menggunakan
transistor sebnagai penguat. Transistor merupakan komponen dasar
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

untuk penguat, transistor harus berada dalam kondisi aktif. Kondisi

aktif dihasilkan dengan memberikan bias pada transistor. Bias dapat
dilakukan dengan memberikan arus yang konstan pada basis atau pada
kolektor. Jika pada kondisi aktif transistor diberi sinyal (input) yang
kecil, maka dihasilkan keluaran (output) yang lebih besar. Hasil bagi
antara sinyal output dan sinyal input inilah yang disebut penguatan,
yang sering diberi notasi A atau C.

5.2 Saran

1. Sebaiknya praktikan selanjutnya lebih memahami prinsip kerja transistor.

2. Sebaiknya praktikan selanjutnya hafal table kode warna resistor.
3. Sebaiknya praktikan selanjutnya lebih mempelajari materi percobaan ini.
 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

DAFTAR PUSTAKA

Blocher, Richard. 2004. DASAR ELEKTRONIKA. Yogyakarta : Andi.

Halaman : 103 – 105 , 110
Pettit, Joseph Mayo. 1961. ELECTRONIC AMPLIFIER CIRCUITS. New York :
McGraw Hill.
Pages : 1 , 11 – 13
Schultz, Mitchel E . 2007. GROBS BASIC ELECTRONICS. New York: McGraw
Hill
Pages : 909 , 928
Schure, Alexander . 1961. BASICS TRANSISTOR. New York : Rider Publisher.
Pages : 33 , 46 – 48 , 59 . 62 , 68 , 72 , 79.
Surjono, Herman Dwi. 2011. ELEKTRONIKA : TEORI DAN PENERAPAN.
Jember : Penerbit Cerdas Ulet Kreatif.
Halaman : 55 -70

Medan, 10 November 2021

Asisten Praktikan,

(Irfan Syahputra Sianturi) (Monalisa L Sinabutar)

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

LAMPIRAN

Vce Gain

1 78900

2 147700

∆Vce 2−1 1
Slope = ∆Gain = 147700−78900 = 68800 = 0.0000145
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR

LAMPIRAN
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR
LABORATORIUM ELEKTRONIKA DASAR